Log in

Relevant bibliographies by topics / AgGaGeS4 / Journal articles

To see the other types of publications on this topic, follow the link: AgGaGeS4.

Journal articles on the topic 'AgGaGeS4'

Author: Grafiati

Published: 25 May 2024

Create a spot-on reference in APA, MLA, Chicago, Harvard, and other styles

Select a source type:

Consult the top 38 journal articles for your research on the topic 'AgGaGeS4.'

Next to every source in the list of references, there is an 'Add to bibliography' button. Press on it, and we will generate automatically the bibliographic reference to the chosen work in the citation style you need: APA, MLA, Harvard, Chicago, Vancouver, etc.

You can also download the full text of the academic publication as pdf and read online its abstract whenever available in the metadata.

Browse journal articles on a wide variety of disciplines and organise your bibliography correctly.

1

МИРОНЧУК, Галина, Тарас МЕЛЬНИЧУК, Ярослав ЄНДРИКА, and Вайдотас КАЖУКАУСКАС. "ОПТИЧНІ ТА НЕЛІНІЙНО-ОПТИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ КРИСТАЛІВ AgGaGeS4, ЛЕГОВАНИХ Er." Physics and educational technology, no. 1 (October 31, 2022): 41–47. http://dx.doi.org/10.32782/pet-2022-1-5.

Full text

Abstract:

У роботі проведено аналіз впливу ширини забороненої зони та середніх розмірів зерен на інтенсивність генерації другої гармоніки кристалів AgGaGeS4 та AgGaGeS4 легованого Er. Для оцінки ширини забороненої зони проведено дослідження спектрального розподілу коефіцієнта поглинання в області краю фундаментального поглинання. Оцінена ширина забороненої зони на рівні α = 350 см-1 при Т=300 К становить 2,83 та 2,91 еВ для AgGaGeS4 та AgGaGeS4:Er відповідно. Встановлено, що введення рідкоземельного елементу (Er) до AgGaGeS4 сприяє збільшенню ширини забороненої зони досліджуваної сполуки. Внаслідок нецентросиметричності кристалічної структури кристали AgGaGeS4, леговані рідкоземельними металами, викликають інтерес внаслідок потенційного їх використання в електрооптичних та нелінійно-оптичних пристроях. З огляду на це нами проведено дослідження генерації другої гармоніки. Встановлено, що інтенсивність генерації другої гармоніки в легованих кристалах є меншою в порівнянні з такою в нелегованих зразках. Важливим є те, що при збільшенні розміру зерен інтенсивність SGH збільшується як у кристалах AgGaGeS4, так і в AgGaGe3Se8:Er Отриманий результат свідчить про те, що багатокомпонентні халькогеніди, а саме AgGaGeS4 та AgGaGeS4:Er, є перспективними нелінійно-оптичними матеріалами, оскільки в них поріг лазерного пошкодження є більшим, а нелінійно-оптичний відгук порівняний із комерційно використовуваним AgGaS2.

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

2

Мирончук, Г. Л., Г. Є. Давидюк, О. В. Парасюк, М. В. Шевчук, О. В. Якимчук, and С. П. Данильчук. "Електричні і оптичні властивості монокристалів AgGaGe2S2Se4." Ukrainian Journal of Physics 57, no. 10 (December 5, 2021): 1050. http://dx.doi.org/10.15407/ujpe57.10.1050.

Full text

Abstract:

Досліджено монокристали твердих розчинів 50 мол.% AgGaGeS4 + 50 мол.% AgGaGe3Se8. Внаслідок статистичного розміщення у вузлах кристалічної ґратки атомів Ga і Ge, а також наявності вузлів не заповнених атомами Ag, тверді розчини проявляють властивості невпорядкованих напівпровідників з максимальною щільністю локалізованих енергетичних станів біля середини забороненої зони. Встановлено оптичну і термічну ширину забороненої зони та їх температурну залежність (Eg ≈ 2,30 еВ при T ≈ 300 К). Монокристали розчину AgGaGe2Se4 виявилися фоточутливиминапівпровідниками p-типу провідності з положенням рівня Фермі біля середини забороненої зони. Досліджено особливості електропровідностіі спектрального розподілу фотопровідності зразків розчину. Запропоновано несуперечливу фізичну модель, яка дозволяє пояснитиекспериментально одержані результати.

