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Academic literature on the topic 'Elettrostatica'
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Dissertations / Theses on the topic "Elettrostatica"
BIANCHI, GRETA. "Compaction and condensation properties of intrinsically disordered model proteins." Doctoral thesis, Università degli Studi di Milano-Bicocca, 2023. https://hdl.handle.net/10281/404606.
Full textProteins lacking a stable tertiary structure are defined as intrinsically disordered proteins (IDPs). The resulting conformational plasticity gives IDPs the ability to rapidly and reversibly respond to environmental changes and to interact with multiple partners, acquiring an ordered structure upon binding or maintaining fuzzy conformations. As a consequence, IDPs are largely involved in signal transduction cascades and protein condensation phenomena (designated as liquid-liquid phase separation), which give rise to the so-called “membraneless organelles” (MLOs). MLOs include many cytoplasmatic and nuclear condensates, such as stress granules and the nucleolus, which exert crucial biological functions in the cell. IDPs maintain this interaction network primarily through electrostatic contacts, being their chains particularly enriched in cationic and anionic residues, together with prolines and glycines. Besides the net charge of the proteins, the distribution of opposite charges (or charge patterning) has emerged as a key feature dictating the overall size and condensation propensity of IDPs. A sequence parameter, k, has been introduced to quantitatively describe charge patterning in polypeptide chains. Investigating the relevance of charge patterning on IDP conformation and phase separation is the main objective of this thesis, which is organized into two sections. In the first section, the effect of charge distribution on the conformational ensemble of model IDPs was studied, in parallel assessing the influence of other sequence features such as proline content and secondary structure elements. Three model intrinsically disordered regions (IDRs), namely NTAIL, PNT4 and NFM, similarly charged yet with different proline fractions, were permutated in order to obtain from each wild-type (wt) sequence two k -variants with different distributions of charged residues: a “Low-k" variant, with a more regular alternation of oppositely charged residues than in the wt protein; a “High- k" variant with a more pronounced separation of opposite charges. The overall amino acid composition and the coordinates of uncharged residues were not altered. Conformational properties of wt and k-variants were assessed combining size-exclusion chromatography and native mass spectrometry. Experimental data confirm that charge clustering induces the remodeling of the IDP conformational ensemble, promoting chain compaction and/or increasing the spherical shape in a protein-specific manner, depending on the sequence context. In the second section, charge patterning was analyzed in relation to phase separation phenomena. The disordered N-terminal domain (hNTD) of human topoisomerase I was chosen as the model IDR for this study due the high density of its charged residues and the propensity for phase separation predicted by bioinformatic methods. It was observed that the charge pattern of NTDs follows a clear evolutionary trend, with vertebrates showing an extremely regular distribution of opposite charges, while yeasts and fungi present the strongest charge separation. Two hNTD charge permutants, named Mk-NTD and Hk-NTD, with progressive clustering of opposite charges, were recombinantly produced to assess the impact of different charge patterns on phase separation. The pH jump and the addition of RNA proved to be effective stimuli for the condensation of all model proteins. Turbidimetric and confocal microscopy analyses confirmed that hNTD undergoes phase separation through electrostatic interactions and that the increased clustering of residues with opposite charges impairs condensate morphology and sensitivity to salts and RNA. Overall, the results included in this thesis help delineate the multifaceted role of charge patterning in determining both single-chain and multiple-chain properties.
BIANCHI, GIOVANNI. "Sviluppo di un metodo analitico per lo studio dell’instabilità di pull-in di micro- o nanoattuatori MEMS/NEMS soggetti a forze elettrostatiche e intermolecolari di superficie." Doctoral thesis, Università degli studi di Modena e Reggio Emilia, 2021. http://hdl.handle.net/11380/1244335.
