Academic literature on the topic 'Filières puissance et mémoires'

Si l’on considère la mémoire comme un enchaînement d’images et d’émotions tendues vers l’action, sa puissance sociale peut être plus importante qu’on ne l’imagine généralement. Cet article explore la manière dont les expositions au musée présentent les mémoires des migrations et partagent avec le public des récits et souvenirs à travers divers objets. Cette visibilité des constructions mémorielles dans l’espace public suppose une mobilisation politique, proposant un certain «partage du sensible». L’émotion partagée devient-elle ici politique ?

Le rapport à l’écriture d’étudiants est analysé à partir de la perception que ces derniers ont de la commande d’écriture des mémoires – professionnels ou de recherche – nécessaires pour valider leur diplôme. Notre recherche a été menée auprès d’étudiants, de formateurs et de responsables dans trois filières de formation dont deux combinent un diplôme professionnel et un diplôme universitaire. Le dispositif socio-clinique institutionnel a permis de mener la recherche transversalement à ces différentes formations et d’associer les sujets de la recherche à la production des analyses. Trois postures ont été identifiées pour décrire les rapports des étudiants à la commande d’écriture du mémoire: «écrire un mémoire comme un exercice à faire», «faire une recherche» et «se construire intellectuellement et professionnellement».

Depuis quelques années, les sociologues qui étudient les cultures juvéniles s’opposent : d’un côté, on décrit un ensemble tendant à s’homogénéiser par la puissance des normes adolescentes ou à s’hétérogénéiser du fait d’un d’éclectisme généralisé, de l’autre on réaffirme la force primordiale des socialisations familiales et scolaires et des effets de distinction des goûts culturels. Les résultats de la recherche présentée ici montrent que c’est dans l’action conjointe des situations familiales, des parcours scolaires et des réseaux amicaux que se créent des zones d’influence plus ou moins puissantes, déterminées en grande partie par la cohésion sociale des différentes instances en présence. Ainsi, la qualité des relations avec les parents, les modes de scolarisation, les filières et la cohésion interne des groupes classes sont d’importants facteurs d’explication d’une emprise plus ou moins durable sur les goûts adolescents. Conformité et distinction prennent sens dans ces configurations d’influences.

En 1989, Derrida est sollicité par le Musée du Louvre pour réaliser une exposition sur le thème de son choix et en écrire le commentaire. C’est alors qu’il découvre qu’il ne peut cligner de son œil gauche, ce qui s’avère être le symptôme d’une maladie d’origine virale. Le sujet s’impose à lui — les dessins d’aveugles, lesquels vont soutenir son questionnement : la cécité serait-elle au fondement de la vue ? L’ouvrage Mémoires d’aveugle. L’autoportrait et autres ruines (Derrida, 1990) reproduit le texte qu’il écrivit pour l’occasion, ainsi qu’une sélection des œuvres exposées. Du point de vue des études sur le handicap, nous nous interrogeons, dans cet article, à notre tour : lorsque l’on soutient, comme Derrida, que l’« aveuglement » est la condition de possibilité du dessin, et plus largement de la visibilité, que dit-on de la cécité ? Refuse-t-on son assignation comme déficience, fait-on d’elle un handicap tel que le conçoivent les Disability Studies, à savoir un empêchement socialement élaboré ? Cet article montre d’abord que Derrida, dans son ouvrage, révèle que la cécité, dans les traditions juive, chrétienne et philosophique, oscille entre excès et défaut de savoir. Puis, il souligne la façon dont le philosophe déconstruit cette représentation au profit d’une conception de l’« aveuglement » comme une puissance dont les aveugles, qui selon lui sont des êtres passifs, demeurent privés.

Cet article a pour objet de parcourir une mémoire inscrite dans l’histoire de la conquête et des grandes découvertes, au XVIe siècle, menée par une puissance impériale de l’époque, l’Espagne. Longtemps présentée de la seule perspective de la relation de voyage de Cabeza de Vaca, la mémoire de l’explorateur marocain Mostafa Al-Azemmouri ou Estevanico incarne une vision eurocentrée qui a mis le voile sur la contribution de cet explorateur à l’événement historique de la Rencontre. L’apport considérable des études subalternes et des études postcoloniales, associé à la réflexion sur l’histoire connectée, ont animé un chantier qui projette un regard sur la mémoire des identités niées et occultées du moment historique. Ces études mettent en valeur une production littéraire et artistique contemporaine qui porte un intérêt à la reconfiguration des mémoires du passé. Celle du personnage historique, Al-Azemmouri, trouve sa manifestation dans le roman de Kébir Ammi, Les Vertus immorales, et dans les représentations artistiques qui fonctionnent dans l’espace natal de cet explorateur, la ville d’Azemmour.

