Academic literature on the topic 'Dislocazioni'

Negli ultimi anni ci siamo trovati di fronte a cambiamenti rapidissimi e sconcertanti che hanno stravolto la nostra stessa percezione della realtà. Alcune figure e concettualizzazioni emerse in vari ambiti del pensiero scientifico, artistico e psicoanalitico come le contaminazioni e le dislocazioni hanno fornito una chiave originale di lettura dei fenomeni. Alla prova della pandemia risultano ancora più proficue e capaci di mettere in luce gli aspetti poco pensabili di questa vicenda che ripropongono il problema del rapporto con l'alterità come qualcosa di irri-ducibile e inassimilabile ma che può essere lavorato nella direzione di una consapevolezza e specificazione di che cosa voglia dire "essere umani" in tutta la sua contradditorietà.

- The outsourcing of work is today, for the American middle class, cause of a real obsession. The middle-class, for the first time, fears, from a point of view of working, of being left to drift. The author of this essay tells the complex, and far from obvious, dynamics of purchase of labor between the United States of America and the great new emerging powers (India and China, first of all) in the knowledge economy.

RM e TC permettono la valutazione di tutta la patologia dell'articolazione temporo-mandibolare (ATM) e in particolare delle dislocazioni discali senza e con riduzione, delle osteopatie necrotiche (specie osteocondrite dissecante e necrosi vascolare asettica), della patologia sinoviale e delle artriti (artrite reumatoide, condromatosi sinoviale, sinovite villonodulare, cisti sinoviali), dei corpi liberi intra-articolari, della patologia neoplastica primitiva e secondaria, dei traumi e naturalmente delle malformazioni. Le affezioni patologiche intra- e extracapsulari della ATM sono per lo più responsabili di una limitata apertura della bocca associata in genere a dolore locale. Anche la rara patologia del processo coronoideo (iperplasia coronoidea, osteocondroma e esiti traumatici) rappresenta un'altra causa di alterata funzionalità della ATM che è caratterizzata da una limitata apertura della bocca in genere non dolorosa: lo studio sistematico del coronoide deve pertanto essere considerato estensione obbligatoria di quello dell'ATM.

The modern Italian language of informal communication is characterized by a rather active use of emphatic syntactic means, in particular the constructions right dislocation (dislocazione a destra) and left dislocation (dislocazione a sinistra), which are considered innovative. But it is quite difficult to determine the real time of occurrence of these phenomena in the speech of Italian speakers: the number of reliable written samples of oral informal communication of the past is very small, and in the case of communication that took place several centuries ago, there are no such sources at all. Comedies are very valuable material for analysis, as comic theatre is closely connected with the phenomenon of «parlato recitato» - colloquial speech in stage performance, which uses a complex of linguistic means associated with informal oral discourse. So, it is possible to trace examples of relatively accurately reproduced verbal communication of past centuries in the texts of comedies. The presence of emphatic constructions allows us to confirm the hypothesis that the Italian language nowadays does not develop new constructions and structures, but rather undergoes a process of restandartization, in which phenomena that were considered characteristic of colloquial usage change their position and become normative.

Viene descritto il caso di un paziente affetto da AIDS e Linfoma non Hodgkin con sindrome da ipotensione liquorale secondaria a ripetute punture lombari. La TC e la RM mostravano una duplice raccolta sottodurale a contenuto liquorale, con impregnazione della pachimeninge, associata ad effetto compressivo sull'encefalo e dislocazione verso il basso del tronco encefalico. Il quadro clinico si risolveva spontaneamente in circa due settimane, così come confermato dai reperti neuroradiologici.

