Academic literature on the topic 'AlN/Si (111)'

Методом растровой электронной микроскопии изучались начальные стадии формирования полуполярных AlN(1011) и AlN(1012) слоев при эпитаксии из металлоорганических соединений на подложке Si(100), на поверхности которой сформирована V-образная наноструктура с размером элементов <100 нм (подложка-NP-Si(100)). Показано, что на начальной стадии эпитаксии на подложке-NP-Si(100) происходит формирование зародышевых кристаллов AlN, а затем в зависимости от кристаллографической ориентации V-стенок формируются кристаллы, ограненные плоскостями AlN(1011) на Si(111) или AlN(1012) на Si(111), разориентированном в направлении [110] на 7o. Ключевые слова: полуполярный нитрид алюминия, наноструктурированная подложка кремния.

In this work, the growth mechanism of aluminum nitride (AlN) epitaxial films by hydride vapor phase epitaxy (HVPE) on silicon carbide (SiC) epitaxial layers grown on silicon (110) substrates is investigated. The peculiarity of this study is that the SiC layers used for the growth of AlN films are synthesized by the method of coordinated substitution of atoms. In this growth method, a part of the silicon atoms in the silicon substrate is replaced with carbon atoms. As a result of atom substitution, the initially smooth Si(110) surface transforms into a SiC surface covered with octahedron-shaped structures having the SiC(111) and SiC(111¯) facets. The SiC(111)/(111¯) facets forming the angle of 35.3° with the original Si(110) surface act as “substrates” for further growth of semipolar AlN. The structure and morphology of AlN films are investigated by X-ray diffraction (XRD), scanning electron microscopy (SEM), reflection high-energy electron diffraction (RHEED) and Raman spectroscopy. It is found that the AlN layers are formed by merged hexagonal microcrystals growing in two directions, and the following relation is approximately satisfied for both crystal orientations: AlN(101¯3)||Si(110). The full-width at half-maximum (FWHM) of the X-ray rocking curve for the AlN(101¯3) diffraction peak averaged over the sample area is about 20 arcmin. A theoretical model explaining the presence of two orientations of AlN films on hybrid SiC/Si(110) substrates is proposed, and a method for controlling their orientation is presented.

Epitaxial growth of AlN was carried out by MOVPE method on SiC/Si buffered substrates prepared by using various Si surfaces of (110), (211) and (001). Cross-sectional HRTEM analyses of the interfaces between SiC buffer layer and AlN epitaxial layer disclosed characteristic nanostructures related growth mechanism on the each substrate. In the case of Si(110) and Si(211) substrate, hexagonal AlN grew directly on SiC(111) plane with AlN(0001) plane parallel to it. In contrast, growth on Si(001) substrate gave complicate structure at AlN/SiC interface. Hexagonal AlN didn’t grow directly but cubic AlN appeared with a pyramidal shape on SiC(001). When the cubic AlN grew 10nm in height, structure of growing AlN crystal changed to hexagonal type on the pyramidal {111} planes of cubic AlN.

(111)-oriented cubic polytypes of silicon carbide (3C-SiC) films were grown by chemical vapor deposition on 2H-AlN(0001)/Si(111) and 2H-AlN(0001)/Si(110) templates. The structural and electrical properties of the films were investigated. For film thicknesses below 300 nm, the 3C-SiC material deposited on 2H-AlN/Si presented a better structural quality than the 3C-SiC films grown directly on Si(111) using the well-established two-step carbonization–epitaxy process. The good lattice match of 3C-SiC with AlN may open a reliable route towards high-quality thin heteroepitaxial 3C-SiC films on a silicon wafer. Nevertheless, the 3C-SiC was featured by the presence of twinned domains and small inclusions of 6H-SiC. The formation of a thin AlSiN film at the AlN/Si interface is also reported. This is the first time such AlSiN layers are described within an AlN/Si heterostructure. Furthermore, noticeable modifications were observed in the AlN film. First, the growth process of SiC on AlN induced a reduction of the dislocation density in the AlN, attesting to the structural healing of AlN with thermal treatment, as already observed for other AlN-based heterostructures with higher-temperature processes. The growth of SiC on AlN also induced a dramatic reduction in the insulating character of the AlN, which could be related to a noticeable cross-doping between the materials.

This paper reports the effect of Silicon substrate orientation and Aluminum nitride buffer layer deposited by molecular beam epitaxy on the growth of aluminum nitride thin films deposited by a DC magnetron sputtering technique at low temperatures. The structural analysis has revealed a strong (0001) fiber texture for both Si(100) and (111) substrates, and a hetero-epitaxial growth on a AlN buffer layer, which is only a few nanometers in size, grown by MBE onthe Si(111) substrate. SEM images and XRD characterization have shown an enhancement in AlN crystallinity. Raman spectroscopy indicated that the AlN film was relaxed when it deposited on Si(111), in compression on Si(100) and under tension on a AlN buffer layer grown by MBE/Si(111) substrates, respectively. The interface between Si(111) and AlN grown by MBE is abrupt and well defined, contrary to the interface between AlN deposited using PVD and AlN grown by MBE. Nevertheless, AlN hetero-epitaxial growth was obtained at a low temperature (<250 °C).

Excimer laser ablation rates of Si (111) and AlN films grown on Si (111) and r-plane sapphire substrates were determined. Linear dependence of ablation rate of Si (111) substrate, sapphire and AlN thin films were observed. Excimer laser micromachining of the AlN thin films on silicon (111) and SiC substrates were micromachined to fabricate a waveguide structure and a pixilated structure. This technique resulted in clean precise machining of AlN with high aspect ratios and straight walls.

Abstract In this work, the AlN/Si(111) epitaxial structures grown consistently by plasma assisted molecular beam epitaxy (PA MBE) and hydride vapour phase epitaxy (HVPE) methods were studied. The PA MBE AlN buffer layers were synthesized via coalescence overgrowth of self-catalyzed AlN nanocolumns on Si(111) substrates and were used as templates for further HVPE growth of thick AlN layer. It was shown that described approaches can be used to obtain AlN layers with sufficiently smooth morphology. It was found that HVPE AlN inherited crystallographic polarity of the AlN layer grown by PA MBE. It was demonstrated that the etching of such AlN/Si(111) epitaxial structures results in partial separation of the AlN epilayers from the Si(111) substrate and allows to form suspended structures. Moreover, the avoidance of surface damage and backside overetching was achieved by use thin Cr film as surface protective coating and by increasing the layer thickness accordingly.

Обнаружен эффект изменения направления распространения дислокации несоответствия при росте слоев GaN на поверхности структуры AlN/SiC/Si(111). Эффект заключается в том, что при достижении слоем GaN, растущим на AlN/SiC/Si(111) определенной толщины &#126;300 nm, дислокации несоответствия первоначально, распространяющиеся вдоль оси роста слоя останавливаются и начинают двигаться в перпендикулярном к оси роста направлению. Построена теоретическая модель зарождения AlN и GaN на грани (111) SiC/Si, объясняющая эффект изменения направления движения дислокации несоответствия. Обнаружен экспериментально и объяснен теоретически эффект смены механизма зарождения с островкового для AlN на SiC/Si(111) на послойный при зарождении слоя GaN на AlN/SiC/Si. Авторы благодарят за финансовую поддержку Российский научный фонд (грант N 14-12-01102). Работа выполнена при использовании оборудования Уникальной научной установки (УНУ) Физика, химия и механика кристаллов и тонких пленок" ФГУН ИПМаш РАН (г. Санкт-Петербург). DOI: 10.21883/FTT.2017.04.44266.287

Structural investigations of Si quantum dots (QDs) grown by CVD on two different heterostructures: AlN/Si (111) and 3C-SiC/Si (100) are conducted. The Si QDs have been grown using silane as precursor, diluted in hydrogen, at fixed temperature and pressure (830°C - 800mbar). High densities of dots can be obtained (up to 1011 cm-2) with typical heights below 10nm. The kinetic of deposition lets suppose the presence of an initial wetting layer before the dots formation. Different durations are required for nucleating dots on AlN and 3C-SiC. Si QDs on AlN present a luminescence band which can be attributed to quantum confinement.

We demonstrate the growth of ultra-thin AlN films on Si (111) and on a GaN/sapphire (0001) substrate using atomic layer epitaxy in the temperature range of 360 to 420 °C. Transmission electron microscopy and X-ray diffraction were used to characterize the interfaces, fine scale microstructure, and the crystalline quality of thin films. Films were deposited epitaxily on Si (111) with a hexagonal structure, while on the GaN/sapphire (0001) substrate, the AlN film is epitaxial and has been deposited in a metastable zinc-blende cubic phase. Transmission electron microscopy reveals that the interface is not sharp, containing an intermixing layer with cubic AlN. We show that the substrate, particularly the strain, plays a major role in dictating the crystal structure of AlN. The strain, estimated in the observed orientation relation, is significantly lower for cubic AlN on hexagonal GaN as compared to the hexagonal AlN on hexagonal GaN. On the Si (111) substrate, on the other hand, the strain in the observed orientation relation is 0.8% for hexagonal AlN, which is substantially lower than the strain estimated for the cubic AlN on Si(111).

Cette étude, sur la formation de la texture de GOSS par croissance anormale, est une contribution dans la compréhension des mécanismes susceptibles d'Intervenir en recristallisation secondaire. La formation de la texture de GOSS dans les tôles de type HI-B (à haute perméabilité magnétique) ne semble pas obéir aux lots classiques de la recristallisation: les grains qui croissent de façon exagérée ne possèdent pas une taille supérieure à la moyenne dans la matrice, hypothèse généralement admise dans les modèles de croissance. L'avantage "taille" n'étant pas une condition nécessaire au déclenchement de la recristallisation secondaire, il apparaît alors que la croissance exagérée des grains d'orientation {110}<001>, aux dépens des autres orientations présentes, soit due à un comportement particulier des joints qui les entourent. Ce comportement est caractérisé par deux aspects: cristallographique (texture - caractéristiques des joints de grains) et chimique (rôle des inhibiteurs). La présence majoritaire de la composante de texture {111} <112> assure aux grains de GOSS, minoritaires, l'existence d'un pourcentage de joints de type C. S. L. Plus élevé que la moyenne dans la matrice: ceux-ci sont moins freinés que les joints généraux par les inhibiteurs, car ils correspondent à des minima d'énergie. La croissance préférentielle des grains de GOSS, au cours des premières étapes de la recristallisation secondaire, est donc liée à l'existence d'un voisinage favorable. La caractérisation du voisinage cristallographique autour d'une composante {hkl} permet alors d’établir des prévisions sur le comportement des joints de grains en migration, en présence d'une seconde phase dans la matrice. La détermination des régions, dans l'espace des orientations, potentiellement favorables à la croissance des grains d'orientation {110}<001>, permet de définir la matrice la plus adéquate pour la formation de la texture de GOSS. Par ailleurs, après dissolution des précipités, la purification de la matrice, sous l'action de l'atmosphère réductrice H2, permet d'éviter les hétérogénéités de texture,néfastes pour les propriétés magnétiques, dans la matrice finale.

