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Academic literature on the topic 'Bande III'

Author: Grafiati
Published: 7 July 2024

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Contents

  1. Journal articles
  2. Dissertations / Theses
  3. Books
  4. Book chapters
  5. Conference papers
  6. Reports

Journal articles on the topic "Bande III":

1

Saleil, Jean, Marc Mantel, and Jean Le Coze. "La production des aciers inoxydables: Histoire de son développement et des procédés de fabrication. Partie III. Évolutions des méthodes de coulée et de mise en forme des aciers inoxydables." Matériaux & Techniques 108, no. 1 (2020): 105. http://dx.doi.org/10.1051/mattech/2020016.

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Abstract:
La coulée des aciers inoxydables, autrefois en lingots, s’effectue aujourd’hui par coulée continue. Ce mode de coulée a permis une considérable simplification de la gamme de fabrication (suppression du dégrossissage au blooming). La généralisation de la coulée continue aux aciers inoxydables fut assez tardive car il fallait satisfaire à deux impératifs qualitatifs essentiels : l’état de surface et la propreté inclusionnaire du métal déjà largement pris en compte par les affinages AOD et VOD. La complexité de la séquence de solidification des aciers inoxydables, notamment celle des aciers austénitiques, a aussi pesé sur le choix du mode de coulée. Le choix des outils de la filière coulée continue/mise en forme à chaud, pour les produits plats, est largement conditionné par le volume de production et par la proximité d’un train à bandes. Le laminoir Steckel a eu son utilité pour des productions de faibles volumes. Aujourd’hui les grandes usines en produits plats en aciers inoxydables ont des capacités suffisamment importantes pour leur dédier un train à bande (TAB) ; d’autres utilisent, en association, un train à bande pour aciers au carbone. La résolution des problèmes particuliers posés par la mise en forme à chaud des aciers inoxydables, notamment ceux liés au trou de ductilité à chaud des austénites, est décrite. Les cas particuliers de la mise en forme à chaud des tubes, des produits forgés sont évoqués. Les questions concernant la mise en forme à froid : laminage, emboutissage, écrouissage… sont abordées.
2

Semmler, Josef. "Hermann Jakobs, Eugen III. und die Anfänge europäischer Stadtsiegel nebst Anmerkungen zum Bande IV der Germania Pontificia." Zeitschrift der Savigny-Stiftung für Rechtsgeschichte: Kanonistische Abteilung 71, no. 1 (August 1, 1985): 364–66. http://dx.doi.org/10.7767/zrgka.1985.71.1.364.

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3

Xu, Jie, and R. L. Conner. "Intravarietal variation in satellites and C-banded chromosomes of Agropyron intermedium ssp. trichophorum cv. Greenleaf." Genome 37, no. 2 (April 1, 1994): 305–10. http://dx.doi.org/10.1139/g94-042.

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Abstract:
A high amount of intravarietal variation in satellites and C-banded chromosomes was observed in the hexaploid wheatgrass synthetic cultivar 'Greenleaf' (Agropyron intermedium ssp. trichophorum (Link) A. &Gr., 2n = 6x = 42, genome E1E1E2E2SS). The cultivar is an open-pollinated perennial that shows extensive interplant polymorphism for many biological characters. Maximum number of satellites detected varied among plants from zero to six. In 61% of the plants, we observed two large satellites in association with zero, one, or two small ones. Chromosome constitution differed significantly among plants as revealed by analysis of variance based on the total number of banded chromosomes and the number of banded chromosomes with telomeric bands at either one or both ends. Heteromorphism in C-banding patterns between homologues was found in most of the chromosomes and was classified into four types: (i) difference in band size, (ii) difference in presence/absence of one or two bands, (iii) completely different banding patterns, and (iv) banded versus unbanded. Homologous chromosomes having types iii and iv heteromorphism could only be matched by their relative length and arm ratio instead of C-banding patterns. Deletions were detected in two chromosomes. Overall, C-banded chromosomes of this cultivar were characterized by the presence of large telomeric bands and were quite different from the previously reported karyotypes of the supposed diploid ancestor Agropyron elongatum (Host) P. Beauv. (genome EE) and an Ag. intermedium (Host) P. Beauv. accession (E1E1E2E2SS) The results suggest that dramatic chromosome modifications have occurred in this species during the course of evolution. The study sheds light on the extent of intrapopulation polymorphism present in the karyotypes of outcrossing polyploids and synthetic cultivars and has implications regarding strategies for chromosomal manipulation involving open-pollinated species.Key words: Agropyron intermedium ssp. trichophorum, intravarietal variation, satellites, C-banded karyotype.
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Becet, Jean-Marie. "2. Construction dans la bande des cent mètres. Article L. 146-4-III du Code de l'urbanisme. Notion d'espace urbanisé. Tribunal administratif de Rennes, 25 octobre 1990 Epoux Jooris (Req. n° 86-2866). Avec note." Revue Juridique de l'Environnement 16, no. 3 (1991): 396–400. http://dx.doi.org/10.3406/rjenv.1991.2735.

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5

Favre, Justine. "Raconter l’expérience du sujet plurilingue, biographies langagières en bande dessinée." FLE: français langue en expérience(s) 323 (2024): 83–108. http://dx.doi.org/10.4000/11qej.

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Abstract:
De quelles manières des étudiants francophones et des apprenants de FLE de niveau avancé se sont-ils servis du potentiel graphique et narratif de la bande dessinée pour mettre en récit leur expérience du plurilinguisme? Cet article propose le compte rendu d’un atelier donné dans le cadre d’un séminaire universitaire et l’analyse de trois des bandes dessinées qui y ont été produites. Le concept de métaphore graphique développé ici montre, aux côtés d’outils plus classiques d’analyse, en quoi la bande dessinée offre des ressources pour exprimer de façon créative et réflexive un vécu entre plusieurs langues.
6

Dey, Monojit, Sourav Bhattacharjee, Aniket Chakrabarty, Roger H. Mitchell, Supriyo Pal, Supratim Pal, and Amit Kumar Sen. "Compositional variation and genesis of pyrochlore, belkovite and baotite from the Sevattur carbonatite complex, India." Mineralogical Magazine 85, no. 4 (April 14, 2021): 588–606. http://dx.doi.org/10.1180/mgm.2021.37.

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Abstract:
AbstractPyrochlore-group minerals are common in the Neoproterozoic Sevattur carbonatite complex. This complex is composed of dolomite-, calcite-, banded- and blue carbonatite together with pyroxenite, albitite and diverse syenites. This work reports the paragenetic-textural types and compositional variation of pyrochlore hosted by dolomite carbonatite, banded carbonatite and albitite together with that of alteration assemblages containing belkovite and baotite. On the basis of composition, five different types of pyrochlore are recognised and termed Pcl-I through to Pcl-V. The Pb-rich Pcl-I are present exclusively as inclusions in U-rich Pcl-IIa in dolomite carbonatite. The alteration assemblages of Pb-poor Pcl-IIb + Ba-rich or Ba–Si- rich Pcl-IV + belkovite (dolomite carbonatite) and Si-rich Pcl-V + baotite (banded carbonatite) formed after Pcl-IIa differ in these carbonatites. The albitite hosts extremely U-Ti-rich Pcl-III, mantled by Ba-rich potassium feldspar. In common with the banded carbonatite, Pcl-V is formed by alteration of Pcl-III where this mantle is partially, or completely broken. The Ba-Si-enrichment of Pcl-IV and Pcl-V together with the ubiquitous presence of baryte in all Sevattur lithologies suggests late-stage interaction with a Ba-Si-rich acidic hydrothermal fluid. This fluid was responsible for leaching silica from the associated silicates and produced Pcl-V in the silicate-rich lithologies of the banded carbonatite and albitite. The absence of Pcl-V in dolomite carbonatite is a consequence of the low modal abundance of silicates. The complex compositional diversity and lithology specific pyrochlore alteration assemblages suggest that all pyrochlore (Pcl-I to Pcl-IV) were formed initially in an unknown source and transported subsequently in their respective hosts as altered antecrysts.
7

Lemay, Sylvain, and Jean-François Boulé. "Le personnage féminin dans les bandes de l’Action catholique (1935-1938)." ALTERNATIVE FRANCOPHONE 1, no. 9 (February 22, 2016): 93–107. http://dx.doi.org/10.29173/af25711.

