Academic literature on the topic 'Caractérisations pour la microélectronique'
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Journal articles on the topic "Caractérisations pour la microélectronique":
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Debéda, H., A. Gracia, M. Dematos, I. Favre, B. Plano, J. Tomas, R. Tan, C. Rouabhi, and M. Respaud. "Procédé de fabrication d’un circuit redresseur de puissance : de la fabrication de diodes Silicium à leur assemblage sur substrat métallisé d’alumine." J3eA 21 (2022): 1016. http://dx.doi.org/10.1051/j3ea/20221016.
Abstract:
Les deux pôles CNFM (Coordination Nationale pour la Formation en Microélectronique et en nanotechnologies) de Toulouse et Bordeaux, AIME et PCB respectivement, ont associé leurs compétences pour créer des formations sur la thématique de l’électronique de puissance : procédé de fabrication de composants pour l’AIME, et leur assemblage sur un substrat céramique pour le PCB. Le circuit choisi, un redresseur de puissance (Pont de Graetz) a permis de valider le procédé de fabrication des diodes de puissance nouvellement mis au point à l’AIME. L’intérêt de cette collaboration inter-pôle est double (i) proposer aux étudiants un TP complet allant du composant élémentaire, à leur assemblage et la caractérisation élémentaire ou du redresseur de puissance, (ii) avoir possibilité de changer selon l’application finale les caractéristiques électriques et dimensionnelles des diodes, (iii) bien connaître les caractéristiques des diodes en prévision des études de fiabilité du composant.
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Alloncle, A. P., B. Thomas, D. Grojo, Ph Delaporte, M. Sentis, S. Sanaur, M. Barret, and Ph Collot. "Ablation laser pour la microélectronique plastique." Journal de Physique IV (Proceedings) 138, no. 1 (December 2006): 213–21. http://dx.doi.org/10.1051/jp4:2006138024.
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Ali, Mohamad, and Mohamed El-Gohary. "Caractérisations mécaniques des charnières pour meuble." MATEC Web of Conferences 261 (2019): 02006. http://dx.doi.org/10.1051/matecconf/201926102006.
Abstract:
Le travail présenté est destiné pour étudier le comportement mécanique de la liaison porte-caisson à travers des charnières invisible à encastrer pour assurer la rotation de la porte durant son ouverture et fermeture. Dans le monde de l’industrie du meuble on confronte toujours la fabrication des portes des placards dont il faut sélectionner le type et le nombre des charnières. L’étude consiste à réaliser une analyse analytique sur un cas spécifique dont on a utilisé des panneaux en fibres à densité moyenne ou MDF (medium density fiber board) et des charnières invisibles à encastrer cette étude a été suivie par une étude numérique avec un modèle des éléments finis.
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Boulmer, J., D. Débarre, A. Grouillet, and D. Lenoble. "Dopage laser pour la microélectronique du futur." Le Journal de Physique IV 11, PR7 (October 2001): Pr7–103—Pr7–106. http://dx.doi.org/10.1051/jp4:2001733.
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Marris-Morini, Delphine, Carlos Alonso-Ramos, Xavier Le Roux, and Laurent Vivien. "La photonique silicium / germanium pour la spectroscopie moyen infrarouge." Photoniques, no. 98 (September 2019): 20–23. http://dx.doi.org/10.1051/photon/20199820.
Abstract:
Le silicium est aujourd’hui le matériau de choix pour l’optique intégrée, bénéficiant de techniques de fabrication matures développées par l’industrie de la microélectronique. La photonique silicium propose ainsi des circuits intégrant de multiples fonctions, à coût réduit. À l’origine étudiée pour répondre aux limitations des circuits intégrés et principalement à la transmission du signal d’horloge à l’intérieur des circuits intégrés microélectroniques, la photonique silicium a finalement révolutionné les communications optiques courtes distances (datacom) dans les centres de données (data center). Les grands industriels de la microélectronique et d’Internet (Intel, STMicroelectronics, Cisco…) se sont intéressés à cette plateforme photonique, et des produits commerciaux sont aujourd’hui disponibles.
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Weitzman, Leora. "Frege on the Individuation of Thoughts." Dialogue 36, no. 3 (1997): 563–74. http://dx.doi.org/10.1017/s0012217300017066.
