Academic literature on the topic 'Fuite de courant'

Il est courant de lire les romans de l’auteur franco-ontarien Michel Dallaire dans une optique « universaliste » qui accorde une importance première à l’ailleurs et à la rencontre avec l’autre. Or il s’agit ici de montrer, à partir de l’exemple offert par Terrains vagues (1992), que ces motifs ne sont pas une fin en soi, mais qu’ils sont plutôt produits par l’incapacité du personnage féminin, à la suite d’un traumatisme qu’il a subi lorsqu’il était enfant, à vivre parmi les siens, dans sa communauté d’origine. L’héroïne agit moins pour l’autre que pour fuir, et moins dans une perspective de l’ailleurs que contrece qu’elle fuit : la communauté dont elle est originaire, sa famille, son passé, son mal de vivre, ses malheurs, sa honte. Par ailleurs, comme le roman se donne à lire comme le journal du personnage, il met en avant un certain nombre d’intertextes à partir desquels l’héroïne tente de progresser dans sa quête de libération.

Résumé Le commerce mondial a bénéficié, en 1994, du cumul d'un ensemble de facteurs expansifs, qui lui ont permis d'enregistrer une croissance de l'ordre de 10 %. Tous ces facteurs ne se reprodui- ront pas avec la même intensité en 1995 et 1996 : — sous l'impulsion d'un durcissement déjà largement acquis de la politique monétaire, l'économie américaine enregistrera un ralen- tissement maîtrisé mais net, qui l'amènera en-deçà d'une crois- sance de 2 % l'an en 1996 ; — les économies émergentes qui connaissent des déséquilibres courants menaçants chercheront à mieux contrôler la croissance de leurs importations; — la faiblesse du dollar, sur l'ensemble de l'horizon de prévi- sion, exercera une pression concurrentielle prononcée envers les autres régions du monde. Même s'il se relève en 1996 par rapport à ses très bas niveaux actuels, le dollar ne le fera que modérément. Face à ces évolutions, les perspectives sont différenciées selon les régions du monde. Le Japon manifeste de grandes difficultés à réussir une sortie endogène de la récession des dernières années. Il n'y parvient que dans la mesure où l'impulsion publique ne se relâche pas. Les reconstructions nécessitées par le séisme de Kobé contribueront positivement à la croissance japonaise en 1995. C'est seulement en 1996 que celle-ci connaîtra une performance supé- rieure à 3 % l'an, lorsque la demande privée prendra le relais de l'impulsion publique. En 1995 la croissance allemande bénéficiera du cycle d'investis- sements engagé chez ses partenaires européens, tandis que ceux- ci seront entraînés par la consolidation de l'expansion germanique. La reprise allemande, qui s'est engagée en 1994 sous l'impulsion de la reconstitution des stocks et des exportations, deviendra en 1995 une expansion prenant plus fermement appui sur la consom- mation des ménages. Ce sera le principal effet de l'issue des négociations salariales que de donner un coup de fouet à celle-ci. La croissance allemande atteindrait 3,7 % en 1995 (3,2 % pour la partie occidentale). L'Allemagne franchira au cours de 1995 le niveau jugé normal d'utilisation de ses capacités productives. Les autorités monétaires allemandes en tiendront compte pour resserrer progressivement, à l'horizon de 1996, les conditions monétaires. La croissance alle- mande reviendra alors à hauteur de sa croissance potentielle et enregistrera en moyenne annuelle un chiffre de 3,5 % (3 % pour les lànder occidentaux). Les autres pays européens deviendront plus contraints par le resserrement monétaire allemand. En France, la reprise s'est confirmée : les carnets de com- mandes et la production restent à haut niveau. Le redémarrage de l'investissement est effectif, l'ajustement des stocks s'est réalisé, la demande étrangère reste soutenue. Si la consommation a souffert du repli de l'automobile en fin d'année, les anticipations des pro- ducteurs de biens de consommation courante restent bien orien- tées. Le logement semble être le seul secteur où un retournement s'opère. A la date de cette chronique, les perspectives que l'on peut tracer pour l'économie française sont nécessairement tendan- cielles ; quelle qu'en soit l'issue, les élections présidentielles déboucheront sur une inflexion de la politique économique à la mi- 1995. Les incertitudes majeures de cette prévision concernent trois domaines : — la politique budgétaire suivie ne permettrait pas de vérifier le critère de Maastricht concernant le déficit public (qui doit être inférieur à 3 % du PIB) avant 1997 au plus tôt ; — la politique monétaire resterait dictée par la politique du change. L'inversion des taux, en mars 1995 serait éphémère grâce à la réduction de la prime de risque par rapport à l'Allemagne ; — l'évolution des salaires est également incertaine. Notre antici- pation de croissance des salaires (taux de salaire horaire, heures supplémentaires, primes) pourrait être sous-estimée si continuent de se développer les mouvements revendicatifs du printemps. Cette prévision tendancielle conduit à une croissance du PIB de 3,5 % en 1995 et 3 % en 1996. La reprise de la demande intérieure finale concernerait tout particulièrement l'investissement des entre- prises. Les achats des ménages pourraient s'intensifier sous l'effet d'un regain modéré du revenu et de la poursuite de la baisse du taux d'épargne ; les dépenses de consommation bénéficieraient de l'atonie de l'investissement logement. Le restockage, amorcé à la mi-1994, soutiendrait encore fortement la croissance de 1995, mais beaucoup plus faiblement en 1996. La forte reprise des exporta- tions serait compensée par celle, encore plus soutenue, des impor- tations. A la fin de 1996 le niveau d'équilibre du PIB à son potentiel ne serait pas encore atteint. L'utilisation des capacités de production resterait en-deçà des seuils de saturation conduisant à accélérer les hausses de prix et/ou élever le taux de pénétration des importa- tions sur le marché intérieur. Le chômage reculerait peu, la pro- gression des effectifs, même en incluant le développement du temps partiel, absorbant juste le surcroît de population active. En l'absence de tensions sur les capacités, l'inflation resterait très modérée, les prix des services évoluant de plus en plus près de ceux de l'industrie. Et les soldes extérieurs (commercial et courant) conserveraient des excédents proches de ceux de 1994.