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Abstract:
Les années 1930 ont constitué un terreau fertile pour l’éclosion d’œuvres qui sont devenues des classiques de la bande dessinée et ce, tant américaine que franco-belge. Au Québec, le marché est surtout occupé par des traductions de bandes américaines. De 1935 à 1938, L’Action catholique publiera 11 récits, totalisant plus de 700 bandes. Il s’agit, pour la majorité, d’adaptations de romans québécois du terroir faisant l’apologie des racines canadiennes-françaises et de la religion catholique, tels L’appel de la race de Lionel Groulx. Ces adaptations sont livrées sous la forme d’image d’Épinal. Nous étudions ici ces bandes dessinées et, plus précisément le rôle du personnage féminin dans ces histoires, notamment dans Son chemin de Damas qui est aussi le seul récit à utiliser le phylactère.
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Samsuri, Alya, and Salma Khansa. "APPLICATION OF THE PROJECT BASED LEARNING MODEL TO IMPROVE STUDENT LEARNING OUTCOMES IN CLASS IIB FRACTIONAL MATERIAL OF SD NEGERI 4 BANDA ACEH." Jurnal Ilmiah Teunuleh 3, no. 2 (June 28, 2022): 187–201. http://dx.doi.org/10.51612/teunuleh.v3i2.111.

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Abstract:
This study aims to describe student activities by applying the Project Based Learning learning model to improve student learning outcomes in class IIB fractional material SD Negeri 4 Banda Aceh. This type of research is Classroom Action Research (PTK) which aims to improve the quality of learning in the classroom. The subjects in this study amounted to 22 grade IIB students of SD Negeri 4 Banda Aceh City. Data collection techniques are carried out by observation and learning outcome tests. Based on the results of research in cycles I, II, and III obtained the following data: (1) the results of observations on student activities in learning observed for three cycles, increased each cycle, namely: student activity in cycle I reached 85.22%, cycle II reached 87.37%, and cycle III reached 93.45%. (2) the learning outcomes of students in fractional material have increased in cycle I of classical completeness criteria reaching 50% with an average value of 73.63, in cycle II classical completeness criteria of 81.81% with an average value of 85, while cycle III of classical completeness criteria 95.43% with an average value of 93.63. From the results of the study, it can be concluded that the application of the Project Based Learning learning model on fractional material can improve the learning outcomes of grade IIB students of SD Negeri 4 Banda Aceh.
9

Kuna Raj, John. "Characterizing a weathering profile over quartz-mica schists in undulating terrain in Peninsular Malaysia." Warta Geologi 48, no. 3 (December 30, 2022): 153–63. http://dx.doi.org/10.7186/wg483202202.

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Abstract:
The weathering profile can be differentiated into an upper, 4.8 m thick, pedological soil (zone I) and a lower, >16.2 m thick, saprock (zone II). Zone I comprises thin IA and IB soil horizons of firm, clayey sand with lateritic concretions, and a IC soil horizon of stiff, clayey silt with quartz clasts and lateritized core-stones. Zone II comprises steeply dipping to vertical, bands of pinkish to grey, stiff silt with distinct relict foliation (highly weathered schist) inter-fingering with bands of reddish yellow, firm clayey silt with indistinct foliation (completely weathered schist) towards its top, and bands of white to light grey, hard silt with distinct foliation (moderately weathered schist) towards its bottom. Lateral variations in abundance of differently weathered schist and preservation of fracture planes allow zone II to be separated into IIA, IIB and IIC sub-zones. The pedological soil (zone I) can be correlated with Class VI of standard rock mass weathering classifications, whilst the saprock sub-zones IIA, IIB and IIC are correlated with Classes V, IV and III, respectively. Silt fractions in the profile consist predominantly of sericite flakes, whilst the sand fractions are mostly of quartz grains and the clay fractions of mainly illite and kaolinite. Decreasing densities, unit weights and silt contents up the profile, but increasing porosities and clay contents, indicate increasing in situ alteration of the schist bedrock. Lowering of an unconfined groundwater table as a result of down-cutting by rivers in adjacent valleys is considered responsible for development of the weathering profile.
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Hong, Yong-Eui, Chi-Woo Lee, Gi-Ho Kim, Myo-Geun Yang, and Won-Mo Seong. "Triple-band Antenna Using PCB for T-DMB(Band III)/DAB(L-Band)/WiBro." Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science 18, no. 2 (February 28, 2007): 227–32. http://dx.doi.org/10.5515/kjkiees.2007.18.2.227.

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Dissertations / Theses on the topic "Bande III":

1

Jacopin, Gwenolé. "Nanofils de semiconducteurs à grande énergie de bande interdite pour des applications optoélectroniques." Phd thesis, Université Paris Sud - Paris XI, 2012. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00746091.

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Abstract:
Depuis le début des années 2000, une vaste classe de nanofils de nitrures d'éléments III et de ZnO peut être synthétisée avec un excellent contrôle des propriétés de dopage et de composition. La géométrie spécifique de ces nanofils permet de faire croître des hétérostructures radiales et axiales qui ont des propriétés optiques et de transport très avantageuses par rapport aux couches minces. Ces propriétés en font des candidats prometteurs pour la réalisation d'une nouvelle génération de dispositifs plus efficaces (LEDs, photodétecteurs,...). Pour cela, il est indispensable de comprendre les nouveaux effets induits par la géométrie particulière de ces nanostructures : c'est l'objet de cette thèse. Dans une première partie, je présente une étude des propriétés optiques de nanofils de semiconducteurs à grande énergie de bande interdite. J'analyse d'abord l'effet de la contrainte sur les propriétés d'émission des nanofils cœur-coquille GaN/AlGaN. En particulier, je mets en évidence le croisement des bandes de valence et son influence sur les propriétés optiques des nanofils. Ensuite, je me focalise sur l'effet du confinement quantique et les propriétés de polarisation dans les nanofils hétérostructurés de nitrures d'éléments III. Dans une seconde partie, je m'intéresse à la réalisation et à la caractérisation de dispositifs à base de nanofils de nitrures d'éléments III et de ZnO. J'expose tout d'abord la modélisation et l'étude expérimentale de photodétecteurs à ensemble de nanofils en mettant en avant l'influence des états de surface sur leur réponse. Je m'intéresse ensuite aux propriétés de transport dans des nanofils uniques de nitrures d'éléments III hétérostructurés. Je montre, en particulier, que ces hétérostructures sont le siège d'une résistance différentielle négative. Enfin, je présente la réalisation et la caractérisation de photodétecteurs et de LEDs utilisant des nanofils uniques InGaN/GaN cœur-coquille. Un modèle électrique équivalent permet de rendre compte du comportement observé.
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Armougom, Julie. "Nouvelles sources optiques pour la détection d’espèces chimiques dans la bande III." Thesis, Université Grenoble Alpes (ComUE), 2018. http://www.theses.fr/2018GREAT077/document.