Abstract:
RésuméLes caractérisations apparemment conflictuelles quepropose Frege des pensées comme étant à lafois vériconditionnelles et ordonnées à la cognition, peuvent être vues comme deux manifestations d'une unique conception unificatrice. Mais ni la conception unificatrice ni chacune des caractérisations divergentes ne conduisent a un véritable critère d'identité pour les pensées. Car aucune des voies qu'elles suggerent pour distinguer les pensées les unes des autres oupour les réidentifier nepeut être adoptée sans I'aide d'une façon préalable d'individuer les pensées.
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Bonnaud, Olivier. "Les enjeux industriels, économiques et académiques de la filière micro-électronique." J3eA 21 (2022): 2011. http://dx.doi.org/10.1051/j3ea/20222011.
Abstract:
L’arrivée des objets connectés et de l’internet des choses (IoT) associé, ainsi que la perspective d’une nouvelle révolution industrielle (industrie 4.0.) conduisent à revoir l’ensemble de la formation des techniciens, ingénieurs, diplômés de masters, et des docteurs tout particulièrement du domaine de la microélectronique et des nanotechnologies qui sont au coeur de tous les outils et dispositifs mis en oeuvre. Si le développement apparait fulgurant et souvent très utile pour les applications sociétales, cette évolution amène de nouveaux défis qui sont liés à l’intégration des circuits et systèmes, à la pluridisciplinarité des dispositifs, au transport des flux de données et à la consommation d’énergie associée. Si l’industrie envisage de répondre à ces défis en recentrant au niveau français cette activité, il faut tout particulièrement revoir la conception, l’architecture et la technologie de ces objets, ce qui nécessite des compétences et du savoirfaire, et donc un vivier de formés préparé à relever ces nouveaux défis. Cette présentation aborde les enjeux et les limitations de l’évolution actuelle, propose un certain nombre d’approches du domaine de la microélectronique destinées à surmonter les défis et enfin détaille la stratégie actuelle du réseau national de formation à la microélectronique (CNFM) pour préparer les futures générations à contribuer à la pérennisation de la filière.
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Rousseaux, F. "Intérêt des sources X pour la production en microélectronique." Annales de Physique 17 (June 1992): 133–40. http://dx.doi.org/10.1051/anphys/1992026.
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Charles, Jean-Pierre, Ahmed Haddi, Alain Maouad, Hazri Bakhtiar, Abdellatif Zerga, Alain Hoffmann, and Pierre Mialhe. "La Jonction du Solaire à la Microélectronique." Journal of Renewable Energies 3, no. 1 (June 30, 2000): 1–16. http://dx.doi.org/10.54966/jreen.v3i1.906.
Abstract:
Les applications les plus importantes de la conversion photovoltaïque ont longtemps été limitées au domaine spatial. Le développement des techniques et la prise de conscience des problèmes énergétiques et d’environnement concourent à un nouvel essor de cette source d’énergie. Son intérêt est d’autant plus grand que les sources traditionnelles industrielles sont éloignées, que l’habitat est distribué, et que les investissements liés à l’établissement d’un réseau de distribution sont plus élevés. La principale barrière à son développement terrestre a longtemps été le coût élevé des photopiles. Le panneau solaire à base de silicium fournit de l’électricité à 5FF le kW/h. Les recherches sur de nouvelles structures au silicium et sur de nouveaux matériaux permettent d’envisager de meilleurs rendements pour une fiabilité et des coûts attractifs.
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Pradarelli, B., P. Nouet, P. Benoit, and O. Bonnaud. "Actions de vulgarisation du guichet national de formation continue du GIP-CNFM." J3eA 18 (2019): 1022. http://dx.doi.org/10.1051/j3ea/20191022.
Abstract:
Cet article présente les actions de dissémination et de vulgarisation mises en oeuvre pour promouvoir l’offre de formation continue en Microélectronique et en Nanotechnologies du réseau GIP-CNFM. Il rappelle la structuration et organisation du guichet d’entrée national et dresse le bilan 2014-2018 des formations continues réalisées dans le cadre du projet ANR IDEFI-FINMINA. Il conclut en adressant l’actualité et les nouvelles actions identifiées pour accroître la visibilité du GIP-CNFM dans le milieu de la formation professionnelle continue.
