Academic literature on the topic 'Amplificateurs de puissance (PA)'

Cet article présente des enseignements sous forme de travaux pratiques et de projets pour l’apprentissage des systèmes de communications sans fil. Ces enseignements sont basés sur des plateformes SDR faciles à utiliser par les étudiants. Deux applications principales ont été abordées : i) la prédistorsion numérique des amplificateurs de puissance ii) le brouillage des communications sans fil. Le public visé est divers allant d’étudiants en première année d’un cycle ingénieur généraliste en Télécommunications à des étudiants en Master 2 en microélectronique.

Les grandesplateformes américaines du numérique, plus connues en France sous l’acronyme GAFAM, sont devenues des acteurs à part entière des relations internationales. Renforcée par la crise liée à la pa pandémie de Covid-19, leur action systémique contribue à refaçonner les rapports internationaux. Leur omniprésence et leur puissance pourraient toutefois susciter des contre-réactions de la part des États.

Après la période d’entretien intermédiaire qui avait débuté en mai dernier, le porte-avions a entamé sa remontée en puissance pour être pleinement opérationnel au printemps. Cet arrêt a permis de moderniser plusieurs installations et d’améliorer les espaces vie de l’équipage. Celui-ci a pleinement participé aux travaux et est désormais totalement concentré sur les prochaines opérations du PA CDG .

RÉSUMÉAfin de déterminer si la mesure de contrôle désiré de Reid et Ziegler permet d'évaluer le lieu de contrôle du renforcement, 363 aînés habitant dans la communauté ont rempli: (a) la mesure de contrôle désiré (MCD); (b) les échelles de contrôle interne (I), de la puissance des autres (PA) et de hasard (H) de Levenson visant à déterminer le lieu de contrôle; (c) l'indice de satisfaction de la vie – formulaire A; et (d) l'échelle de l'équilibre affectif. Rien n'a démontré que la MCD constituait un indice du lieu de contrôle: (a) les résultats de la MCD ne correspondent que modestement aux échelles I, PA et H; (b) les solutions de facteurs révèlent un chevauchement minime des deux mesures; et (c) les analyses de régression indiquent que la MCD a considérablement élargi l'écart entre les mesures d'ajustement justifiées par les échelles I, PA et H. Nous concluons que la MCD ne touche pas principalement le lieu de contrôle, et qu'elle est davantage conceptualisée comme un indice permettant de déterminer chez les gens les perceptions et les évaluations de leur milieu.