AlN nucleation layers are being investigated for growth of GaN on Si. The microstructures of high-temperature AlN nucleation layers grown by MOCVD on Si (111) substrates with trimethylaluminium pre-treatments have been studied using atomic force microscopy (AFM) and transmission electron microscopy (TEM). The AFM results show that with TMA pre-treatments, AlN grows in a pseudo-2-dimensional mode because the lateral growth rate of AlN is increased, and the wetting property of the AlN on silicon is improved. Also, no amorphous SiNx layer was observed at the interface with TMA pre-treatments and AlN films with good epitaxial crystalline quality were obtained. Transmission electron diffraction patterns revealed that the AlN and Si have the crystallographic orientation relationship AlN [0001]║Si[111] and AlN[11 2 0] ║Si[110]. High resolution transmission electron microscopy indicates a 5:4 lattice matching relationship for AlN and Si along the Si [110] direction. Based on this observation, a lattice matching model is proposed.
Singapore-MIT Alliance (SMA)

The present research work focuses on the growth and characterization of group III-Nitride (InGaN) epitaxial layers as well as nanostructures on Si(111) substrates. The growth system used in this study was a plasma-assisted molecular beam epitaxy (PAMBE) system equipped with a radio frequency (RF) plasma source. Device quality GaN epilayers were obtained and InGaN/Si(111) heterojunctions were studied. In- GaN based multi-quantum well LED structure has been realized for green emission. Further catalyst free ultra fine GaN nanorods were grown using a two step method and further InGaN nanostructures were embedded in the as-grown nanorods. InGaN quantum dots were grown using droplet epitaxy and were characterized by Scanning Tunnelling Microscopy and Spectroscopy. It gives a brief introduction about III-nitride materials, growth, substrate selection, significance of III-Nitrides and Si integration and role of dimensionality. It deals with experimental techniques including the details of PAMBE system used in this work, substrate preparation, and detailed characterization of III-nitride epitaxial layers as well as nanostructures. It deals with the optimization of GaN epilayers on AlN/Si (111) templates. AlN underlayer was chosen to minimize the concentration of defects and also acts as an insulating layer which is crucial when it comes to integration of many other devices. The growth temperature was optimized under nitrogen rich growth regime and with the use of a thinner and better quality AlN underlayer and Si doping we could achieve device quality epilayers ( 1500 arc sec) for a thickness of 150 nm. The electron concentration and mobility were found to be -1.374 _1019cm􀀀3 (indicating n-type) and 72 cm2/V.s. Current-voltage measurements were carried out in temperature range of 77K-400K and the current conduction mechanisms at room temperature were identified. An in-depth analysis of temperature dependent current-voltage measurements reveal that the barrier height at the interface is not uniform and is found to have a double Gaussian distribution of barrier heights. It deals with the growth of InGaN epilayers on Si (111) with various substrate treatments. Actual indium composition was determined considering the bi-axial strain present in the epilayers. The effect of substrate treatment on epilayers evolution and quality are discussed. We could observe room temperature photoluminescence from the as-grown epilayers indicating that the epilayers are of good optical quality. InGaN/Si heterojunctions were studied for UV-detection applications. It was found that the heterojunction behaved as a self-powered device, i.e., the device showed a sharp rise in the photocurrent under UV illumination at zero bias. The rise and decay times were found to be 20ms and 33 ms respectively. The bandgap of grown InGaN epilayers were tuned for emission in Green wavelength range. (500nm-550nm) It discusses the sequential process involved in the unition of individual layers to successfully achieve a multi- quantum well structure. In the previous chapter, InGaN epilayers with emission in the green (500nm) region were obtained and having identified the growth conditions for green emission, InGaN epilayers were further grown on GaN/Si (111) and we could tune the bandgap to obtain the emission in blue region. The effect of InGaN growth on thickness was studied which finally led us to develop a growth sequence for successfully obtaining a multi quantum well structure. It deals the growth, structural and optical characterization of InGaN nanostructures embedded in GaN nanorods. The first part deals with the spontaneous growth of very fine (20nm diameter) GaN nanorods on Si (111). Low temperature photoluminescence spectroscopy (LTPL) was used to determine the optical properties of the GaN nanorods. The second part discusses the growth conditions for embedding InGaN in the earlier formed GaN nanorods. The effect of substrate temperature on the evolution of InGaN structures is assessed. Scanning Transmission Electron Microscopy along with Energy Dispersive Spectroscopy (STEM/EDS) is used to determine the elemental distributions in the as-grown nanostructures. LTPL was carried out to determine the emission characteristics of the InGaN/GaN nanostructures. We could successfully obtain room temperature emission in blue region from the core-shell nanorods which happens to be rare achievement. It deals with the growth of high indium content InGaN QDs by droplet epitaxy has been attempted for the first time. The experimental conditions behind InGa droplet formation have been discussed. The influence of droplet formation temperature on the transition from nanoscale structures to quantum dots has been discussed. Room temperature scanning tunnelling microscopy and spectroscopy measurements were carried out. It was found that the QDs exhibited compositional variations even at nanoscale from STM/STS studies. It gives the summary and conclusions of the present study and also discusses about future research directions in this area.

This thesis focuses on studying heterostructures of GaN, Silicon and AlN. GaN nanostructures are grown on bare Si (111) with and without a GaN buffer layer and GaN film was grown on an AlN layer. Apart from the material characterization of the grown samples we have studied the carrier transport across GaN/Si and AlN/Si heterojunctions by means of the I-V-T curves from these junctions and we also studied the band alignment across GaN/AlN and AlN/Si heterojunctions by means of X-ray photoelectron spectroscopy. The thesis is divided in 7 chapters. The first chapter deals with general introduction of the field, choice of the substrate, different growth techniques and an overview of nanostructures. In the second chapter different experimental techniques used in the current study are briefly mentioned. These techniques include Growth by Plasma Assisted Molecular Beam Epitaxy (PAMBE), X-Ray Diffraction (XRD), Raman spectroscopy, Photoluminescence spectroscopy, Scanning Electron Microscopy (SEM), Transmission Electron Microscopy (TEM), Atomic Force Microscopy (AFM) and X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). Then in the 3rd chapter the growth and characterization of GaN nanostructures on Silicon (111) is discussed. Attention has been paid to the effect of substrate temperature and V-III ratio on the morphology and optical quality of the grown structures when other growth parameters has been kept constant. However due to the complexity involved in forming proper electrical contacts from such rods and low yield of single nanowire-based devices, the need to grow compact nanorods was felt. Hence in the fourth chapter compact GaN nanorods were grown on n-Si with a buffer layer for improved quality and elimination of any possibility of electrical short with the substrate during metallization. The main focus in this chapter is the electrical characterization of GaN nanorods/Si (111) heterojunction. The temperature dependent current-voltage characteristics from GaN/n-Si (111) junctions are analyzed and explained as the result of a lateral inhomogeneity in barrier heights with Gaussian distribution and temperature dependent Gaussian parameters. The importance of AlN as a buffer layer for many III-Nitride based devices and as an active layer in many electromechanical devices drew our attention towards band off-set studies of the GaN/AlN/Si heterojunction and electrical transport across the AlN/n-Si junction, in 5th and 6th chapter respectively. The 5th chapter starts with the structural and optical characterization of AlN/Si (111) templates and overgrown GaN thin film. The rest of the 5th chapter is dedicated to the band off sets studies on GaN/AlN and AlN/Si (111) heterojunctions with X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). A band diagram of GaN/AlN and AlN/Si is suggested based on our studies. In the 6th chapter, which happens to be the last work chapter, the temperature dependent electrical characterization of AlN/n-Si (111) heterojunction was carried out from 100K to 400K and the transport mechanism was explained with the help of the trap states at the interface. Finally, the thesis is concluded and insights for future work is presented in the seventh chapter.

碩士
崑山科技大學
電機工程研究所
91
In this thesis, GaN and its relative materials are the key issue for developing the blue-green devices. In this paper, we study the material characteristic of GaN by X-ray diffraction (XRD) measurement and Photoluminescence (PL). Firstly, we introduce the source of developing GaN, metal organic chemical vapor phase deposition (MOCVD), X-ray diffraction (XRD), photoluminescence and AFM measurement. Then we do the systematic research on GaN under different growth condition. We analyze the GaN crystal quality affected by the growth flow of buffer layer. Finally, we can observe GaN crystal layer of surface level and smooth by AFM and high multiple optics microscope measurement. We study the film GaN crystal quality by X-ray diffraction (XRD) measurement and the shift of the PL spectra under different excitation light intensity.

博士
國立清華大學
材料科學工程學系
94
A 300 x 300 micro-meter square crack-free GaN/AlN multilayers of 2 micrometer thick has been successfully grown on the Si(111) substrate patterned with SixNy or SiO2 meshes by MOCVD. The cathodoluminescence (CL) and Raman results show that the better quality of GaN is obtained for the SixNy mesh patterned Si(111) as the substrate. And better quality of GaN is achieved for smaller mesh size. The in-plane stress exhibits a U shape distribution across the “window” region, supported by the Raman shift of the GaN E2(TO) mode. This indicates a stress relaxation abruptly occurring near the edge of the “window” region due to the free standing surface (11-bar01) or (112-bar2). The in-plane stress is almost relaxed at the corner of the “window” region due to three free standing surfaces (11-bar01), (112-bar2), and (101-bar1). The maximum in-plane stress is located near the surface of the multilayers at the center of the “window” region, supported by the Raman measurements and the failure observations. The role of the SixNy mesh in the stress relaxation is discussed. The band gap shift in the 80 x 80 micrometer square crack-free GaN/AlN multilayers on the mesh patterned Si(111) was characterized by cathodoluminescence (CL) and Raman techniques. The GaN band gap derived from CL spectra depends on the spatial point inside a mesh, which changes from 3.413 eV (at center), to 3.418 eV (at edge), and to 3.426 eV (at corner). The band gap shift is attributed to the variation of tensile stress inside the mesh, confirmed by Raman mapping. The shift of GaN band gap per unit stress is determined to be 0.03 eV/GPa. Scanning photoelectron microscopy (SPEM) was applied to extract chemical images of the GaN/AlN multilayers within the mesh. The SPEM images study of the GaN/AlN multilayers on a mesh patterned Si(111) is dependent on the local charging. The V-defect on the surface of GaN can be observed by SPEM images and is determined to be Ga terminated surface.

Group III-nitride semiconductors have enabled revolution in solid-state lighting and high-power/high-frequency electronics. Now-a-days, III-nitride based photodetectors are of great importance because of their various applications from everyday consumer electronics such as compact disc players, smoke detectors, remote control etc. to more elegant applications such as environmental monitoring, space research and in optical communications. Materials such as AlN and AlGaN have been used as solar blind photodetectors, whereas AlGaN and GaN based devices have been extensively used as UV photodetectors that depend on the concentration of Ga. On the other hand, InGaN and InN based devices are well-established for broad band and infrared photodetection applications, respectively. The key point of a broad band photodetector is that it occupies multiple wavelength region and therefore, allows much higher throughput over a single medium. Furthermore, along with broad band detection, the infrared detection in the optical telecommunication range (1550 nm) is also a demanding research area in the scientific community. Most of the photodetectors require an applied bias for appreciable detectivity, which needs a constant electrical power source. However, a self-powered photodetector can operate at zero bias without any external power source. The self-powered photodetectors such as p-n junction, heterojunction, Schottky junctions and organic/inorganic hybrid junctions can immediately separate the electron-hole pairs due to the built-in electric field, exhibiting faster photo response and higher responsivity at zero bias. Therefore, InN and InGaN based self-powered photodetectors in the present work will enthuse the scientific community considering the recent energy crisis. In our work, we have optimised InN epilayer on AlN/Si (111) template and achieved the self-powered infrared photoresponse with appreciable responsivity. Furthermore, InGaN epilayers were grown on AlN template to realize the UV and visible photodetection. We had grown three InGaN epilayers on AlN template with different Indium concentration. The point defects dominate on lower indium content sample due to hydrostatic strain and trench and sub-interfacial extended defects dominate on higher indium content sample due to in-plane biaxial strain. Moreover, the localised states dominate on higher indium content sample over electron-phonon interaction and therefore, we have chosen the InGaN sample with low In content for UV-Visible photodetection. The InGaN/AlN/n-Si (111) devices exhibit excellent self-powered photoresponse under UV-Visible (300-800 nm) light illumination. Furthermore, to cover the broad band range and as well as the infrared optical fibre communication range (1550 nm) with the help of binary (InN) and ternary (InGaN) compounds we have combined the InN binary layer with InGaN ternary layer in the form of nanorods and epilayer junction. The InN nanorods and InGaN epilayers were grown on AlN/n-Si (111) template by using plasma-assisted molecular beam epitaxy. The device structure displays outstanding self-powered photodetection from UV, visible to infrared (300 – 800 nm and 1550 nm) wavelength range. This work is thus believed to make a great impact in nanoelectronics, optoelectronics and in optical fibre communication due to its superior device structure.