Dissertations / Theses on the topic "Caractérisations pour la microélectronique":
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Kanoun, Mehdi. "Caractérisations électriques des structures MOS à nanocristaux de Ge pour des applications mémoires non volatiles." Lyon, INSA, 2004. http://theses.insa-lyon.fr/publication/2004ISAL0069/these.pdf.
Abstract:
La réduction de la taille des composants silicium prévue par la loi de Moore, posera des problèmes de limitation physique et technologique pour ces derniers. En effet, la limite pour les transistors MOS se situe vers une longueur de grille de quelques nm (2010-2015). Pour les mémoires non volatile (MNV), le paramètre critique est l’épaisseur de l’oxyde tunnel. La limite pour un isolant SiO2 se situe autour de 7-8 nm (2002-2008). En deçà, le composant perd sa caractéristique en temps de rétention (10 ans). Il faut donc envisager d’autres alternatives pour ces dispositifs. Parmi les pistes explorées, l’électronique à quelques électrons, pourrait être amenée à jouer un rôle important, notamment en ce qui concerne les applications mémoires. En effet en 1995, Tiwari1 et collaborateurs, proposent de changer la grille flottante en polysilicium par des nanocristaux de Si. L’utilisation d’une grille flottante granulaire à base de nanocristaux de Si réduit le problème de la perte de la charge rencontrée dans les mémoires non volatiles conventionnelles et permet de dépasser l’épaisseur critique des oxydes tunnel. Afin d’améliorer encore plus le temps de rétention des mémoires non volatiles, l’utilisation des nanocristaux de Ge semble être plus intéressante que ceux du Si grâce à leur énergie de gap qui est plus petite. Dans ce contexte ce travail de thèse propose une étude électrique des propriétés électroniques des nanocristaux de germanium pour les applications mémoires. Le premier chapitre est consacré à l’étude des propriétés électroniques du Ge, lorsque celui-ci devient de taille nanométrique. En parallèle à cette description, les dispositifs envisagés seront présentés avec les procédés technologiques associés. Le deuxième chapitre, est dédié à la description et l’analyse de quelques méthodes d’isolation des nodules de Ge dans une matrice d’oxyde. Dans le chapitre III, nous étudierons les mécanismes de transport dans les nanostructures de Ge. Finalement, dans le quatrième chapitre, nous présenterons les études des cinétiques de chargement et de déchargement dans les îlots de Ge. Ces études ont permis d’optimiser les paramètres technologiques du dispositif mémoires, elles ont également démontré le potentiel que présente les îlots de Ge pour les applications mémoires de type P-MOSThe scaling down of the silicon devices predicted by the Moor’s law will cause physical and technological limitations. Indeed, the limit of the MOS transistor’s gate length is situated in the range of 8 nm (2010-2015). For the non volatile memories based on SiO2 insulator, the critical parameter is the tunnel oxide thickness which is situate around 7-8 nm (2008). For thinner oxides, the device loss its retention time characteristic (10 years). For these reasons, other ways must be envisaged. The few electron electronics seem to be a good candidate for this task, in particular for the memory applications. Indeed, Tiwari and collaborators had proposed in 1995, to replace poly-silicon floating gate by Si nanocrystals. The utilization of a granular based silicon nanocrystals floating gate allows the reduction of the tunnel oxide thickness. In order to ameliorate the retention time, it is more interesting to integrate Ge nanocrystals rather than the silicon ones thanks to their smaller band gap. In this context, this work proposes an electrical study of the electronic properties of Ge nanocrystals embedded in the SiO2 matrix for non volatile memory application. The first chapter is devoted to the description of the electronic properties change of the Ge nanocrystals due to the reduction of their size. In addition, the envisaged device is presented with its technological process. In the second chapter, different method analyses are reported for Ge isolation in a SiO2 matrix. The third chapter is dedicated to the transport mechanisms in Ge dots. Finally, in the forth chapter we will present the charge and discharge kinetic studies in Ge islands. These studies have permitted the optimization of the technologic parameters for the non volatile memory device realization as well as demonstrate the potential presented by the Ge dots for P type MOS memories
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Lintanf, Amélie. "Dépôts par ESD et ALD et caractérisations physico-chimiques de couches d'oxydes à l'échelle nanométrique pour la microélectronique." Grenoble INPG, 2008. http://www.theses.fr/2008INPG0088.