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Abstract:
La spectrométrie laser d'absorption différentielle est une technique bien connue pour la détection à distance d'espèces chimiques dans l'atmosphère. À ce titre, la bande III qui s'étend entre 8 et 12 µm est une région particulièrement intéressante, car les bandes d'absorption de nombreuses espèces chimiques y sont intenses et se recouvrent peu entre elles. Afin de détecter ces espèces à distance dans la bande III, il est nécessaire de disposer de sources dont le rayonnement est fin spectralement, largement accordable, et énergétique. Les sources basées sur l'optique non linéaire du second ordre constituent la seule technologie capable de répondre à ces besoins. Dans ce travail de thèse, nous présenterons des résultats expérimentaux portant sur deux architectures de sources paramétriques permettant d'émettre un rayonnement dans la bande III adapté à la spectrométrie différentielle en configuration lidar. La première architecture consiste à émettre un faisceau directement dans la bande III grâce au pompage de cristaux non linéaire par des sources laser à 2 µm. La seconde architecture, consiste à amplifier les ondes signal et complémentaire issues d'un OPO à 2 µm, avant de les convertir dans la bande III par différence de fréquences. Ces sources sont basées sur l'association de technologies émergentes et sont susceptibles d'offrir des solutions viables au manque de sources émettant dans la bande III
Laser spectrometry by differential absorption is a well-known technique for standoff detection of chemical species in the atmosphere. The longwave infrared region (LWIR), ranging from 8 to 12 µm is particularly interesting because the absorption bands of many chemical species are intense and non-overlapping. In order to detect those species in the LWIR, there is a need for sources that are spectrally narrow, widely tunable, and delivers high energies. The sources based on second order nonlinear optics are the only technology able to meet those requirements. In this work, we will present the experimental results on two parametric architectures that allows emission in the LWIR for lidar measurements. The first one consists in emitting a beam directly in the LWIR by pumping nonlinear crystals with 2 µm pump lasers. The second architecture consists in amplifying the signal and idler beams coming from a 2 µm OPO, before converting them into the LWIR by difference frequency generation. Those sources are based on the association of new technologies and have the potential to offer a viable solution to a lack of sources emitting in the LWIR
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Ridaoui, Mohamed. "Fabrication et caractérisation de MOSFET III-V à faible bande interdite et canal ultra mince." Thèse, Université de Sherbrooke, 2017. http://hdl.handle.net/11143/11118.

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Abstract:
Les MOSFETs ultra-thin body UTB ont été fabriqués avec une technologie auto-alignée. Le canal conducteur est constitué d’InGaAs à 75% de taux d’indium ou d’un composite InAs/In0,53Ga0,47As. Une fine couche d'InP (3 nm) a été insérée entre le canal et l'oxyde, afin d’éloigner les défauts de l’interface oxyde-semiconducteur du canal. Enfin, une épaisseur de 4 nm d'oxyde de grille (Al2O3) a été déposée par la technique de dépôt des couches atomiques. Les contacts ohmiques impactent les performances des MOSFETs. La technologie UTB permet difficilement d’obtenir des contacts S/D de faibles résistances. De plus, l’utilisation de la technique d’implantation ionique pour les architectures UTB est incompatible avec le faible budget thermique des matériaux III-V et ne permet pas d’obtenir des contacts ohmiques de bonne qualité. Par conséquent, nous avons développé une technologie auto-alignée, basée sur la diffusion du Nickel « silicide-like » par capillarité à basse température de recuit (250°C) pour la définition des contacts de S/D. Finalement, nous avons étudié et analysé la résistance de l'alliage entre le Nickel et les III-V. A partir de cette technologie, des MOSFET In0,75Ga0,25As et InAs/In0,53Ga0,47As ont été fabriqués. On constate peu de différences sur les performances électriques de ces deux composants. Pour le MOSFET InAs/InGaAs ayant une longueur de grille LG =150 nm, un courant maximal de drain ID=730 mA/mm, et une transconductance extrinsèque maximale GM, MAX = 500 mS/mm ont été obtenu. Le dispositif fabriqué présente une fréquence de coupure fT égale à 100 GHz, et une fréquence d'oscillation maximale fmax de 60 GHz, pour la tension drain-source de 0,7 V.
Abstract : Silicon-based devices dominate the semiconductor industry because of the low cost of this material, its technology availability and maturity. However, silicon has physical limitations, in terms of mobility and saturation velocity of the carriers, which limit its use in the high frequency applications and low supply voltage i.e. power consumption, in CMOS technology. Therefore, III-V materials like InGaAs and InAs are good candidates because of the excellent electron mobility of bulk materials (from 5000 to 40.000 cm2 /V.s) and the high electron saturation velocity. We have fabricated ultra-thin body (UTB) InAs/InGaAs MOSFET with gate length of 150 nm. The frequency response and ON-current of the presented MOSFETs is measured and found to have comparable performances to the existing state of the art MOSFETs as reported by the other research groups. The UTB MOSFETs were fabricated by self-aligned method. Two thin body conduction channels were explored, In0,75Ga0,25As and a composite InAs/In0,53Ga0,47As. A thin upper barrier layer consisting of InP (3nm) is inserted between the channel and the oxide layers to realized a buried channel. Finally, the Al2O3 (4 nm) was deposited by the atomic layer deposition (ALD) technique. It is well known that the source and drain (S/D) contact resistances of InAs MOSFETs influence the devices performances. Therefore, in our ultra-thin body (UTB) InAs MOSFETs design, we have engineered the contacts to achieve good ohmic contact resistances. Indeed, for this UTB architecture the use of ion implantation technique is incompatible with a low thermal budget and cannot allow to obtain low resistive contacts. To overcome this limitation, an adapted technological approach to define ohmic contacts is presented. To that end, we chose low thermal budget (250°C) silicide-like technology based on Nickel metal. Finally, we have studied and analyzed the resistance of the alloy between Nickel and III-V (Rsheet). MOSFET with two different epilayer structures (In0,75Ga0,25As and a composite InAs/In0,53Ga0,47As) were fabricated with a gate length (LG) of 150 nm. There were few difference of electrical performance of these two devices. We obtained a maximum drain current (ION) of 730 mA/mm, and the extrinsic transconductance (GM, MAX) showed a peak value of 500 mS/mm. The devices exhibited a current gain cutoff frequency fT of 100 GHz and maximum oscillation frequency fmax of 60 GHz for drain to source voltage (VDS) of 0.7 V.
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Demangeot, Francois. "Spectrometrie raman des excitations elementaires et de leur couplage dans les nitrures d'elements iii a large bande interdite." Toulouse 3, 1998. http://www.theses.fr/1998TOU30256.

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Abstract:
Les progres recents dans la croissance des semiconducteurs nitrures ont relance l'interet de ces materiaux, en vue notamment d'applications opto-electroniques. L'etude de gan et de ses composes (ga, al)n et (ga, in)n, presentee dans ce travail, a ete menee pour l'essentiel par spectrometrie raman. Les deux caracteristiques essentielles de gan et de ses solutions solides, qui les distinguent des semiconducteurs iii-v plus conventionnels, sont l'anisotropie et l'ionicite ; nous les analysons a travers leur influence sur les proprietes electroniques et vibratoires. Nous avons identifie les phonons de centre de zone ($$q = $$o) et de bord de zone de gan. Les effets concurrents des forces anisotropes a courte portee et coulombiennes a longue portee, ont ete examines a travers la dispersion angulaire des phonons polaires de centre de zone. L'investigation des effets de contrainte dans gan epitaxie, menee conjointement par spectroscopie d'excitons et par spectrometrie raman, a permis la determination des potentiels de deformation des phonons e#2 et a#1(lo). Les modes couples phonon lo - plasmon observes dans les spectres raman de gan dope ont ete modelises dans une approche dielectrique, afin d'obtenir des informations quantitatives sur le dopage non intentionnel et d'interpreter les differences entre les spectres raman de couches de gan dopees intentionnellement n et p. Nous avons determine experimentalement l'evolution des phonons dans l'alliage (ga, al)n dans tout le domaine de composition. Le couplage entre phonons lo, via le champ electrique, a ete mis en evidence par une modelisation dielectrique. Enfin, la forte diffusion raman multi-phonon a#1(lo) a ete analysee dans une serie de couches de ga#1#-#xal#xn, excitees dans l'uv lointain, a energie fixe. L'intensite et la frequence du phonon a#1(lo) ont ete etudiees en fonction de la teneur en aluminium. Grace a l'effet d'alliage, l'etude de la resonance du mode a#1(lo) a pu etre etendue au domaine d'energie situe en deca du domaine d'absorption.
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Thenot, Isabelle. "Réalisation d'un oscillateur paramétrique optique émettant directement dans la bande III de l'infrarouge avec un pompage à 1,064 micron." Paris 11, 2001. http://www.theses.fr/2001PA112242.