More than 100 species of large odontocete cetaceans (i.e., families Ziphiidae, Physeteridae, and Kogiidae) have been described since our binomial nomenclatorial system was initiated by Carl Linnaeus in 1758. Only a fraction of these are currently recognized as valid species. The taxonomic revisions that are being recommended by recent and ongoing studies within this group require a detailed understanding of their nomenclatural history. We here review all 114 nominal species of extant beaked and sperm whales. Of these, 27 species are currently considered valid, 6 are nomina dubia, 10 are nomina nuda, and the rest (71) are junior synonyms. In addition, we provide several appendices that attempt to settle the controversy over the name of the sperm whale (Physeter macrocephalus), provide biographies of the main authors of names, give a glossary of terms, and summarize information on the status of type specimens. Because beaked whales are still so poorly known, there are likely to be future splits and descriptions of new species and/or subspecies. This paper is intended to assist in sorting out nomenclature in such taxonomic cases.

Abstract This book presents some of the improved agricultural technologies that were validated by the Africa RISING Project in East and Southern Africa (ESA), focusing on smallholder farmers in Malawi, Tanzania, and Zambia, and working in partnership with development (scaling) institutions. It consists of 11 chapters. Chapter 1 shows how gender concerns must be woven into all sustainable intensification (SI) interventions to produce equitable outcomes. It describes activities to enhance women's participation, measure the benefits, and transform gender relations. Chapter 2 describes the performance of new cereal and legume crop varieties introduced by Africa RISING into agroecosystems in which they had not been tested before. Chapter 3 presents technologies to diversify the common maize-dominated cropping systems and address human nutrition, improve soil organic matter, and maximize the benefits of applying fertilizer. Chapter 4 presents technologies for replacing the nutrients lost from cropped fields with external fertilizer sources in a manner that minimizes the consequences of too little or too much application. Chapter 5 is about soil conservation. Chapter 6 presents conservation agriculture, which can help smallholder farmers build better resilience to the consequences of climate change and variable weather. Improved technologies for drying, shelling, and hermetic storage of grain are presented in Chapter 7. Chapter 8 provides information to help farmers use outputs from crop production systems to formulate supplementary feed. Chapter 9 follows with technologies that allow well-planned nutrition-specific interventions (recipes) to utilize various livestock and crop products to enhance family nutrition, with specific attention paid to diets for children. Chapter 10 presents examples from the preceding chapters to illustrate the potential impacts of interconnected technologies. Lastly, Chapter 11 presents experiences and lessons learned from using these approaches to transfer and scale the technologies.

This article focuses on surface and interface superconductivity, a pivotal area of mesoscopic superconductivity. It discusses theoretical ideas regarding superconductivity in the 2D limit; pairing symmetry in systems with broken inversion symmetry and in the presence of Rashba spin–orbit interaction; and coupling of substrate phonon modes to layer electronic states to induce or enhance the superconducting condensate. It also reviews the experimental ongoing efforts to fabricate, characterize, and measure these systems, with particular emphasis on oxide materials. Superconductivity in two dimensions, in ultra-thin metals on Si(111), and at the LaAlO3/SrTiO3 interface is examined. The article concludes with an analysis of theoretical propositions aimed at realizing and testing novel superconducting states occurring at the surfaces and interfaces.

Lucrarea de fata se refera la tulburarea cu deficit de atentie/ hiperactivitate la adult (ADHD) abordand relatia dintre aceasta si tulburarile de personalitate. ADHD, considerata pana in ultimii ani o afectiune a copilariei, dupa noua clasificare a bolilor psihice -DSM-5, este intalnita mult mai frecvent la adult. Problematica discutata este cercetata pe larg in literatura de specialitate in ultima perioada, fiind un subiect de interes, tinand cont de faptul ca daca la multe grupe diagnostice DSM-5 a pastrat viziunea anterioara, la tulburarea ADHD modificarile au dus la unele diferente notabile. Este evident acum ca simptomatologia ADHD este vazuta ca o componenta relativ constanta de-a lungul vietii individului, cu eventuale atenuari odata cu varsta, dar cu persistenta unei proportii de manifestari la adult, care puteau fi pana acum neobservate. Aceasta viziune se apropie foarte mult de descrierile clasice ale personalitatii, de aici si posibilitatea unei comparatii intre cele doua patologii. Noua perspectiva din ICD 11 urmeaza si ea tendinta DSM-5 in ceea ce priveste ADHD la adult. Astfel, se evidentiaza mult mai clar posibilitatea diagnosticarii acestei patologii la populatia adulta si necesitatea atentiei sporite vizavi de identificarea trasaturilor specifice acestei patologii.

El presente libro se enmarca dentro de la teoría crítica de la sociedad, con un telón de fondo que es la teoría crítica decolonial. La paradoja es grande. Como vamos a evidenciar en las siguientes páginas, el grueso de la investigación sobre emociones se da en los países del norte global, por lo que la literatura que he encontrado está concentrada en la lengua inglesa. Ello no significa que las contradicciones ideológicas y críticas no se hallen presentes en estos países. Por ejemplo, la pedagogía crítica también ha tenido fuertes pensadores dentro de los Estados Unidos, Canadá y Europa, quienes han generado fuertes ataques al modelo instrumental del capitalismo: el Sur también está en el Norte. Esta crítica, que muchas veces es general, ha influido fuertemente en América Latina, la cual tiene innumerables experiencias prácticas educativas; y si la colonialidad del sentir se encuentra en la educación, allí también se hace presente la decolonialidad. La “colonialidad del sentir”, no solo se expresa en el mundo estéticocultural, tal como por ejemplo lo han propuesto Zulma Palermo (2009) o Pedro Pablo Gómez y Walter Mignolo (2012), sino también en el traslado de los modelos educativos eurocéntricos, los cuales comienzan a incorporar la educación emocional en ellos mismos. Aquí tomamos la lección de hace un tiempo frente al asunto de la decolonialidad: no se trata de rechazar las ideas de los países del centro, sino de tomarlas críticamente para verlas desde nuestro contexto. Aunque aparentemente no existe una literatura extensa sobre emociones y decolonialidad, las experiencias dentro de nuestra América son innumerables y realmente poderosas. Es así que en el Capítulo 3 pondré cuatro ejemplos significativos: el Sentipensar de Orlando Fals Borda, la crítica al neocolonialismo proveniente del grupo de Sociología de los cuerpos y emociones de Argentina, la experiencia feminista decolonial, con particular énfasis en las mujeres mayas, y finalmente, la propuesta del corazonar de Patricio Guerrero. Tres grandes elementos de la colonialidad del sentir deseo resaltar: la tiranía que el racionalismo le impone al mundo de las vivencias, siempre privilegiendo el enfriamiento en lo humano; el asentamiento de las fábricas del miedo, la humillación y la vergüenza, frutos de una conquista violenta que generó una herida colonial; y u

Al término del primer semestre del año, el comportamiento de los precios nominales de los principales productos de pino radiata, comercializados en el país, presentan un comportamiento dispar comparado con diciembre de 2018. El precio de las trozas aserrables de pino radiata, puesta en aserradero de la Región del Biobío, muestra un crecimiento de 3,1%. En tanto, el precio de la madera pulpable de pino radiata, puesta en planta de las regiones Maule y Biobío, subió un 6,3%, asociado principalmente a bonos estacionales. Por su parte, el precio de la madera elaborada de pino radiata, puesta en barraca de la Región Metropolitana y la madera aserrada de pino radiata, puesta barraca de la Región Metropolitana experimentó un alza de 0,7% y 1,1%, respectivamente. Contrariamente el precio de la madera elaborada de pino radiata, puesta en barraca de la Región del Biobío disminuyo un 0,4% y la madera aserrada de pino radiata, puesta en aserradero de la Región del Biobío, se mantuvo estable. En esta edición, se presentan precios de plantas forestales. Al respecto, el precio promedio de las plantas de pino radiata en bandejas es de $72.000 por mil plantas, puestas en vivero de la Región del Biobío. Una especie que viene destacando durante los últimos años es el pino oregón, el precio de la madera cepillada, puesta en barraca de la Región de la Araucanía, experimentó un alza de 3,4%, comparada con diciembre de 2018 y un 6,4%, si se compara con junio 2018.

Esta publicación retoma el contenido del informe final sobre los dos PID que tuvimos el honor de dirigir. El PID 11/E121: “Una dimensión poco estudiada de las CyMAT: los riesgos psicosociales en el trabajo asalariado” (2012-2013) y el PID 11/E141, “Riesgos Psicosociales en el trabajo (RPST). Análisis de su impacto sobre la salud de los trabajadores, las organizaciones, y los sistemas de salud y seguridad social”. La temática de las CyMAT había sido elaborada y desarrollada en el CEIL del CONICET, y la prolongación y profundización se desarrolló en la UNLP. Se trata de un trabajo colectivo y pluridisciplinario. Dos docenas de investigadores, docentes, personal de apoyo, becarios y encuestadores voluntarios participaron total o parcialmente a lo largo de los 5 años que insumió la tarea. Al concluir, se había constituido un “núcleo duro”, que está en condiciones de emprender nuevas investigaciones sobre el tema de manera individual y colectivamente. La otra particularidad es que se ha integrado un equipo pluridisciplinario donde convivieron con diversa intensidad y se enriquecieron mutuamente Sociólogos, Psicólogos, Médicos, Administradores y Economistas, cosa no muy frecuente en nuestro medio. Hubiéramos deseado que Médicos del Trabajo, Ingenieros y Ergónomos se sumaran al equipo. Si bien las condiciones y medio ambiente de trabajo (CYMAT) y los riesgos psicosociales en el trabajo (RPST) constituyeron la problemática estudiada teórica y metodológicamente con el apoyo de colegas franceses, fue la demanda de ATULP la que nos movilizó para presentar los PID y obtener la ayuda de la Secretaría de Ciencia y Técnica de la UNLP y varias Secretarías de la Presidencia, contando con el decidido apoyo del Decano de la Facultad de Ciencias Económicas, Mgter. Martín López Armengol. El Instituto de Investigaciones Administrativas colaboró con recursos para la realización del trabajo de campo y le agradecemos públicamente.

Without assuming prior legal knowledge, books in the Directions series introduce and guide readers through key points of law and legal debate. Questions, diagrams, and exercises help readers to engage fully with each subject and check their understanding as they progress. This book explains the key topics covered on equity and trusts courses. The content of the text is designed to emphasise the relationship between equity, trusts, property, contract, and restitution to enable students to map out conceptual connections between related legal ideas. There is also a focus on modern cases in the commercial sphere to reflect the constantly changing and socially significant role of trusts and equity. The book starts by introducing equity and trusts. It then includes a chapter on understanding trusts, and moves on to consider capacity and formality requirements, certainty requirements, and the constitution of trusts. Various types of trusts are then examined such as purpose, charitable, and variation trusts. The book then describes issues related to trusteeship. Breach of trust is explained, as is informal trusts of land. There is a chapter on tracing, and then the book concludes by looking at equitable liability of strangers to trust and equitable doctrines and remedies. This new edition includes coverage of significant recent cases, including Patel v Mirza [2016], Supreme Court on the right to recover wealth transferred between parties to an illegal scheme; Burnden Holdings (UK) Ltd v Fielding [2018] UKSC 14; [2018] 2 WLR 885, Supreme Court on limitation of actions; Barnett v Creggy [2016], Court of Appeal on breach of trust and limitation of actions; Singha v Heer [2016], Court of Appeal on facts giving rise to declaration of trust; Clydesdale Bank plc v John Workman [2016], Court of Appeal on dishonest assistance in a breach of trust; Bathurst v Bathurst [2016], on variation of trusts; Newman v Clarke [2016], on fiduciary conflict of interest; RBC Trustees (CI) Ltd v Stubbs [2017], on rectification of a trust deed on the ground of mistake; Erlam v Rahman [2016] EWHC 111 and JSC Mezhdunarodniy Promyshlenniy Bank v Pugachev [2017] EWHC 2426, on ‘sham” trusts’. It also provides coverage of the 2017 Money Laundering, Terrorist Financing and Transfer of Funds Regulations (SI 2017/692 as well as the EU Fourth Money Laundering Directive ((EU) 2015/849), as amended by the The EU Fifth Money Laundering Directive ((EU) 2018/843)

The elements which constitute the Carbon Group of the Periodic Table are carbon C, silicon Si, germanium Ge, tin Sn, and lead Pb. All five of the elements have atoms characterized by an outer electron structure of ns2np2 with n representing the principal quantum number. This electron arrangement signals the possibility of oxidation states of IV and II. Such is the case with the II oxidation state becoming more stable from C to Pb. As one descends the group, there is a marked change from non-metallic (C) to metallic character (Pb). Reflecting very high ionization energies, C, Si, and Ge do not form a simple cation, they instead bond covalently. In line with the trends just mentioned, the inorganic aqueous chemistry moves from anionic (C) to cationic (Pb). The inorganic aqueous solution chemistry of C is represented by four acids and their anionic derivatives: carbonic acid H2CO3, oxalic acid H2C2O4, formic acid HOOCH, and acetic acid HOOCCH3. Note that in all of these the ionizing H+ ions are not attached to C but to O. The inorganic aqueous chemistry of Si is dominated by anions SiO(OH)3− and SiO2(OH)2−2 and their many polymeric forms and by the hexafluorosilicate anion SiF6−2. Ge is very similar to Si. Cationic species, largely absent in all three previous elements, are shown in both Sn and Pb. The covalent single bond radii of C, Si, and Ge are 77, 118, and 122 pm, and the ionic radii in pm of the other two elements are Sn+2(118), Sn+4 (83), Pb+2 (133), Pb+4 (92). a. E–pH diagrams. In order to understand the E–pH relationships of the aqueous species of C, it is important to consider both the thermodynamic and the kinetic relationships. Thermodynamics tells us whether a reaction will occur but it says nothing about how fast. The rate is a kinetic matter. When acetic acid HC2H3O2 is entered into a C species E–pH diagram, Figure 8.1 results. This figure shows that at equilibrium HC2H3O2 is not stable and disproportionates into H2CO3 and CH4. The same E–pH diagram results when formic acid HOOCH or when oxalic acid H2C2O4 is entered.