Abstract:
Ce travail porte sur l'élaboration et les caractérisations physico-chimiques de couches très minces de Ta2O5 et ZrO2 (<10 nm) pour différentes applications en microélectronique. Les films sont élaborés par atomisation électrostatique (ESD) et/ou dépôt de couches atomiques (ALD). Les paramètres expérimentaux sont optimisés pour l'obtention de films denses et minces (environ 10 nm), homogènes en épaisseur et conformes. En ESD, la solution précurseur choisie contient un acétylacétonate de tantale ou de zirconium (0,00625 M) dissous dans 20 % vol. Ethanol et 80 % vol. Butyl carbitol. Les paramètres tels que température du substrat, distance aiguille-substrat, débit de la solution et temps de dépôt sont fixés à 240°C, 20 mm, 0,49 ml/h et 5 minutes, quelque soit le matériau déposé. En ALD, les précurseurs utilisés pour déposer Ta2O5 sont l'éthoxyde de tantale chauffé à 100°C dans une nacelle interne et l'eau maintenue à 20°C dans un bulleur externe. Les dépôts ALD sont réalisés pendant 200 à 2000 cycles (0,2/2/2/2s) à 209°C et 100 Pa. L' étude structurale originale des films montre une cristallisation vers 800°C pour Ta2O5 et 600°C pour ZrO2. Ta2O5 présente une transformation de phases monoclinique à rhomboédrique réversible en température lors d'un refroidissement lent. ZrO2 cristallise majoritairement dans la symétrie quadratique. Les tests électriques de capacités MOS réalisés avec une sonde à mercure ont permis d'évaluer la constante diélectrique. Enfin, les performances de barrière de chacun des matériaux ont été étudiées et la défaillance a lieu au delà de 600°C.
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Perat, Olivier. "Méthodologie de caractérisation de paramètres thermomécaniques de matériaux pour la microélectronique." Toulouse, INSA, 2002. http://www.theses.fr/2002ISAT0009.
Abstract:
Les exigences en termes de performance, de fiabilité et de coût requièrent une conception optimisée des circuits électroniques. Nos recherches réalisées au sein d'un laboratoire commun, associant MOTOROLA SPS, la Région Midi-Pyrénées et le LAAS/CNRS concernent les défaillances d'origine thermomécanique des composants. Nos travaux portent sur le développement d'une méthode de caractérisation de deux paramètres thermomécaniques des matériaux en couche mince: le module d'Young et le coefficient de dilatation thermique. Basée sur une modélisation analytique des contraintes thermomécaniques, la méthode repose sur la déflection thermique de micropoutres bilames. Elle permet la détermination en température des deux paramètres avec une résolution très convenable et un mode opératoire unique. Des cantilevers bilames, réalisés en salle blanche, ont permis de valider la méthode et ont fournis d'intéressants résultats concernant l'étude de la fatigue thermique des assemblagesOptimisation of electronic circuits is mandatory to meet performance, reliability and cost requirements. Our investigation, performed in a Motorola, LAAS/CNRS, Région Midi-Pyrénées common laboratory, concerns the thermal fatigue induced failures of components. Our work deals with the development of a characterisation method of two thermomechanical parameters: the Young's modulus and the coefficient of thermal expansion. Starting from an analytical modelling of thermomechanical stresses, the method is based on the thermal deflection of bilayer cantilevers. Using a single experimental set-up, this method allows the determination of the two parameters as a function of temperature, with a fairly good resolution. Bilayer cantilevers, processed in a clean room, have led to the validation of the method and have provided interesting results concerning study of the thermal fatigue behaviour of heterogeneous assemblies
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Fossati, Caroline. "Optique pour la Microélectronique : du capteur au traitement de l'image." Habilitation à diriger des recherches, Université Paul Cézanne - Aix-Marseille III, 2008. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00384815.
Abstract:
Il s'agit ici du bilan de plus de 10 ans d'enseignement et de recherche dans le domaine de la micro et de l'opto électronique, et plus particulièrement des dernières années passées au sein de l'Ecole Centrale Marseille et de l'institut Fresnel. Deux thématiques de recherche sont abordées :
- La caractérisation optique de défauts submicroniques dans les matériaux, qui a constitué, dans la continuité de ma thèse, la première partie de mes activités : caractérisation de précipités dans le Silicium par le développement d'un microscope infrarouge à balayage ; développement d'un microscope photo thermique pour la détection de nano défauts absorbants précurseurs d'endommagement dans les couches minces optique.