Résumé Située au croisement des phénomènes d'endettement et d'avance du marché dans l'univers rural bas-canadien, la consommation courante présente des particularités dont l'étude apporte un éclairage essentiel à l'un comme à l'autre: d'abord comme véhicule privilégié de V eclosión économique et matérielle de ce monde rural, via la ronde des biens de consommation, mais aussi comme point de fuite du capital villageois. Le livre de comptes (1794-1797) de Joseph Cartier, marchand général à Saint-Hya- cinthe, a permis l'étude de ce secteur mal connu de la vie économique rurale. Une élaboration méthodologique originale a été mis au point pour la transcription infor- matique et l'analyse du document. Les premiers résultats sur la consommation ont permis de déceler la présence de besoins issus d'habitudes et de valeurs bien enracinées même en périodes de crise, et entraînant pour plusieurs une dépendance économique accrue. La présente étude apar ailleurs conduit à remettre en question le bien-fondé de ïidéal d'autosuffisance dont on affuble beaucoup de sociétés rurales passées.

RésuméLa figure de l’enfant soldat s’est progressivement établie dans la fiction romanesque africaine centrée sur le récit de la guerre. Du point de vue de l’esthétique de la réception, mais aussi de l’actualité des guerres dans le Tiers-Monde,le motif de l’enfant soldat fait autorité et trouve une audience confortable auprès des lecteurs.Mais,la mise en scène des enfantsdans les récits d’une violence extrême impose des techniques narratives qui tendent à occulter ou du moins à restreindre la cruauté des images présentées au lecteur. Une des stratégies courantes est la fuite de la réalité qui dispense les jeunes protagonistes de décrire les cruautés qu’ils ont commises. L’occlusion des épisodes les plus crus de la narration vise à dépouiller la fiction de la guerre des expériences trop ruineuses pour la psychologie des protagonistes.La présente contribution analyse les segments esthétiquesde cet escapisme dans le roman Allah n’est pas obligé d’Ahmadou Kourouma.