Since implant surface is the region in contact with living tissue, corrosion resistance is an important property for biomedical implant materials. The deposition of biocompatible materials by magnetron sputtering is a viable surface modification method for improving the biocompatibility, corrosion resistance, and extends the life time of traditional biomedical implants. Titanium, niobium, and zirconium materials have excellent mechanical properties and corrosion resistance which make them potential candidates for coating implants. In this work, thin films of Ti, Nb, and Zr were deposited on Si(111) substrates in an oxygen/argon atmosphere to create models of biocompatible coatings. The chemical composition, morphology, Young’s modulus, and hardness of the three thin films were analyzed by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), time-of-flight secondary ion mass spectrometry (ToF-SIMS), atomic force microscopy (AFM), and nanoindentation. It was found that all thin films were completely oxidized, had nanostructured grains, bulk uniformity, and good mechanical properties, thus thin TiO2, Nb2O5, and ZrO2 films can be considered as good candidates for bioactive implant coatings.

Polysiloxanes are unique among inorganic and semi-inorganic polymers; they are also the most studied and the most important with regard to commercial applications. Thus, it’s not surprising that there is an extensive literature describing the synthesis, properties, and applications of these materials, including books, proceedings books, sections of books or encyclopedias, review articles, and historical articles. The purpose of this volume is not to give a comprehensive overview of these polymers but rather to focus on some novel and interesting aspects of polysiloxane science and engineering, including properties, work in progress, and important unsolved problems. The Si-O backbone endows polysiloxanes with a variety of intriguing properties. The strength of the Si-O bond, for example, imparts considerable thermal stability, which is important for high-temperature applications (e.g., as heat-transfer agents and high-performance elastomers). The nature of the bonding and the chemical characteristics of typical side groups impart low surface free energy and therefore desirable surface properties. Polysiloxanes, for example, are used as mold-release agents, waterproofing sprays, and biomedical materials. Structural features of the chains give rise to physical properties that are also of considerable scientific interest. For example, the substituted Si atom and the unsubstituted O atom differ greatly in size, giving the chain a nonuniform cross section. This characteristic affects the way the chains pack in the bulk, amorphous state, which explains the unusual equation-of-state properties (such as compressibility). Also, the bond angles around the O atom are much larger than those around the Si, which makes the planar all trans form of the chain approximate a series of closed polygons, as illustrated in figure 1.1. As a result, siloxane chains exhibit a number of interesting configurational characteristics that impact properties and associated applications. The major categories of homopolymers and copolymers to be discussed are (i) linear siloxane polymers -SiRR’O-] (with various alkyl and aryl R,R&rsquo; side groups), (ii) sesquisiloxane polymers possibly having a ladder structure, (iii) siloxane-silarylene polymers [–Si(CH3)2OSi(CH3)2(C6H4)m –] (where the skeletal phenylene units are either meta or para), (iv) silalkylene polymers [–Si(CH3)2(CH2)m–], and (v) random and block copolymers, and blends of some of the above.

Many of the properties of the polysiloxanes have been tabulated in handbooks of polymer science and engineering. Recent work has included the stretching of polydimethylsiloxane (PDMS) chains, in some cases to their rupture points. The nature of the bonding in siloxane molecules has been of long-standing interest. Force fields for calculations of PDMS properties have been revised over the years and are now at an advanced state of development. Some of the simplest approaches employ the methods of molecular mechanics. Most of the experimental results have been obtained on solutions of polysiloxanes in thermodynamically good solvents. The first member of this series, poly(dimethylsiloxane) (PDMS), [–Si(CH3)2O–]x, has been studied extensively with regard to its configuration-dependent properties. PDMS (figure 2.1) is very similar in structure to the polyphosphate chain in that the successive bond angles are not equal. The Si–O bond length in polysiloxanes is 1.64 Å, and bond angles at the Si and O atoms are 110 and 143°, respectively. This inequality of bond angles causes the all-trans form of the molecule (with rotational angles ϕ = 0°) to form a closed structure after approximately eleven repeat units. The torsional barrier for rotations about the skeletal bonds is very low, which accounts for the high dynamic flexibility and low glasstransition temperature of the PDMS chain. Not surprisingly, low temperature properties are superb. Trans states are of lower energy than gauche states (ϕ = ±120°) in the PDMS chain. This conformational preference may arise from favorable van der Waals interactions between pairs of CH3 groups separated by four bonds in trans states. This factor is apparently more important than favorable coulombic interactions between oppositely charged Si and O atoms separated by three bonds, which are larger in gauche states because of the reduced distance. Comparisons between experimental and theoretical values of various configuration-dependent properties, however, yield a value for this energy difference that is significantly larger than that obtained from the semi-empirical calculations of interactions between nonbonded atoms.

We have examined the developmental changes in composition, amount, and uptake of yolk nutrients (fat, protein, water and carbohydrates) and the expression ofnutrient transporters in the yolk sac membrane (YSM) from embryonic day 11 (Ell) to 21 (E21) and small intestine from embryonic day 15 (E15) to E21 in embryos from young (22-25 wk) and old (45-50 wk) Cobb and Leghorn breeder flocks. The developmental expression profiles for the peptide transporter 1 (PepTl), the amino acid transporters, EAAT3, CAT-1 and BOAT, the sodium glucose transporter (SGLTl), the fructose transporter (GLUT5), the digestive enzymes aminopeptidase N (APN) and sucraseisomaltase (SI) were assayed by the absolute quantification real time PCR method in the YSM and embryonic intestine. Different temporal patterns of expression were observed for these genes. The effect of in ovo injection of peptides (the dipeptide Gly-Sar, purified peptides, trypsin hydrolysate) on transporter gene expression has been examined in the embryonic intestine. Injection of a partial protein hydrolysate resulted in an increase in expression of the peptide transporter PepT2. We have initiated a transcriptome analysis of genes expressed in the YSM at different developmental ages to better understand the function of the YSM.

Chile se convirtió en el de mayor ingreso per cápita en la región y el de mejor índice de Desarrollo Humano, muy cerca del promedio de los miembros de la OCDE. Es el país de la región que más avances ha hecho en Objetivos de desarrollo Sostenible y el número 31 del mundo. Pero aun cuando persisten desafíos. Las protestas de 2019 llevaron a momentos difíciles y de la crisis surgió una oportunidad para realizar nuevas e importantes transformaciones. Afortunadamente, Chile tiene experiencia al respecto: un historial de reformas, profundas y relevantes. Si hoy son líderes regionales es gracias a esas iniciativas de cambio y no a pesar de ellas, en términos económicos, de gobernanza, sociales y ambientales. Pasado el momento más crítico de la pandemia, es tiempo de retomar la senda. Chile tardaría en cerrar varias de sus brechas muestra que en materia de pobreza le tomaría 27 años. Los mismos 27 años demoraría el sector financiero en cerrar sus brechas. Un poco más lejos están los desafíos de género (31 años), protección social y trabajo (34) y salud (35). Los mayores retos se encuentran en las áreas de infraestructura (casi 91 años para cerrar las brechas actuales), medio ambiente (116 años) y deuda y política económica (228). Este documento plantea recomendaciones puntuales para que Chile crezca de manera sostenible y con equidad. Para ello hemos dividido las recomendaciones en dos grandes propósitos: vida digna y, por otro lado, sociedad próspera y moderna.

We built a collector to filter interplanetary dust particles (IDPs) larger than 5 µm from the clean air at the Amundsen Scott South Pole station. Our sampling strategy used long duration, continuous dry filtering of near-surface air in place of short duration, high-speed impact collection on flags flown in the stratosphere. We filtered ~107 m³ of clean Antarctic air through 20 cm diameter, 3 µm filters coupled to a suction blower of modest power consumption (5–6 kW). Our collector ran continuously for 2 years and yielded 41 filters for analyses. Based on stratospheric concentrations, we predicted that each month’s collection would provide 300–900 IDPs for analysis. We identified 19 extraterrestrial (ET) particles on the 66 cm² of filter examined, which represented ~0.5% of the exposed filter surfaces. The 11 ET particles larger than 5 µm yield about a fifth of the expected flux based on >5 µm stratospheric ET particle flux. Of the 19 ET particles identified, four were chondritic porous IDPs, seven were FeNiS beads, two were FeNi grains, and six were chondritic material with FeNiS components. Most were <10 µm in diameter and none were cluster particles. Additionally, a carbon-rich candidate particle was found to have a small ¹⁵N isotopic enrichment, supporting an ET origin. Many other candidate grains, including chondritic glasses and C-rich particles with Mg and Si and FeS grains, require further analysis to determine if they are ET. The vast majority of exposed filter surfaces remain to be examined.