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

3

Мирончук Д.Б., студент., Кот Ю.О., студент, Мирончук Г.Л. к.ф.м.н., доц., and Замуруєва О.В., к.ф.-м.н. "ВПЛИВ РОЗМІРІВ ЗЕРЕН КРИСТАЛІЧНОГО ПОРОШКУ НА ІНТЕНСИВНІСТЬ ГЕНЕРАЦІЇ ДРУГОЇ ГАРМОНІКИ." Перспективні технології та прилади, no. 14 (December 4, 2019): 94–97. http://dx.doi.org/10.36910/6775-2313-5352-2019-14-16.

Full text

Abstract:

У даній роботі проведено аналіз впливу ширини забороненої зони та середніх розмірів зерен на інтенсивність генерації другої гармоніки кристалів AgGaGeS4 та AgGaGe3Se8. Отриманий результат свідчить про те, що багатокомпонентні халькогеніди, а саме AgGaGeS4 та AgGaGe3Se8, є перспективними нелінійно-оптичними матеріалами, оскільки в них поріг лазерного пошкодження є більшим, а нелінійно-оптичний відгук порівняний із комерційно використовуваними AgGaS2 та AgGaSe2.

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

4

Valakh, Mykhailo, Alexander P. Litvinchuk, Yevhenii Havryliuk, Volodymyr Yukhymchuk, Volodymyr Dzhagan, Dmytro Solonenko, Sergei A. Kulinich, et al. "Raman- and Infrared-Active Phonons in Nonlinear Semiconductor AgGaGeS4." Crystals 13, no. 1 (January 14, 2023): 148. http://dx.doi.org/10.3390/cryst13010148.

Full text

Abstract:

AgGaGeS4 is an emerging material with promising nonlinear properties in the near- and mid-infrared spectral ranges. Here, the experimental phonon spectra of AgGaGeS4 single crystals synthesized by a modified Bridgman method are presented. The infrared absorption spectra are reported. They are obtained from the fitting of reflectivity to a model dielectric function comprising a series of harmonic phonon oscillators. In the Raman spectra, several modes are registered, which were not detected in previous works. The analysis of the experimental vibrational bands is performed on the basis of a comparison with reported data on structurally related binary, ternary, and quaternary metal chalcogenides. The temperature dependence of the Raman spectra between room temperature and 15 K is also investigated.

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

5

Vu, Tuan V., Vo D. Dat, A. A. Lavrentyev, B. V. Gabrelian, Nguyen N. Hieu, G. L. Myronchuk, and O. Y. Khyzhun. "Electronic and optical properties of thiogermanate AgGaGeS₄: theory and experiment." RSC Advances 13, no. 2 (2023): 881–87. http://dx.doi.org/10.1039/d2ra07639j.

Full text

Abstract:

The electronic and optical properties of a AgGaGeS4 crystal were studied by first-principles calculations, and experimental X-ray photoelectron and emission spectra were measured to verify the theoretical data.

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

6

Vasil’eva, I. G., and R. E. Nikolaev. "Saturated vapor pressure over AgGaGeS4 crystals." Inorganic Materials 42, no. 12 (December 2006): 1299–301. http://dx.doi.org/10.1134/s002016850612003x.

Full text

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

7

Vasilyeva, Inga G., and Ruslan E. Nikolaev. "Non-stoichiometry and point native defects in non-oxide non-linear optical large single crystals: advantages and problems." CrystEngComm 24, no. 8 (2022): 1495–506. http://dx.doi.org/10.1039/d1ce01423d.

Full text

Abstract:

Advances and limitations in the field of growing large, high optical quality single crystals of AgGaS2 (AGS), AgGaGeS4 (AGGS), ZnGeP2 (ZGP), LiInS2 (LIS), LiGaS2 (LGS), LiInSe2 (LISe), LiGaSe2 (LGSe) and LiGaTe2 (LGT) are considered in this article.

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

8

Davydyuk, G. Ye, G. L. Myronchuk, G. Lakshminarayana, O. V. Yakymchuk, A. H. Reshak, A. Wojciechowski, P. Rakus, et al. "IR-induced features of AgGaGeS4 crystalline semiconductors." Journal of Physics and Chemistry of Solids 73, no. 3 (March 2012): 439–43. http://dx.doi.org/10.1016/j.jpcs.2011.11.026.

Full text

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

9

Yurchenko, O. M., I. D. Olekseyuk, O. V. Parasyuk, and V. Z. Pankevich. "Single crystal growth and properties of AgGaGeS4." Journal of Crystal Growth 275, no. 1-2 (February 2005): e1983-e1985. http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2004.11.319.