Cette thèse porte sur l'étude et l'intégration en technologie SOI CMOS d'un circuit amplificateur de puissance multimode multibande (MMPA) reconfigurable capable d'adresser les modes 2G/3G/4G sur plusieurs bandes de fréquences. Les modules MMPA actuels (modules hybrides) reposent sur l'utilisation de plusieurs technologies, en particulier la technologie GaAs en ce qui concerne les chaines d'amplification, et représentent une part importante du coût et de l'encombrement d'une tête d'émission radiofréquences. La solution originale proposée dans cette thèse représente une avancée significative en termes d'intégration par rapport à l'état de l'art et les premiers résultats mesurés démontrent la pertinence de l'architecture proposée. Une étude sur l'optimisation du rendement énergétique au niveau de l'étage de puissance en présence de signaux modulés en amplitude et phase de type 3G et 4G est également proposée. Cette étude adresse les potentialités des techniques de modulation de la charge et de l'alimentation et permet de comparer les deux approches.Après une présentation du contexte et de l'état de l'art, une méthodologie de conception originale reposant sur l'étude de différentes classes de fonctionnement est proposée. Cette méthodologie permet en particulier de pré-dimensionner les cellules de puissance reconfigurables ainsi que leurs impédances de source et de charge en fonction des contraintes de puissance et de linéarité dans les différents modes pour avoir le meilleur rendement. Elle permet aussi de choisir les topologies de réseaux d'adaptation accordables pertinentes.Ces études ont conduit à la réalisation de deux démonstrateurs intégrés en technologies SOI CMOS 130 nm. Le premier prototype est un amplificateur multimode et multibande reconfigurable à deux étages capable de fonctionner en mode saturé et en mode linéaire pour des bandes de fréquence situées entre 700MHz et 900MHz. L'architecture proposée est composée d'un étage de puissance reconfigurable constitué de deux cellules de puissance de type LDMOS pouvant être activées ou non en fonction du mode adressé. Différents réseaux d'adaptation accordables à base de capacités commutées utilisant des transistors NMOS à body flottant permettent une optimisation des performances du MMPA en fonction du mode et de la bande de fréquence. Avec ce prototype, des puissances de sortie de 35dBm en mode saturé et 30dBm en mode linéaire ont été mesurées avec des rendements correspondants supérieurs respectivement à 58% et 47%. Par rapport aux simulations initiales, des différences ont été observées puis analysées afin d'en identifier l'origine. Notamment, la surestimation du facteur de qualité des capacités MOM dans les réseaux de capacités commutées et des interconnections sous optimales sont la cause des écarts observés.Le deuxième prototype est un amplificateur de puissance à modulation de charge passive intégrée. Cet amplificateur repose sur une cellule de puissance de type LDMOS associée à un réseau d'adaptation accordable à base de capacités commutées capables de supporter une puissance supérieure à 33dBm. Ce réseau permet de présenter à l'étage de puissance une trajectoire de charge optimale en fonction de la puissance de sortie. Avec ce prototype, une amélioration du rendement supérieure à 55% par rapport à la configuration utilisant une charge constante a été mesurée pour un recul en puissance compris entre 7dB et 11dB
This work focuses on the study and integration of a reconfigurable multi-mode multi-band power amplifier (MMPA) supporting 2G/3G/4G at several frequency bands in SOI CMOS 130nm technology. Current hybrid MMPA modules take advantage of multiple technologies, in particular GaAs for power devices. This adds to the cost and complexity of radiofrequency front-end modules. The original solution presented in this thesis is a significant step toward the integration of MMPA compared to the state of the art and initial results illustrates the relevance of the proposed architecture. A study on PA efficiency under 3G / 4G modulated signals is also presented by comparing load and supply modulation PA architectures.First, the context and state of the art are presented. A design methodology based on the study of different operating classes is then presented, which allows pre-sizing of power cells and optimal load impedance determination for high efficiency reconfigurable PA design.The proposed PA design methodology led to the implementation of PA demonstrators integrated in SOI CMOS 130nm technology. The first demonstrator is a two stage reconfigurable MMPA operating from 700MHz to 900MHz and supporting saturated and linear modes. The power stage comprises two SOI LDMOS power cells that are activated according to the desired mode. Tunable matching networks based on switched capacitor arrays allow optimization of the MMPA performance according to the mode and band. The measured prototype delivers up to 35dBm of output power in saturated mode with more than 58% efficiency. In linear mode, the measured output power exceeds 30dBm with efficiency higher than 47%. Compared to initial simulations, some differences were observed. In particular, underestimation of losses associated with MOM capacitors and sub-optimal interconnections are the root cause of the observed discrepancies.The second demonstrator is a passive load modulation PA architecture. It includes a SOI LDMOS power cell and a tunable matching network made of high power binary weighted switched capacitor arrays. The tunable matching network allows presenting an optimal load trajectory to the PA in order to maximize its back-off efficiency. Measured efficiency enhancement is higher than 55% compared to a fixed load configuration for 7dB to 11dB power back-offs