Los datos de la encuesta de hogares para el trimestre móvil que finalizó en febrero muestran que el crecimiento anual del empleo se está desacelerando y que sus niveles se mantienen estables. Aunque el empleo aumentó en un 3,6% en términos anuales, lo que equivale a 768.000 nuevos puestos de trabajo, en los últimos meses la ocupación se ha mantenido relativamente estable. En particular, la ocupación rural detuvo la caída observada en la segunda mitad de 2022 y la urbana dejó de crecer. El segmento asalariado lidera la creación anual de empleo, pero sus niveles son similares, comparados con los de enero, mientras que el no asalariado mostró un ligero repunte. Un comportamiento similar se observa entre el empleo formal y el informal, lo que implicó un leve aumento de la tasa de informalidad hasta un nivel del 57,4%. Esta ralentización de la ocupación asalariada y formal también se observa en otras fuentes de información, como los trabajadores dependientes cotizantes a pensión y los afiliados a riesgos laborales y a cajas de compensación familiar. Además, es consistente con la relativa estabilidad que muestran las vacantes y las expectativas de contratación, que han frenado el deterioro observado durante el último trimestre de 2022. Por el lado de la oferta laboral, las tasas de participación laboral mantienen registros similares a los observados durante los últimos meses, lo que ha reducido la presión que ejercían al alza sobre la variación anual de la tasa de desempleo (TD). En cuanto al desempleo, la TD del agregado nacional se ubicó en el 11% en el trimestre móvil que finalizó en febrero, corrigiendo las leves subidas que había registrado en los últimos meses, principalmente debido al retroceso de la TD rural. Se espera que, en promedio en 2023, la TD nacional se ubique entre el 9,8% y 12,2%, con el 11% como la cifra más probable, lo que implica una senda temporal con ligeros aumentos de la TD en el transcurso de 2023. Esta previsión, unida al comportamiento reciente de las tasas de vacantes, sugiere que, si bien el mercado laboral se mantiene estrecho, esto tendería a desvanecerse en el transcurso del año. Las estimaciones de una tasa de desempleo que no acelera la inflación (Nairu, por su sigla en inglés) confirman este diagnóstico, pues, pese a que la brecha de la TD es aún negativa (-1,2 pp para el primer trimestre de 2023), esta se cerraría en el transcurso del año. Así, las presiones inflacionarias vía costos salariales producidas desde la dinámica propia del mercado laboral se atenuarían, aunque podrían persistir las provenientes desde el campo regulatorio, en particular por los ajustes salariales iguales al del salario mínimo (SM). Estas últimas presiones no serían despreciables en la medida en que en 2022 una mayor proporción del total de los ajustes salariales en la economía estuvo determinada por el incremento en el SM, frente a lo que se observaba antes de la pandemia. Como es usual, este reporte se divide en dos secciones. En la primera se profundiza en detalle en los hechos coyunturales del mercado laboral descritos. En la segunda, se describen algunos de los puntos claves del proyecto de reforma laboral radicado por el Gobierno Nacional el pasado 16 de marzo y se ofrece un análisis cuantitativo de sus implicaciones. Particularmente, se estima el incremento que los cambios propuestos generarían sobre el costo laboral promedio, tomando como referencia el mercado laboral en el año 2022. Además, se estima el impacto potencial de dichos cambios sobre el empleo a partir de las elasticidades provenientes de la literatura especializada. Los resultados indican que, de aprobarse la reforma laboral como se radicó, habría incrementos del costo laboral promedio asociados tanto al componente salarial como al de las indemnizaciones en casos de despidos injustificados. Por el primer componente, el incremento en el costo laboral promedio oscilaría entre 3,2 % y 10,7 %, y por el segundo, entre 1,2% y 1,9 %, producto de un aumento de 92% del valor promedio de las indemnizaciones. Además, dichas estimaciones tienen importantes heterogeneidades sectoriales y por tamaño de empresa. El aumento de los costos salariales recortaría alrededor de 450.000 empleos formales en un horizonte entre tres y cuatro años, mientras que el incremento de los costos de despido podría tener un impacto en un horizonte más largo. Dichos cálculos no consideran los posibles beneficios para los empleados incumbentes, que se reflejarían en una mayor estabilidad laboral o de mejoras en el acceso al sistema de protección social. Así, se concluye que se tienen efectos heterogéneos en los distintos agentes y segmentos del mercado laboral, por lo que cuantificaciones de costos y de sus implicaciones como la acá realizada son útiles para contrastar los posibles beneficios de la reforma propuesta con sus costos.

Introducción En 2023 el Banco de la República celebra 100 años de su fundación. Este es un aniversario de gran significado, el cual ofrece la oportunidad de resaltar el aporte que el Banco ha hecho al desarrollo del país. Su trayectoria como garante de la estabilidad monetaria lo ha consolidado como la institución estatal independiente que genera mayor confianza entre los colombianos por su transparencia, capacidad de gestión y el cumplimiento efectivo de las funciones de banca central y culturales encomendadas en la Constitución y la Ley. En una fecha tan importante como esta, la Junta Directiva del Banco de la República (JDBR) hace un reconocimiento a las generaciones de directivos y funcionarios que con su compromiso y dedicación contribuyeron a engrandecer esta institución1. El mandato del Banco de la República se consolidó en la Asamblea Nacional Constituyente de 1991, para cuya integración los ciudadanos tuvieron la oportunidad de elegir a las setenta personas que tendrían como tarea redactar una nueva constitución. Los dirigentes de los tres movimientos políticos más votados fueron elegidos presidentes de la Asamblea, y esta presidencia tripartita reflejó la pluralidad y la necesidad de consenso entre las diferentes fuerzas políticas para sacar adelante la reforma. Entre los asuntos considerados, la Asamblea Nacional Constituyente le otorgó especial importancia a la estabilidad monetaria. Por esta razón decidió incluir el tema de banca central y dotar al Banco de la República de la autonomía necesaria para utilizar los instrumentos a su cargo sin injerencia de otras autoridades. El constituyente entendió que velar por la estabilidad de precios es un deber del Estado y que la entidad responsable de este cometido debe estar consagrada en la Constitución y contar con la capacidad técnica y autonomía institucional necesaria para adoptar las decisiones que considere pertinentes para alcanzar este objetivo fundamental, en coordinación con la política económica general. En particular, el artículo 373 estableció que “el Estado, por intermedio del Banco de la República, velará por el mantenimiento de la capacidad adquisitiva de la moneda”, disposición que coincidía con el esquema de banca central adoptado por países exitosos en el control de la inflación. En 1999, mediante sentencia 481, la Corte Constitucional indicó que “el deber de mantener la capacidad adquisitiva de la moneda no solo se predica de la autoridad monetaria, crediticia y cambiaria, esto es de la Junta del Banco de la República, sino también de quienes tienen responsabilidades en la formulación y ejecución de la política económica general del país” y que “la finalidad constitucional básica del Banco de la República es la protección de la moneda sana, pero esa autoridad debe tomar en consideración en sus decisiones los otros objetivos económicos de la intervención del Estado, como el pleno empleo, pues sus funciones deben coordinarse con la política económica general.” La reforma al Banco de la República concertada en la Constituyente de 1991 y en la Ley 31 de 1992 se puede resumir en los siguientes aspectos: i) asignó al Banco un mandato específico: mantener la capacidad adquisitiva de la moneda, en coordinación con la política económica general; ii) designó a la JDBR como autoridad monetaria, cambiaria y crediticia; iii) otorgó al Banco y a su Junta Directiva un importante grado de independencia frente al Gobierno; iv) prohibió al Banco otorgar crédito al sector privado distinto del financiero; v) estableció que para otorgar crédito al Gobierno se requería del voto unánime de su Junta Directiva, a menos que se trate de operaciones de mercado abierto; vi) determinó que el legislador, en ningún caso, podrá ordenar cupos de crédito a favor del Estado o de los particulares; vii) designó al Congreso, en representación de la sociedad, como principal destinatario del ejercicio de rendición de informes del Banco; y viii) delegó en el presidente de la República la función de inspección, vigilancia y control sobre el Banco de la República. Los miembros de la Asamblea Nacional Constituyente entendieron claramente que los beneficios de una inflación baja y estable se extienden a toda la sociedad y contribuyen al buen funcionamiento del sistema económico. Entre los más importantes cabe mencionar que una inflación baja promueve el uso eficiente de los recursos productivos, al permitir que los precios relativos guíen de mejor forma la asignación de recursos, lo cual promueve el crecimiento económico y aumenta el bienestar de la población. Igualmente, una inflación baja reduce la incertidumbre sobre la rentabilidad esperada de la inversión y sobre el precio futuro de los activos, lo que aumenta la confianza de los agentes económicos, facilita la financiación de largo plazo y estimula la inversión. Una inflación baja evita redistribuciones arbitrarias del ingreso y la riqueza, debido a que los estratos de ingresos bajos de la población no pueden protegerse de la inflación mediante la diversificación de sus activos, y concentran una elevada proporción de su ingreso en la compra de alimentos y otros bienes básicos, ítems que generalmente son los más afectados por los choques inflacionarios2. Por otra parte, una baja inflación facilita las negociaciones salariales, lo cual crea un buen clima laboral y reduce la volatilidad del nivel de empleo. Finalmente, una inflación baja contribuye a que el sistema de impuestos sea más transparente y equitativo, al evitar las distorsiones que la inflación introduce sobre el valor de los activos y de los ingresos que componen la base tributaria. Desde el punto de vista de la autoridad monetaria, uno de los beneficios más relevantes de una inflación baja es la credibilidad que los agentes económicos adquieren en la meta de inflación, lo que la convierte en un ancla nominal efectiva sobre el nivel de precios. Al recibir su mandato, y en uso de su autonomía, el Banco de la República empezó a anunciar metas puntuales de inflación anual a partir de 1992. Si bien en esta primera etapa las metas de inflación propuestas no se lograron cumplir de forma precisa, sí se consiguió imprimirle a la inflación una tendencia descendente, que la llevó desde un nivel del 32,4% en 1990 al 16,7% en 1998. Para aquella época la tasa de cambio se mantenía dentro de una banda, lo cual limitaba la efectividad de la política monetaria, que buscaba cumplir simultáneamente una meta de inflación y un objetivo de tasa de cambio. La crisis asiática se contagió a las economías emergentes y afectó de manera importante a la economía colombiana. La tasa de cambio presentó una fuerte presión a la depreciación al cerrarse el acceso al financiamiento externo en condiciones de un elevado desequilibrio externo. Lo anterior, junto con la falta de flexibilidad cambiaria, impidió hacer una política monetaria contracíclica, lo que condujo a una contracción del PIB del 4,2% en dicho año. En este contexto de desaceleración económica, la inflación anual se redujo al 9,2% a finales de 1999, situándose por debajo de la meta del 15% que se había fijado para ese año. Este episodio reveló plenamente lo costoso que podría ser, en términos de actividad económica, el tener simultáneamente metas para la inflación y para la tasa de cambio. Hacia finales de 1999 el Banco de la República anunció la adopción de un nuevo régimen de política monetaria que denominó Esquema de Inflación Objetivo. Este régimen, conocido internacionalmente como ‘Inflation Targeting,’ venía ganando creciente aceptación en países desarrollados, al haber sido adoptado a partir de 1991 por Nueva Zelanda, Canadá e Inglaterra, entre otros, logrando importantes avances en el manejo de la inflación, sin incurrir en costos en términos de actividad económica. En América Latina, Brasil y Chile también lo acogieron en 1999. En el caso colombiano, el último requisito pendiente por cumplir para adoptar dicho esquema de política era la flexibilidad de la tasa de cambio, la cual se materializó hacia septiembre de 1999, cuando la JDBR decidió abandonar las bandas cambiarias para permitir que la tasa de cambio se determinara libremente en el mercado. De forma coherente con el mandato constitucional, el objetivo fundamental de este nuevo esquema de política consistía en “el cumplimiento de una meta de inflación que contribuya a mantener un crecimiento del producto alrededor de su capacidad potencial”3. Dicha capacidad potencial se entendía como aquel crecimiento del PIB que la economía puede obtener si utiliza plenamente sus recursos productivos. Para cumplir este objetivo la política monetaria debe cumplir necesariamente un papel contracíclico en la economía. Ello porque cuando la actividad económica está por debajo de su potencial y existen recursos ociosos, la autoridad monetaria puede reducir la tasa de interés ante la ausencia de presiones inflacionarias para estimular por esa vía la economía y, de manera inversa, cuando el producto supera su capacidad potencial. Este principio de política, que está inmerso en los modelos para guiar la postura de política monetaria, hace que, en el mediano plazo, sean totalmente compatibles los objetivos del cumplimiento de la meta de inflación y de un nivel de actividad económica compatible con su capacidad productiva. Para alcanzar este propósito, en el esquema de inflación objetivo se utiliza la tasa de interés del mercado monetario (a la cual el banco central suministra liquidez primaria a los bancos comerciales), como el instrumento primordial de política. Con ello se sustituyó la cantidad de dinero como meta intermedia de política monetaria, que el Banco de la República, al igual que varios otros bancos centrales, utilizaron por mucho tiempo. En el caso colombiano, el objetivo del nuevo esquema de política monetaria implicaba, en términos prácticos, que la recuperación de la economía, luego de la contracción ocurrida en 1999, debía lograrse al tiempo que se cumplían las metas decrecientes de inflación establecidas por la JDBR. De manera notable este propósito se cumplió. En la primera mitad de la década del 2000 la actividad económica logró una recuperación importante, hasta alcanzar un crecimiento del 6,8% en 2006. Entretanto, la inflación fue descendiendo gradualmente, en línea con las metas de inflación. Fue así como la tasa de inflación se redujo desde el 9,2% en 1999 al 4,5% en 2006, cumpliendo con la meta de inflación establecida para ese año, mientras que el PIB alcanzó su nivel potencial. Después de lograrse este equilibrio en 2006, la inflación repuntó al 5,7% en 2007, por encima de la meta del 4% fijada para ese año, debido a que el crecimiento del PIB del 7,5% superó su capacidad potencial4. Luego de comprobarse la eficacia del esquema de inflación objetivo en sus primeros años de operación, este régimen de política continuó consolidándose a medida que la JDBR y el equipo técnico ganaron experiencia en su manejo y se incorporaron modelos económicos de última tecnología para diagnosticar el estado presente y futuro de la economía, y evaluar la persistencia de los desvíos de la inflación y sus expectativas con respecto a la meta de inflación. A partir de 2010 la JDBR estableció la meta de inflación anual de largo plazo del 3%, que continúa vigente en la actualidad. La menor inflación ha contribuido a crear un entorno macroeconómico más estable, que ha favorecido el crecimiento económico sostenido, la estabilidad financiera, el desarrollo del mercado de capitales y el funcionamiento de los sistemas de pagos. Gracias a ello se lograron reducciones en la prima por riesgo inflacionario y menores tasas de interés de los TES y de crédito. A su vez, la duración de la deuda interna pública aumentó de forma importante pasando de 2,27 años en diciembre de 2002 a 5,86 años en diciembre de 2022 y la profundización financiera, medida como el nivel de la cartera como porcentaje del PIB, pasó de cerca del 20% a mediados de la década de los noventa a valores superiores al 45% en años recientes, en un contexto saludable de los establecimientos de crédito. Los logros tangibles alcanzados por el Banco de la República en el manejo de la inflación al haber contado con la autonomía que le otorgó la Constitución para cumplir con el mandato de preservar el poder adquisitivo de la moneda, junto con los importantes beneficios que se derivaron del proceso de llevar la inflación a su meta de largo plazo, hacen que el reto que actualmente enfrenta la JDBR de retornar la inflación a la meta del 3% sea aún más exigente y apremiante. Como es bien conocido, a partir de 2021, y especialmente en 2022, la inflación en Colombia volvió a convertirse en un serio problema económico, con elevados costos de bienestar. El fenómeno inflacionario no ha sido exclusivo de Colombia y es así como muchos otros países desarrollados y emergentes han visto alejarse sus tasas de inflación de las metas propuestas por sus bancos centrales5. Las razones de este fenómeno se han analizado en los recientes Informes al Congreso, y en esta nueva entrega se profundiza al respecto con información actualizada. La sólida base institucional y técnica que soporta el esquema de inflación objetivo bajo el cual opera la estrategia de política monetaria le da a la JDBR los elementos necesarios para enfrentar con confianza este difícil reto. Al respecto, en su comunicado del 25 de noviembre la JDBR reiteró su compromiso con la meta de inflación del 3,0%, la cual prevé alcanzar hacia finales de 20246. La política monetaria continuará enfocada en cumplir este objetivo, al tiempo que velará por la sostenibilidad de la actividad económica, tal y como lo ordena la Constitución. Las encuestas a analistas llevadas a cabo en marzo mostraron un incremento importante (del 32,3% en enero al 48,5% en marzo) en el porcentaje de respuestas que sitúan las expectativas de inflación a dos años o más en un rango entre el 3% y 4%. Este es un indicativo claro de recuperación de credibilidad en la meta de inflación a mediano plazo, lo cual guarda coherencia con el anuncio de la JDBR de noviembre pasado. La moderación de la tendencia alcista de la inflación que se observó en enero, y especialmente en febrero, contribuirá a reforzar esta revisión de expectativas de inflación, y ayudará a cumplir los objetivos propuestos. Luego de registrarse una inflación del 5,6% a finales de 2021, la inflación mantuvo una tendencia alcista a lo largo de 2022 debido a las presiones inflacionarias tanto de origen externo, asociadas con las secuelas de la pandemia y las consecuencias del conflicto bélico en Ucrania, como de origen interno, resultantes de: el fortalecimiento de la demanda local; los procesos de indexación de precios estimulados por el aumento de las expectativas de inflación; las afectaciones a la producción de alimentos provocadas por el paro de mediados de 2021, y el traspaso de la depreciación a los precios. Los aumentos del salario mínimo del 10% en 2021 y del 16% en 2022, que en ambos casos superaron la inflación observada y el incremento de la productividad, acentuaron los procesos de indexación al haber establecido un elevado referente de ajuste nominal. De esta forma, la inflación total aumentó al 13,1% a finales 2022. La variación anual de alimentos, que subió del 17,2% al 27,8% entre esos dos años, fue el factor que más influyó en la aceleración del Índice de Precios al Consumidor (IPC). Otro rubro que contribuyó de manera importante a las alzas de precios fue el de regulados, cuya variación anual aumentó del 7,1% en diciembre de 2021 al 11,8% a finales de 2022. Por su parte, la medida de inflación básica sin alimentos ni regulados subió del 2,5% al 9,5% entre finales de 2021 y finales de 2022. El aumento sustancial de la inflación básica muestra que la presión inflacionaria se extendió a la mayoría de los rubros de la canasta familiar, lo cual es característico de procesos inflacionarios con una indexación de precios generalizada, como ocurre en Colombia. La política monetaria empezó a reaccionar tempranamente a estas presiones inflacionarias. Fue así como a partir de su sesión de septiembre de 2021 la JDBR inició un cambio progresivo de la postura de la política monetaria a partir del mínimo histórico del 1,75% de la tasa de interés de política al cual se había llegado para estimular la recuperación de la economía. Este proceso de ajuste prosiguió sin interrupción a lo largo de 2022 y hasta inicios de 2023, cuando la tasa de política monetaria alcanzó el 12,75% en enero pasado, con lo cual acumuló un incremento de 11 puntos porcentuales (pp). El público y los mercados se han mostrado sorprendidos de que la inflación continuara aumentando, a pesar de los significativos incrementos de la tasa de interés. Pero como lo ha explicado la JDBR en sus diversas comunicaciones, la política monetaria actúa con rezago. Así como en 2022 la actividad económica se recuperó hasta alcanzar un nivel superior al de prepandemia, impulsada, entre otros factores, por el estímulo monetario otorgado durante el período de pandemia y de los meses subsiguientes, así también los efectos de la actual política monetaria restrictiva se irán dando paulatinamente, lo que permite esperar que hacia finales de 2024 la tasa de inflación converja hacia el 3%, como es el propósito de la JDBR. Los resultados de la inflación en enero y febrero de este año mostraron incrementos marginales decrecientes (13 pb y 3 pb respectivamente), en comparación con la variación observada en diciembre (59 pb). Esto sugiere que se aproxima un punto de inflexión en la tendencia de la inflación. En otros países de América Latina, como Chile, Brasil, Perú y México, la inflación llegó a su techo y ha empezado a descender lentamente, aunque con algunos altibajos. Es previsible que en Colombia ocurra un proceso similar durante los próximos meses. El descenso previsto de la inflación en 2023 obedecerá, entre otros factores, a las menores presiones de costos externos por cuenta de la progresiva normalización de las cadenas de suministro, a la superación de los choques de oferta por razones de clima y por los bloqueos viales de años anteriores, lo que se reflejará en menores ajustes en los precios de los alimentos, como ya se observó en los primeros dos meses del año y, por supuesto, al efecto rezagado de la política monetaria. El proceso de convergencia de la inflación a la meta será gradual y se extenderá más allá de 2023. Dicho proceso se facilitará si se revierten las presiones a la devaluación, para lo cual resulta esencial que se continúe consolidando la sostenibilidad fiscal y se eviten mensajes en diferentes frentes de la política pública que generan incertidumbre y desconfianza. _______________________________________ 1 Este Informe al Congreso contiene el recuadro 1 que resume la trayectoria del Banco de la República en estos 100 años. Adicionalmente, con auspicio del Banco, varios libros que profundizan diversos aspectos de la historia de esta institución fueron publicados en años recientes. Véase, por ejemplo: Historia del Banco de la República 1923-2015; Tres banqueros centrales; Junta Directiva del Banco de la República: grandes episodios en 30 años de historia; Banco de la República : 90 años de la banca central en Colombia. 2 Es por ello que una menor inflación se ha reflejado en la reducción de la desigualdad del ingreso medida a través del coeficiente de Gini al pasar de 58,7 en 1998 a 51,3 en el año previo a la pandemia. 3 Véase Gómez Javier, Uribe José Darío, Vargas Hernando (2002). “The Implementation of Inflation Targeting in Colombia”. Borrador de Economía, núm. 202, marzo, disponible en: https://repositorio.banrep.gov.co/handle/20.500.12134/5220 4 Véase López-Enciso Enrique A.; Vargas-Herrera Hernando y Rodríguez-Niño Norberto (2016). “La estrategia de inflación objetivo en Colombia. Una visión histórica”, Borrador de Economía, núm. 952. https://repositorio.banrep.gov.co/handle/20.500.12134/6263 5 Según el FMI, la variación porcentual de los precios al consumidor entre 2021 y 2022 pasó del 3,1 % al 7,3 % para las economías avanzadas, y del 5,9 % al 9,9 % para las economías de mercados emergentes y en vías de desarrollo. 6 https://www.banrep.gov.co/es/noticias/junta-directiva-banco-republica-reitera-meta-inflacion-3