Nelle immagini spin-echo T2 pesate in 17 pazienti con lesioni compressive cervicali extramidollari è stata osservata una sofferenza midollare sotto forma di una area di segnale iperintenso. Tale segnale patologico è stato diagnosticato in 11 casi di ernia discale, 4 casi di spondilosi, 1 caso di ipertrofia dei legamenti gialli ed 1 caso di dislocazione atlo-assiale. I fattori predisponenti la formazione di una mielopatia sono l'entità e la durata della compressione midollare. La demielinizzazione e la gliosi sembrano le alterazioni anatomo-patologiche secondarie ad un processo compressivo a lungo termine

Sono denominate «pacchetto» le fratture a carico dell'orbita che comportano una interruzione del tetto orbitario con dislocazione intraorbitaria di frammenti ossei. Tra le complicanze che possono caratterizzare una «pacchetto» l'encefalocele intraorbitario rappresenta un even to estremamente raro. Viene descritto un caso di «pacchetto» post-traumatico dell'orbita con encefalocele intraorbitario valutato mediante tomografia computerizzata e risonanza magnetica. La RM si è dimostrata, rispetto alia TC, metodica più sensibile nell'analisi delle alterazioni post-traumatiche endoorbitarie, ed ha permesso, nel caso in esame, una più sicura e precisa diagnosi, consentendo una migliore valutazione delle parti molli orbitarie e dimostrando, grazie anche alia somministrazione di mezzo di contrasto parmagnetico, la compromissione del nervo ottico. Da un esame della letteratura effettuato dagli autori, questo rappresenta il primo caso di «pacchetto» valutato mediante risonanza magnetica.

Questa tesi tratta di problemi dislocativi in spazi elastici, utili per rappresentare campi di spostamento, deformazione e sforzo generati da sorgenti interne. In particolare, considerando la Terra come un corpo elastico, i problemi trattati si riferiscono alla descrizione dei campi di sforzo in prossimità della superficie terrestre, lo studio della cui deformazione rappresenta uno dei più utili metodi di indagine delle sorgenti sismiche e vulcaniche. È possibile, con ottima approssimazione, descrivere la superficie terrestre come una superficie libera, ovvero una superficie su cui le trazioni applicate dall'esterno sono nulle. Tale approssimazione, per il tipo di studio cui mira questa trattazione, è giustificata dal fatto che le sorgenti sismiche sono situate solitamente a diversi chilometri di profondità, dove risulta legittimo trascurare le forze esterne dovute a pressione atmosferica, azione di correnti d'aria, forze di gravità esercitata dal Sole ed altri corpi celesti, etc. Volendo studiare regioni con dimensioni lineari molto inferiori al raggio terrestre, è possibile approssimare la Terra ad un semispazio elastico omogeneo con superficie libera orizzontale. Nel seguito si farà riferimento ad un sistema cartesiano ortogonale con assi y e z diretti lungo l'orizzontale e asse x diretto verticalmente verso l'interno del semispazio. La superficie terrestre è perciò descritta dal piano x=0 e, denotando con T_ij il tensore di sforzo, la condizione di superficie libera risulta: Txx = Txy = Txz = 0; in x = 0. Nella tesi sono esposti alcuni metodi che consentono di estendere soluzioni già note per spazi elastici illimitati al caso di semispazi delimitati da una superficie libera.

E' stato considerato un High-Dislocation Density Light Emitting Diode (HDD LED)ed è stato analizzato l'andamento di corrente a varie temperature. Dai risultati ottenuti è stato possibile ricavare il coefficiente di Poole-Frenkel, e da esso risalire alla densità di dislocazioni del dispositivo.

In questa tesi si affronta la problematica di determinare l'orientazione della superficie di faglia che sarà interessata da scorrimento relativo, assegnato un certo sforzo tettonico Sigma in base ad un criterio di massima energia rilasciata. Dapprima, introdotte le nozioni di base della meccanica dei continui, si studia il criterio di fagliazione dato dalla teoria di Anderson. In seguito, una volta acquisito questo primo risultato, si applica la teoria delle dislocazioni elastiche, per studiare dal punto di vista energetico la stessa faglia, situata in un semispazio elastico. Assumendo che la faglia massimizzante l'energia rilasciata in seguito alla frattura del mezzo continuo, assegnati i dati del problema, sia quella che più probabilmente sarà soggetta ad attivazione e scorrimento, si confronta quanto ottenuto con i risultati della teoria della fagliazione di Anderson. Entrambi gli approcci presentano conclusioni simili, gli angoli di orientamento infatti sono compresi tra 1/2atan1/f e pi/4 con l'orientazione che tende a pi/4 diminuendo l'influenza dell'attrito o viceversa aumentando lo sforzo applicato sulla superficie di faglia. Tuttavia i due approcci presentano significative differenze quando l'energia rilasciata è molto maggiore di zero.