Avec l’arrivée de la 5G NR, les architectures des émetteurs-récepteurs des terminaux mobiles doivent intégrer plus de composants (filtres, amplificateurs de puissance…) afin d’adresser des bandes plus nombreuses et plus larges (notamment les bandes « sub-6 GHz ») en plus de traiter des signaux plus complexes. Ces nouvelles contraintes d’encombrement et de performances auxquelles doivent répondre les émetteurs-récepteurs ont un impact direct sur les spécifications techniques des amplificateurs de puissance (PA). D’une part il est nécessaire d’avoir des PA qui adressent des bandes plus larges afin de réduire le nombre de composants dans la chaîne d’émission ; d’autre part, ces PA doivent répondre aux critères de linéarité des nouveaux standards (LTE-A et 5G NR) tout en assurant une bonne efficacité énergétique de fonctionnement. Les travaux de cette thèse portent sur l’investigation d’architectures avancées de PA alliant largeur de bande, linéarité et efficacité énergétique.Le contexte et les motivations de la thèse énoncés, le choix de la technologie RF SOI 130nm et les contraintes auxquels doit répondre le PA sont justifiés. Une étude de l’état de l’art des architectures avancées (à efficacité améliorée) de PA permet de retenir l’architecture Doherty comme solution intéressante. Une étude théorique de l’architecture Doherty est effectuée afin de modéliser son fonctionnement, d’identifier l’impact des paramètres de dimensionnement et des capacités parasites du transistor sur les performances de celle-ci avant d’explorer les perspectives qu’elle présente en termes de largeur de bande. Un premier circuit démonstrateur a été implémenté en RF SOI 130nm. Il s’agit d’un étage amplificateur Doherty couvrant la bande 3,2-3,6 GHz. Pour un signal LTE 10MHz 50RB à une puissance de sortie de 27dBm, un ACLR maximal de -30,5 dBc et une PAE minimale de 36% a été mesurée sur toute la bande. Un deuxième circuit Doherty intégrant un étage de pré-amplification (driver) a été implémenté dans la même technologie. Les mesures pour un signal LTE 10MHz 12RB à 28 dBm de puissance de sortie donnent un ACLR maximal de -35 dBc et une PAE minimale de 32% sur toute la bande 3,2-3,8 GHz ce qui permet de couvrir les bandes B42, B43 et B49
The arrival of the 5G NR put more constraints on the transceivers architectures. They must integrate more components (filters, power amplifiers, etc.) in order to address more numerous and wider bands (in particular the “sub-6 GHz” bands) in addition to processing more complex signals. These new space and performance constraints that transceivers must meet have a direct impact on the technical specifications of power amplifiers (PAs). On the one hand it is necessary to have PAs which address wider bands in order to reduce the number of components in the emission chain; on the other hand, these PAs must meet the criteria of linearity of the new standards (LTE-A and 5G NR) while ensuring good operating energy efficiency. The work of this thesis concerns the investigation of advanced PA architectures combining bandwidth, linearity and energy efficiency.The context and the motivations of the thesis stated, the choice of SOI 130nm RF technology and the constraints to which the PA must respond are justified. A study of the state of the art of improved efficiency PAs architectures makes it possible to select Doherty architecture as an interesting solution. A theoretical study of the Doherty architecture is carried out in order to model its operation, to identify the impact of the dimensioning parameters and the parasitic capacitances of the transistor on the performances before exploring the bandwidth perspectives it presents. A first demonstrator circuit was implemented in RF SOI 130nm. It is a Doherty amplifier stage covering the 3.2-3.6 GHz band. For an LTE 10MHz 50RB signal at an output power of 27dBm, a maximum ACLR of -30.5 dBc and a minimum PAE of 36% was measured across the band. A second Doherty circuit integrating a driver stage has been implemented in the same technology. Measurements for an LTE 10MHz 12RB signal at 28 dBm of output power give a maximum ACLR of -35 dBc and a minimum PAE of 32% over the whole band 3.2-3.8 GHz which allows to cover the B42, B43 and B49 bands