- L'optique pour la microélectronique, thématique initiée en 2000 au laboratoire, qui aborde la modélisation optique de capteurs d'images en technologie CMOS en vue d'adapter leur structure aux contraintes de réflexion et diffraction optique liées à la réduction de taille des pixels imposée par le marché.
Sont aussi concernés les masques avancés pour la photolithographie optique, et l'adaptation de techniques de traitement du signal et des images à la modélisation de corrections optiques de proximité (OPC) qu'il faut appliquer sur les masques pour corriger les effets de la diffraction dans le cadre de la diminution de taille des composants.
Des projets de recherche orientés sur l'application des capteurs et du traitement multidimensionnel du signal pour des applications médicales et de sécurité sont aussi présentés.
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Thomas, Maryline. "Caractérisation et développement d'architectures 3 D pour capacités métal-isolant-métal intégrant des électrodes en cuivre et des diélectriques à permittivité élevée." Grenoble INPG, 2007. http://www.theses.fr/2007INPG0150.
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Laloum, David. "Tomographie par rayons X haute résolution : application à l'intégration 3D pour la microélectronique." Thesis, Université Grenoble Alpes (ComUE), 2015. http://www.theses.fr/2015GREAY067/document.
Abstract:
Les travaux de ce doctorat concernent le développement d'une technique de caractérisation non destructive encore peu utilisée dans le domaine de la microélectronique : la tomographie par rayons X dans un microscope électronique à balayage. Cet instrument a été utilisé pour l'analyse haute résolution d'interconnexions métalliques, telles que les piliers de cuivre ainsi que les vias traversants, utilisées dans le cadre de l'intégration 3D pour connecter verticalement plusieurs puces entre elles. Les contributions les plus significatives de ces travaux sont : (1) l'amélioration des capacités d'analyse offertes par l'instrument. De nombreuses études – simulations et expériences – ont été menées afin de déterminer et améliorer les résolutions 2D et 3D de ce système d'imagerie. Il a été montré que la résolution 2D de ce système d'imagerie pouvait atteindre 60 nanomètres. La qualité des images acquises et reconstruites a également été améliorée à travers l'implémentation d'algorithmes de reconstruction itératifs et de nombreuses méthodes d'alignement des radiographies. (2) La réduction du temps d'analyse d'un facteur 3 à travers l'implémentation d'algorithmes de reconstruction contraints tels que la méthode de reconstruction basée sur la minimisation de la variation totale. (3) La mise en place d'algorithmes de correction efficaces pour l'élimination d'artéfacts de reconstruction liés à la polychromaticité du faisceau de rayons X utilisé. (4) La mise en application de l'ensemble de ces algorithmes sur des cas réels, rencontrés par des technologuesIn this thesis, an original non-destructive 3D characterization technique has been developed : the X-ray tomography hosted in a scanning electron microscope. This instrument is not widely used in the microelectronics field. This computed tomography (CT) system has been used for the high resolution analysis of metallic interconnections such as copper pillars and through silicon vias (TSVs). These components are widely used in the field of 3D integration to make vertical stacks of interconnected chips.The most significant contributions of this thesis are : (1) the enhancement of the analytical capabilities of the instrument. Many studies – simulations and experiments – have been performed in order to determine and improve the 2D and 3D resolutions of this imaging system. It has been shown that the 2D resolution of this instrument can reach 60 nanometers. The quality of the projections and reconstruction has also been improved through the implementation of iterative reconstruction algorithms and various projections alignment methods. (2) The reduction of the scanning time by a factor 3 through the implementation of constrained reconstruction techniques such as the reconstruction method based on the total variation minimization. (3) The application of effective correction algorithms for removing reconstruction artefacts due to the polychromaticity of the X-ray beam. (4) The application of all these reconstruction methods and algorithms on real cases encountered by materials engineers
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Cherkaoui, Karim. "Caractérisation de matériaux semi-isolants par spectroscopie de transitoire de courant photoinduit : matériaux InP dopés Fe pour la micro-optoélectronique et CdZnTe pour la détection nucléaire." Lyon, INSA, 1998. http://www.theses.fr/1998ISAL0104.