En 2018, la revue Inra Productions Animales devient entièrement numérique et en accès libre ! Chers abonnés, chers lecteurs, En 2018, la revue INRA Productions Animales entre dans sa 31ème année ! En 30 ans, la revue a publié un peu plus de 1200 articles contribuant ainsi fortement à la synthèse et au ransfert des résultats obtenus par l’INRA, ses collaborateurs et ses partenaires dans le domaine des sciences animales et de l’élevage. La revue INRA Productions Animales s’adresse à un large public de professionnels des filières animales, d’agents du développement et des pouvoirs publics, d’étudiants, d’enseignants et de chercheurs, ainsi qu’à la société en général. La spécificité de nos articles est de combiner la volonté de toucher ce large public avec l’exigence de rigueur de l’écriture scientifique d’une revue à comité de lecture indexée dans le « Web of Science ». Au moment où les filières animales doivent construire leur avenir dans un contexte économique incertain et face à des demandes sociétales de plus en plus exigeantes sur les conditions d’élevage des animaux, sur la qualité de leurs produits et sur l’impact environnemental des modes de production, nous sommes convaincus qu’une revue de synthèse scientifique dans le domaine des sciences animales et de l’élevage est indispensable. Inra Productions Animales continuera à publier des articles de synthèse sur des résultats de recherche et leurs applications concernant toutes les espèces d’intérêt zootechnique tout en apportant aussi un éclairage scientifique, dépassionné et objectivé sur les questions sociétales relatives à l’élevage. Le dernier numéro spécial de la revue – « L’élevage en Europe : une diversité de services et d’impacts » – en est l’illustration. Nous poursuivrons dans ce sens en cherchant à ouvrir plus largement encore nos pages aux sciences humaines et sociales. La revue cherchera aussi à élargir son positionnement dans la francophonie et son rayonnement international en suscitant des articles de nos collègues étrangers. Enfin, nous renforcerons notre partenariat avec les journées scientifiques et techniques des différentes filières animales. Ce sera le cas dès cette année avec les « Rencontres Recherches Ruminants – 3R » dont nous publierons les articles de synthèse. Pour atteindre ces objectifs et mieux répondre aux besoins de nos lecteurs, nous avons entrepris une réflexion sur notre modèle technique et économique qui nous conduit à mettre en œuvre des changements importants à partir de 2018. La presse scientifique, comme l’ensemble de la presse, doit faire face à des changements profonds des habitudes de lecture avec la montée en puissance rapide du web et des supports numériques. Par ailleurs, l’INRA s’engage résolument dans une politique de libre accès à l’information scientifique avec l’archive ouverte des productions de l’INRA (« ProdInra ») par exemple. La revue INRA Productions Animales a été pionnière en la matière en ouvrant dès 1996 un site web et en offrant un large accès au téléchargement de ses articles tout en maintenant une édition papier de la revue. Pour poursuivre et faciliter l’accès à la connaissance scientifique diffusée par notre revue, nous supprimerons les abonnements à la revue et le tirage papier et publierons tous les articles de la revue à partir du volume 31 de 2018 en libre accès sur le portail de revues scientifiques de l’université de Bordeaux (http://open.u-bordeaux.fr/journals/). D’ici quelques semaines, vous trouverez sur ce portail un site dédié à la revue INRA Productions Animales où les articles seront publiés intégralement en format « web » ainsi qu’en format « pdf » téléchargeable. Les numéros spéciaux de la revue et certains dossiers continueront à être aussi publiés en tant qu’ouvrages chez Quae (www.quae.com). Vous trouverez toutes les informations pour accéder au nouveau site de la revue sur son site web actuel (https://www6.inra.fr/productions-animales). En vous remerciant de votre fidélité et en souhaitant vous retrouver encore plus nombreux pour la nouvelle formule d’INRA Productions Animales.

Résumé D’aucuns considèrent que l’Europe n’est pas une invention récente née d’un caprice de politiciens, mais le produit d’une maturation multiséculaire. C’est dans cette perspective que maints représentants officiels se réfèrent à la mémoire de l’Europe. L’enjeu est de taille. En effet, l’une des composantes essentielles de toute identité collective réside dans l’interprétation qui est donnée à l’histoire de cette collectivité. Au fil des siècles, les peuples paraissent se forger des souvenirs qu’ils entretiennent, qu’ils assument ou qu’il perdent, voire qu’ils refoulent. L’organisation des souvenirs et des oublis devrait dès lors également conditionner l’existence d’une identité qualifiée d’européenne. Mais il convient de s’interroger à cet égard. Comment les représentants des États membres peuvent-ils parvenir à atténuer les interprétations divergentes, sinon contradictoires du passé ? Comment peuvent-ils dégager un langage commun qui permette de décloisonner les mémoires nationales ? La mise en évidence de souvenirs partagés signifie-t-elle pour autant une homogénéisation totale des représentations du passé ? L’objectif de cette réflexion est de mieux cerner la portée et les limites de toute intervention politique dans la mise en scène de l’histoire. Pour ce faire, elle s’articule autour de deux parties. La première se penche sur les ambitions d’un tel projet. Elle montre que l’insistance sur un passé commun poursuit une double finalité, dans une Europe en quête de légitimité et de puissance. La seconde partie examine les limites de la représentation officielle du passé. Elle établit que la notion de mémoire européenne constitue un projet politique et non une réalité sociologique. Pour ce faire, elle dépeint les trois principales limites du discours officiel sur le passé européen, ce discours risquant de se muer en une description politiquement correcte, sans le moindre impact auprès des populations, dès qu’il apparaît comme aseptisé, homogène et figé.