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Abstract:
Différents domaines de technologies sont actuellement en attente de sources nanosecondes cohérentes accordables couvrant le domaine spectral de 8 à 12mM. Les diverses solutions généralement proposées nécessitent deux étapes successives de conversion de fréquences à partir d'un laser à fréquence fixe avec comme conséquence une complexité dans le contrôle des performances du système. Ce travail de thèse a pour objectif de réaliser une telle source en une seule étape non linéaire. Après une synthèse de l'état de l'art et une analyse des cristaux non linéaires permettant cette approche, nous avons réaliser un oscillateur paramétrique optique (OPO) simplement résonant sur l'onde signal, basé sur le cristal de thiogallate d'argent (AgGaS2), pompé en accord de phase critique en angle de type II à la longueur d'onde de 1,064mM par un laser Nd:YAG déclenché à la cadence 10Hz. Cet OPO émet des impulsions nanosecondes aux longueurs d'ondes comprises entre 7,5 et 9,3mM. Le rendement photonique maximal de conversion est proche de 10%. Afin de compléter l'étude des cristaux non linéaires pour l'infrarouge, un banc de génération de seconde harmonique a été réalisé pour caractériser les propriétés non linéaires du cristal de thioindate de lithium (LiInS2). La valeur du coefficient d24 (ou d15) du cristal de LiInS2 déduite de nos mesures est de l'ordre de 7,5pm/V, soit environ 1/√3 fois la valeur du coefficient d14 (ou d36) du cristal AgGaS2
Different technological areas are currently waiting for coherent tunable nanosecond sources over spectral range 8 till 12mM. Solutions usually proposed necessitate two frequency conversion steps from a fixed-frequency laser, leading to complex performance monitoring of the system. This thesis aims to achieve such a source in only one non-linear step. An analysis of the non-linear crystal allowing this approach, we built a simply resonant optical parametric oscillator (OPO), based upon silver gallium sulfide (AgGaS2), and pumping in critical type II phase matching at 1. 064mM wavelength by a10HZ Q-switched Nd:YAG laser. This OPO generates nanosecond pulses on wavelengths between 7. 5 and 9. 3mM. The maximum photonic conversion output is close to 10%. In order to complete the study of infrared dedicated non-linear crystals, a second harmonic generation device has been made for studying non-linear features of lithium thioindate (LiInS2). The value of non-linear coefficient d24 (or d35) of LiInS2 crystal deducted from our measures is about 7. 5pm/V, namely about 1/√3 times the value of coefficient d14 (or d36) of AgGaS2 crystal
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Galibert, Jean. "Transport quantique dans des semiconducteurs de type iii-v : effet shubnikov-de haas dans l'antimoniure de gallium, effet magnetophonon dans l'antimoniure d'indium." Toulouse 3, 1987. http://www.theses.fr/1987TOU30286.

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Abstract:
Determination des potentiels de deformation de la bande de conduction de gasb. Effets de contraintes selon 111 , en bon accord avec des resultats anterieurs, et selon 100, en desaccord avec la theorie. Determination du facteur de lande de gasb a partir des oscillations shubnikov-de haas dans la bande l, resolues en spin. Interpretation. Etude des surstructures qui apparaissent sur les spectres de resonance magnetophonon de insb. La definition des pics a permis de lever des ambiguites
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Levenson, Juan Ariel. "Étude des non-linéarités optiques dynamiques dans les semiconducteurs III-V." Paris 11, 1988. http://www.theses.fr/1988PA112300.

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Abstract:
Nous avons étudié les interactions entre porteurs dans des multi-puits quantiques de GaAs/GaA1As sous fane excitation optique. Un dispositif expérimental comprenant deux sources infrarouges d'impulsions brèves (10 ps), intenses (100 MW/cm2) et indépendamment accordables en longueur d'onde, a été utilisé à cet effet. Des méthodes expérimentales de spectroscopie non-linéaire, nous ont permis d'isoler les non-linéarités optiques dues aux effets à N-corps (écrancage de l'interaction coulombienne et renormalisation des mini-bandes), de celles dont l'origine est due à l'encombrement de l'espace de phases des porteurs. Les non-linéarités optiques dues à l'occupation des états à une particule se sont avérées très intenses comparées aux effets à N-corps. L'écrantage de l'interaction coulombienne à quasi-deux dimensions a été trouvé plus faible que celui du massif. Des mesures de la renormalisation des mini-bandes élevées (obtenues en absorption) comparées aux mesures de la renormalisation du plasma (obtenues en luminescence) nous ont permis d'établir les limites de l 'approximation du déplacement rigide, communément employée pour décrire la renormalisation de la bande interdite. La dynamique de relaxation inter-bande des porteurs a pu être résolue : nous avons mis en évidence un temps caractéristique de ce processus de l'ordre de 20 ps
We have investigated the carrier interactions in highly photoexcited GaAs/GaAlAs. Multiple-Quantum Wells at law-temperatures. The experimental setup consists of two optical parametric generators independently tunable throughout the infrared, giving 10 ps long pulses with peak intensity of 100 MW/cm2. By using the experimental techniques of nonlinear spectroscopy, we are able to isolate the optical nonlinearities due to many-body effects (the screening of the coulomb interaction and the renormalization of the sub-bands), from those that originate from the filling of the phase-space of the carriers. The contribution of phase-space filling to the optical nonlinearity is shown to be greater than that of many-body effects. Our results also indicate that Coulombic screening is weaker in the quasi-2D systems than in bulk materials. The magnitude of the renormalization of the higher-energy sub-bands, obtained through non-linear absorption techniques, is smaller by one order of magnitude when compared with the plasma renormalization observed in luminescence experiments. This results underlines the shortcommings of the usual approximation for the Band-Gap Renormalization as a rigid shift of the whole band structure when states far above the Fermi level are under consideration. The dynamics of the inter-subband relaxation was resolved in our experiments and the characteristic rime for this process was found to be of the order of 20 ps
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Desières, Yohan. "Conception et études optiques de composants micro-photoniques sur matériaux III-V à base de structures à bande interdite de photon." Lyon, INSA, 2001. http://theses.insa-lyon.fr/publication/2001ISAL0081/these.pdf.

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Abstract:
Ce travail de thèse porte principalement sur l'étude de nouveaux guides optiques, réalisés à partir de structures dont l'indice est fortement modulé et sur des dimensions de l'ordre de la longueur d'onde : les cristaux photoniques. Ces micro-guides peuvent notamment permettre de contrôler latéralement la propagation de la lumière dans un guide plan semi-conducteur classique sur des échelles de l'ordre de la longueur d'onde, à la différence des technologies actuelles qui ne réalisent cette fonction qu'à l'échelle du millimètre. Ces micro-guides représentent de ce point de vue une porte d'entrée vers une intégration des composants optiques similaire à celle qu'ont subit les composants électroniques depuis 50 ans. Une première partie de ce travail repose sur la modélisation de ces structures à partir d'une méthode de résolution des équations de Maxwell aux différences finies dans le domaine temporel, notamment pour le calcul des courbes de dispersion. Une seconde partie du travail a consisté à la réalisation d'un banc de caractérisation de ces micro-composants aux longueurs d'ondes des télécommunications optiques. Ce banc permet un couplage efficace de lumière via la génération d'une luminescence au sein du composant. Des réseaux de découplage ont également été introduits sur les structures d'études pour pouvoir collecter la lumière transmise le long de ces guides. Ce banc a mis clairement en évidence ce nouveau type de guidage et des mesures spectrales ont permis une meilleure compréhension des processus de guidage particuliers à ces composants. Une troisième partie de ce travail repose sur une étude expérimentale et numérique des pertes de propagation de ces guides, qui restent élevées pour des applications pratiques. La dernière partie de ce travail consiste en l'association de ces guides avec des micro-cavités résonnantes, dans l'objectif de réaliser des fonctions compactes de filtrage en fréquences
The thesis focus on a new type of waveguides that are able to guide light at the wavelength scale thanks to the index periodicity of their cladding. These waveguides are called photonic crystal waveguide and can lead to strong scale reductions of usual photonic crystal waveguide and can lead to strong scale reductions of usual photonic circuits. The FDTD method is developed to design and explore the properties of this waveguides. Experimental demonstration of waveguiding is obtained using a guided luminescence technique and diffraction gratings. A better understanding of the propagation characteristics comes from the comparison between experimental datas and FDTD results. Propagation losses of are found to be quite high (around 10-20dB/100 micrometer). Their origins are however clarified, leading to some solutions for loss-reduced waveguides. Finally, the coupling between a photonic crystal waveguide and a photonic crystal microcavity is investigated for compact wavelength filtering
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Desières, Yohan Benyattou Taha. "Conception et études optiques de composants micro-photoniques sur matériaux III-V à base de structures à bande interdite de photon." Villeurbanne : Doc'INSA, 2004. http://docinsa.insa-lyon.fr/these/pont.php?id=desieres.

