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Dissertations / Theses

Academic literature on the topic 'Durcissement électronique'

Author: Grafiati

Published: 25 May 2024

Last updated: 31 July 2025

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Dissertations / Theses on the topic "Durcissement électronique"

1

El, Bitar Rony. "VDMOSFETs en commutation : amélioration, durcissement." Perpignan, 2008. http://www.theses.fr/2008PERP0844.

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Abstract:

Ce mémoire a pour but de suivre la dégradation des composants de puissance VDMOSFET sous conditions extrêmes de haute tension et haute température. Les composants sont soumis à des hautes tensions électriques pour induire un courant inverse nuisible à la jonction intégrée. Une autre méthode de contrainte électrique est utilisée, c’est la dégradation de la couche d’oxyde par effet de champ électrique élevé. Une attention particulière est donnée pour le suivi de la caractéristique de commutation de ces composants. Dans certain cas un gain de rapidité est observé dépendamment de la nature des déf

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2

Piccin, Yohan. "Durcissement par conception d'ASIC analogiques." Thesis, Bordeaux, 2014. http://www.theses.fr/2014BORD0145/document.

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Abstract:

Les travaux de cette thèse sont axés sur le durcissement à la dose cumulée des circuits analogiques associés aux systèmes électroniques embarqués sur des véhicules spatiaux, satellites ou sondes. Ces types de circuits sont réputés pour être relativement sensibles à la dose cumulée, parfois dès quelques krad, souvent en raison de l’intégration d’éléments bipolaires. Les nouvelles technologies CMOS montrent par leur intégration de plus en plus poussée, un durcissement naturel à cette dose. L’approche de durcissement proposée ici, repose sur un durcissement par la conception d’une technologie com

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3

Hoffmann, Alain. "Etude de la conduction et du bruit de fond de structures M. O. S. En vue de caractériser le durcissement de leur technologie." Montpellier 2, 1993. http://www.theses.fr/1993MON20058.

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Abstract:

L'objectif de ce travail est la caracterisation de structures mos avant et apres irradiation au co60 afin de determiner si le niveau de bruit en 1/f avant irradiation peut etre considere comme un indicateur de durcissement de leur technologie. Une etude theorique du fonctionnement des composants et de leur bruit de fond est presentee mettant en evidence les parametres susceptibles d'evoluer au cours des irradiations. Les resultats experimentaux confirment l'existence d'une correlation entre l'evolution de la tension de seuil et le bruit de fond mais montrent le role preponderant des resistance

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4

Monnier, Thierry. "Durcissement de circuits convertisseurs A/N rapides fonctionnant en environnement spatial." Montpellier 2, 1999. http://www.theses.fr/1999MON20112.

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Abstract:

Ignorer les contraintes severes existant sur les circuits integres et systemes electroniques fonctionnant en environnement radiatif - haute atmosphere, espace, nucleaire - peut avoir des consequences inestimables. En effet, les phenomenes lies aux effets ionisants et aux collisions avec des particules (ions lourds, neutrons etc) engendrent des pannes et/ou des reponses erronees dans les circuits electroniques si aucun durcissement n'est mis en uvre. Une premiere approche de prevention des pannes est souvent mise en place au niveau systeme. Elle fait appel a des techniques de redondance. Une au

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5

Karlik, Miroslav. "Contribution à l'étude des zones de Guinier-Preston planaires par microscopie électronique à résolution atomique." Châtenay-Malabry, Ecole centrale de Paris, 1994. http://www.theses.fr/1994ECAP0381.

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Abstract:

Les zones de Guinier-Preston (gp), petits rassemblements d'atomes d'éléments minoritaires, se forment dans les premières étapes du durcissement de certains alliages. Dans les alliages à base d'Al-Cu elles sont riches en cuivre. Elles sont en forme de disques de diamètre de 3 à 20 nm et dans la plupart de cas ont une épaisseur d'une seule couche atomique. Nous avons étudié ces zones gp dans l'alliage modèle Al-Cu 4% et dans l'alliage industriel Al-Cu 4,4% - mg 1,5% - mn 0,6% (en masse) par microscopie électronique en transmission à résolution atomique. L’analyse des contrastes est faite à l'aid

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6

Cadinot, Nathalie. "Etude et caractérisation d'adhésifs structuraux durcissables par bombardement électronique." Montpellier 2, 1992. http://www.theses.fr/1992MON20252.