Abstract:
La nécessité de disposer de matériaux semi-isolants de bonne qualité concerne des domaines d'application très variés. Par exemple, les substrats InP et Cd. ZnTe de haute résistivité sont très adaptés à la réalisation de circuits micro-optoélectroniques et de détecteurs nucléaires respectivement. Nous avons caractérisé ces deux matériaux par la spectroscopie thermique de transitoire de courant photo-induit. La première partie de cette étude a pour but d'analyser les défauts dans les substrats InP ayant subi un recuit thermique afin de comprendre le processus de compensation dans ce matériau. Nous avons détecté deux niveaux d'énergie d'activation autour de 0. 2 eV et 0. 4 eV induits par le traitement thermique. Nous avons remarqué l'omniprésence du Fer dans les substrats même non intentionnellement dopés. Il faut donc prendre en compte la participation du Fer pour comprendre le processus de compensation dans ces substrats InP recuits. Dans la deuxième partie, nous avons étudié le matériau CdZnTe élaboré par la technique Bridgman sous haute pression afin de souligner les défauts qui peuvent affecter les performances du détecteur. La présence de trois niveaux profonds proches du milieu de la bande interdite a une influence sur les performances des détecteurs. La qualité des cristaux s'améliore ceci se traduit par la présence d'un seul niveau profond. Ce dernier est probablement responsable du caractère semi-isolant de ces matériaux. Nous avons pu corréler les performances de détection d'une série d'échantillons avec la présence de deux pièges à électrons apparaissant à basse températureSemi-insulating materials show an increasing interest in many application fields. For instance high resistivity InP and CdZnTe substrates are very promising for micro-optoelectronic circuits and nuclear detectors respectively. We have characterized both materials by means of Photo-Induced Current Transient Spectroscopy. The aim of the first part of this study is to analyze the defects in annealed InP substrates to understand the compensation phenomena in this material. We have detected two levels at 0. 2 eV and 0. 4 eV induced by the thermal treatment. We have noticed the presence of iron in all samples even in non intentionally doped ones. Therefore, one must take into account the Iron contribution to fully understand the compensation mechanism in the annealed InP substrates. In the second part, we have studied the CdZnTe material grown by the High Pressure Bridgman method to point out the defects which may affect the detector performance. Three levels detected near the midgap seem to affect the performance of the first studied detectors. We have characterized a series of detectors in which we have only detected one midgap level. We explain this by an improved material quality. This level is probably responsible of the semi-insulating character of this material. Finally, we correlate the detection performance of a series of samples with the presence of two electron traps at low temperature
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Baudry, Ingwild. "Caractérisation des process de fabrication microélectroniques pour l'éco-conception des futures technologies." Phd thesis, Université de Grenoble, 2013. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00957329.
Abstract:
L'industrie microélectronique est engagée depuis longtemps dans des mesures visant à réduire ses impacts sur l'environnement, et ce sur toutes les phases du cycle de vie de ses produits. Sur les sites de fabrication, la suite logique à la mise en place de système de traitement des pollutions est l'anticipation de ces dernières. L'éco-conception des technologies microélectroniques, c'est-à-dire l'intégration de paramètres environnementaux dans leur processus de développement, permet de répondre à cet objectif. Notre travail de recherche a pour but de caractériser environnementalement les procédés de fabrication microélectronique afin de proposer des outils et méthodes pour leurs concepteurs. Nous avons donc modélisé une technologie microélectronique, et associé des impacts environnementaux aux flux entrants et sortants. Cela nous a permis de proposer des indicateurs environnementaux destinés à la R&D et adaptés à un site de développement et de production microélectronique.
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Gonon, Nathalie. "Procédés thermiques rapides pour la réalisation de diélectriques ultra-minces sur silicium. Caractérisation par spectroellipsométrie." Lyon, INSA, 1993. http://www.theses.fr/1993ISAL0074.