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Beeler, Mark. "Ingénierie quantique de nanostructures à base de semi-conducteurs III-nitrures pour l'optoélectronique infrarouge." Thesis, Université Grenoble Alpes (ComUE), 2015. http://www.theses.fr/2015GREAY044/document.

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Abstract:
Ces dix dernières années ont vu l'essor des nanostructures GaN/Al(Ga)N en raison de leur potentiel pour le développement de technologies intersousbandes (ISB) en optoélectronique, et ce dans le spectre infrarouge complet. Ces technologies sont basées sur des transitions électroniques entre des états confinés de la bande de conduction de nanostructures, telles que les puits quantiques, les boîtes quantiques et les nanofils. Les composés III-nitrures sont prometteurs en particulier pour les domaines de la télécommunication ultra-rapide et de l'optoélectronique infrarouge rapide dans la bande 3-5 µm pour deux raisons : un large offset de bande et des temps de vie ISB inférieurs à la picoseconde. De plus, la grande énergie du phonon longitudinal optique du GaN permet d'envisager la réalisation de lasers à cascade quantique THz fonctionnant à température ambiante et de systèmes optoélectroniques ISB fonctionnant dans la bande 5-10 THz, interdite pour le GaAs. Récemment, plusieurs technologies optoélectroniques ISB basées sur le GaN ont été développées, comprenant des photodétecteurs, des switchs, et des modulateurs électro-optiques. Cependant, plusieurs défis restent à relever, en particulier concernant l'extension vers les grandes longueurs d'ondes et l'amélioration des performances des appareils pompés électriquement. Une des difficultés principales opposées à l'extension des technologies GaN ISB vers le lointain infrarouge résulte de la présence d'un champ électrique interne, qui ajoute un confinement supplémentaire, augmentant ainsi la distance énergétique entre les niveaux électroniques dans les puits quantiques. Pour pallier à ce problème, on propose une structure de puits quantique alternative, dont les multiples couches créent un potentiel pseudo-carré. On discute la robustesse de ce design quant aux variations causées par les incertitudes de croissance, et la possibilité de l'intégrer dans des structures nécessitant un transport électronique par effet tunnel résonnant. On décrit également les structures fabriquées par épitaxie par jets moléculaires et présentant de l'absorption de lumière polarisée TM dans la gamme THz. Enfin on propose un design de laser à cascade quantique basé sur ces puits quantiques pseudo-carrés. L'utilisation d'orientations non-polaires est une autre façon possible d'obtenir des potentiels carrés. Dans ce manuscrit, on compare des structures de multi puits quantiques GaN/Al(Ga)N dont les croissances ont été réalisées sur des substrats massifs de GaN orientés a et m. On montre que les meilleurs résultats en termes de propriétés structurales et optiques (interbandes et ISB) sont obtenues pour les structures plan m. On démontre des absorptions ISB à température ambiante dans la fenêtre 1.5-5.8 µm, dont la limite haute est imposée par la seconde harmonique de la bande de Reststrahlen du GaN. Le contrôle de la relaxation des porteurs dans les technologies ISB prend d'autant plus d'importance pour l'ingénierie de ces structures qu'on en augmente les efficacités. L'existence de temps de vie ISB plus longs dans les systèmes confinés latéralement a été démontrée, motivant ainsi les recherches pour intégrer les nanofils en tant qu'élément actif dans les technologies ISB. De plus, le grand rapport de la surface au volume pour les nanofils permet la relaxation élastique des tensions dues aux différences de paramètres de mailles. Cette relaxation augmente la taille de la région active efficace et améliore sa composition, dépassant les limites des systèmes planaires ou des boîtes quantiques. Dans ce manuscrit, on décrit l'observation expérimentale d'absorption de lumière infrarouge polarisée TM attribuée à la transition intrabande s-pz dans des nanodisques GaN/AlN dopés avec du Ge et insérés dans des nanofils de GaN. On compare les résultats obtenus avec les calculs théoriques, qui prennent en compte la distribution en trois dimensions de la tension, les charges de surface et les effets des corps multiples
GaN/Al(Ga)N nanostructures have emerged during the last decade as promising materials for new intersubband (ISB) optoelectronics devices, with the potential to cover the whole infrared (IR) spectrum. These technologies rely on electron transitions between quantum-confined states in the conduction band of nanostructures –quantum wells (QWs), quantum dots (QDs), nanowires (NWs). The large conduction band offset between III-N compounds, and their sub-ps ISB recovery times make them appealing for ultrafast telecommunication devices and for fast IR optoelectronics in the 3-5 µm band. Furthermore, the large energy of GaN LO phonon (92 meV) opens prospects for room-temperature THz quantum cascade lasers and ISB devices covering the 5-10 THz band, inaccessible to GaAs. A variety of GaN-based ISB optoelectronic devices have recently been demonstrated, including photodetectors, switches and electro-optical modulators. However, a number of issues remain open, particularly concerning the extension towards longer wavelengths and the improvement of electrically pumped devices performance. One of the main challenges to extend the GaN-ISB technology towards the far-IR comes from the polarization-induced internal electric field, which imposes an additional confinement that increases the energetic distance between the electronic levels in the QWs. In order to surmount this constraint, I propose alternative multi-layer QW designs that create a pseudo-square potential profile. The robustness of the designs in terms of variations due to growth uncertainties, and the feasibility of their integration in devices architectures requiring resonant tunneling transport are discussed. Experimental realizations by molecular-beam epitaxy displaying TM-polarized THz absorption are presented. A quantum cascade laser design incorporating pseudo-square QWs is introduced. An alternative approach to obtain square potential profiles is the use of nonpolar orientations. In this thesis, I compare GaN/Al(Ga)N multi-quantum wells grown on a and m nonpolar bulk GaN showing that the best results in terms of structural and optical (interband and ISB) performance are obtained for m-plane structures. Room-temperature ISB absorption in the range of 1.5–5.8 µm is demonstrated, the longer wavelength limit being established by the second order of the Reststrahlen band in GaN. As ISB devices are pushed towards higher efficiencies, the control of carrier relaxation becomes a key aspect for device engineering. Longer intraband lifetimes have been proven to exist in laterally confined systems, which motivates studies to incorporate NWs as active elements in ISB devices. Furthermore, the large NW surface-to-volume ratio allows misfit strain to be elastically released, extending the viable active region size and composition beyond the limits of planar systems or QDs. In this thesis, I report the experimental observation of TM-polarized IR absorption assigned to the s-pz intraband transition in Ge-doped GaN/AlN nanodisks inserted in self-assembled GaN NWs. Results are compared with theoretical calculations accounting for the 3D strain distribution, surface charges and many-body effects.STAR
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Books on the topic "Bande III":

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Grazzini, Nello Forti. Divinità, scimmie e segni zodiacali: I dodici mesi grotteschi su bande da Claude III Audran. Milano: Moshe Tabibnia, 2007.