Full text

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

10

Adamenko, D., A. Say, O. Parasyuk, I. Martynyuk-Lototska, and R. Vlokh. "Magnetooptic rotation and thermal expansion of AgGaGeS4 crystals." Ukrainian Journal of Physical Optics 17, no. 3 (2016): 105. http://dx.doi.org/10.3116/16091833/17/3/105/2016.

Full text

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

11

Martynyuk-Lototska, I., O. Parasyuk, and R. Vlokh. "Acoustic and elastic anisotropies of acoustooptic AgGaGeS4 crystals." Ukrainian Journal of Physical Optics 17, no. 4 (2016): 141. http://dx.doi.org/10.3116/16091833/17/4/141/2016.

Full text

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

12

Schunemann, Peter G., Kevin T. Zawilski, and Thomas M. Pollak. "Horizontal gradient freeze growth of AgGaGeS4 and AgGaGe5Se12." Journal of Crystal Growth 287, no. 2 (January 2006): 248–51. http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2005.11.017.

Full text

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

13

Wu, Haixin, Youbao Ni, Chen Lin, Mingsheng Mao, Ganchao Cheng, and Zhenyou Wang. "Growth of large size AgGaGeS4 crystal for infrared conversion." Frontiers of Optoelectronics in China 4, no. 2 (May 12, 2011): 137–40. http://dx.doi.org/10.1007/s12200-011-0155-8.

Full text

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

14

Nikolaev, R. E., and I. G. Vasilyeva. "A new way of phase identification, of AgGaGeS4∙nGeS2 crystals." Journal of Solid State Chemistry 203 (July 2013): 340–44. http://dx.doi.org/10.1016/j.jssc.2013.05.002.

Full text

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

15

Lin, Changgui, Haizheng Tao, Ruikun Pan, Xiaolin Zheng, Guoping Dong, Haochun Zang, and Xiujian Zhao. "Permanent second-harmonic generation in AgGaGeS4 bulk-crystallized chalcogenide glasses." Chemical Physics Letters 460, no. 1-3 (July 2008): 125–28. http://dx.doi.org/10.1016/j.cplett.2008.05.094.

Full text

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

16

Shevchuk, M. V., V. V. Atuchin, A. V. Kityk, A. O. Fedorchuk, Y. E. Romanyuk, S. CaŁus, O. M. Yurchenko, and O. V. Parasyuk. "Single crystal preparation and properties of the AgGaGeS4–AgGaGe3Se8 solid solution." Journal of Crystal Growth 318, no. 1 (March 2011): 708–12. http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2010.10.038.

Full text

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

17

Huang, Wei, Zhiyu He, Beijun Zhao, Shifu Zhu, Baojun Chen, and Ying Wu. "Effect of Thermal Annealing Treatment and Defect Analysis on AgGaGeS4 Single Crystals." Inorganic Chemistry 58, no. 16 (July 30, 2019): 10846–55. http://dx.doi.org/10.1021/acs.inorgchem.9b01162.

Full text

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

18

Petrov, V., V. Badikov, G. Shevyrdyaeva, V. Panyutin, and V. Chizhikov. "Phase-matching properties and optical parametric amplification in single crystals of AgGaGeS4." Optical Materials 26, no. 3 (August 2004): 217–22. http://dx.doi.org/10.1016/j.optmat.2004.04.007.

Full text

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

19

Rame, Jérémy, Johan Petit, Denis Boivin, Nicolas Horezan, Jean Michel Melkonian, Antoine Godard, and Bruno Viana. "Homogeneity characterization in AgGaGeS4, a single crystal for nonlinear mid-IR laser applications." Journal of Crystal Growth 548 (October 2020): 125814. http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2020.125814.

Full text

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

20

Huang, Wei, Zhiyu He, Beijun Zhao, Shifu Zhu, and Baojun Chen. "Crystal growth, structure, and optical properties of new quaternary chalcogenide nonlinear optical crystal AgGaGeS4." Journal of Alloys and Compounds 796 (August 2019): 138–45. http://dx.doi.org/10.1016/j.jallcom.2019.05.066.

Full text

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

21

Wu, Jun, Wei Huang, Hong-gang Liu, Zhiyu He, Baojun Chen, Shifu Zhu, Beijun Zhao, Yuxing Lei, and Xiaonan Zhou. "Investigation of the Thermal Properties and Crystal Growth of the Nonlinear Optical Crystals AgGaS2 and AgGaGeS4." Crystal Growth & Design 20, no. 5 (March 19, 2020): 3140–53. http://dx.doi.org/10.1021/acs.cgd.0c00018.