Abstract:
La réalisation de diélectriques ultra minces inférieurs à 10 nm, est nécessaire dans plusieurs domaines : la microélectronique où la réduction continuelle des dimensions des circuits intégrés MOS implique l'utilisation de diélectriques de plus en plus minces et dans celui des hétéro structures capacitives pour capteur biologiques. L'oxydation thermique du silicium est le procédé le plus performant pour la réalisation des dispositifs pré-cités. Récemment, une technique de croissance à très hautes températures et à temps d'oxydation très courts s'est développée avec l'arrivée des Procédés Thermiques Rapides. Des couches diélectriques ultra-minces sur silicium ont été réalisées par oxydation thermique rapide sous O2 et sous N2O à pression proche de la pression atmosphérique. La caractérisation de ces couches a été faite par spectroellipsométrie. Celle-ci nous a permis de mettre en évidence un régime de croissance initial rapide avec toutefois en ralentissement de cette croissance pour les oxydes faits sous N2O, ainsi qu un indice des couches réalisées plus élevé que celui de la silice standard. Des analyses complémentaires (spectroscopie Auger, sonde ionique, mesures électriques) ont confirmé cet indice élevé et ont révélé un problème d'interface. Elles nous ont permis d'émettre des hypothèses quant à l'origine des indices élevés (densification, présence d'une couche interfaciale SiO2 silicium en excès à 1 interface) et la croissance des oxydes RTO (croissance volumique)Thermal oxidation of silicon is the more important process for integrated circuit fabrication. The trend towards even smaller and faster devices has resulted in a demand for gate oxides of thickness of less the 10 nm. More recently, a growth technique at very high temperatures for oxidation times of a few second has been developed with the advent of Rapid Thermal Processing. Very thin oxides films were achieved by rapid thermal oxidation in pure 02 or N2O stagnant atmosphere. RTO films thickness and refractive index were obtained by spectroscopic ellipsometry spectroellipsometiy investigation of RTO films revealed a growth rate enhancement at the initial stage of oxidation and an oxidation refractive index higher than chose of standard Si02. It can be noted that for N 0 kinetics, the growth rate was lower than for 02 kinetics. Complementary analysis (Auger spectroscopy, electrical properties. . . ) confirm the high value of the refractive index and reveal an interfacial problem. These analysis allow to express hypothesis to explain the high refractive index (densified SiO2 films, presence of an interfacial SiOx films, excess of silicon at the interface) and the growth of the RTO oxide (volumetric growth)
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Chang, Youjean. "Etude de caractérisation de matériaux diélectriques de grille à forte permittivité pour les technologies CMOS ultimes." Lyon, INSA, 2003. http://theses.insa-lyon.fr/publication/2003ISAL0035/these.pdf.
Abstract:
Le travail présenté dans ce manuscrit concerne l'étude de nouveaux matériaux diélectriques à forte permittivité ("high-k") en vue de leur intégration comme isolant de grille dans les technologies CMOS ultimes. En effet, la miniaturisation agressive des dispositifs microélectroniques se heurte aujourd'hui aux limites du SiO2 et imposera à échéance de 2 ou 3 ans, son remplacement par un isolant à constante diélectrique plus élevée, ce qui constitue une véritable rupture technologique. Parmi les matériaux candidats les plus prometteurs, Al2O3 ("modeste-k"), HfO2 ("high-k") et SrTiO3 ("very high-k"), représentent des solutions potentielles à respectivement court, moyen et long terme. Le principal enjeu de cette intégration est d'atteindre des épaisseurs équivalentes d'oxyde (EOT) inférieures à 1 nm tout en maintenant des courants de fuite acceptables pour les applications envisagées. Les points bloquants se situent dans la comptabilité technologique de ces matériaux, leur stabilité thermodynamique, la maîtrise de la couche interfaciale et sa qualité électrique. Les diélectriques en film mince étudiés dans ce travail ont été élaborés par deux techniques de dépôt de type industriel, les dépôts chimiques en phase vapeur par couche atomique (ALD) pour Al2O3 et HfO2, ou aux organo-métalliques (MOCVD) à injection, pour SrTiO3. Nous mettons en évidence la très bonne stabilité thermique de Al2O3, qui conserve un caractère amorphe pour des températures de recuits supérieures à 800ʿC. Une couche de transition, principalement constituée de SiO2 ou (et) de silicate, est observée à l'interface avec le substrat de Si. Celle-ci se forme pendant le dépôt et les traitements thermiques ultérieurs et dépend fortement de la préparation du substrat avant dépôt. Un