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2

Dietrich, Marc, and Martin Seeliger, eds. Deutscher Gangsta-Rap III. Bielefeld, Germany: transcript Verlag, 2022. http://dx.doi.org/10.14361/9783839460559.

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Abstract:
Deutscher Gangsta-Rap hat es als Ort der symbolischen Austragung sozialer Konflikte seit der Jahrtausendwende zu einiger Bekanntheit gebracht. Hier kommen nicht nur Spannungen zwischen Hoch- und Popkultur, Migrationsgesellschaft und Nationalitäten, wirtschaftlichen Erfolgen und künstlerischem Anspruch deutlich zum Tragen, sondern auch strafrechtlich verfolgbare Beleidigungen und gesellschaftliche Diskursfähigkeit. Die Beiträger*innen des Bandes zeigen, dass dieses Phänomen der pluralen Gesellschaft exemplarisch für die Ambivalenzen der Moderne steht.
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E, Ambrose Stephen. Banda di fratelli. Milano: TEA, 2002.

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4

Kalt, H. Optical properties of III-V semiconductors: The influence of multi-valley bandstructures. New York: Springer-Verlag, 1996.

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5

Indonesia. Direktorat Jenderal Pembinaan Badan Peradilan Umum., ed. Masalah-masalah hukum perdata di daerah bekas Kawedanan Idi, Kabupaten Aceh Timur, Propinsi Banda Aceh, daerah hukum Pengadilan Negeri Idi, wilayah hukum Pengadilan Tinggi Banda Aceh. [Jakarta]: Direktorat Jenderal Pembinaan Badan Peradilan Umum, Departemen Kehakiman, 1989.

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6

Kalt, H. Optical properties of III-V semiconductors: The influence of multi-valley band structures. Berlin: Springer-Verlag, 1996.

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7

Agency, Radiocommunications. MPT 1347 radio interface specification: For commercial trunked networks operating in Band III, sub-bands 1 and 2. London: RA, 1991.

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8

Winters, Richard D. Beyond band of brothers: The war memoirs of Major Dick Winters. New York: Berkley Caliber, 2005.

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9

Lassen, Christian. Indische Alterthumskunde: Anhang zum III. und IV. Bande. Geschichte des chinesischen und des arabischen Wissens von Indien. Adamant Media Corporation, 2002.

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10

Anderson, Matty Boy. Bands I Useta Like III. Lulu Press, Inc., 2016.

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Book chapters on the topic "Bande III":

1

da Silva, E. C. F. "GaAs: conduction-band offsets, valence-band offsets." In Landolt-Börnstein - Group III Condensed Matter, 48–49. Berlin, Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg, 2012. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-642-23415-6_34.

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2

Fernandes da Silva, E. C. "InAs: band structure." In New Data and Updates for III-V, II-VI and I-VII Compounds, 203. Berlin, Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg, 2010. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-540-92140-0_150.

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3

Gutowski, J., K. Sebald, and T. Voss. "CdTe: band structure." In New Data and Updates for III-V, II-VI and I-VII Compounds, 310. Berlin, Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg, 2010. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-540-92140-0_229.

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4

Fernandes da Silva, E. C. "InSb: band structure." In New Data and Updates for III-V, II-VI and I-VII Compounds, 430. Berlin, Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg, 2010. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-540-92140-0_315.

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5

Devaty, R. P. "SiC: valence band offsets." In New Data and Updates for III-V, II-VI and I-VII Compounds, 341. Berlin, Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg, 2010. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-540-92140-0_254.

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6

Cheng, Keh Yung. "Electronic Band Structures of Solids." In III–V Compound Semiconductors and Devices, 57–103. Cham: Springer International Publishing, 2020. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-030-51903-2_3.

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7

Chu, J. "HgS: band structure, energy gaps." In New Data and Updates for III-V, II-VI and I-VII Compounds, 389–91. Berlin, Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg, 2010. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-540-92140-0_287.

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8

Fernandes da Silva, E. C. "AlxGa1–xAsySb1–y: band structure." In New Data and Updates for III-V, II-VI and I-VII Compounds, 78. Berlin, Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg, 2010. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-540-92140-0_63.

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9

Hönerlage, B. "AgI: band structure, band gap, effective masses." In New Data and Updates for IV-IV, III-V, II-VI and I-VII Compounds, their Mixed Crystals and Diluted Magnetic Semiconductors, 42. Berlin, Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg, 2011. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-642-14148-5_35.

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10

Meyer, B. K. "InN, wurtzite modification: band structure." In New Data and Updates for I-VII, III-V, III-VI and IV-VI Compounds, 265. Berlin, Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg, 2008. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-540-48529-2_122.

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Conference papers on the topic "Bande III":

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Pérez García, Juan Carlos. "‘El vecino 4’: “superhéroes” de barrio." In III Congreso Internacional de Investigación en Artes Visuales :: ANIAV 2017 :: GLOCAL. Valencia: Universitat Politècnica València, 2017. http://dx.doi.org/10.4995/aniav.2017.4949.

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Abstract:
‘El vecino’ es una serie de novelas gráficas que realizo en colaboración con el guionista Santiago García (Premio Nacional de Cómic de 2015 por ‘Las meninas’). Planificada para cinco libros, hasta ahora se han publicado tres (Ediciones Astiberri), con un cuarto en proceso. El vecino está protagonizado por dos vecinos en una ciudad no identificada, una gran urbe occidental del siglo XXI, mezcla sublimada de Madrid y Málaga. La obra pretende arrojar una mirada tragicómica, a veces extrañada, hacia la vida cotidiana y las relaciones personales en la contemporaneidad, con la particularidad de que uno de los protagonistas es el “superhéroe” de la ciudad. Sin embargo, siempre que este se marcha para atender a la “tarea del héroe”, sus hazañas quedan fuera de la vista para el lector, un dogma creativo de la obra. De este modo, el elemento fantástico es solo un marco mítico que funciona como contrapunto poético a la cotidianidad. ‘El vecino’ investiga asimismo posibles significados sociales e ideológicos de los clichés de superhéroes a través de una lectura crítica, no exenta de ironía pero también de fascinación hacia uno de los géneros de ficción fundamentales en la historia del cómic. Sin embargo, ‘El vecino 4’ planteará una “vuelta de tuerca” en las estrategias artísticas previas, en la medida en que por primera vez muestra la ACCIÓN de los superhéroes de una manera franca que también se pretende inédita, con escenas insólitas en el género y con una forma experimental de múltiples lenguajes y texturas (dibujo, pintura, fotografía, collage digital, etc.). La comunicación expondrá el proceso creativo de este cuarto volumen.El Vecino obtuvo el Premio a Autor revelación (Pepo Pérez) en Expocómic de Madrid (2004) y fue nominado a diversos premios del Salón Internacional del Cómic de Barcelona: Mejor cómic español (2005; 2009) y Autor revelación (2005). Parte de la obra se ha expuesto en muestras nacionales e internacionales (Festival Internacional de Bande Dessinée de Angoulême, 2011; Instituto Cervantes de Varsovia, 2012; La Maison des Auteurs de Angoulême, 2015, entre otras).http://dx.doi.org/10.4995/ANIAV.2017.4949
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Gao, Robert X., and Ruqiang Yan. "A Hybrid Signal Processing Technique for Bearing Defect Severity Estimation." In World Tribology Congress III. ASMEDC, 2005. http://dx.doi.org/10.1115/wtc2005-63552.

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Abstract:
This paper presents a hybrid signal processing technique for bearing defect feature extraction and severity estimation. This is achieved by decomposing vibration signals measured on multiple bearings with different defect conditions into multiple sub-bands by means of the wavelet packet transform (WPT). Representative statistical features for each sub-band are then calculated. Subsequently, Principal Component Analysis (PCA) is performed on the statistical features to choose the best-suited representative features as inputs to a diagnostic classifier for bearing health diagnosis.
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Pan, Biwei, Jerome Bourderionnet, Vincent Billault, Arnaud Brignon, Sarvagya Dwivedi, Marcus Dahlem, Cian Cummins, et al. "III-V-on-silicon nitride narrow-linewidth tunable laser based on micro-transfer printing." In Optical Fiber Communication Conference. Washington, D.C.: Optica Publishing Group, 2023. http://dx.doi.org/10.1364/ofc.2023.th3b.5.