Lo sviluppo di dispositivi avanzati nell’ambito della micro e opto-elettronica richiede standard sempre più stringenti sulla qualità dei materiali. Fino ad oggi, l’avanzamento dell’industria microelettronica si è basato sul concetto di miniaturizzazione del design dei dispositivi, ma la riduzione delle dimensioni dei transistor “MOS” non può essere spinta oltre certi limiti fisici e quindi l’industria microelettronica sta attualmente ricercando sempre nuove alternative. Queste spaziano dall’esplorazione di diverse architetture per i transistor all’eterointegrazione di diversi materiali su substrati di silicio. Uno degli aspetti più promettenti di quest’ultima proposta è la possibilità di esplorare diversi semiconduttori con caratteristiche elettroniche superiori al silicio, pur mantenendo la compatibilità con le linee di produzione attuali. La maggiore problematica risultante dalla crescita eteroepitassiale è data dalla differenza in passo reticolare tra il film depositato e il substrato, che lascia il film epitassiale in uno stato di deformazione in quanto forzato a ricoprire conformemente il substrato. L’energia elastica associata a questa deformazione può essere rilassata in due modalità. Un rilassamento è di tipo elastico tramite la deformazione della morfologia planare del film in strutture tridimensionali (dette isole) oppure un rilassamento di tipo plastico con la perdita della coerenza tra film e substrato tramite l’inserimento di dislocazioni da misfit. Questi difetti sono terminati da “threading arms” che non contribuiscono al rilassamento ma attraversano tutto il film arrivando fino alla regione dove risiede la parte attiva dei dispositivi. Per questo motivo questi sono i difetti più dannosi nei processi eteroepitassiali e limitarne la densità è uno dei maggiori avanzamenti richiesti prima dello sfruttamento di materiali alternativi al silicio. Questo obiettivo ambizioso richiede che la ricerca in questo ambito venga effettuata tramite una stretta collaborazione tra esperimenti e modellizzazioni teoriche, le quali possono supportare e indicare i parametri fondamentali per ottimizzare il processo di crescita. In questo lavoro verranno studiati tramite approcci di modellizzazione continua vari aspetti della crescita etero-epitassiale, dal rilassamento elastico con la formazione di isole, al rilassamento plastico di film sottili ed eterostrutture, con particolare attenzione alla crescita di SiGe su substrati di silicio. La scelta della modellizzazione continua è stata effettuata per poter riprodurre le tipiche scale spaziali e temporali sperimentali, in cui i sistemi investigati possono avere dimensioni di decine di micron e presentare fenomeni la cui durata può raggiungere vari minuti. La modellizzazione dei processi eteroepitassiali richiede la descrizioni di diversi fenomeni fisici. Il rilassamento elastico è descritto tramite la diffusione superficiale di materiale a seguito di gradienti nel campo di deformazione ed è stato riprodotto mediante un codice in grado di risolvere numericamente l’equazione di diffusione tramite il metodo agli elementi finiti. Il rilassamento plastico invece richiede l’utilizzo di codici in grado di descrivere il comportamento di singoli difetti pur mantenendo la possibilità di raggiungere le scale spaziali descritte in precedenza. In questo lavoro è stato scelto l’utilizzo di un approccio noto come Dinamica delle Dislocazioni, sfruttando anche un estensione di esso in grado di trattare la presenza di superfici libere. Infine, in questo lavoro è stata svolta un confronto estensivo tra i risultati ottenuti dalle simulazioni e quelli sperimentali, spesso ricorrendo ad esperimenti espressamente dedicati alla validazione dei modelli proposti. Questo ha reso possibile non solo l’interpretazione dei risultati sperimentali ma anche la proposta di parametri di crescita in grado di ottimizzare il processo eteroepitassiale.