Este informe presenta y describe una nueva base de datos generada en torno a cuarenta indicadores que caracterizan los regímenes migratorios de los 26 países de América Latina y el Caribe que son miembros prestatarios del BID. Los indicadores permiten realizar una comparación multidimensional de dichos regímenes, identificar patrones subregionales, y observar tendencias en la evolución reciente de estas políticas. Los indicadores se agrupan en seis áreas: instrumentos internacionales que cubren la participación de cada país en tratados y acuerdos multilaterales; instrumentos regionales que analizan la participación de los países en acuerdos a nivel de las Américas y sus subregiones; derecho a la entrada con exención de visado que mide la exigencia de visados para entrar al país; acceso a la residencia que abarca preferencias en el otorgamiento de permisos de residencia y procesos de regularización de migrantes en situación irregular; derechos durante la residencia que investigan el acceso de migrantes a servicios de salud y educación, al mercado laboral, al sufragio, así como a la residencia permanente; y nacionalidad que miden como se obtiene la nacionalidad de un país en el momento del nacimiento o, posteriormente, mediante la naturalización, así como la posibilidad de ostentar dos nacionalidades. El valor asignado a cada indicador para cada país está sustentado por una referencia a los instrumentos jurídicos que definen la política en cuestión y, en la mayoría de los indicadores, se acompaña de un texto con información adicional que explica el caso en concreto. Esta es una base de datos única para la región y se encuentra incluida en el Anexo II de este informe. También se puede acceder a la misma a través de la página web de la Unidad de Migraciones del BID. Los principales hallazgos del análisis de la base de datos son: Se observa un emergente régimen jurídico migratorio latinoamericano del siglo XXI. Este se caracteriza por la adopción de nuevas leyes de migración, generalmente acompañadas por esquemas subregionales de movilidad como el Acuerdo de Residencia Mercosur, Bolivia y Chile, y más recientemente el Estatuto Andino. Este nuevo modelo del siglo XXI incluye generalmente mecanismos permanentes de regularización de migrantes, el derecho de acceso al mercado laboral, los sistemas de salud pública, la educación pública, así como el derecho de reunificación familiar. Esto se ve complementado con un mayor acceso al derecho al voto, al menos en elecciones locales. Si bien hasta la fecha no se observa que este modelo latinoamericano haya tenido influencia en el Caribe, el mismo está claramente arraigado en las otras tres subregiones. La regularización de migrantes en situación irregular, tanto a través de mecanismos permanentes establecidos en las leyes, como a través de programas extraordinarios de regularización, es absolutamente común en América Latina, aunque no así en el Caribe. Los países de la región han llevado a cabo más de 90 regularizaciones extraordinarias desde el año 2000. Muchos de los países ofrecen acceso preferencial a la residencia permanente para migrantes de ciertos países de la región que cumplan criterios básicos, y, en algunos casos, trato preferencial para la nacionalización. Los únicos países que no permiten la residencia de manera casi automática para nacionales de al menos otro país de la región son Bahamas y Haití en el Caribe, así como Costa Rica, Guatemala, Honduras, Nicaragua, Panamá, República Dominicana y México en Mesoamérica. El porcentaje de ratificación de los instrumentos internacionales, al igual que los instrumentos regionales, es muy alto en Latinoamérica, pero mucho menor a nivel subregional en el Caribe. Los acuerdos de libre residencia y movilidad regional se han convertido es un instrumento absolutamente común en el panorama legislativo de la región, e influyen sobre muchos aspectos de la política migratoria, tales como acceso al mercado laboral o reunificación familiar. El país que requiere visas a los nacionales de más estados en la región es Venezuela con 11, seguido de México con nueve. El caso venezolano puede explicarse por su aplicación del principio de reciprocidad con los estados que solicitan visa a sus nacionales. El hecho de ser un país de tránsito hacia los Estados Unidos para algunos migrantes puede explicar el caso mexicano. El estado cuyos nacionales requieren visa en más países de la región es Haití, seguido de Venezuela y República Dominicana. En el desarrollo de la base de datos a través de los 40 indicadores se han analizado más de 435 instrumentos jurídicos de los 26 países, los cuales definen su política migratoria. El análisis de este compendio de leyes, reglamentos, decretos, ordenes administrativas, y demás instrumentos demuestra que: La edad promedio de los instrumentos jurídicos vigentes en países andinos y del Cono Sur es de 8-15 años, lo cual se compara con los 25-30 años en Mesoamérica y el Caribe. Esto demuestra una mayor labor legislativa sobre la materia en dichas dos subregiones en los últimos años. En algunas áreas, tales como la regulación del régimen de visas o los procesos extraordinarios de regularización de migrantes en situación irregular, la actividad legislativa se apoya principalmente en decretos y ordenes administrativas adoptadas por el poder ejecutivo sin intervención de los parlamentos. Esto genera reglas con menor estabilidad y certeza jurídica para todos los actores involucrados: migrantes, administración, poder judicial y otros. Esta base de datos de indicadores e instrumentos jurídicos es parte de un esfuerzo de la Unidad de Migraciones del BID de contar con información y evaluación comparada de los regímenes de política migratoria en los países de la región entre otros insumos jurídicos e institucionales. La Unidad mantendrá la base de datos actualizada con el objetivo de que se convierta en un punto de referencia fundamental para la región.