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Abstract:
We demonstrate a narrow-linewidth tunable laser through micro-transfer printing a pre-fabricated III-V gain section on imec’s 200-mm Si/SiN platform. Lasing in distinct bands in the C+L band is demonstrated, with linewidth down to 2.87-kHz.
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Takahashi, Y., M. Kalafatis, J. P. Girma, and D. Meyer. "ABNORMALITY OF THE N-TERMINAL PORTION OF VON WILLEBRAND FACTOR (FRAGMENT Sp III ) IN TYPE IIA AND IIC VON WILLEBRAND DISEASE." In XIth International Congress on Thrombosis and Haemostasis. Schattauer GmbH, 1987. http://dx.doi.org/10.1055/s-0038-1644645.

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Abstract:
A new analytical method was established, allowing the characterization of von Willebrand Factor (vWF) degradation fragments from minute amounts of plasma without the need for immunopurification of vWF. Ten ul of citrated plasma in 20 ul of 0.1 M Tris-HCl, pH 7.8, 0.1 M NaCl, 10 mM EDTA buffer were treated with S. aureus V-8 protease for 15 min to 3 h at 22°C. Following addition of 1 mM DFP, the cleaved fragments were separated by SDS-polyacrylamide or SDS-agarose gel electrophoresis and identified by 125 I-labeled polyclonal or monoclonal antibodies (MAbs) to vWF andautoradiography. Quantification of each fragmentwas estimated by counting radioactivity in slices of the dry gel. In normal plasma, S. aureus V-8 protease produced two dimeric fragments of vWF, with identical electrophoretic and antigeniccharacteristics to those produced from highly purified vWF, ie a C-terminal fragment of 220 kd (Spll) and a series of N-terminal fragments (Spill) with a major species of Mr 320 kd (SpIIIa) and two minor ones of 265 kd (SpIIIb) and 215 kd (SpIIIc). The method was applied to further characterize the molecular abnormalities of vWF in 15 patient plasmas with variant (type II) von Willebrand disease (vWD). In all cases with type IIA, IIB, IIC and IID tested, fragment Spll had the same mobility as in normal plasma. In 7 patients with type IIA, the amount and distribution ofthe three Spill species were clearly abnormal, with a marked decrease or absence of SpIIIa and an increase of SpIIIb and SpIIIc. Results slightly varied between patients but were consistent within one family. In 4 patients with type IIC, the band SpIIIb was lacking. In 2 patients with type IIB and 2 patients with type IID, there was no significant modification of Spill. In all cases the pattern of Spill was similar whether using polyclonal antibodies to vWF or MAbs to Spill.The pattern of normal or abnormal Spill remainedthe same in fresh or frozen plasma and was not modified by the presence of 5 mM EDTA at the timeof blood collection. Furthermore, the abnormaldistribution of Spill in type IIA or IIC vWD wasalready present after the shortest digestion time(15 min) indicating that the fragment Spill was produced from an abnormal vWF during the primary digestion with S. aureus V-8 protease. In conclusion, the molecular abnormality of vWF in type IIA and IIC vWD appears to reside in Spill, the N-terminal portion of the subunit (residues 1 to 1,365).
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Chelucci, C., H. J. Hassan, R. Guerriero, A. Leonardi, G. Mattia, and C. Peschle. "POLYMORPHIC SITES IN FACTOR X GENE." In XIth International Congress on Thrombosis and Haemostasis. Schattauer GmbH, 1987. http://dx.doi.org/10.1055/s-0038-1643836.

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Abstract:
The structure of factor X gene has been analyzed by Southern blot in 5 subjects with factor X deficiency.Genomic DNA was digested with 8 different endonucleases and hybridized with a cDNA probe. The congenital deficiency observed in these patients is not apparently due to a major deletion or rearrangement. Since the gene locus is grossly intact, the disease presumably results from point mutation(s) not identified by the utilized endonucleases.Our study was also focused on the presence of polymorphic site(s) in the factor X gene locus. Analysis of 50 normal subjects allowed to identify several polymorphic restriction sites after digestion with EcoRI, Hind III and Pvu II.The restriction pattern obtained after Hind III digestion showed two bands of 7.3 and 6.0 Kb, while in two families an additional 7.6 Kb band was observed. Genomic DNA digested with EcoRI showed a 7.1 and 5.1 Kb fragments, and also a 6.6 Kb band with a 10% f requency.After DNA digestion with Pvu II 5.6, 2.7 and ∼1.0 Kb bands were observed. In three unrelated subjects we observed an additional 3.0 Kb fragment, in two other subjects a 3.5 kb band. Interestingly hybridization with a 178 bp cDNA subclone allowed to map the polymorphic sites in a the 3’ region of the gene locus.
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Mönch, Winfried. "Adsorbate-induced Surface States and Fermi-level Pinning at Semiconductor Surfaces." In Microphysics of Surfaces, Beams, and Adsorbates. Washington, D.C.: Optica Publishing Group, 1989. http://dx.doi.org/10.1364/msba.1989.tuc1.

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Abstract:
Adatoms on semiconductors are inducing surface states and surface dipoles. For the observation of adatom-induced surface states, cleaved surfaces of III-V compound semiconductors are especially suited since they contain no intrinsic surface states within the bulk band gap. At such surfaces, the bands are thus flat up to the surface and adsorbate-induced surface band-bending is thus easily attributed to extrinsic surface states. Such adatom-induced surface states are responsible for the pinning of the Fermi level at adsorbate-covered semiconductor surfaces. Adatom-induced surface dipoles, on the other hand, are changing the ionization energy of the surface. Variations of the work function, finally, are including both changes of the surface band-bending and of the ionization energy.
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soons, H., T. Jansen-claessen, G. C. Tans, and H. C. Hemker. "HEPARIN CATALYZED FACTOR XIa INHIBITION BY ANTITHROMBIN III." In XIth International Congress on Thrombosis and Haemostasis. Schattauer GmbH, 1987. http://dx.doi.org/10.1055/s-0038-1643768.

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Abstract:
The inactivation of human factor XIa by human antithrombin III (AT III) was studied under pseudo-first order reaction conditions (excess AT III) both in the absence and presence of heparin. The time course of inhibition was followed using SDS-PAGE. After electrophoresis proteins were blotted onto nitrocellulose and stained either for glycoprotein or for AT III using antibodies against AT III. Concomittant with factor XIa inactivation two new slower migrating bands became visible on the blots. One of these, representing the intermediate complex consisting of one AT III complexed with one of the active sites present in factor XIa, appeared as a transient band. Complete inactivation resulted in a single band representing the complex of factor XIa with two AT III molecules. This indicates that inhibition of factor XIa by AT III can be described as:Quantitative analysis of the time course of inactivation was accomplished by measurement of the disappearance of factor XIa amidolytic activity towards the chromogenic substrate S2366. Pseudo first order reaction kinetics were observed throughout. The time course of inactivation and the distribution of the reaction products observed upon gelelectrophoresis are best explained assuming a mechanism of inactivation in which the two active sites present in factor XIa are inhibited in random order (i.e. independent of each other) with the same rate constant of inhibition (k1= k2)- The rate constant of inactivation for the active sites in factor XIa was found to be 1,000 M-1 s-1 in the absence of heparin and 34,900 M-1 s-1 in the presence of saturating amounts of heparin.- From the kinetic data a binding constant Kd of 0.11 uM was inferred for the binding of AT III to heparin. Experiments with four well characterized heparin fractions indicate, that the actual magnitude of the rate enhancement of factor XIa inactivation is, however, not only due to the binding of AT III to heparin, but also depends on the type of heparin to which the AT III is bound.
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Karges, H. E., G. Zettlemeiβl, H. Naumann, U. Eberhard, and M. Bröker. "PURIFICATION AND CHARACTERIZATION OF GENTECHNOLOGICALLY PREPARED ANTITHROMBIN III." In XIth International Congress on Thrombosis and Haemostasis. Schattauer GmbH, 1987. http://dx.doi.org/10.1055/s-0038-1643684.