Full textIn the recent years, the interest for miniature structures has considerably increased in different engineering and scientific application fields. The main reason is found in the growing need for accurate ultrasmall instruments and equipment characterized by very diminutive size, low power consumption, high precision and reliability. These systems can be successfully employed in manipulators, tweezers, resonators, sensors, actuators and memory devices. Introducing the fundamental concepts for modelling and designing of miniature structures such as micro- or nanoelectromechanical systems (MEMS/NEMS), the main purpose of this thesis is to provide an analytical method to accurately estimate the pull-in parameters of micro- and nanostructures with particular attention to the electrostatically actuators under intermolecular surface forces. Then, accurate models are essential for reliable analytical predictions and crucial to avoid or partially reduce the high cost and complexity of experimental tests and fabrication processes. An in-depth knowledge of the physical conditions and a complete analysis of the interactions between the system and external forces are then required for a correct formulation of the pull-in instability problem. Micro- or nanobeams are used to model the structures of many MEMS and NEMS devices. Typically, in actuators, a mobile electrode is suspended above a conductive substrate and actuated by a voltage difference. Under the action of the electrostatic force and intermolecular surface forces of Casimir and van der Waals that become relevant in nanoscale and very miniature microscale, the movable electrode deflects toward to the substrate. Reducing the separation distance between the electrodes, the magnitude of the attractive forces increases until at a critical voltage, named the pull-in voltage, where the flexible electrode collapses onto the substrate. Devices with small gap distance require small actuation voltage then low power consumption, but if the gap is small enough the structure might unexpectedly collapse onto the ground substrate even in the absence of electrostatic actuation, due to the effect of intermolecular forces. Then, determining the operation voltage and power dissipation, the pull-in voltage and deflection are considered as the most important parameters of pull-in instability. The Euler-Bernoulli beam deflection is described by a fourth-order nonlinear boundary value problem where the nonlinearity is accentuated by the distributed forces acting on the beam that are proportional to inverse integer powers of the distance between the two electrodes. In the present thesis an accurate analytical approach is proposed for estimating from both sides the pull-in characteristics of MEMS/NEMS actuators subject to electrostatic actuation by considering various effects such as fringing field effect, intermolecular surface force, flexible boundary conditions, buckling in compressed nanocantilever, tip-charge concentration in carbon nanotube devices, size effects considering the surface elasticity and nanocantilever immersed in liquid electrolytes. Following the analytical approach, the differential BVP is equivalently formulated in terms of a nonlinear integral equation. Then by using a priori estimates on the deflection from both sides, lower and upper bounds for the pull-in parameters are given, with no need of solving the complex nonlinear BVP. The analytical estimates turn out to be in excellent agreement with the numerical results provided by the shooting method. Finally, simple closed-form relations are proposed for the pull-in parameters providing useful tools for a fast and safe design of MEMS/NEMS devices.
Bruni, Luigi <1981>. "Fenomeni di trasporto ed elettrostatici in membrane da Nanofiltrazione." Doctoral thesis, Alma Mater Studiorum - Università di Bologna, 2009. http://amsdottorato.unibo.it/1485/1/Bruni_Luigi_tesi.pdf.
Full textBruni, Luigi <1981>. "Fenomeni di trasporto ed elettrostatici in membrane da Nanofiltrazione." Doctoral thesis, Alma Mater Studiorum - Università di Bologna, 2009. http://amsdottorato.unibo.it/1485/.
Full textZapparrata, Sergio. "Tecnologie di separazione e recupero del compound di PVC da cavi elettrici a fine vita." Master's thesis, Alma Mater Studiorum - Università di Bologna, 2018. http://amslaurea.unibo.it/15904/.
Full textSerenari, Federico. "Sviluppo di materiale composito Graphene/poliestere dissipativo di cariche elettrostatiche per applicazioni in ambienti corrosivi." Master's thesis, Alma Mater Studiorum - Università di Bologna, 2019.
Find full textBellegoni, Luca. "Analisi delle operazioni di ambientalizzazione durante la manutenzione straordinaria di una centrale termoelettrica a carbone." Master's thesis, Alma Mater Studiorum - Università di Bologna, 2019. http://amslaurea.unibo.it/17912/.
Full textVaccari, Simone. "Analysis of defects and physical mechanisms that limit the ESD robustness of Light Emitting Diodes." Doctoral thesis, Università degli studi di Padova, 2014. http://hdl.handle.net/11577/3423829.