comportement similaire est observé pour HfO2. Nous montrons également que les propriétés électriques de ces matériaux (constante diélectrique, EOT, tension de bande plate, charges dans l'oxyde, densité d'états d'interface) évoluent en fonction de l'épaisseur du film diélectrique, de la préparation de surface, ou encore des conditions de recuits. A EOT comparables, nous obtenons des courants de fuite inférieurs à SiO2 pour les trois types de matériaux. L'analyse détaillée des paramètres électriques montrent que les principaux challenges à relever résident dans la maîtrise de la couche interfaciale et dans la réduction des charges et états d'interface qui s'avère être actuellement l'une des principales sources de dégradation de la mobilitéThis thesis presented the study of new gate dielectric materials with high permittivity ("high-k") for their integration into gate insulator of ultimate CMOS technology. Indeed, the aggressive miniaturization of the devices micro-electronics comes up today against the limits of SiO2 and will impose in the term of 2 or 3 years, its replacement by an insulator with higher permittivity, which constitutes a true technological rupture. Among the materials the most promising candidates, Al2O3 ("modeste–k"), HfO2 ("high-k") and SrTiO3 ("very high-k") represent potential solutions with respectively short, medium and long term. The principal problem of this integration is to reach equivalent oxide thickness (EOT) lower than 1 nm while maintaining leakage currents acceptable for the applications considered. The blocking points are in the technological compatibility of these materials, their thermodynamic stability, the control of the interfacial layer and its electrical properties. Thin dielectric films studied in this work has been deposited by two industrial techniques, atomic layer chemical vapour deposition (ALD) for Al2O3 and HfO2 or liquid injection metal organic chemical vapour deposition (MOCVD) for SrTiO3. We proved the very good thermal stability of Al2O3 which preserves an amorphous character up to annealing temperature higher to 800°C. A transition layer, mainly made up of SiO2 or (and) silicate, is observed at the interface between Al2O3 and Si. This layer is formed during the deposition and thermal treatments after deposition and it depends strongly on the preparation of the substrate before deposition. A similar behavior is observed for HfO2. We also show that the electrical properties of these materials (dielectric constant, EOT, flat band voltage, charges in oxide, interface density state) change in function of dielectric film thickness, surface preparation, or of annealing conditions. With comparable EOT, we obtain leakage currents lower than SiO2 for the three types of materials. The detailed analysis of the electrical parameters show that the principal challenges lie in the control of the interfacial layer and the reduction of the charges and interface state density which are proved to be currently one of the principal sources of mobility degradation
Book chapters on the topic "Caractérisations pour la microélectronique":
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CHATELIN, Simon, Philippe GARTEISER, and Bernard E. VAN BEERS. "Biomécanique du foie : caractérisations, modélisations et applications cliniques." In Mécanique des tissus vivants, 27–59. ISTE Group, 2023. http://dx.doi.org/10.51926/iste.9160.ch1.
Abstract:
Ce chapitre dresse un état des lieux des applications de la biomécanique à l’étude du foie, en décrivant son comportement mécanique à travers des approches expérimentales et théoriques, ainsi que l’utilisation de l’élastographie en diagnostic des pathologies hépatiques. Quelques éléments de perspectives sont apportés pour le diagnostic clinique et la chirurgie hépatique grâce à la simulation en temps réel.
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VALLET, Yves, and Cédric LAURENT. "Biomécanique de la peau : caractérisations, modélisations et applications au scalp." In Mécanique des tissus vivants, 61–93. ISTE Group, 2023. http://dx.doi.org/10.51926/iste.9160.ch2.
Abstract:
L’engouement pour la caractérisation des propriétés mécaniques de la peau est motivé par différentes applications, médicales ou non. Ce chapitre propose un tour d’horizon des propriétés mécaniques de la peau, et sur les techniques de caractérisation, de modélisation et d’imagerie permettant de les étudier, en se fermant sur le cas de la peau du scalp.
Conference papers on the topic "Caractérisations pour la microélectronique":
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Lacombat, M. "Équipements optiques pour la fabrication microélectronique." In Systèmes optiques. Les Ulis, France: EDP Sciences, 1992. http://dx.doi.org/10.1051/sfo/1992010.