The development of cutting-edge micro and opto-electronic devices requires increasingly high standards on the material quality. Indeed, up to nowadays, the advancement of the microelectronic industry has relied on the aggressive downscaling of the size typically featured by devices in the silicon-based technology. However, since the "standard" MOS transistor design cannot be miniaturized beyond a certain size, the microelectronic industry has pursued different solutions, ranging from different transistor architectures to the heterointegration of different semiconductors on Si substrates. The appealing aspect of the latter is the possibility to exploit the superior material qualities of a wide range of semiconductor materials while maintaining the standard manufacturability in the Si-based foundries. One of the major issues that has to be addressed while attempting an heterointegration is controlling the effect of the difference in lattice parameter between the epi-layer and the substrate. Indeed, this results in an in-plane deformation of the film lattice parameter to match the substrate one, leaving the epi-layer in a strained condition during the first mono-layers growth. The elastic energy accumulated can be released in two possible ways, elastically through the deformation of the planar morphology into three dimensional structures or plastically with the loss of its in-plane lattice coherence with that of the substrate, via nucleation of misfit dislocations. These defects are terminated by threading dislocations, which do not contribute to the relaxation but extend up to the free surface. These latter are the most detrimental defects for the applications, since they reach the active area of the final devices. Lowering the density of these defects is one of the main obstacle in view of further exploitation of heteroepitaxial systems. even the presence of single defects can severely reduce the desired performance, inhibiting any expected advantage from the superior material quality. Such requirement calls for a tight synergy between experimental and theoretical investigations, since the parameter space for a heteroepitaxial process is too large to be sampled by a trial and errors approach. In this work the various aspect of heteroepitaxy, ranging from the elastic relaxation with the formation of three-dimensional structures, to the plastic relaxation of thin films and heterostructures are investigated with the main focus on SiGe layers grown on Si substrates. The models developed are based on continuum approaches. Working at the continuum level conveniently allows to match typical experimental sizes of interest (up to several tens of micrometers) and time scales (up to several minutes). Modeling heteroepitaxy requires the proper description of several different phenomena. Purely elastic relaxation requires to describe the free surface diffusion of material responding to local gradients in the strain field and has been implemented by means of a computational code able to solve the partial differential equation for surface diffusion by means of the Finite Element Method. Modeling the plastic relaxation in heteroepitaxial systems, instead, requires the use of a code able to describe the behavior of single defects, still keeping the description of the spatial scale of interest described above. This was done by means of a Dislocation Dynamics approach. Finally, in this Thesis a very extensive comparison with experimental results was carried out. The goal was not limited to providing interpretation of available data, but also to suggest to various experimental partners better growth condition to achieve the desired results.