Alors que les réacteurs de quatrième génération (GEN IV) étaient jusqu’alors majoritairement envisagés pour la forte puissance, le développement des SMR offre aux chercheurs et industriels de nouvelles opportunités d’exploration des concepts. En effet, la baisse de la puissance incite à repenser entièrement les applications de certaines technologies. Ainsi, quasiment toutes les filières de réacteurs de GEN IV considèrent aujourd’hui des projets de développement de type SMR.

Chers abonnés, chers lecteurs, Cela fait maintenant quatre années que j’assure le travail passionnant d’éditeur de la revue INRA Productions Animales. La devise de l’INRA est « Science et Impact ». A notre place, nous nous efforçons de contribuer à l’impact de la science en publiant des articles de synthèse scientifique permettant de transférer les résultats obtenus par l’INRA et ses collaborateurs dans le domaine des sciences animales et de l’élevage à un large public de professionnels des filières animales, d’agents du développement et des pouvoirs publics, d’étudiants et d’enseignants, ainsi qu’à la société en général. La spécificité de nos articles est de combiner la volonté de toucher ce large public avec l’exigence de rigueur de l’écriture scientifique d’une revue à comité de lecture indexée dans le « Web of science ». Les filières animales doivent trouver leur avenir dans un contexte économique incertain et face à des demandes sociétales de plus en plus exigeantes sur les conditions d’élevage des animaux, sur la qualité de leurs produits et sur l’impact environnemental des modes de production. L’année qui vient de s’écouler a été malheureusement riche en évènements traduisant les difficultés présentes et les incertitudes pour l’avenir : crise du prix du lait, crise porcine, épidémies de fièvre catarrhale ovine, de grippe aviaire… Au-delà de l’indispensable synthèse des connaissances, l’ambition de la revue est aussi d’éclairer le débat scientifique et sociétal sur les enjeux et les défis que doivent relever les productions animales, et de proposer des pistes d’innovation afin de les aider à préparer l’avenir. C’est en particulier ce que nous cherchons à faire à travers les numéros thématiques de la revue, qui peuvent être centrés sur une question transversale comme « Quelles innovations pour quels systèmes d’élevage ? » paru en 2014, ou bien sur une filière ou un ensemble de filières, comme « La vache et le lait » et « Palmipèdes à foie gras » parus en 2013 et « Le muscle et la viande » paru en 2015. Avec le comité de de rédaction de la revue, nous souhaitons poursuivre cette politique éditoriale et plusieurs projets de dossiers et de numéros spéciaux sont en cours d’élaboration pour les deux années à venir. La presse scientifique comme l’ensemble de la presse, doit également faire face à une mutation profonde avec la montée en puissance rapide du web et des supports numériques. La revue INRA Productions Animales a été pionnière en ouvrant dès 1996 un site web et en offrant un large accès au téléchargement de ses articles. Nous sommes naturellement attachés à cette politique du libre accès à la science, mais nous devons aussi tenir compte des impératifs budgétaires. C’est pourquoi à partir de cette année, nous sommes amenés à réserver à nos abonnés le téléchargement depuis le site web de tous les articles des numéros de l’année en cours et de l’année écoulée. L’accès au téléchargement se fera via un identifiant et un mot de passe qui vous seront donnés par la revue sur simple demande. Parallèlement, pour faciliter l’accès à la revue au plus grand nombre, nous mettons en place aussi à partir de cette année un tarif d’abonnement préférentiel pour les nouveaux abonnés et pour les participants aux journées de recherche et développement organisées dans les différentes filières (3R, JRP, JRA…). Vous retrouverez ces informations à la fin du numéro sur le bulletin d’abonnement qui vous est proposé ainsi que sur le site web de la revue : http://www6.inra.fr/productions-animales