Dans l’Irangate, le plus intéressant ne nous semble pas être son côté policier : qui a su et autorisé quoi ? Chacun, sur ce point, s’est fait son intime conviction mais n’en aura probablement jamais la preuve indubitable, d’autant moins qu’il n’y aura pas d’action judiciaire contre le président. A dire vrai, que le président Reagan ait su ou non les détails exacts de l’enterprise importé peu : le fait indéniable est que ses plus proches collaborateurs ont pris ces initiatives et s’y sont crus autorisés par le président. Ainsi, l’amiral Poindexter, après avoir déclaré, au grand soulagement de la Maison Blanche que « bien que je fusse convaincu que le président approuverait si on le lui demandait, j’ai pris la décision délibérée de ne pas demander au président afin de le protéger de la décision et de lui fournir la possibilité de tout nier si des fuites avaient lieu » ajoutera dans le même souffle qu’il était persuadé que, l’eût-il tenu au courant, le président en aurait été d’accord : « Je suis sûr que cela aurait fait plaisir au président ».

Dans l’Irangate, le plus intéressant ne nous semble pas être son côté policier : qui a su et autorisé quoi ? Chacun, sur ce point, s’est fait son intime conviction mais n’en aura probablement jamais la preuve indubitable, d’autant moins qu’il n’y aura pas d’action judiciaire contre le président. A dire vrai, que le président Reagan ait su ou non les détails exacts de l’enterprise importé peu : le fait indéniable est que ses plus proches collaborateurs ont pris ces initiatives et s’y sont crus autorisés par le président. Ainsi, l’amiral Poindexter, après avoir déclaré, au grand soulagement de la Maison Blanche que « bien que je fusse convaincu que le président approuverait si on le lui demandait, j’ai pris la décision délibérée de ne pas demander au président afin de le protéger de la décision et de lui fournir la possibilité de tout nier si des fuites avaient lieu » ajoutera dans le même souffle qu’il était persuadé que, l’eût-il tenu au courant, le président en aurait été d’accord : « Je suis sûr que cela aurait fait plaisir au président ».