Full text

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

22

Huang, Changbao, Mingsheng Mao, Haixin Wu, and Jiaren Ma. "Pressure-Assisted Method for the Preparations of High-Quality AaGaS2 and AgGaGeS4 Crystals for Mid-Infrared Laser Applications." Inorganic Chemistry 57, no. 23 (November 9, 2018): 14866–71. http://dx.doi.org/10.1021/acs.inorgchem.8b02626.

Full text

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

23

Dang, Junhui, Naizheng Wang, Jiyong Yao, Yuandong Wu, Zheshuai Lin, and Dajiang Mei. "AgGaGeSe4: An Infrared Nonlinear Quaternary Selenide with Good Performance." Symmetry 14, no. 7 (July 12, 2022): 1426. http://dx.doi.org/10.3390/sym14071426.

Full text

Abstract:

The symmetry of crystals is an extremely important property of crystals. Crystals can be divided into centrosymmetric and non-centrosymmetric crystals. In this paper, an infrared (IR) nonlinear optical (NLO) material AgGaGeSe4 was synthesized. The related performance analysis, nonlinear optical properties, and first-principle calculation of AgGaGeSe4 were also introduced in detail. In the AgGaGeSe4 structure, Ge4+ was replaced with Ga3+ and produced the same number of vacancies at the Ag+ position. The low content of Ge doping kept the original chalcopyrite structure and improved its optical properties such as the band gap. The UV-Vis diffuse reflection spectrum shows that the experimental energy band gap of AgGaGeSe4 is 2.27 eV, which is 0.48 eV larger than that of AgGaSe2 (1.79 eV). From the perspective of charge-transfer engineering strategy, the introduction of Group IV Ge elements into the crystal structure of AgGaSe2 effectively improves its band gap. The second harmonic generation (SHG) effect of AgGaGeSe4 is similar to that of AgGaSe2, and at 1064 nm wavelength, the birefringence of AgGaGeSe4 is 0.03, which is greater than that of AgGaSe2 (∆n = 0.02). The results show that AgGaGeSe4 possessed better optical properties than AgGaSe2, and can been broadly applied as a good infrared NLO material.

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

24

Miyata, Kentaro, Valentin Petrov, and Kiyoshi Kato. "Phase-matching properties for AgGaGeS_4." Applied Optics 46, no. 23 (August 8, 2007): 5728. http://dx.doi.org/10.1364/ao.46.005728.

Full text

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

25

Miyata, Kentaro, Valentin Petrov, and Kiyoshi Kato. "Phase-matching properties for AgGaGeS_4: erratum." Applied Optics 46, no. 27 (September 20, 2007): 6848. http://dx.doi.org/10.1364/ao.46.006848.

Full text

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

26

De-Ming, Ren, Huang Jin-Zhe, Qu Yan-Chen, Hu Xiao-Yong, Andreev Yuri, Geiko Pavel, Badikov Valerii, and Shaiduko Anna. "Optical properties and frequency conversion with AgGaGeS 4 crystal." Chinese Physics 13, no. 9 (September 2004): 1468–73. http://dx.doi.org/10.1088/1009-1963/13/9/019.

Full text

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

27

Huang, Wei, Beijun Zhao, Shifu Zhu, Zhiyu He, Baojun Chen, Yunxiao Pu, Li Lin, Zhangrui Zhao, and Yikai Zhong. "Synthesis of AgGaGeS 4 polycrystalline materials by vapor transporting and mechanical oscillation method." Journal of Crystal Growth 468 (June 2017): 469–72. http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2016.12.027.

Full text

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

28

Kuznik, Wojciech, Piotr Rakus, Katarzyna Ozga, Oleh V. Parasyuk, Anatolii O. Fedorchuk, Lyudmyla V. Piskach, Andriy Krymus, and Iwan V. Kityk. "Laser-induced piezoelectricity in AgGaGe3–xSixSe8chalcogenide single crystals." European Physical Journal Applied Physics 70, no. 3 (June 2015): 30501. http://dx.doi.org/10.1051/epjap/2015150103.

Full text

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

29

Tsubouchi, Masaaki, and Takamasa Momose. "Cross-correlation frequency-resolved optical gating for mid-infrared femtosecond laser pulses by an AgGaGeS_4 crystal." Optics Letters 34, no. 16 (August 7, 2009): 2447. http://dx.doi.org/10.1364/ol.34.002447.