Ce travail porte sur la conception d'un amplificateur de puissance à 79 GHz et la co-intégration de l'amplificateur de puissance et l'antenne en technologie silicium SiGe. L'objectif de la thèse est de développer un module radiofréquence à l'émission pour des applications radar à 79 GHz. Ce module sera composé d'un amplificateur de puissance, d'une antenne et du circuit d'adaptation PA/Antenne. L'inter-étage entre le PA et l'antenne est une source supplémentaire d'atténuation du signal, d‟autant plus rédhibitoire en technologie intégrée pour des fréquences aussi élevées. En réalisant une conception commune, ou co-design, de l'antenne et de l'amplificateur de puissance (PA), nous pouvons, à terme, nous affranchir du traditionnel inter-étage d'adaptation d'impédance entre ces deux blocs. Plus précisément, il convient de dimensionner l'antenne afin qu'elle présente a la sortie du PA l'impédance optimale que requiert son rendement en puissance maximum
This work focuses on the design of a power amplifier (PA) at 79 GHz and the co-integration of the PA and the antenna on SiGe technology. The objective of this thesis is to develop a RF front-end block for radar applications at 79 GHz. This block is compound of a power amplifier, antenna and PA/Antenna inter-stage matching. The inter-stage between the PA and the antenna adds supplementary losses in the global performances, especially prohibitive in integrated technology for high frequencies. The co-design of the antenna and the PA allows to suppress the traditional inter-stage impedance matching between these two blocks. More specifically, it is suitable to design the antenna with the appropriate output impedance of the PA which gives optimal performances for maximum power and efficiency

Le présent travail de thèse porte sur l’étude, la conception et la démonstration d'émetteurs entièrement numériques, ciblant des standards de communication avancés pour les applications mobiles dans le cadre de l’Internet des Objets (IoT). Les innovations clés sont le modulateur Delta-Sigma (DSM) entrelacé et un amplificateur de puissance à réponse impulsionnelle finie (FIR-PA) basé sur une structure efficace à capacités commutées (SC). Le block FIR-PA utilise uniquement des inverseurs CMOS et des condensateurs dans une configuration SC, ce qui est entièrement compatible avec les nœuds technologiques CMOS avancés. Le prototype est implémenté dans une technologie 28nm FD-SOI CMOS avec 10 couches métalliques et un contrôle amélioré de la tension du substrat. L'émetteur RF numérique atteint un nombre de bits effectif de 13.5 dans la bande de signal utile et est compatible avec le standard LTE 900 MHz. Le circuit consomme 35 mW à une puissance de sortie maximale de 2.9 dBm et une alimentation de 1 V. Par rapport à l'état de l'art, à des niveaux de puissance de sortie similaires, le FIR-PA consomme 7 fois moins qu'un DAC 10-bit intégrant des modulateurs delta-sigma et 25% moins qu’un DAC résistif 12-bit. La surface active totale est de 0.047 mm2, soit 4 fois moins que le plus petit circuit publié précédemment. Par conséquent, ce travail se distingue par une faible consommation d'énergie grâce à la l’architecture 1-bit combinée au filtrage de bande et par la surface réduite obtenue par l’intégration efficace des cellules du FIR-PA. Il démontre la transition de l’émetteur analogique traditionnel à l’émetteur numérique intégré ciblant l'avenir des applications mobiles
The present PhD work covers the study, design and demonstration of all-digital transmitters targeting advanced communication standards for mobile applications in the frame of the Internet of Things (IoT). Key innovations are time-interleaved Delta-Sigma modulators (DSM) and a power and area-efficient switched-capacitor (SC) finite impulse response power amplifier (FIR-PA). The common FIR-PA block uses exclusively inverters and capacitors in a switched-capacitor configuration, thus being fully compatible with advanced CMOS technology nodes. The prototype is integrated in 28nm FD‐SOI CMOS technology with 10 metal layers and body biasing fine-tuning features. The proposed digital RF transmitter achieves 13.5 in‐band effective number of bits and is 900 MHz LTE‐compliant. The overall power consumption is 35 mW at 2.9 dBm peak output power and 1V supply. With respect to relevant state-of-the art, at similar output power levels, the FIR‐PA consumes 7 times less than a 10‐bit DSM‐based DAC and 25% less than a 12‐bit resistive DAC. The total active area is 0.047 mm2, at least 4 times lower than the smallest previously published work. Consequently, this work stands out for low power consumption thanks to the single-bit core solution combined with band filtering and low area achieved with a multi-layer FIR-PA cell structure. It demonstrates the transition from traditional analog to highly integrated digital-intensive transmitters targeting the future of mobile applications