Full textLa seguente tesi riporta i principali risultati ottenuti dall’attività di ricerca di Dottorato del candidato. L’attività è stata focalizzata sullo studio dei difetti e dei meccanismi fisici the limitano la robustezza alle scariche elettrostatiche (ESD) dei diodi emettitori di luce (LED). In particolare, la maggior parte dell’attività di ricerca è stata principalmente focalizzata sull’analisi dei LED basati su nitruro di gallio (GaN), che sono la base per la realizzazione di emettitori blu e UV e di LED bianchi basati sulla conversione dei fosfori. Dopo una panoramica iniziale dei concetti teorici più importanti necessari per la comprensione dei risultati fisici, in questa tesi possono essere identificate quattro sezioni principali che riguardano la presentazione dell’attività di ricerca: - In primo luogo riportiamo un’estesa analisi dei processi di emissione localizzati legati ai difetti, che si verificano nei diodi emettitori di luce basati sulla struttura InGaN/GaN. L’analisi è basata su una caratterizzazione elettrica combinata con misure di elettroluminescenza (EL) risolte spettralmente e spazialmente. I risultati di questa analisi mostrano che: (i) in condizioni di polarizzazione inversa i LED possono emettere un debole segnale di luminescenza, che è direttamente proporzionale alla corrente inversa iniettata. L’emissione in polarizzazione inversa è localizzata in spot di dimensione submicrometrica; l’intensità del segnale è fortemente correlata alla densità di threading dislocation (TD), suggerendo quindi che le threading dislocation sono percorsi preferenziali per la conduzione della corrente di leakage. (ii) In condizioni di bassa polarizzazione diretta, l’intensità del segnale EL non è uniforme sull’area del dispositivo. L’analisi EL risolta spettralmente dei LED verdi identifica la presenza di spot localizzati che emettono nella regione spettrale gialla, la cui origine è stata attribuita a tunneling localizzato che si verifica tra le buche quantiche e gli strati di barriera dei diodi, con successiva ricombinazione radiativa assistita da difetti. - Successivamente proponiamo uno studio esteso delle caratteristiche di elettroluminescenca dei LED basati su InGaN con struttura color-coded, cioè una struttura a tripla buca quantica nella quale ciascuna buca quantica ha un contenuto di indio differente, allo scopo di analizzare la distribuzione di portatori all’interno delle buche quantiche della regione attiva. L’analisi è basata su misure di elettroluminescenza combinate con simulazioni bidimensionali, eseguite a differenti livelli di corrente e temperatura. I risultati indicano che: (i) l’efficienza di ciascuna delle buche quantiche dipende fortemente dalle condizioni operative del dispositivo (corrente e temperatura); (ii) a bassi livelli di corrente e temperatura solo la buca quantica più vicina al lato p ha un’emissione significativa; (iii) l’emissione dalle altre buche quantiche è favorita ad elevati livelli di corrente. Sarà anche discusso il ruolo dell’iniezione dei portatori, della mobilità delle lacune, della densità di portatori e della ricombinazione non radiativa nel determianre l’intensità relativa delle buche quantiche. - A questo punto proponiamo i risultati ottenuti dall’analisi dei meccanismi fisici che limitano la robustezza alle scariche elettrostatiche (ESD) dei LED basati su GaN. L’analisi è stata eseguita su numerose famiglie di LED con differenti robustezze ESD. Ciascuna delle famiglie di campioni analizzate è caratterizzata da due differenti parametri: il tasso di failure misurato dopo l’applicazione di un singolo impulso ESD, denominato First level failure F1, e il tasso di failure misurato dopo l’applicazione di un secondo impulso ESD, denominato Secondo level failure F2. Dopo un’iniziale caratterizzazione elettro-ottica, abbiamo analizzato i LED per mezzo di misure di transienti capacitivi lenti, deep level optical spectroscopy (DLOS) e deep level transient spectroscopy (DLTS). I risultati sperimentali mostrano che: (i) la capacità di giunzione complessiva è fortemente correlata al First level failure F1, suggerendo quindi anche una correlazione tra il massimo campo elettrico di giunzione e il First level failure F1 dei LED; (ii) l’ampiezza dei transienti capacitivi, legata a fenomeni di intrappolamento, è fortemente correlata al parametro Relative failure, che è definito come il rapporto Second level failure F2/First level failure F1. Quindi la presenza di difetti nelle strutture LED può influenzare la robustezza ESD misurata dopo l’applicazione consecutiva di due impulsi ESD; (iii) la correlazione tra il trapping e il Relative failure è confermata sia dalle misure di DLOS, sia da quelle DLTS. - Per concludere lo studio dei meccanismi fisici che limitano la robustezza ESD dei diodi emettitori di luce (LED), presentiamo una caratterizzazione ESD eseguita su dei LED disponibili commercialmente. In particolare presentiamo un’estesa analisi dei meccanismi di failure dei LED RGB (multichip) sottoposti a test ESD: i test sono stati eseguiti su numerosi LED disponibili commercialmente di quattro differenti produttori. Allo scopo di comprendere meglio i meccanismi di failure, abbiamo sottoposto i LED a test ESD in condizioni di polarizzazione inversa e diretta separatamente, per mezzo di un Transmission Line Pulser (TLP). I risultati sperimentali indicano che: (i) i LED rossi (basati su AlInGaP) hanno una robustezza ESD più alta rispetto ai campioni verdi e blu (basati su InGaN), sia nei test in polarizzazione inversa, sia in quelli in polarizzazione diretta; (ii) impulsi TLP negativi con una corrente inferiore alla soglia di failure possono indurre una diminuzione della corrente di leakage nei LED basati su GaN, a causa di un parziale annientamento dei percorsi difettosi responsabili per la conduzione inversa; (iii) il tipico meccanismo di failure dei dispositivi è rappresentato da un evento catastrofico, con cortocircuitazione della giunzione. Tuttavia, alcuni dei LED rossi analizzati hanno mostrato “soft” failure, con graduale aumento della corrente di leakage ed una corrispondente diminuzione della potenza ottica, anche in assenza di un danno castastrofico. Infine, è stata studiata anche la dipendenza dalla temperatura della robustezza ESD dei dispositivi basati su GaN. Utili informazioni sull’attività di ricerca possono essere trovate negli articoli in cui ha collaborato il candidato ed elencati nella successiva sezione.
Books on the topic "Elettrostatica"
Belfiore, Francesco ing. Elettrotecnica e Macchine Elettriche Volume II: Elettrostatica e Magnetismo. Independently Published, 2017.
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