Full text

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

30

Kuznik, W., P. Rakus, O. V. Parasyuk, V. Kozer, A. O. Fedorchuk, and V. A. Franiv. "Growth of AgGaGe3−xSnxSe8 single crystals with light-operated piezoelectricity." Materials Letters 161 (December 2015): 705–7. http://dx.doi.org/10.1016/j.matlet.2015.09.071.

Full text

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

31

Wang, Tie-Jun, Zhi-Hui Kang, Hong-Zhi Zhang, Zhi-Shu Feng, Yun Jiang, Jin-Yue Gao, Yury M. Andreev, Gregory V. Lanskii, and Anna V. Shaiduko. "Model and experimental investigation of frequency conversion in AgGaGexS2(1 +x)(x= 0, 1) crystals." Journal of Physics D: Applied Physics 40, no. 5 (February 16, 2007): 1357–62. http://dx.doi.org/10.1088/0022-3727/40/5/008.

Full text

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

32

El-Naggar, A. M., A. A. Albassam, O. Parasyuk, I. V. Kityk, G. Myronchuk, O. Zamuruyeva, Yu Kot, et al. "Optical and non-linear optical properties of the solid solutions AgGaGe3(1–x)Si3xSe8." Optik 168 (September 2018): 397–402. http://dx.doi.org/10.1016/j.ijleo.2018.04.095.

Full text

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

33

Krymus, A. S., G. L. Myronchuk, and O. V. Parasyuk. "Influence of Cu-, Sn-, and In-Doping on Optical Properties of AgGaGe3 Se8 Single Crystals." Ukrainian Journal of Physics 61, no. 7 (July 2016): 606–12. http://dx.doi.org/10.15407/ujpe61.07.0606.

Full text

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

34

Kityk, I. V., G. L. Myronchuk, O. V. Parasyuk, A. S. Krymus, P. Rakus, A. M. El-Naggar, A. A. Albassam, G. Lakshminarayana, and A. O. Fedorchuk. "Specific features of photoconductivity and photoinduced piezoelectricity in AgGaGe 3 Se 8 doped crystals." Optical Materials 63 (January 2017): 197–206. http://dx.doi.org/10.1016/j.optmat.2016.05.029.

Full text

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

35

ANDREEV, YU, P. P. GEIKO, V. V. BADIKOV, G. C. BHAR, DAS S., and A. K. CHAUDHURY. "NONLINEAR OPTICAL PROPERTIES OF DEFECT TETRAHEDRAL CRYSTALS HgGa 2 S 4 AND AgGaGeS 4 AND MIXED CHALCOPYRITE CRYSTAL Cd (0.4) Hg (0.6) Ga 2 S 4." Nonlinear Optics 29, no. 1 (January 1, 2002): 19–27. http://dx.doi.org/10.1080/10587260213932.

Full text

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

36

Huang, Wei, Zhiyu He, Shifu Zhu, Beijun Zhao, Baojun Chen, and Sijia Zhu. "Polycrystal Synthesis, Crystal Growth, Structure, and Optical Properties of AgGaGenS2(n+1) (n = 2, 3, 4, and 5) Single Crystals for Mid-IR Laser Applications." Inorganic Chemistry 58, no. 9 (April 12, 2019): 5865–74. http://dx.doi.org/10.1021/acs.inorgchem.9b00191.

Full text

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

37

El Radaf, I. M., and H. Y. S. Al-Zahrani. "Study of morphological, structural, optical, and optoelectrical properties of novel AgGaGeS4 thin films synthesized by thermal evaporation procedure." Journal of Materials Science: Materials in Electronics 34, no. 8 (March 2023). http://dx.doi.org/10.1007/s10854-023-10086-6.

Full text

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

38

Liu, Xinyao, Jing Peng, Xiao Xiao, Zhengbin Xiong, Gaohai Huang, Baojun Chen, Zhiyu He, and Wei Huang. "Crystal Growth, Characterization, and Thermal Annealing of Nonlinear Optical Crystals AgGaGe_nSe_2(n+1) (n = 1.5, 1.75, 2, 3, 4, 5, and 9) for Mid-infrared Applications." Inorganic Chemistry, April 15, 2022. http://dx.doi.org/10.1021/acs.inorgchem.2c00417.

Full text

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

We offer discounts on all premium plans for authors whose works are included in thematic literature selections. Contact us to get a unique promo code!