Pour un terminal mobile alimenté sur batterie, le rendement de l’amplificateur de puissance (AP) doit êtreoptimisé. Cette optimisation peut rendre non-linéaire la fonction d’amplification de l’AP. Pour compenser lesdistorsions introduites par le caractère non-linéaire de l’AP, un détecteur numérique fondé sur un modèle deVolterra peut être utilisé. Le comportement de l’AP et le canal étant modélisé par le modèle de Volterra, uneapproche par filtrage de Kalman (FK) permet d’estimer conjointement les noyaux de Volterra et les symbolestransmis. Dans ce travail, nous proposons de traiter cette problématique dans le cadre d’une liaison montantedans un contexte radio intelligente (RI). Dans ce cas, des contraintes supplémentaires doivent être prises encompte. En effet, étant donné que la RI peut changer de bande de fréquence de fonctionnement, les nonlinéaritésde l’AP peuvent varier en fonction du temps. Par conséquent, nous proposons de concevoir une postdistorsionnumérique fondée sur une modélisation par modèles multiples combinant plusieurs estimateurs àbase de FK. Les différents FK permettant de prendre en compte les différentes dynamiques du modèle.Ainsi, les variations temporelles des noyaux de Volterra peuvent être suivies tout en gardant des estimationsprécises lorsque ces noyaux sont statiques. Le cas d’un signal monoporteuse est adressé et validé par desrésultats de simulation. Enfin, la pertinence de l’approche proposée est confirmée par des mesures effectuéessur un AP large bande (300-3000) MHz
For a battery driven terminal, the power amplifier (PA) efficiency must be optimized. Consequently,non-linearities may appear at the PA output in the transmission chain. To compensatethese distortions, one solution consists in using a digital post-distorter based on aVolterra model of both the PA and the channel and a Kalman filter (KF) based algorithm tojointly estimate the Volterra kernels and the transmitted symbols. Here, we suggest addressingthis issue when dealing with uplink cognitive radio (CR) system. In this case, additionalconstraints must be taken into account. Since the CR terminal may switch from one subbandto another, the PA non-linearities may vary over time. Therefore, we propose to designa digital post-distorter based on an interacting multiple model combining various KF basedestimators using different model parameter dynamics. This makes it possible to track thetime variations of the Volterra kernels while keeping accurate estimates when those parametersare static. Furthermore, the single carrier case is addressed and validated by simulationresults. In addition, the relevance of the proposed approach is confirmed by measurementscarried on a (300-3000) MHz broadband PA

Ce travail porte sur la conception d'un amplificateur de puissance à 79 GHz et la co-intégration de l'amplificateur de puissance et l'antenne en technologie silicium SiGe. L'objectif de la thèse est de développer un module radiofréquence à l'émission pour des applications radar à 79 GHz. Ce module sera composé d'un amplificateur de puissance, d'une antenne et du circuit d'adaptation PA/Antenne. L'inter-étage entre le PA et l'antenne est une source supplémentaire d'atténuation du signal, d'autant plus rédhibitoire en technologie intégrée pour des fréquences aussi élevées. En réalisant une conception commune, ou codesign, de l'antenne et de l'amplificateur de puissance (PA), nous pouvons, à terme, nous affranchir du traditionnel inter-étage d'adaptation d'impédance entre ces deux blocs. Plus précisément, il convient de dimensionner l'antenne afin qu'elle présente a la sortie du PA l'impédance optimale que requiert son rendement en puissance maximum.