Introduction: Previous studies of robotic-assisted radical prostatectomy(RARP) have suggested that obesity is a risk factor for worseperioperative outcomes. We evaluated whether body mass index(BMI) adversely affected perioperative outcomes.Methods: A prospective database of 153 RARP (single surgeon)was analyzed. Obesity was defined as BMI ≥ 30 kg/m2; normalBMI < 25 kg/m2; and overweight as 25 to 30 kg/m2. Two separateanalyses were performed: the first 50 cases (the initial learningcurve) and the entire cohort of 153 RARP.Results: In the initial cohort of 50 cases (14 obese patients), therewas no statistically significant difference with regards to operativetimes, port-placement times and estimated blood loss (EBL). Lengthof stay (LOS) was longer in the obese group (4.3 vs. 2.9 days); BMIremained an independent predictor of increased LOS on multivariatelinear regression analysis (p = 0.002). There was no statisticallysignificant difference in the postoperative outcomes of leak rates,margin rates and incisional herniae. In the entire cohort, whencomparing obese patients to those with a normal BMI, there wasno statistically significant difference in operative times, EBL, LOS,or immediate postoperative outcomes. However, on multivariatelinear regression analysis, BMI was an independent predictor ofincreased operative time (p = 0.007).Conclusion: Obese patients do not have an increased risk of bloodloss, positive margins or the postoperative complications of incisionalhernia and leak during the learning curve. They do, however,have slightly longer operative times; we also noted an increasedLOS in our first 50 cases.Introduction : Des études antérieures sur la prostatectomie radicaleassistée par robot (PRAR) ont laissé entendre que l’obésité était unfacteur de risque de complications périopératoires. Nous avonsévalué si l’indice de masse corporelle (IMC) affectait de façonnégative les résultats de l’opération.Méthodologie : Une base de données prospective comptant153 PRAR (effectuées par un seul chirurgien) a été analysée. On adéfini l’obésité comme un IMC ≥ 30 kg/m2, un IMC normal étant< 25 kg/m2, et un IMC entre 25 et 30 kg/m2 représentant un surplusde poids. Deux analyses distinctes ont été réalisées : les 50 premierscas (courbe d’apprentissage initiale) et la cohorte entière des153 patients ayant subi une PRAR.Résultats : Dans la cohorte initiale de 50 cas (dont 14 patientsobèses), on n’a noté aucune différence significative sur le planstatistique en ce qui concerne la durée de l’opération, le tempsrequis pour installer l’accès vasculaire et la perte de sang approximative.La durée du séjour était plus longue dans le groupe despatients obèses (4,3 contre 2,9 jours), et l’IMC est demeuré unfacteur indépendant de prédiction d’une durée prolongée du séjourlors de l’analyse de régression linéaire multivariée (p = 0,002).Aucune différence significative sur le plan statistique n’a été notéedans les résultats postopératoires quant aux taux de fuite, aux tauxde marges positives et aux hernies incisionnelles. Dans toute lacohorte, on n’a noté aucune différence significative sur le planstatistique entre les patients obèses et les patients dont l’IMC étaitnormal en ce qui a trait à la durée de l’opération, la perte desang, la durée du séjour et les résultats postopératoires immédiats.Néanmoins, l’IMC s’est révélé un facteur de prédiction indépendantd’une durée prolongée de l’opération lors de l’analyse de régressionlinéaire multivariée (p = 0,007).Conclusion : Les patients obèses ne courent pas un risque plus élevéde perte de sang, de marges positives ou de complications postopératoirescomme une hernie incisionnelle ou une fuite pendantla période de la courbe d’apprentissage du chirurgien. Ils nécessitenttoutefois une opération légèrement plus longue; une duréeplus longue du séjour a aussi été notée chez les 50 premiers cas.

Cette these expose une analyse electrique des composants laser a semi-conducteur basee sur le calcul a 2d de la repartition du courant dans la structure a l'aide d'un outil de resolution numerique par elements finis. La modelisation du composant a partir de la description de la structure reelle s'appuie sur l'etude prealable des differentes regions elementaires caracterisees et modelisees independamment. Cette approche est appliquee au laser ingaasp/inp brs dans le cadre de l'optimisation de ses performances statiques. Des caracterisations i(v) sont tout d'abord effectuees sur des diodes test permettant de mesurer le courant a travers la jonction p-n, la region implantee par des protons et la couche active de la structure. Leurs caracteristiques sont etudiees et modelisees par le logiciel de simulation 2d dans le modele de derive/diffusion. Le courant total du composant est calcule en prenant en compte globalement la modelisation des differentes regions. L'analyse debouche sur un modele electrique du fonctionnement du laser en regime d'impulsion, permettant une interpretation des caracteristiques i(v) et p(i) en impulsion. Le courant de fuite est localise et evalue en fonction du courant total a la temperature constante de 20c. Le role de l'interface entre les regions implantees et non implantees est mis en evidence au niveau du courant de seuil et celui de la jonction p-n au niveau de la limitation de la puissance