Ce travail vise à utiliser la spectroscopie de photoélectrons à rayons X durs (HAXPES) à l'échelle du laboratoire dans la perspective de l'analyse du fond continue inélastique (IBA) pour des applications dans le domaine de la métrologie afin de fournir des mesures d'épaisseur de matériaux technologiquement pertinents pour les mémoires et transitors de puissance. Nous cherchons à répondre au besoin d'une méthode adaptée pour les processus de contrôle en salle blanche et l'analyse de routine. Les échantillons présentés dans ce travail ont été fabriqués par des procédés préindustriels et sont représentatifs de la technologie des dispositifs réels avec des préoccupations telles que des phénomènes de diffusion et des couches et interfaces actives profondément enfouies. Dans ce travail, nous évaluons la technique HAXPES-IBA par le biais des logiciels QUASES en étudiant les paramètres libres, les contributions des opérateurs et l'incertitude du résultat de distribution en profondeur. Nous présentons une analyse autonome en accédant aux spectres de photoémission haute-énergie des éléments de chaque couche de l'échantillon, enregistrés avec un nouvel instrument HAXPES (PHI Quantes) équipé d'une source de laboratoire délivrant la radiation Cr Kα (hv = 5414,72 eV). Tout d'abord, des échantillons de référence d'épaisseur rigoureusement contrôlés (films minces Al2O3 et HfO2) ont été étudiés pour confirmer la précision de la méthode IBA par rapport à des techniques de référence hautement quantitatives. Les déterminations d'épaisseur HAXPES-IBA d'échantillons bicouches comportant une couche de surface aussi épaisse que 25 nm et une couche enterrée d'environ 2,5 nm se sont avérées être en excellent accord avec les résultats obtenus par réflectivité des rayons X (XRR) avec une incertitude de la solution IBA sub-namométrique. La nécessité de sélectionner l'énergie d'excitation en HAXPES appropriée en fonction de l'épaisseur totale des films a été démontrée grâce à l'analyse de spectres HAXPES enregistrés avec une radiation Ga Kα (hv = 9251,74 eV). Enfin, nous appliquons la méthode à des échantillons technologiques réalistes. Dans la première étude, nous présentons les résultats d'épaisseur d'une série d'échantillons de film ALD d'Al2O3 déposés sur GaN, représentatifs d'un transistor à haute mobilité électronique (HEMT) MOS à grille encastrée. Les mesures quantitatives de spectrométrie de masse d'ions secondaires (SIMS) complètent la technique IBA en confirmant le besoin d'un spectre de référence. Dans la deuxième étude, la méthode HAXPES-IBA est combinée avec la pulvérisation ionique pour confirmer l'épaisseur de recouvrement Ti/TiN dans une structure Ti/HfO2 utilisée pour la technologie de mémoire d'accès aléatoire résistive à l'oxyde (OxRRAM). Enfin, nous fournissons un résumé critique des progrès à réaliser pour une méthode HAXPES-IBA fiable et précise, entièrement intégrée dans un environnement de contrôle en ligne
This work uses lab-scale hard X-ray photoelectron spectroscopy (HAXPES) in the perspective of inelastic background analysis (IBA) for applications in the metrology field in order to provide thickness measurements of technologically relevant materials in memory and power devices. We seek to meet the need for a method adapted for inline processes and routine analysis. The samples presented in this work were fabricated by pre-industrial processes and are representative of real device technology with concerns like complex interdiffusion properties and deeply buried active layers and interfaces. In this work, we evaluate the HAXPES-IBA technique executed with QUASES software by studying the free parameters, the operator contributions, and uncertainty in the depth distribution. We present a self-contained analysis by accessing high energy photoelectron spectra of elements from each sample layer recorded with a novel lab-scale HAXPES instrument (PHI Quantes) fitted with a Cr Kα photon source (hv = 5414.72 eV). First, highly controlled reference samples of known thicknesses (Al2O3 and HfO2 thin films) were studied to confirm the accuracy of the IBA method through validation against highly quantitative reference techniques. HAXPES-IBA thickness determinations of bilayer samples with a thick overlayer up to 25 nm and a buried layer of approximately 2.5 nm were found to be in excellent agreement with results from X-ray reflectivity (XRR) with fitting uncertainty of the IBA solution in the sub-nanometer range. The need to select the appropriate HAXPES excitation energy depending on total film thickness was demonstrated thanks to complimentary HAXPES measurements recorded with Ga Kα radiation (hv = 9251.74 eV). Finally, we apply the method to realistic technological samples. In the first study, we present thickness results from a sample class of Al2O3 films deposited over GaN by atomic layer deposition (ALD), representative of a recessed gate MOS channel High Electron Mobility Transistor (HEMT). Quantitative secondary ion mass spectrometry (SIMS) measurements compliment the IBA technique by confirming need for reference spectrum. In the second study, the HAXPES-IBA method is combined with ion sputtering to confirm the Ti/TiN overlayer thickness in a Ti/HfO2-based structure used for oxide resistive random access memory (OxRRAM) technology. We provide a critical summary of advances to reach for an accurate and reliable HAXPES-IBA method fully-integrated into inline process control