In questa tesi analizziamo due tipi di dislocazioni in configurazione di deformazione piana ed in prossimità della superficie: la dislocazione tensile e quella di bordo. Ci concentriamo in particolare sullo studio di queste dal punto di vista energetico: in entrambi i casi arriviamo, infatti, all’espressione della variazione di energia gravitazionale dovuta al processo di frattura. Per quanto riguarda la dislocazione di bordo confrontiamo l’energia gravitazionale rilasciata con l’energia trasportata dalle onde sismiche. Nel primo capitolo riportiamo le principali nozioni teoriche necessarie per affrontare il problema. Nel secondo ricaviamo l’espressione del campo di spostamento per i due tipi di dislocazioni analizzati. Il terzo capitolo, infine, è dedicato al calcolo della variazione di energia gravitazionale, anch’esso nel caso della dislocazione tensile e di quella di bordo.

In questa tesi, utilizzo un approccio cartografico per analizzare il fenomeno sintattico della Dislocazione a destra, basandomi sui dati dal cinese mandarino e dall’italiano standard. Rispetto ai precedenti studi sulla Dislocazione a destra, propongo di dividere i cassi in due tipi principali per meglio compredere la struttura sintattica sottostante della Dislocazione a destra: Dislocazione a destra per Focus-Fronting e Dislocazione a destra di Specificazione. Dislocazione a destra di tipo Focus-Fronting è frequentemente usata in cinese mandarino, e consiste essenzialmente nello spostamento di Focus di una porzione bassa della frase verso la periferia sinistra, lasciando indietro la parte non focalizzata, che dovrebbe essere nella porzione alta nella versione non dislocata della stessa frase. Di conseguenza, ciò che viene lasciato indietro sembra essere dislocato a destra della parte focalizzata. A differenza delle precedenti proposte simili a questa in letteratura, suggerisco che il ruolo di Topic e Force nella periferia sinistra deve essere considerato nella derivazione, per meglio interpretare la possibilità del soggetto di apparire nella parte non dislocata o nella parte dislocata, e per rendere conto dell'interazione tra Dislocazione a destra e le particelle finali di frase, le quali negli ultimi anni sono analizzate come split-C heads gerarchicamente ordinate nella periferia sinistra. Dislocazione a destra di tipo specificazione si presenta in entrambe le lingue, in cui un elemento viene aggiunto alla fine della frase per specificare un correlato meno informativo nella frase originale. In italiano, si realizza tipicamente come la cosiddetta Clitic Right Dislocation, in cui un pronome clitico coreferenziale appare nella parte non dislocata insieme al sintagma dislocato a destra. Sostengo che, in modo totalmente diverso dalla Clitici Left Dislocation, questa costruzione ha una struttura bi-frasale, con una prima frase completa e una seconda frase ridotta. Nella seconda frase, il sintagma dislocato a destra salda nell'IP copiato dalla prima frase, e sale al di sopra dell'IP come un operatore, causando l’ellissi dell'IP. Un'analisi simile può essere adottata anche per rappresentare i casi di Dislocazione a destra dell’aggiunto e di alcuni tipi di avverbi nelle due lingue. In conclusione, a rigor di termini, nessun caso della cosiddetta Dislocazione a destra nelle due lingue coinvolge movimenti verso destra. Inoltre, questa analisi implica anche che la Dislocazione a destra non è un tipo di topicalizzazione, il che spiega le discrepanze tra la Dislocazione a destra e la Dislocazione a sinistra/topicalizzazione.
In this dissertation, I adopt a Cartographic approach to analyze the syntactic phenomenon of Right Dislocation based on data from Mandarin Chinese and standard Italian. I point out that previous syntactic studies all suffer from drawbacks and Right Dislocation cases should be divided into two major types: Focus-Fronting type and Specificational type. Focus-Fronting type RD is frequently used in Mandarin. Essentially, it consists of the Focus movement of a lower portion of the clause to the Left Periphery, leaving behind the non-focused part which should be in the higher portion in the non-dislocated version of the same clause. As a consequence, what is left behind seems to be dislocated to the right of the focused part. Different from the previous proposals similar to this in the literature, I suggest that the role of Topic and Force in the Left Periphery must be considered in the derivation, to better interpret the possibility of the subject to appear in the non-dislocated part or in the dislocated part, and to account for the interaction between Right Dislocation and Sentence Final Particles, which in recent years are proposed to be hierarchically ordered split-C heads in the Left Periphery. Specificational type RD presents in both languages, in which an element is added at the end of the sentence to specify a less informative correlate in the original clause. In Italian, it is typically realized as the so-called Clitic Right Dislocation, in which a coreferential clitic pronoun appears in the non-dislocated part together with the right-dislocated phrase. I argue that, totally different from Clitic Left Dislocation, this construction has a bi-clausal structure, with a complete first clause and a reduced second clause. In the second clause, the right- dislocated phrase merges in the IP copied from the first clause, and raises above IP as an operator, triggering the IP-Ellipsis. Similar analysis can also be adopted to represent adjunct Right Dislocation and part of the adverb Right Dislocation in the two languages. Therefore, strictly speaking, none of the so-called Right Dislocation cases in the two lan- guages really involves rightward movements. In addition, this analysis also implies that Right Dislocation is not a kind of Topicalization, which explains the discrepancies between Right Dislocation and Left Dislocation/Topicalization.