La miniaturisation de la structure de transistor MOS a conduit à l'amincissement de l'oxyde de grille. Ainsi, la dégradation et le claquage sous contrainte électrique est devenu l'un des problèmes de fiabilité les plus importants des couches minces d'oxydes. L'utilisation de techniques de caractérisation permettant de mesurer les courants de fuite avec une résolution spatiale nanométrique a montré que le phénomène de claquage des oxydes est un phénomène très localisé. Le diamètre des "points chauds", des endroits où le courant de fuite est très élevé pour une tension appliquée continue, peut-être de quelques nanomètres uniquement. Ceci illustre pourquoi les méthodes de caractérisation avec une résolution spatiale à l'échelle nanométrique peuvent fournir des informations supplémentaires par rapport à la caractérisation classique macroscopique. Il y a deux instruments, dérivés de la microscopie à force atomique (AFM) qui peuvent être utilisés pour faire ce travail, soit le Tunneling Atomic Force Microscope (TUNA) ou le Conductive Atomic Force Microscope (C-AFM). Le mode TUNA qui est utilisé dans notre travail est capable de mesurer des courants très faibles variant entre 60 fA et 100 pA. Notre travail peut être divisé en deux thèmes principaux: - La caractérisation électrique des couches minces d'oxydes high-k (LaAlO3 et Gd2O3) à l'échelle nanométrique en utilisant le Dimension Veeco 3100 où nous avons montré que la différence de leurs techniques d'élaboration influe largement sur le comportement électrique de ces oxydes. - Les caractérisations électriques et physiques à l'échelle nanométrique des couches minces d'oxydes thermiques SiO2 sous différentes atmosphères, c.à.d. dans l'air et sous vide (≈ 10-6 mbar) en utilisant le microscope Veeco E-Scope. L'influence de l'atmosphère a été bien étudiée, où nous avons montré que les phénomènes de claquage des couches minces d'oxydes peuvent être fortement réduits sous vide surtout en l'absence du ménisque d'eau sur la surface de l'oxyde pendant les expériences. En utilisant les plusieurs modes de l'AFM, il a été démontré que l'existence de bosses anormales (hillocks) sur la surface de l'oxyde après l'application d'une tension électrique est une combinaison de deux phénomènes: la modification morphologique réelle de la surface de l'oxyde et la force électrostatique entre les charges piégées dans le volume de l'oxyde et la pointe de l'AFM. Selon les images du courant obtenues par AFM en mode TUNA, deux phénomènes physiques pour la création de ces hillocks ont été proposés: le premier est l'effet électro-thermique et la seconde est l'oxydation du substrat Si à l'interface Si/oxyde.

Ce travail a pour but d'étudier les mécanismes du courant de drain en régime bloqué dans les transistors en couches minces (TFT) à base de silicium microcristallin (~c-Si:H), ainsi que ceux de la dérive de la tension de seuil. Pour cela nous avons fabriqué des TFT en ~c-Si:H. Nous avons déterminé les mécanismes du courant en régime bloqué pour les champs électriques modérés: il s'agit de la :onduction de type Poole Frenkel, et pour les forts champs, c'est un courant de type effet tunnel bande 3 bande. Nous avons identifié un phénomène de courant parasite en régime bloqué qui s'ajoute au :ourant intrinsèque, et qui est spécifique aux TFT en ~c-Si:H. Il provient d'une contamination en )xygène pendant le procédé de fabrication. L'oxygène, présent sur le canal arrière, diffuse et/ou s'active Jendant la passivation finale en SiNx et dope le canal arrière. Une solution pour réduire ce courant Jarasite est d'ajouter une couche de silicium amorphe au dessus du ~c-Si:H pour protéger le canal 3rrière, ou bien de diminuer la température de dépôt du ~c-Si:H. Concernant la dérive de tension de ;euil, nous avons pu établir que le piégeage de charges dans le SiNx est le mécanisme dominant
The aim of this work is to study the drain leakage current mechanisms in microcrystalline thin film :ransistors (~c-Si:H TFT) so as the mechanisms of threshold voltage shift. For that we fabricated ~c-Si:H rFT. We established that the mechanism of drain leakage current for moderate field is Poole Frenkel :onduction, and for high field it is a tunnelling band-to-band conduction. We identified a new Jhenomena, specific for ~c-Si:H TFT, a parasitic leakage current is added to the intrinsic current and :hanges the shape of sub-threshold slope. This current is the result of oxygen contamination during the =abrication process. Oxygen present at back channel diffuses and/or is activated during the silicon nitride Jassivation. Oxygen atoms act as N-type dopant and create a parasitic back channel. A solution to "educe this parasitic current is to add an intrinsic amorphous silicon film on top of the ~c-Si:H film to Jrotect the back channel. Another solution is to reduce the microcrystalline silicon de position :emperature. Regarding threshold voltage shift mechanism, we found that the main mechanism is the :harge trapping in the silicon nitride film