La demande croissante de composants permettant d'opérer à de fortes puissances, à hautes fréquences et à hautes températures a conduit au développement de filières électroniques à base de semiconducteurs à large bande interdite tels que le nitrure de galium (GaN) et le carbure de silicium (SiC). Toutefois, la maîtrise encore imparfaite des matériaux en termes des défauts au sens large (impuretés, défauts cristallins) limite les performances des dispositifs à base de SiC et GaN. Dans ce travail de thèse, nous nous sommes partculièrement intéressé à l'étude de deux dispositifs : les transistors MESFETs 4H-SiC et les HEMTs A1GaN/GaN/Si destinés à des applications hyperfréquences et puissance. L'étude des caractéristiques des sorties statiques de ces deux composants a révélé certains dysfonctionnements. Pour les MESFETs 4H-SiC, un effet d'hystérésis sur la conductance drain-source en fonction du sens du balayage de la tension de grille, un effet de kink et un décalage de la tension de seuil ont été mis en évidence. Une étude de défauts utilisant notamment la DLTS et la CDLTS, nous a permis de montrer que ces effets sont dus à la présence de défauts profonds dans la structure. Pour les HEMTs A1GaN/GaN sur substrat de silicium (Si), un effet d'hystérésis, ainsi qu'un effet d'auto-échauffement ont été observés. Les mesures de CDLTS avec des impulsions sur le drain ont permis de mettre en évidence la présence de défauts étendus (dislocations) décorés par des pièges ponctuels
The increasing demanded of components allowing operating in strong power in high frequency and in high temperatures drove to the development of electronics system on semiconductors base to wide band gap such as the gallium nitride (GaN) and silicon carbide (SiC). However the performances are limited by the quality of the material (impurities, crystallographic defects). In this thesis, we are interested in the study of two devices: MESFETs 4H-SiC, HEMTs AlGaN/GaN/Si for hyperfrequency and power applications. The study of the output characteristics revals anomalies. For MESFETsH-SiC, hysteresis effect on drain/source conductance spectacular Kink effect and shift of voltage has been observed. The DLTS and CDLTS measurements demonstrate that these effects are principally due to the presence of deep centers in the structures. For HEMT AlGaN/GaN/Si, hysteresis effect, series resistance is observed. The CDLTS measurements with impulses on the drain demonstrate the presence of punctual traps by extended defects

L'amelioration permanente des performances des transistors a effet de champ, en termes de frequence, puissance ou rendement, conduit ces composants a remplacer progressivement les tubes a ondes progressives dans les amplificateurs hyperfrequences de puissance pour applications militaires, aeronautiques et spatiales. De plus, depuis quelques annees, l'extraordinaire explosion des applications grand public integrant des circuits de puissance hyperfrequences (telephone mobile, badges d'identification, systemes d'anti-collision, d'autopeage, et de surveillance de la circulation) a accelere cette evolution. Dans ce contexte, les outils d'aide a l'utilisation des transistors a effet de champ de puissance sont d'un besoin imperieux. C'est a ce besoin que s'adresse le present travail. Sa premiere partie explique le fonctionnement du systeme de mesure de puissance que nous avons developpe selon le principe de la charge active, dans la bande de frequence de 26 a 40 ghz. Ce systeme permet de mesurer de facon automatique des transistors a effet de champ dont le developpement totale de grille peut atteindre un millimetre et utilise un logiciel de pilotage mis au point pour preserver le composant dans les conditions d'impedances dangereuses en terme de courant de grille. De plus les calibrages vectoriels en impedance et en puissance mis en uvre permettent une grande precision de mesure. Enfin le systeme permet des investigations de transistors prevus pour des applications soit en circuit hybride, soit en technologie mmic. Dans la deuxieme partie, une etude est effectuee sur la difference de comportement d'un transistor selon que celui-ci est soumis a une puissance d'entree injectee constante ou a une puissance d'entree absorbee constante. Ensuite l'effet de l'instabilite des transistors sur leur comportement est analyse.

Ce travail porte sur la realisation de transistors a effet de champ dans les deux filieres de semiconducteurs inp et gan pour l'amplification de puissance hyperfrequences. La premiere partie est consacree a la realisation en technologie microruban d'elements passifs et actifs afin de concevoir un circuit de puissance a 60 ghz sur substrat d'inp. Une technologie originale de trous metallises a ete mise au point par voie chimique. Des elements passifs ont ete realises avec cette technologie et mesures en hyperfrequences afin de valider ou completer les modeles de la bibliotheque du simulateur mds. Des hemts ont ete realises en technologies microruban et coplanaire. L'analyse de leurs caracteristiques electriques n'a montre aucune degradation apportee par les trous metallises. Nous disposons ainsi de tous les elements necessaires a la realisation du circuit d'amplification
La seconde partie porte sur la realisation de mesfets dans la filiere gan pour des applications en puissance et a haute temperature. Les differentes briques technologiques permettant de realiser le composant ont ete d'abord etudiees. Le contact ohmique retenu tient thermiquement jusqu'a 600\c. Une gravure du gan par plasma a aussi ete mise au point. Enfin, le contact schottky a ete aborde. Les composants realises ont ete caracterises. Nous avons obtenu, selon la distance source drain, jusqu'a 140 v et 350 v pour respectivement une tenue en tension vds en configuration transistor a canal ouvert et une tension de claquage en configuration diode inverse. La mesure a haute temperature a montre le fonctionnement du composant jusqu'a 450\c sans degradation. La mesure en regime impulsionnel a mis en evidence l'existence de pieges localises en surface qui peuvent etre excites par la lumiere et/ou la temperature et/ou le point de polarisation. Une densite de puissance de 2,2 w/mm a ete obtenue a 3 ghz pour une longueur de grille de 300 nm, ce qui constitue un resultat au niveau de l'etat de l'art