La temporada de huracanes de 2020 fue la más activa de la historia de la región, registró un total de 30 tormentas, lo cual fue más del doble del promedio anual. De las 30 tormentas, 13 fueron huracanes y 6 huracanes de mayor grado. El huracán Eta se formó el sábado 31 de octubre. El 2 de noviembre se declaró Estado de Emergencia en los departamentos de Islas de la Bahía, Cortés, Atlántida, Yoro, Colón, Olancho, Gracias a Dios, Comayagua, Francisco Morazán, el Paraíso. El 6 de noviembre se modificó este decreto y se procedió a declarar Estado de Emergencia en todo el territorio nacional, debido a los efectos de las lluvias provocadas por la Tormenta Tropical Eta. El Estado de Emergencia estaría vigente hasta el 31 de diciembre de 2020, pudiendo prorrogarse si los efectos que dieron origen a la emergencia persistiesen. El huracán Eta se disipó el 13 de noviembre, caracterizado por un comportamiento errático, presentando numerosas variaciones en su intensidad, se estimó que dejó un total de 380 a 635 mm en casi todo el territorio hondureño. Por su parte, el huracán Iota se formó el viernes 13 de noviembre. El 18 de noviembre se modificó el Decreto Ejecutivo Número PCM-109-202 y algunos artículos del decreto PCM-113-2020, para ampliar las acciones descritas allí a “otros fenómenos climáticos Iota que ocasionaran daño a la infraestructura productiva del país a nivel nacional”. Este huracán se disipó el 18 de noviembre sobre El Salvador. Este evento, durante su formación, fue catalogado bajo las categorías 4 y 5 de huracán, pero se debilitó rápidamente al tocar tierra firme. A pesar de ello, se estimó que dejaría una precipitación total de 500 a 750 mm en la parte norte del país. Los departamentos más afectados por ambos huracanes fueron Atlántida, Cortés, Santa Bárbara y Yoro. Se estima que los efectos totales causados por la tormenta tropical Eta y el huracán Iota fueron de aproximadamente L. 52 099 millones (cuadro 1). Los daños representaron el 44% de la afectación, las pérdidas 52% y los costos adicionales 4%. Nótese que el sector privado sufrió 69% de la afectación de acervo y 97% de los flujos de producción perdidos. Los costos adicionales es la única dimensión de los efectos en la que el sector público superó al privado. Los efectos totales que tuvo el desastre en el sector público fueron de aproximadamente L. 9 049 millones.

Resumen macroeconómico En el primer trimestre la inflación anual (8,5 %) continuó aumentando y superó de nuevo los pronósticos del promedio del mercado y del equipo técnico del Banco. En lo corrido del año todas las grandes canastas del índice de precios al consumidor (IPC) se aceleraron, y a marzo sus variaciones anuales se sitúan por encima del 3 %. El grupo de alimentos (25,4 %) continuó siendo el que más contribuyó al incremento de la inflación, afectado, en gran parte, por deterioros en la oferta externa y por costos crecientes de los insumos agrícolas. El aumento en los precios de algunos servicios públicos (energía y gas) y del transporte explicaron la aceleración en la canasta de regulados (8,3 %). Por su parte, la mayor persistencia de los choques de oferta y de costos externos, los efectos de la indexación, las presiones inflacionarias acumuladas provenientes de la tasa de cambio y un cierre de los excesos de capacidad productiva más rápido de lo previsto explicarían el aumento en la inflación sin alimentos ni regulados (4,5 %). Dentro de esta última canasta, las presiones externas alcistas han impactado de forma importante el grupo de bienes (6,4 %), el cual se viene acelerando desde el último trimestre de 2021. En el caso de los servicios (3,8 %), su variación anual por encima de la meta obedece principalmente al comportamiento de las comidas fuera del hogar (14,1 %), afectadas por el fuerte incremento en los precios de los alimentos, de los servicios públicos y del salario mínimo mensual legal vigente (SMMLV). Los precios de los arrendamientos y el resto de servicios registran aumentos crecientes, si bien aún inferiores al 3 %. El pronóstico y las expectativas de inflación aumentaron y se mantienen por encima de la meta como consecuencia, en parte, de unas presiones externas (precios y costos) más persistentes de lo estimado en el Informe de enero (gráficos 1.1 y 1.2). La invasión de Rusia a Ucrania ha intensificado estas presiones alcistas, en particular sobre los precios internacionales de algunos bienes e insumos agrícolas, la energía y el petróleo. Así, la nueva proyección de la inflación supone unos precios internacionales de alimentos que aumentarían hasta mediados de año y que se mantendrían altos y relativamente estables en el resto de 2022. Supone, asimismo, una recuperación menos dinámica de la oferta de alimentos perecederos como resultado de los altos precios de los insumos agrícolas. También, que los precios del petróleo empiecen a ceder desde el segundo semestre del presente año, pero desde valores superiores a los considerados en el Informe anterior. Frente al mismo, una senda proyectada de inflación más alta podría acentuar la indexación y elevar las expectativas de inflación. Adicionalmente, la reversión de la rebaja del impuesto al valor agregado (IVA) aplicada a productos de aseo e higiene por cuenta del vencimiento de la emergencia sanitaria generaría aumentos en los precios de estos bienes. A todo esto se suma la ausencia de excesos de capacidad productiva en el horizonte de pronóstico, con niveles de brecha de producto cercanos a cero y algo más altos de lo proyectado en enero pasado. Así, hasta junio la inflación anual continuaría en niveles altos similares a los actuales, para luego descender, aunque de una forma más lenta que la proyectada en el informe anterior. El proceso de ajuste de la tasa de interés de política monetaria contribuiría a que la inflación y sus expectativas retomen su convergencia a la meta en el horizonte de pronóstico. Así, al finalizar 2022 la inflación terminaría alrededor del 7,1 % para luego descender al 4,8 % en 2023. La actividad económica volvió a sorprender al alza y el pronóstico de crecimiento económico para 2022 aumentó desde el 4,3 % al 5 % (Gráfico 1.3). En el cuarto trimestre de 2021 el aumento anual del producto (10,7 %), superior al estimado, estuvo impulsado por la dinámica de la demanda interna, principalmente por el significativo desempeño del consumo privado, con niveles muy superiores a los registrados antes de la pandemia. La inversión también registró una recuperación importante, pero sin alcanzar los niveles de 2019 y con comportamientos mixtos en sus componentes. El déficit de la balanza comercial se amplió, con un notable crecimiento de las importaciones similar al de las exportaciones. Frente al Informe de enero, el índice de seguimiento a la economía (ISE) de enero y febrero sugiere que el nivel del producto del primer trimestre alcanzaría registros superiores a los estimados y que el choque de demanda positivo observado al final de 2021 podría estar desvaneciéndose más lentamente de lo anticipado. En el caso particular del consumo, las importaciones de bienes de este tipo, las cifras de comercio al por menor, los ingresos reales de restaurantes y hoteles, y las compras con tarjeta de crédito indican que el gasto de los hogares sigue dinámico, con niveles similares a los registrados a finales de 2021. Las cifras de lanzamientos e iniciaciones de obras y las importaciones de bienes de capital sugieren que la inversión se seguiría recuperando, pero mantendría valores inferiores a los de prepandemia. Para lo que resta del año se espera que el consumo se desacelere desde los altos niveles alcanzados en los últimos dos trimestres en el entorno de unas condiciones financieras internas y externas menos holgadas, agotamiento del efecto de demanda represada y deterioro del ingreso disponible debido al aumento de la inflación. La inversión continuaría recuperándose, mientras que el déficit comercial se reduciría, favorecido por los altos precios del petróleo y de otros bienes básicos que exporta el país. Con todo esto, se proyecta un crecimiento económico del 7,2 % (antes 5,2 %) para el primer trimestre y del 5,0 % (antes 4,3 %) para todo 2022. En 2023 el crecimiento del producto continuaría moderándose (2,9 %, antes 3,1 %), convergiendo a tasas cercanas a las de largo plazo. Las nuevas estimaciones sugieren que, en el horizonte de pronóstico, la brecha del producto se mantendría en niveles cercanos a cero, pero más cerrada que lo proyectado en enero (Gráfico 1.4). Estos pronósticos de actividad económica continúan enfrentando niveles altos de incertidumbre asociados con las tensiones geopolíticas y las condiciones del financiamiento externo, la incertidumbre propia del ciclo electoral y la evolución de la pandemia. La proyección del crecimiento de la demanda externa se redujo, en un contexto de mayores presiones sobre la inflación global, de altos precios del petróleo y de condiciones financieras internacionales menos holgadas que las estimadas en enero. La invasión de Rusia a Ucrania y sus efectos alcistas sobre los precios de algunos bienes e insumos agrícolas y las cotizaciones del petróleo acentuaron las presiones inflacionarias globales originadas por restricciones de oferta y aumento de costos internacionales. La caída en la oferta de crudo desde Rusia, los niveles bajos de inventarios y la persistencia de recortes de producción por parte de la Organización de Países Productores de Petróleo y sus aliados (OPEP+) explican el alza en el supuesto del precio del petróleo para 2022 (USD 100,8 por barril, antes USD 75,3 por barril) y 2023 (USD 86,8 por barril, antes USD 71,2 por barril). En los Estados Unidos el aumento de la inflación y de sus expectativas, junto con el buen desempeño del mercado laboral y de la actividad económica, incrementaron la senda esperada de la tasa de interés de la Reserva Federal (Fed) para el presente y el siguiente año. La normalización de la política monetaria en varias economías desarrolladas y emergentes, los choques más persistentes de oferta y de costos, y los rebrotes del Covid-19 en algunos países de Asia contribuyeron a reducir el pronóstico promedio de crecimiento de los socios comerciales del país para 2022 (2,8 %, antes 3,3 %) y 2023 (2,4 %, antes 2,6 %). En este contexto, la senda proyectada de la prima de riesgo para el país aumentó, en parte como reflejo de las mayores tensiones geopolíticas globales, una política monetaria menos expansiva en los Estados Unidos, el incremento en la percepción de riesgo para los mercados emergentes y por factores internos, como los desbalances macroeconómicos acumulados y la incertidumbre política. Todo esto se resume en unas condiciones de financiamiento externo menos holgadas que las estimadas en enero. No obstante, los niveles de incertidumbre de los pronósticos externos y su impacto sobre el escenario macroeconómico del país se mantienen elevados, dada la imprevisible evolución del conflicto entre Rusia y Ucrania, así como de la pandemia. Este escenario macroeconómico, caracterizado por una alta inflación, pronósticos y expectativas de inflación superiores al 3 %, además de una brecha de producto cercana a cero, implica un mayor riesgo de desanclaje de las expectativas de inflación y un espacio muy limitado para una política monetaria expansiva. Frente a los pronósticos del Informe de enero, el desempeño de la demanda interna ha sido más dinámico y los excesos de capacidad productiva se habrían cerrado más rápido. Además de este factor, las sorpresas al alza de la inflación total y básica son el reflejo de unos choques externos más fuertes y persistentes de oferta y costos. La invasión de Rusia a Ucrania hizo más agudas y persistentes las restricciones de oferta y las presiones de costos internacionales, y explicó, en parte, el incremento en la senda de pronóstico de la inflación, a niveles que superan la meta en los siguientes dos años. Las expectativas de inflación volvieron a incrementarse y superan el 3 %. Todo lo anterior aumentó el riesgo de desanclaje de las expectativas de inflación y podría generar procesos de indexación generalizados que alejen aún más la inflación de la meta. Este nuevo contexto macroeconómico sugiere que habría un espacio muy reducido para una política monetaria expansiva. 1.2 Decisión de política monetaria La Junta Directiva del Banco de la República (JDBR) decidió continuar con el proceso de ajuste de la política monetaria y en sus reuniones de marzo y abril de 2022 decidió, por mayoría, incrementar la tasa de política monetaria en 100 puntos básicos (pb) en cada una, llevándola al 6,0 % (Gráfico 1.5).