L’elaborato presentato in questa tesi si pone come scopo la dimostrazione dell’equivalenza di due metodi diversi per la rappresentazione del campo di spostamento generato in un mezzo omogeneo da una dislocazione di bordo obliqua. Tramite il teorema di rappresentazione si cercherà di trovare un’espressione per il campo di spostamento prodotto da una dislocazione di bordo verticale, ed in seguito, attraverso un cambio di sistema di riferimento, si renderanno tali espressioni adatte alla descrizione dello spostamento indotto da una dislocazione di bordo obliqua. Si vedrà dai risultati finali che tale metodo è equivalente a considerare la dislocazione obliqua come composizione di due contributi provenienti da dislocazioni tensili e di bordo verticali.

Il contesto della tesi è quello di un'iniziativa progettuale per una importante realtà italiana dell'ambito utility. In particolare prevede l'analisi, la progettazione e l'implementazione di un modello analitico a supporto delle simulazioni degli impatti di modifica della dislocazione degli impianti utilizzati per il conferimento di rifiuti. La realizzazione di questo modello consentirà di effettuare simulazioni 'self-service' sui possibili impatti economici derivanti da una diversa dislocazione (o una diversa attribuzione) dei punti di conferimento dei rifiuti, attraverso la selezione di alcuni parametri.

La tesi ha come obiettivo quello di analizzare, dal punto di vista pragmatico, la struttura linguistica della dislocazione a sinistra nel greco antico. Nella prima parte vengono indicati alcuni criteri utili per l’individuazione degli elementi dislocati; si passa poi all’analisi vera e propria del corpus di riferimento (ovvero i trimetri presenti nelle tragedie di Sofocle, i trimetri delle Nuvole e degli Uccelli di Aristofane e il primo libro dell’Anabasi di Senofonte). In seguito, la trattazione verte sulla posposizione dell’elemento interrogativo nelle commedie di Aristofane e sulla tipologia di domande in corrispondenza delle quali è possibile riscontrare questo fenomeno. Nelle ultime due sezioni si passa all’analisi diacronica della dislocazione a sinistra; dapprima ci si focalizza sulla tragedia, prendendo in esame I Sette Contro Tebe di Euripide e l’Ecuba di Euripide al fine di poter confrontare le tipologie di dislocazioni qui riscontrate con quelle di Sofocle. In seguito, si procede con l’analisi del Dyskolos di Menandro e dell’Areopagitico di Isocrate per poter paragonare anche i risultati ottenuti dallo studio riguardante la commedia e la prosa. Infine, all’interno dell’ultimo capitolo, vengono presentate le conclusioni generali della presente tesi.

This article aims to present how the COVID-19 has influenced the current texts of the Italian press. We pay attention to the vocabulary relating to the pandemic in the most characteristic linguistic phenomena of the Italian language. We support the theoretical questions with examples taken from Italian newspapers (current articles). The goal of our work is to characterize „la vivacità espositiva”, the captivating titles, their nominalization, the phraseological verbs, the direct speech, cleft sentence, „il c’è presentativo, la dislocazione a si-nistra”, whose purpose is mainly to simplify the language of the press and to make the text more attractive. The presence of neologisms, plasticisms, acronyms, and war metaphors are particularly characteristic of the press language during the pandemic. The language of the press occupies a special place among the sectoral languages, currently undergoing changes also due to the world situation during the pandemic.