Haut rendement, forte linéarité et large bande de fonctionnement sont les points clés de la conception d’amplificateur de puissance d’aujourd’hui. De plus, de nombreux amplificateurs de puissance sont développés en technologie hybride utilisant des transistors en boîtier, rajoutant une difficulté supplémentaire pour extraire des modèles CAO fiables pour concevoir ces amplificateurs. Le sujet de cette thèse est de proposer une nouvelle méthodologie de modélisation de transistors en boîtier, rapide, automatique et dédiée à la conception d’amplificateurs de puissance large bande et haut rendement. Pour cela, un nouveau modèle comportemental de transistor est proposé, avec une méthode innovante d’extraction. Pour valider le nouveau flot de conception basé sur des modèles comportementaux de transistors, l’étude aboutit à un démonstrateur en technologie GaN présentant un rendement en puissance ajoutée moyen de 65%, une puissance de sortie moyenne de 41 dBm et un gain en puissance moyen de 13 dB sur 36% de bande relative autour de 2. 2 GHz
Highly efficient, high linearity and wideband are the keyword of the new power amplifier in telecom nowadays. Thus, more and more power amplifiers are developed using packaged transistor, adding a difficulty to extract reliable CAD models for designing these amplifiers. The topic of this thesis is to propose a new methodology for modeling packaged transistor, fast, accurate automatic and dedicated to the design of wideband and highly efficient power amplifiers. A new behavioral model of packaged transistor is proposed, using an innovative method of extraction. In order to validate the new design flow approach, the study results in a GaN wideband and highly efficient power amplifier presenting a mean PAE of 65%, a mean output power of 41 dBm and a mean power gain of de 13 dB over 36% of relative bandwidth around 2. 2 GHz

Ce travail est axé sur la simulation des FETs pour l'amplification de puissance hyperfréquence. Dans ce but, 'nous. Avons développé des modèles de type hydrodynamique bidimensionnel pour analyser le phénomène de claquage par avalanche dans les pHEMTs sur GaAs, ainsi que pour étudier les HEMTs AlGaN/GaN. Ces modèles sont des outils précis qui permettent d'analyser des composants de puissance dont les topologies sont proches des structures réelles. La confrontation des résultats théoriques avec ceux issus des mesures s'avère être très satisfaisante. L'étude du pHEMT sur GaAs, nous a permis de comprendre le mécanisme de claquage par avalanche dans ce type de composant. Ainsi, le pHEMT à double recess de grille et à deux plans de dopage constitue la structure la mieux adaptée pour l'amplification de puissance hyperfréquence. Le modèle adapté pour étudier les HFETs AlGaN/GaN, permet de montrer les excellentes potentialités de cette filière dans le domaine de l'amplification de puissance.

Mes travaux de thèse ont porté sur l'étude des potentialités de deux nouvelles filières de composant pour l'élaboration de HEMT de puissance sur substrat GaAs. La première filière a fait appel à de nouveaux matériaux phosphorés tels que GaInP, AlGaInP et AlInP. La seconde est la filière métamorphique AlInAs/GaInAs. De nombreuses investigations technologiques ont du être menées sur la filière phosphorée. En premier lieu, une solution de gravure originale non sélective entre matériaux arséniés et phosphorés basée sur l'utilisation de l'acide iodique (HIO3) a été développé pour réaliser le mésa d'isolation. En second lieu l'étude du contact ohmique a été entreprise par le biais de différentes métallisations. La meilleure d'entre elles s'est avérée être la métallisation AuGe/Ni/Au qui a permis d'obtenir une résistance de contact inférieure à 0. 1 W. Mm. Le dernier aspect technologique étudié est la lithographie électronique de grille. Cette étude a mené à la réalisation de grille en T de 0. 1 µm ainsi qu'une grille de dimension ultime de 0. 05 µm. Des transistors de longueur de grille 0. 1 µm et à simple plan de dopage GaInP/GaInAs, AlGaInP/GaInAs et AlInP/GaInAs ont été réalisés. L'état de l'art en régime statique et hyperfréquence petit signal a été obtenu sur ces trois composants. De plus, pour la première fois sur cette filière des mesures en puissance à 60 GHz ont été réalisées. Elles ont permis pour la structure GaInP/GaInAs d'obtenir une densité de puissance remarquable de 560 mW/mm. Sur la filière métamorphique nous nous sommes attachés à étudier la structure AlInAs/GaInAs sur substrat GaAs dont la composition en indium est proche de 30%. L'étude de la structure épitaxiale en terme de composition a mis en évidence l'aspect très critique du taux d'indium contenu dans la structure. D'un point de vue technologique, la gravure de recess de grille a nécessité une importante optimisation. Néanmoins, des composants à simple et double plan de dopage ont été réalisés avec un taux d'indium de 33%. Nous avons obtenu des performances excellentes. La caractérisation du premier a donné une fréquence de coupure de 160 GHz représentant l'état de l'art du transistor métamorphique à cette composition. Une caractérisation en puissance à 60 GHz a été effectuée pour la première fois sur cette filière. Nous avons obtenu une densité de puissance de 240 mW/mm. Ces résultats montrent les potentialités très attrayantes de ces deux filières pour l’amplification de puissance hyperfréquence.