La actividad económica se ha recuperado a una mayor velocidad de la proyectada y el producto alcanzaría su nivel prepandemia antes de lo esperado. La proyección de crecimiento económico para 2021 y 2022 se incrementó, pero los sesgos a la baja son significativos (Gráfico 1.1). En el tercer trimestre la economía colombiana retomó su senda de recuperación después de los fuertes choques de oferta y de la tercera ola de contagios de la pandemia registrados en el segundo. En el tercer trimestre no se presentaron choques negativos que afectaran la movilidad y el producto, y algunos indicadores de actividad económica señalan que el ritmo de recuperación de la demanda, principalmente del consumo, sería más rápido que el estimado en el informe anterior, en un entorno de una política monetaria ampliamente expansiva. En lo que resta del año y hacia 2022 algunos factores seguirían contribuyendo a la recuperación del producto. La persistencia de condiciones financieras internacionales favorables, la mejora esperada de la demanda externa y el aumento de los términos de intercambio aportarían a una mejor dinámica de la actividad económica. A esto se sumarían los efectos de los avances en el programa de vacunación, los mayores niveles de empleo esperados y su efecto positivo sobre el ingreso de los hogares, el mejor desempeño de la inversión (que todavía no ha recuperado sus niveles prepandemia) y el estímulo provisto por una política monetaria que continuaría siendo expansiva. Con esto se estima que el nivel del producto previo a la pandemia se haya alcanzado en el tercer trimestre de este año (cuando antes se preveía que fuera para el cuarto trimestre), que el crecimiento para 2022 se desacelere y que los excesos de capacidad productiva se cierren a una velocidad mayor que la estimada en el informe anterior. Así, se revisaron al alza las proyecciones de crecimiento del producto interno bruto (PIB) para 2021 (9,8 %, en un rango entre el 8,4 % y el 11,2 %) y 2022 (4,7 %, en un rango entre el 0,7 % y el 6,5 %). De confirmarse estas estimaciones, entre 2020 y 2022 el producto registraría un aumento promedio del 2,3%, cifra inferior al crecimiento sostenible de largo plazo estimado para Colombia antes de la pandemia. El nuevo pronóstico de crecimiento de 2022 sigue teniendo en cuenta una base baja de comparación un año atrás (debido a los efectos negativos de la pandemia y los bloqueos) y su revisión al alza supone que los niveles de consumo que se estiman para finales de 2021 se mantendrían relativamente estables en 2022, mientras que la inversión y las exportaciones netas continuarían recuperándose a un mejor ritmo que el estimado en el informe anterior. No obstante, sobre estas estimaciones persisten riesgos a la baja inusualmente altos. En primer lugar, porque no se suponen efectos significativos sobre la actividad económica de posibles nuevas olas de contagio del Covid-19. En segundo lugar, los altos niveles del consumo privado, que ya superan por amplio margen los registrados antes de la pandemia, podrían tener un comportamiento menos favorable que el estimado en este pronóstico, toda vez que pueden estar reflejando un fenómeno temporal de demanda represada, en un entorno de apertura de algunos servicios (v. g.: turismo) y de una desacumulación del ahorro privado registrado durante la pandemia. En tercer lugar, las disrupciones en las cadenas de suministro podrían ser más persistentes que lo considerado en este informe, seguir impactando los costos de producción y afectar negativamente la actividad económica. Finalmente, la acumulación de desbalances macroeconómicos en Colombia genera una mayor vulnerabilidad del país ante un cambio fuerte en la percepción de riesgo de los agentes, locales y externos, o en las condiciones financieras internacionales, lo que representa un riesgo a la baja sobre el crecimiento. El aumento de la inflación por encima de lo esperado, la persistencia de algunos choques de oferta y unos menores excesos de capacidad productiva incrementaron la proyección de la inflación en el horizonte de pronóstico y la sitúan por encima de la meta (Gráfico 1.2). En el tercer trimestre la inflación se incrementó más de lo estimado y se ubicó en el 4,51 %. Esta sorpresa se explicó en gran parte por el comportamiento de los precios de los alimentos y de los regulados, y en menor medida por la inflación básica. El incremento de los precios y de los costos internacionales continúa generando presiones al alza sobre varias subcanastas del índice de precios al consumidor (IPC), a lo que se suma la reversión parcial de algunos de los alivios de precios implementados en 2020. El pronóstico de la inflación se revisó al alza por una persistencia de los choques externos que sería mayor que la estimada en el informe anterior y por los efectos de la indexación a una mayor inflación sobre algunos precios de la economía. Adicionalmente, los excesos de capacidad productiva se estarían reduciendo más rápido de lo previsto, lo que se reflejaría en menores presiones a la baja sobre la inflación básica. Con esto, la inflación total alcanzaría el 4,9 % y 3,6 % para finales de 2021 y 2022, respectivamente. Para las mismas fechas, la inflación básica (sin alimentos ni regulados: SAR) se situaría en el 2,5 % y 3,9 % (Gráfico 1.3), incremento explicado, en parte, por choques transitorios asociados con los efectos de las medidas tributarias, como los días sin impuesto al valor agregado (IVA)1. No obstante, estas estimaciones mantienen un amplio margen de incertidumbre asociado, parcialmente, con la magnitud de los excesos de capacidad productiva en la economía y la velocidad con la que estos se sigan reduciendo. También, por una mayor volatilidad en los precios y en su medición por cuenta de la extensión de la emergencia sanitaria y los alivios de impuestos aprobados en la Ley de Inversión Social (v. g.: los días sin IVA), hechos que dificultan estimar la inflación básica en el horizonte de pronóstico. Finalmente, por el riesgo de que la mayor persistencia de los choques de oferta afecte las expectativas de inflación o induzcan un aumento en la indexación de algunas canastas del IPC con especto a lo contemplado en el pronóstico. La demanda externa relevante para el país continuaría recuperándose, en un entorno de mayores presiones sobre la inflación global. Las condiciones financieras internacionales seguirían siendo favorables, aunque se espera un aumento en el costo externo de financiamiento en el horizonte de pronóstico. En el primer semestre de 2021 el crecimiento de los socios comerciales resultó mejor de lo esperado. El buen desempeño de la actividad económica se ha dado en un contexto de importantes avances en la vacunación, amplia liquidez internacional y de una recuperación en el comercio de bienes. Sin embargo, la propagación de nuevas cepas del virus y la persistencia de los problemas en las cadenas globales de suministro han moderado los pronósticos para lo que resta del año. Con todo lo anterior, se revisó el supuesto de crecimiento de los principales socios comerciales del país del 6,0 % al 6,3 % para 2021 y del 3,5 % al 3,4 % para 2022. Los términos de intercambio del país se han incrementado debido principalmente a los aumentos en las cotizaciones del petróleo, café y carbón, a pesar de las alzas en los precios de los bienes y servicios que compra el país. Hacia adelante, se sigue esperando una reducción del precio del petróleo en la medida en que se moderen los problemas en los mercados de bienes del gas y el carbón, y que se amplíe la oferta mundial de crudo. El aumento en los fletes y las disrupciones en las cadenas de suministro continúan generando aumentos significativos en los costos de producción mundial. Esto, junto con la recuperación de la demanda global, ha presionado al alza la inflación externa. En este entorno varios países emergentes han iniciado una normalización de su política monetaria. Para los Estados Unidos, el mercado espera que la inflación sea más alta para 2021 y parte de 2022, que el tapering se inicie a finales de este año y se supone que el primer incremento de la tasa de interés de política monetaria se dé a finales de 2022, con otro aumento a mediados de 2023. Por su parte, las primas de riesgo soberano de Colombia han sido superiores a las del trimestre anterior. En este contexto, el pronóstico de este informe supone una convergencia más rápida de la prima de riesgo a niveles por encima del promedio de los últimos quince años, debido, en parte, a la acumulación de desbalances macroeconómicos del país. Con todo esto, las condiciones financieras internacionales continuarían siendo holgadas, aunque menos de lo previsto en el informe anterior. El aumento del costo de financiamiento externo para Colombia podría ser mayor si las presiones alcistas sobre la inflación en los Estados Unidos persisten y adelantan la normalización de la política monetaria en ese país. En general, la incertidumbre sobre el contexto externo sigue siendo inusualmente elevada debido a que se desconoce la evolución de la pandemia, la persistencia de las disrupciones en las cadenas globales de suministro, los impactos de la crisis energética, y una mayor desaceleración de China, entre otros factores. Frente al informe de julio, los excesos de capacidad productiva se reducen a un ritmo mayor que el esperado (Gráfico 1.4), las inflaciones total y básica presentan tendencias crecientes, las expectativas de inflación han aumentado (aunque se ubican cerca del 3 % a mediano plazo) y la política monetaria continúa siendo expansiva. El sorpresivo ritmo de crecimiento económico y la evolución de algunos precios de la economía sugieren que los excesos de capacidad estarían reduciéndose más rápido de lo previsto. Asimismo, el mejor desempeño de la demanda interna se ha visto reflejado en una ampliación del déficit de la cuenta corriente. La inflación básica continúa por debajo del 3 %, pero muestra una tendencia al alza, mientras que las expectativas de inflación han aumentado, aunque para el mediano plazo se mantienen alrededor del 3 %. No obstante, se ha incrementado el riesgo de que una mayor persistencia de los choques de oferta y su efecto alcista sobre los precios afecten las expectativas de inflación, produzcan una mayor indexación, y alejen la inflación de la meta de forma más persistente. El mercado laboral continúa holgado, aunque las cifras de septiembre mostraron una recuperación mejor que la esperada. Con todo esto, se estima que la brecha del producto siga siendo negativa, pero menos que antes, y que los choques transitorios de oferta que han afectado la inflación sean más persistentes. Así, el equipo técnico considera que la disyuntiva entre excesos de capacidad productiva e inflación por encima de la meta continúa, pero el balance se inclina hacia un riesgo más alto de mayor inflación. 1.2 Decisión de política monetaria La Junta Directiva del Banco de la República (JDBR) decidió iniciar un proceso de normalización de la política monetaria a partir de la reunión de septiembre de 2021. En las reuniones de septiembre y octubre la JDBR decidió por mayoría incrementar la tasa de política monetaria en 25 y 50 puntos básicos (pb), respectivamente, para ubicarla en el 2,5 %.