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Abstract:
Isolation and purification of antithrombin III (AT III) by affinity chromatography on immobilized heparin is a standard method for the large scale preparation of this protein from human or animal plasma. Hence, after AT III became available by gentechnological methods, we tried to adapt this procedure for the isolation of AT III from supernatants of mammalian- and yeast-cells. Indeed, it was possible to use this method also for the isolation of the recombinant gene products. Since, however, the cell growth media contain heterologous protein or peptide mixtures like fetal calf serum, the method had to be improved to avoid the adsorption of non human proteins or peptides. We are now able to purify AT III from CHO-cell-superna-tants to more than 95 % purity. The characterization of this AT III-product by double immuno diffusion revealed that it is immunologically totally identical with the authentic material from plasma. AT III antigen content, progressive inhibitor activity and heparin cofactor activity compare very well in the final product; hence, it is totally active compared to AT III from plasma.In polyacrylamidegel electrophoresis most of the material migrated differently to the authentic material showing 9 bands in equal distance to each other, instead four in the At III from plasma. After degradation with sialinidase from both AT III preparations identical cleavage products were obtained migrating predominantly as a single band. Hence, the electrophoretic heterogeneity seems to be due to a different degree of sialinyla-tion of the products.
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Bertolet, Daniel C., Jung-Kuei Hsu, and Kei May Lau. "Hole eigenenergies in GaAsP/AlGaAs single quantum wells with biaxial tensile strain." In Quantum Wells for Optics and Opto-Electronics. Washington, D.C.: Optica Publishing Group, 1989. http://dx.doi.org/10.1364/qwoe.1989.tue7.

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Abstract:
The effects of biaxial strain on the band-structure of III-V semiconductors have been investigated theoretically1,2 and experimentally3. These effects offer new degrees of freedom for heterostructure design, so-called "band-structure engineering4." In particular, when III-V semiconductors are biaxially strained, the heavy- and light-hole bands become non-degenerate, and anisotropic. The valence-band configuration that arises from biaxial tensile strain is particularly well-suited for devices that involve optical absorption. Tensile strain and the quantum size effect (QSE) of a square potential well have the opposite effect on hole energy at k=0, and if the appropriate material parameters and structural dimensions are chosen, the heavy and light-hole eigenenergies of the QW will coincide. Equivalent heavy- and light-hole excitonic resonances will result in a larger absorption coefficient5, which can improve the performance of photodiodes and high speed optical modulators6. In addition, the capability to tailor the relative energies of the heavy- and light-hole could lead to new devices that exploit the different polarization-selection rules for the heavy- and light-hole excitonic transitions6,7. In this presentation we report on the growth and photoluminescence of strained GaAsP/ALGaAs single QW′S. The combined effects of biaxial tensile strain and QSE on the hole eigenenergies will be clearly demonstrated.
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Van de Put, Maarten. "Band-to-band tunneling in III-V semiconductor heterostructures." In IEEE EUROCON 2013. IEEE, 2013. http://dx.doi.org/10.1109/eurocon.2013.6731011.

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Reports on the topic "Bande III":

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García Zaballos, Antonio, and Claudia M. Salazar Suárez. Sector de telecomunicaciones en Honduras. Inter-American Development Bank, September 2012. http://dx.doi.org/10.18235/0007651.

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Abstract:
El objetivo de este documento de debate es triple: (i) presentar la situación actual del mercado de telefonía fija, móvil y banda ancha, que constituyen el sector de las telecomunicaciones en Honduras, y las implicaciones del sector para el desarrollo económico y social; (ii) analizar las oportunidades y limitaciones que caracterizan el punto de partida de los principales agentes del sector, Regulador (CONATEL), Gabinete de Telecomunicaciones y Hondutel, y finalmente, (iii) plantear consideraciones para el diseño de un plan de acción específico para el país, al objeto de garantizar un aumento de la penetración de los servicios de telecomunicaciones gracias a un mayor despliegue de infraestructuras, así como un mayor uso de las Tecnologías de la Información y la Comunicación (TIC) entre los distintos estratos de población.
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Meth, M. REDESIGN OF BOOSTER BAND II CAVITY. Office of Scientific and Technical Information (OSTI), July 1999. http://dx.doi.org/10.2172/1150608.

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Huffaker, Diana, Seth Hubbard, and Andrew Norman. Development of III-Sb Quantum Dot Systems for High Efficiency Intermediate Band Solar Cells. Office of Scientific and Technical Information (OSTI), July 2015. http://dx.doi.org/10.2172/1347995.

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Heifets, Samuel A. Narrow-band Impedance of the PEP-II Collimators. Office of Scientific and Technical Information (OSTI), April 1999. http://dx.doi.org/10.2172/9894.

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Fleury, Wayne, and Jan Ove Toskedal. PR-535-143745-R01 ART Scan Qualification Study. Chantilly, Virginia: Pipeline Research Council International, Inc. (PRCI), November 2015. http://dx.doi.org/10.55274/r0010879.

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Abstract:
This qualification study is based on the need for a new technology in the asset integrity lifecycle of pipelines including Subsea infrastructure. As of today it is challenging to identify a technology that combines adequate measurement accuracy combined with the ability to operate in gaseous atmosphere found inside natural gas pipelines. Halfwave�s inspection method developed over the last two decades is based on Acoustic Reso-nance Technology (ART), which utilizes the natural frequencies of the pipe wall to determine the remaining wall thickness. The most prominent advantages of ART comprise (i) direct measure-ments of wall thickness with a accuracy within 0.2 mm (95% c.l.), (ii) the broad-band frequency range enables measurements in pressurized gas, avoiding a liquid couplant, and (iii) the transducer matrix with (a flexible) stand-off to the wall enables high-resolution internal geometry mapping of the pipeline to a resolution within 50 �m (95% c.l.). Additional benefits include the ability to detect disbondmant of external coating and delamination in the pipe wall material. ART is a well-known inspection technology dating back to the 1940s in e.g. the aviation industry, scanning air craft wings, and has also been extensively used in connection with integrity measure-ment of down-hole casings (cf. e.g. the USIT tool, by Schlumberger). However, the last decade�s development of broad-band transducers combined with a surge in storage technology has moved the operational envelope and accuracy of ART a quantum leap ahead, offering much more relia-bility in the integrity evaluations of natural gas pipelines. In turn this gives significantly enhanced decision confidence for the pipeline operator. This document will provide a description of ART and also Halfwave�s application of ART within the Oil and Gas industry.
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Blaskiewicz M., J. M. Brennan, and A. Ratti. Impedance of Booster Band II Cavity and Associated Instabilities. Office of Scientific and Technical Information (OSTI), August 1992. http://dx.doi.org/10.2172/1131601.

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Plotkin, M., and A. Ratti. SOME DESIGN CONSIDERATIONS FOR THE NEW BAND II SINGLE GAP CAVITY. Office of Scientific and Technical Information (OSTI), November 1990. http://dx.doi.org/10.2172/1150563.

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Walton, James. Thin Film Group II-VI Solar Cells Based on Band-Offsets. Portland State University Library, January 2000. http://dx.doi.org/10.15760/etd.435.

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Butler, Linda, Gregory A. Chrislip, and Vicki Kondo. Canopy arthropods at Fernow Experimental Forest in West Virginia's Allegheny Mountain section: III : families of arthropods on foliage and under burlap bands. West Virginia University Agricultural Experiment Station, January 1995. http://dx.doi.org/10.33915/agnic.605.

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Butler, Linda, Gregory A. Chrislip, and Vicki Kondo. Canopy arthropods at Fernow Experimental Forest in West Virginia's Allegheny Mountain section: III : families of arthropods on foliage and under burlap bands. West Virginia University Agricultural Experiment Station, January 1995. http://dx.doi.org/10.33915/agnic.714.

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