Aujourd’hui, la conception d’amplificateur de puissance intégrés hautes fréquences à forte linéarité, fonctionnant avec un fort recul de puissance par rapport à la puissance de saturation, est devenue un enjeu majeur pour les applications de télécommunications modernes. Malheureusement, aux hautes fréquences et pour de faibles puissances de sortie, la plupart des modèles de transistor HEMT actuels engendrent des simulations erronées. D’intermodulation car leurs non-linéarités sont issues, soit de mesures non pulsées de paramètres S en un point de polarisation DC donné, soit de mesures RF basses fréquences. Dans ce manuscrit, nous proposons une méthode de modélisation de transistor HEMT basée sur des mesures I/V pulsées et de paramètres S pulsées permettant la prédiction précise de l’IM3 aux hautes fréquences et pour de faibles puissances de sortie. Une étude approfondie de la génération de l’IM3 aura aussi permis de mettre en avant les phénomènes d’interactions complexes existants entre les différents éléments non-linéaires intrinsèques d’un transistor de type HEMT et notamment le rôle prépondérant de la capacité Cgd sur les mécanismes de génération de l’IM3. Finalement, une étude comparative détaillée de 6 filières de transistors pHEMT AsGa, issues de 3 fonderies différentes, basée sur des mesures load-pull 2 tons à 10GHz aura permis de sélectionner de deux filières de transistors (PPH15 et PP15-20) pour la réalisation d’applications de télécommunications fortement linéaires en bande Ku
Today, confident design of highly linear high-frequency MMICs is of primary concern in modern telecommunication systems. Unfortunately, at high frequencies and low output power, accurate prediction of intermodulation distortions fails with most of the available HEMT models due to nonlinearity extractions based on CW S-parameter measurements at DC bias points or low RF frequency measurements. In this manuscript, we propose a suitable HEMT model, extracted from pulsed I/V and pulsed S-parameter measurements over a wide frequency range, which allows accurate intermodulation distortions prediction at both high frequencies range and for low output power. Careful IM3 generation analysis has been undertaken. Complex interaction phenomenon involving each transistor’s intrinsic non-linear elements have been demonstrated and the role of the capacitance Cgd have been shown to be of primary concern. Finally, a comparison study of 6 different pHEMT GaAs foundry process based on 10GHz 2-tons load pull measurements is presented. This study have point out 2 foundry process (PPH15 and PP15-20) suitable for highly linear high frequency MMIC design

L'amplificateur de puissance est le module le plus critique dans les équipements de communication radio. Il détermine la qualité de la liaison par sa linéarité et a une contribution conséquente dans la consommation de l'émetteur ; environ 60% de l'énergie consommée est consacré à l'amplification. Il est donc crucial de le faire fonctionner avec un rendement énergétique élevé. Cependant, ces deux spécifications principales de l'amplificateur que sont la linéarité et le rendement énergétique sont antagoniques. Par conséquent, la conception d'un module d'amplification de puissance suppose de trouver un compromis entre la linéarité et le rendement. L'optimisation de ce compromis est la raison d'être des techniques de linéarisation d'amplificateurs et d'amélioration du rendement, parmi lesquelles la prédistorsion numérique (DPD) et les techniques de réduction du PAPR du signal (CFR).Le cœur de cette thèse est la linéarisation d'amplificateurs RF haute-puissance et large-bande par prédistorsion numérique (DPD). Dans ces travaux, nous abordons trois problématiques liées à la prédistorsion et qui constituent des verrous technologiques importants. Le premier aspect concerne l'implémentation de la prédistorsion numérique dans un contexte multi-bande où le signal à linéariser comporte plusieurs formes d'ondes, situées à des fréquences différentes. La seconde problématique est l'utilisation conjointe de la prédistorsion avec une technique de CFR. Dans la majorité des applications haute-puissance, les techniques de DPD et de CFR sont présentes de manière complémentaire, cependant elles sont utilisées de façon autonome et disjointe. Celles-ci gagneraient en performances de linéarisation en étant implémentées de manière plus concertée. . Le dernier thème abordé par cette thèse est l'effet des désadaptations d'impédance de l'antenne sur le mode de fonctionnement de l'amplificateur. La variation de l'impédance d'antenne entraine des réflexions de signal vers l'amplificateur qui modifient ses spécifications de linéarité et de rendement. Nous améliorons la linéarité du système DPD + AP, lorsque l'amplificateur est soumis à des variations de l'impédance à sa charge, grâce à une correction adaptative de gain
Power amplifier is one of the most critical element within radiocommunications systems. The PA is their main source of nonlinearities and it has a great contribution on the emitter's power consumption. Running the PA with highest power efficiency is thus as crucial as having it linear for a good communication quality. However these two specifications of the PA are antagonistic and PA manifacturers need to find a compromise between linearity and power efficiency. Digital Predistortion (DPD) and Crest factor Reduction techniques are intended to improve power efficiency while preserving linearity or inversely. Linearization of wideband RF power amplifiers using Digital Predistortion is the focus of this thesis. Three DPD issues are investigated in these works. The first issue deals with multiband linearization where signals with various waveforms located at different frequency bands are amplified. The second objective of this thesis is to study a concurrent DPD/CFR systems based on an automatic estimation of the necessary CFR gain. The last part of this dissertation deals with PA linearization under antenna load variations. Indeed, the impedance of antenna may vary because of electromagnetic objects that are present in its vicinity. Those impedance variations may instigate signal reflections toward the PA, that modify some of its main specifications (linearity, delivered power and efficiency). Our goal in this field is to preserve DPD linearization performances under antenna load mismatch