Dans un objectif de prévention de défaillances sévères susceptibles de conduire à un amorçage de feu sur circuits imprimés, l'évolution rapide d'un défaut d'origine thermique sur un circuit de type FR-4 a été étudiée. Une étude préliminaire des caractéristiques électrique et chimique du matériau a été effectuée en fonction de la température. La défaillance a été modélisée par une surintensité contrôlée localisée au niveau d'un défaut de géométrie imposée. Les expériences ont été conduites jusqu'à rupture de la piste aboutissant ou non à un départ de feu. Le courant de fuite circulant dans le substrat s'est révélé être un paramètre pertinent pour évaluer la dégradation du circuit imprimé. Des cartographies thermiques de la surface et de l'épaisseur du substrat sous le défaut ont également été réalisées. Parallèlement à cette étude expérimentale, un modèle numérique électrothermique 3D développé sur cette structure a permis de décrire et valider la dominance d'un processus thermique jusqu'à la rupture de la piste. Un enregistrement détaillé des paramètres électriques synchronisé à une cinématographie rapide au moment de la rupture a permis d'identifier un mécanisme impliquant un décollement de piste au niveau du défaut lié à un emballement de la température et du courant de fuite localisés. Ce mécanisme a été associé à la présence d'un canal chaud au travers du substrat conduisant à : (i) un échauffement important et localisé du matériau par effet Joule susceptible de conduire l'inflammation, (ii) un entretien de chauffage du substrat après rupture de la piste contribuant à entretenir et à propager Ie feu, notamment par émission de composés inflammables
In the objective of prevention of severe failures leading to fire in onboard printed circuit board, the aggravation of hot spots due to an electronic component defect was experimentally modelled by creating a controlled overload on a FR4 Printed Circuit Board (PCB) track. A two-sided PCB was considered for these experiments, in which the leakage current intensity flowing through the PCB was measured. The experiments were lead until the track rupture with or without fire ignition. Leakage current was found to be a reliable parameter for monitoring the PCB temperature and state of degradation. Concurrently, thermal space and time resolved measurements were made on the PCB surfaces and on the PCB cross section surface. In addition to experiments, a 3-D finite element model was also created to simulate the trace heating; good agreement was found with experiments within the model's assumptions, up to the point of the track rupture. A detailed record of the electrical parameters synchronized to a fast camera when the track rupture identified a mechanism involving a detachment of the track near the defect according to the current/temperature runaway phenomenon. Leakage current appeared as a contributor to fire ignition by Joule effect (intensity in the A range) and was also seen to sustain the heating of the PCB despite of the track rupture, and to support fire propagation through promoting the release of flammable compounds (e. G. Hydrogen, acetylene, ethylene measured at 300°C) via substrate heating

Le marché des mémoires non volatiles à grille flottante connaît actuellement un essor considérable du fait de leur utilisation croissante dans tous les domaines d'applications de l'électronique et par conséquent dans de très nombreux secteurs industriels. Cependant ces dispositifs mémoires se heurtent aujourd'hui à une limite technologique liée à l'impossibilité de réduire l'épaisseur de la couche d'oxyde tunnel SiO$_{2}$ qui isole la grille flottante contenant l'information. En effet, en deçà d'une épaisseur critique de l'ordre de $7\,nm$, l'oxyde tunnel est le siège de courants de fuite induits par les cycles répétés de programmation, qui engendrent des pertes de charge diminuant drastiquement le temps de rétention et la durée de vie des cellules mémoires. Ces courants de fuite sont communément appelés courants SILC (Stress Induced Leakage Current).