La recherche fondamentale vers les réseaux cellulaires au-delà de la 5G est en cours et la vision de 2020 et au-delà comprend un nombre important de cas d'utilisation comptenu d'un grand nombre d'appareils avec un large éventail de caractéristiques et de demandes. D'une part, la bonne efficacité spectrale donne plus de capacité pour la transmission tandis que d'autre part, la construction d'équipements radio compacts et peu coûteux, flexibles et de haute qualité est une tâche très difficile. Le contexte des travaux de cette thèse est l'étude des techniques de type massive MIMO en présence d'imperfections RF, notamment celles apportées par les amplificateurs de puissance (PA) non linéaires (NL). Le nombre important de PA dans une station de base de type massive-MIMO crée différentes contraintes et les résultat de ces contraintes entraine fortes dégradation des signaux émis tant dans la bande que hors bande. D'autre part, la normalisation 5G a introduit le concept de différentes numérologies conjointement à la technique massive MIMO. L'influence des différentes numérologies utilisées par les différents utilisateurs sera aussi étudiée dans cette thèse
Fundamental research towards beyond 5G cellular networks is ongoing and the vision of 2020 and beyond includes a significant amount use cases considering a massive number of devices with a wide range of characteristics and demands. On the one hand, the good spectral efficiency gives more capacity for the transmission while on the other hand, building compact and low-cost flexible and high-quality radio equipment is a very challenging task. The context of this thesis is the study of massive MIMO techniques with the presence of radio frequency (RF) imperfections, in particular, the non-linear (NL) power amplifiers (PA). The large number of PAs equipped in the base station (BS) creates various constraints which lead to strong degradation of the transmission quality both in the band and out of band. On the other hand, 5G standardization introduced the concept of different numerologies together with the massive MIMO technique. The influence of the different numerologies used by the different users will also be studied in this thesis

L’objectif de ce travail de recherche est de concevoir un amplificateur de puissance sur la base de considérations électrothermiques. Il décrit la question du dynamique EVM et du « paquet long » lors de la conception de l’amplificateur avec des transistors bipolaires à hétérojonctions. Basé sur le comportement électrothermique du circuit, une méthode d’optimisation de l’EVM statique et dynamique est proposée. Un frontend RF complet (amplificateur de puissance + coupleur + interrupteur + amplificateur faible bruit) est conçu pour le dernier standard WLAN : le Wi-Fi 6. La distribution de temperature dynamique dans le circuit est analysée. Son effet sur les performances de la puce est quantifié. Enfin, une polarisation adaptative programmable a été conçue pour garder des performances optimales sur toute la plage de température. Les mesures du circuit montre tout l’effet bénéfique de cette compensation, permettant de garder le dynamique EVM en dessous de -47 dB sur la plage de température ambiante de -40 à 85°C
The aim of this work is to design a power amplifier based on electrothermal considerations. It describes the Dynamic Error Vector Magnitude challenge and long packet issue when designing a power amplifier with hetero-junction bipolar transistors. Based on the circuit electrothermal behavior, an optimization method of both the static and dynamic linearity is proposed. A complete RF front-end (PA + coupler + switch + LNA) is designed for the latest WLAN standard: the Wi-Fi 6. The dynamic temperature distribution in the circuit is analyzed. It’s impact on the performances is quantified. Finally, a programmable temperature dependent bias is designed to compensate for performance degradation. The measurements show a significant linearity improvement with this compensation, allowing the PA to maintain the DEVM lower than -47dB at 14.5 dBm output power, over a large ambient temperature range from -40°C to 85°C