Les mémoires résistives à base d’oxyde OxRAM sont une technologie de mémoire non-volatile dite émergente, au même titre que les mémoires à changement de phase (PCRAM) ou les mémoires magnétorésistives (MRAM). A l’origine les OxRAM étaient très étudiées pour concurrencer les mémoires Flash, dont le fonctionnement est basé sur le stockage de charges dans une grille flottante. Cependant, avec l’avènement des technologies 3D-NAND, il semble très difficile pour les OxRAM d’atteindre les mêmes capacités de stockage que les flashs. Cependant, leur impressionnante vitesse de fonctionnement, bien supérieure à celle des NAND, et leur coût bien inférieur à celui des DRAM, leur permet de se situer à la frontière entre ces deux technologies, dans une catégorie qualifiée de « Storage Class Memory ». De plus, il s’agit d’une technologie dont l’intégration en Back-End-Of-Line, juste au-dessus des circuits CMOS, est très facile, ce qui la rend très attrayante. En revanche, les OxRAM sont connues pour présenter une forte variabilité, et cela représente le principal obstacle à leur démocratisation.Au cours de cette thèse, nous avons cherché à étudier en profondeur la dynamique de commutation résistive de mémoires OxRAM à base d’oxyde d’hafnium, avec une volonté de se concentrer sur des temps très courts, puisqu’ils représentent l’un des atouts majeurs de cette technologie. Pour cela, ces travaux de thèse se concentrent tout d’abord sur un aspect expérimental, de caractérisation électrique. Nous avons ainsi pu observer, avec un suivi dynamique, la commutation résistive des mémoires, sur des temps de l’ordre de la dizaine de nanoseconde, pour les opérations d’écriture et d’effacement, via la mise au point d’un banc de test entièrement dédié à cette tâche. Ensuite, nous avons analysé les impacts que la réduction du temps de pulse, ainsi que l’abaissement des courants et tensions mis en jeu, peuvent avoir sur la fiabilité des OxRAM, avec des mesures de variabilité. La seconde partie de ce travail de thèse est un travail de modélisation, avec la mise au point d’un modèle physique semi-analytique, dans le but de comprendre les mécanismes de commutation résistives. Après avoir comparé les résultats obtenus par notre modèle aux résultats expérimentaux précédents, nous avons cherché à appliquer notre modèle à des mesures de statistiques. Nous avons ainsi réalisé des tests électriques sur des matrices OxRAM, que nous avons tenté de reproduire avec le modèle. Enfin, nous avons étudié plus en profondeur le bruit à basse fréquence dans les OxRAM, qui constitue l’un des facteurs majeurs de dégradation de la fiabilité des OxRAM, tout en cherchant des pistes pour le diminuer
Oxyde-based resistive memories OxRAM are a technology of emergent non-volatile memory, as phase-change memories (PCRAM) or magnetoresistive memories (MRAM). In the beginning OxRAM were very studied in order to compete with Flash memories, whose mechanism relies on the storage of electrical charges in a flotting gate. However, with the arising of 3D-NAND technology, it seems very difficult for OxRAM to reach the same storage capacities as Flash memories. But their impressive operating speed, far higher than NAND’s, and their cost far lower than DRAM’s, allow them to operate at the border of these two technologies, in a category called « Storage Class Memory ». Furthermore, the integration of OxRAM in the Back-End-Of-Line, just above CMOS circuits, makes this technology very attractive. On the other hand, OxRAM are known to have a very strong variability, which represents the main obstacle to their expansion.In this thesis, the dynamics of the resistive switching of hafnium oxyde based OxRAM has been investigated, with a desire to focus on very short times, as they are one of the main assets of this technology. To do so, our work first focuses on an experimental aspect, with electrical characterization. We were able to watch, with a dynamical monitoring, the resistive switching of the memories, at the scale of the dozen of nanoseconds, for writing and erasing operations, thanks to an entirely dedicated set-up. Then, the impacts that the time reduction, and the lowering of the voltage and current, can have on the reliability of OxRAM, were analysed, with variability measurements. The second part of this work concerns modelisation, with the elaboration of a physics-based, semi-analytical model, in order to understand the switching mechanisms. After the comparison of the results obtained by our model with the experimental ones, our model has been applied to statistical measurements. Electrical tests on OxRAM arrays have been performed, and fitted by the model. Finally, the low frequency noise (RTN) in OxRAM has been studied, as it stands as one of the main factors of degradation of OxRAM reliability. Ideas to improve the robustness of OxRAM against RTN are suggested