Durant cette thèse, dans l'objectif d'obtenir des mesures fiables des courants SILC, nous avons mis en \oe uvre un banc de mesure très bas niveau permettant d'atteindre la résolution ($10^{-15}\,A$) des appareillages de mesures les plus performants du marché. Nous avons ensuite implémenté la technique dite "de la grille flottante" qui permet d'atteindre de façon indirecte des niveaux de courant inférieurs à $10^{-16}\,A$. À partir de nombreuses mesures expérimentales réalisées sur des oxydes tunnel de $7 - 8\,nm$ issus d'une technologie FLOTOX\ EEPROM, un modèle de conduction tunnel assisté par pièges a été développé permettant, à l'aide d'une nouvelle méthodologie, d'extraire les profils de distributions spatiale et énergétique des défauts dans l'oxyde. Le chargement stable de ces défauts permet de rendre compte de la dérive de la loi Fowler-Nordheim responsable de la fermeture de fenêtre de programmation des cellules mémoires. Le modèle développé conduit finalement à une bonne simulation des caractéristiques de conduction de l'oxyde tunnel dans tous les domaines de champ électrique et en fonction du niveau de dégradation.

Finalement, les structures à grille flottante ont été modélisées d'un point de vue dynamique. L'influence des pulses de programmation sur les différentes grandeurs électriques dans les cellules mémoire a été analysée ainsi que les cinétiques de perte de charge en fonction du courant de fuite dans l'oxyde tunnel. A partir des mesures réalisées sur des structures de test grille flottante, les temps de rétention sur cellule élémentaire ont été extrapolés.

Le vieillissement de transistors bipolaires à hétérojonction Si/SiGeC issus de technologies BiCMOS avancées a été étudié, et ce pour les trois modes de dégradation connus du transistor bipolaire, correspondant à une polarisation du transistor en inverse, en direct et en «mixed-mode». L'effet de ces contraintes sur les caractéristiques électriques du transistor bipolaire, et en particulier sur le courant base, est unique quel que soit le mode de dégradation déclenché, avec l'apparition d'un courant base de génération-recombinaison issu de défauts d'interface Si/Si02 créés par des porteurs chauds au cours de la contrainte. L'extraction des facteurs d'accélération du vieillissement en fonction des nombreux paramètres de contrainte a permis la construction de modèles empiriques pour l'étude de chacun des modes de dégradation. Des mesures de bruit basse fréquence, et des simulations physiques TCAD ont également été utilisées pour la compréhension des mécanismes physiques à l'origine du vieillissement des transistors bipolaires. Enfin, une discussion sur l'unicité de comportement constatée quel que soit le mode de dégradation déclenché conclut ce manuscrit
Rapid evolution in bipolar transistors architectures and materials in the past ten years led to new reliability concerns. Degradation of electrical characteristics and especially of base current was investigated under the three main known degradation modes for bipolar transistors: reverse mode, forward mode and mixed-mode. Main relevant results led to a unique behaviour after any of these three reliability stresses: the apparition of a generation recombination non-ideal excess base current, characteristic of interface traps created by hot carriers at Si/Si02 spacer and/or STI interfaces. Acceleration factors of the base current degradation with stress time and any other stress parameters were extracted in details, and led to the proposal of empirical models that should be taken into account next bipolar transistors generations qualification work. TCAD simulations and LF noise measurements before and after stress were also implemented for further understanding of bipolar transistor aging studies. Finally, the unified behaviour of degradation under any reliability stress is discussed