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Abstract:

Cette etude concerne la formulation et la caracterisation d'adhesifs structuraux durcissables par bombardement electronique. L'influence de differents constituants d'une formulation adhesive acrylique sur diverses caracteristiques, en particulier la resistance au cisaillement sur acier inoxydable, a ete mise en evidence. L'importance des fonctions chimiques polaires et des proprietes intrinseques des resines de base sur l'adherence a notamment ete montree, ainsi que le role primordial d'une charge telle que le talc. Des formulations adhesives acryliques structurales polymerisant par ionisation

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7

Duchaussoy, Amandine. "Déformation intense d'alliages d'aluminium à durcissement structural : mécanismes de précipitation et comportement mécanique." Thesis, Normandie, 2019. http://www.theses.fr/2019NORMR135.

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Abstract:

La combinaison de deux mécanismes permettant d’accroitre la résistance mécanique (précipitation et joints de grains) a été explorée dans cette thèse afin d’augmenter les propriétés d’alliages d’aluminium à durcissement structural de la série 7###. Les techniques d’élaboration par déformation plastique intense permettent d’obtenir des alliages nano-structurés comportant une grande densité de joints de grains qui permet une augmentation conséquente de la limite d’élasticité selon la loi de Hall-Petch. Cependant, la grande densité de défauts (dislocations, lacunes, joints de grains…) et les contr

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8

Nascimento, Pagliarini Samuel. "Méthodes d'analyse et techniques d'amélioration de fiabilité pour les circuits numériques." Thesis, Paris, ENST, 2013. http://www.theses.fr/2013ENST0060/document.

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Abstract:

Au cours des dernières années, un développement continu a été observé dans les domaines des systèmes électroniques et des ordinateurs. Une série de mécanismes menaçant la fiabilité ont émergé. Par exemple, des défauts physiques provenant de fils mal lithographié, vias et d'autres dispositifs de bas niveau sont fréquemment observées dans les circuits nanométriques. D'autre part, les circuits sont également devenus plus sensibles aux grèves de particules excitées. Ces deux mécanismes, bien que essentiellement différente, peuvent causer de multiples fautes qui contribuent pour fiabilités plus fai

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9

Santos, Filipe Vinci dos. "Techniques de conception pour le durcissement des circuits intégrés face aux rayonnements." Grenoble 1, 1998. http://www.theses.fr/1998GRE10208.

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Abstract:

Les microsystèmes sont le dernier développement de la microélectronique. Leur apparition ouvre des possibilités révolutionnaires dans plusieurs domaines d'application, dont l'exploitation de l'espace. L'utilisation des microsystèmes dans l'espace se heurte au problème de l'exposition à la radiation, notamment pour la partie électronique. Cet obstacle a été surmonte dans le passe par la mise en place de filières de fabrication résistantes (durcies) aux effets de la radiation. Le rétrécissement des budgets militaires a provoqué la disparition de la plupart des technologies de fabrication durcies

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10

Nascimento, Pagliarini Samuel. "Méthodes d'analyse et techniques d'amélioration de fiabilité pour les circuits numériques." Electronic Thesis or Diss., Paris, ENST, 2013. http://www.theses.fr/2013ENST0060.

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Abstract:

Au cours des dernières années, un développement continu a été observé dans les domaines des systèmes électroniques et des ordinateurs. Une série de mécanismes menaçant la fiabilité ont émergé. Par exemple, des défauts physiques provenant de fils mal lithographié, vias et d'autres dispositifs de bas niveau sont fréquemment observées dans les circuits nanométriques. D'autre part, les circuits sont également devenus plus sensibles aux grèves de particules excitées. Ces deux mécanismes, bien que essentiellement différente, peuvent causer de multiples fautes qui contribuent pour fiabilités plus fai

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