L'objectif de cette thèse est la réalisation d'une source de puissance pulsée à transistors GaN. Après une étude d'applications des micro-ondes de forte puissance, ainsi qu'un état de l'art des sources, nous avons réalisé deux prototypes de modules élémentaires d'amplification (bande large et bande étroite). Le module bande large délivre 70 W CW de 1 à 2,5 GHz et le module bande étroite délivre une puissance supérieure à 550 W de 1,1 à 1,3 GHz, avec un pic de 750 W à 1,1 GHz, dans des impulsions de 500 µs avec un rapport cyclique de 10 %. Une difficulté est que les transistors GaN ont des impédance d'entrée et de sortie faibles, entre 1 et 5 Ω, difficile à adapter vers le standard 50 Ω sur une large bande, et qu'il faut combiner les puissances de plusieurs transistors entre eux pour atteindre des puissances élevées, tout en assurant leur isolation mutuelle pour éviter la propagation de pannes et des oscillations. Nous avons développé un combineur de puissance utilisant une préadaptation d'impédance avec un plan de masse fendu permettant d'avoir une impédance d'entréee basse, 2,5 Ω, et utilisant un absorbant micro-ondes afin d'éviter de réfléchir les modes impairs, ce qui permet d'isoler les transistors entre eux
The goal of this thesis is to realize a pulsed power source with GaN transistors. After a study of the applications of high power microwaves, and a state of the art of the sources, we realized two prototypes of elementary amplifier modules (wide and narrow band). The wideband module produces 70 W CW from 1 to 2.5 GHz, and the narrowband module produces a power higher than 550 W from 1.1 to 1.3 GHz, with a 750 W peak at 1.1 GHz, in 500 µs pulses with 10 % duty cycle. One difficulty is that GaN transistors have low input and output impedances, from 1 to 5 Ω, difficult to adapt towards the 50 Ω standard on a wide bandwidth, and that several transistors need to be combined to reach high input powers, ensuring their mutual isolation to avoid failure propagation and oscillations. We developpes a power combiner using an impedance pre-adaptation with a deffective ground plane allowing to reach a 2.5 Ω low input impedance, and using a microwave absorber to avoid odd mode reflections, which allows the mutual isolation of the transistors

L’évolution des charges utiles à bord des satellites oblige à repenser les solutions d’amplificateurs en termes de rendement, de redondance et de flexibilité. Les solutions à l’état solide sont de plus en plus utilisées en remplacement des tubes à ondes progressives (TOP). Elles nécessitent cependant de mettre en oeuvre des techniques de combinaison pour bénéficier de niveaux de puissance suffisants mais permettent d’envisager plus facilement la flexibilité (modulation de la puissance émise en fonction du besoin) tout en assurant la redondance. Parmi les différentes techniques envisageables, la combinaison radiale en cavité est celle qui répond le mieux aux contraintes de l’étude. Cette technique, dont le principe repose sur des amplificateurs répartis sur la périphérie d’un guide radial, permet d’obtenir une illumination équi-amplitude et équi-phase des amplificateurs. L’étude et la conception des transitions entre les différentes structures de propagation (coaxiale, radiale, rectangulaire, planaire) font l’objet d’une partie de ce travail. Après validation expérimentale de ces transitions, une structure originale d’un diviseur-combineur radial 16 voies a été mise au point, réalisée et testée ainsi qu’un nouveau dispositif permettant de remettre en phase les signaux issus de différentes voies amplificatrices
The satellite payload evolution will have a great impact on power amplifier efficiency, redundancy and flexibility. Solid state power amplifiers (SSPA) should be used to replace traveling wave tubes (TWT) but power combining techniques are necessary as SSPA output power levels are lower than TWT. The radial power combining technique is well suited for spatial applications. It consists in placing amplifiers around a radial waveguide to feed amplifiers with equi-magnitude and equi-phase signals. Transitions between various propagation structures (coaxial, rectangular, radial, planar) were optimized and tested and a new radial 16-way power divider-combiner including planar structures for SSPA mounting (MMIC) was designed. An original mechanism to balance MMIC phase dispersion was successfully implemented in the divider-combiner structure