Les transformateurs de courant débitent généralement dans une charge de faible impédance. Si cette condition n'est pas remplie, l'induction dans le tore et le courant magnétisant ne sont plus négligeables. Ce mémoire traite ce cas de figure avec en plus des courants éventuellement non sinusordaux et avec une composante contin!le. Un modèle analytique s'étoffe au fur et à mesure afin de tenir compte de ces spécificités. - D'abord nous analysons le comportement de la chaîne de mesure avec des courants sinusoidaux, nous développons un modèle analytique non linéaire de l'impédance magnétisante et évaluons l'importance des flux de fuite. Ensuite nous étendons ce modèle d'impédance magnétisante aux types de courants cités. Notre modèle, analytique, est alors robuste en fréquence. Enfin nous enrichissons notre modèle en tenant compte de la non-linéarité des matériaux. N est alors valable quelque soient les conditions de fonctionnement Une étude sur la caractérisation des matériaux magnétiques soumis à une excitation dissymétrique clôt ce mémoire
Current transformers are generally connected to small impedance. If it is not the case, the flux density and the magnetizing current are not negligIble. This report deals with this case. More over the current may he non sinusoidal and its mean value May he different than zero. To take account these specificity an anaIytical model is developed. In a first time the hehavior of the assembly (current transformer and its load) with sinusoidal currents is studied. An non linear, analytical, model is developed. The importance of the leakage flux is evaluated In a second time the model is extended to any type of current' s wave form. The frequency' s variations of the magnetic characteristic are taken into account In a third time the non linearity of the magnetic material is modelised At this time the hehavior of the transformer submitted to any type of current May he computed. This report is closed by a study of magnetic characterization using a non symmetrical current

Ce travail présente un modèle de décharge permettant de prédire le comportement d'un isolateur pollué soumis à différents types de tensions. Ce modèle est basé sur des considérations énergétiques et utilise les caractéristiques physiques de l'arc ainsi qu'un circuit électrique équivalent. Un nouveau critère analytique de propagation de la décharge faisant intervenir l'impédance équivalente d'un circuit électrique simulant un isolateur pollué sur lequel une décharge s'est produite, est présenté.
Pour tenir compte de l'évolution du phénomène de propagation de la décharge dans le temps, un modèle dynamique autonome est développé. Ce modèle permet de calculer la tension de contournement des isolateurs et de décrire la dynamique de l'arc en tenant compte du changement de la résistance de l'arc, du profil de l'isolateur, de la constriction des lignes de courant au pied de la décharge, de la variation du rayon de l'arc, de la vitesse instantanée de propagation de la décharge et du type d'onde de tension appliquée (continue, biexponentielle ou alternative).
Les caractéristiques obtenues à partir du modèle sont conformes aux observations et mesures effectuées en laboratoire.

Avec la miniaturisation des circuits intégrés, le délai de transmission dû aux interconnexions a fortement augmenté. Pour limiter cet effet parasite, le SiO2 intégré en tant qu'isolant entre les lignes métalliques a été remplacé par des matériaux diélectriques à plus faible permittivité diélectrique dits Low-κ. La principale approche pour élaborer ces matériaux est de diminuer la densité en incorporant de la porosité dans des matériaux à base de SiOCH. L'introduction de ces matériaux peu denses a cependant diminué la fiabilité : sous tension, le diélectrique SiOCH poreux est traversé par des courants de fuite et peut claquer, générant des défaillances dans le circuit. La problématique pour l'industriel est de comprendre les mécanismes de dégradation du diélectrique Low-κ afin de déterminer sa durée de vie aux conditions de température et de tension de fonctionnement. Dans ce contexte, les travaux de cette thèse ont consisté à étudier les mécanismes de conduction liés aux courant de fuite afin d'extraire des paramètres quantitatifs représentatifs de l'intégrité électrique du matériau. Nous avons utilisé ces paramètres afin de suivre le vieillissement du matériau soumis à une contrainte électrique. Nous avons également introduit la spectroscopie d'impédance à basse fréquence comme moyen de caractérisation du diélectrique Low-κ. Cet outil nous a permis de caractériser le diélectrique intermétallique de façon non agressive et d'identifier des phénomènes de transport de charges et de diffusion métallique à très basses tensions qui offrent des perspectives pour l'étude de la fiabilité diélectrique des interconnexions.

Thèse (D.Eng.) -- Université du Québec à Chicoutimi, 2007.
La p. de t. porte en outre: Thèse présentée à l'Université du Québec à Chicoutimi comme exigence partielle du doctorat en ingénierie. CaQQUQ Bibliogr.: f. 235-244. Document électronique également accessible en format PDF. CaQQUQ