Relevant bibliographies by topics / AgGaGeS4

Contents

  1. Journal articles
  2. Dissertations / Theses
  3. Book chapters
  4. Conference papers

Academic literature on the topic 'AgGaGeS4'

Author: Grafiati
Published: 25 May 2024

Create a spot-on reference in APA, MLA, Chicago, Harvard, and other styles

Select a source type:

Consult the lists of relevant articles, books, theses, conference reports, and other scholarly sources on the topic 'AgGaGeS4.'

Next to every source in the list of references, there is an 'Add to bibliography' button. Press on it, and we will generate automatically the bibliographic reference to the chosen work in the citation style you need: APA, MLA, Harvard, Chicago, Vancouver, etc.

You can also download the full text of the academic publication as pdf and read online its abstract whenever available in the metadata.

Journal articles on the topic "AgGaGeS4"

1

МИРОНЧУК, Галина, Тарас МЕЛЬНИЧУК, Ярослав ЄНДРИКА, and Вайдотас КАЖУКАУСКАС. "ОПТИЧНІ ТА НЕЛІНІЙНО-ОПТИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ КРИСТАЛІВ AgGaGeS4, ЛЕГОВАНИХ Er." Physics and educational technology, no. 1 (October 31, 2022): 41–47. http://dx.doi.org/10.32782/pet-2022-1-5.

Full text
Abstract:
У роботі проведено аналіз впливу ширини забороненої зони та середніх розмірів зерен на інтенсивність генерації другої гармоніки кристалів AgGaGeS4 та AgGaGeS4 легованого Er. Для оцінки ширини забороненої зони проведено дослідження спектрального розподілу коефіцієнта поглинання в області краю фундаментального поглинання. Оцінена ширина забороненої зони на рівні α = 350 см-1 при Т=300 К становить 2,83 та 2,91 еВ для AgGaGeS4 та AgGaGeS4:Er відповідно. Встановлено, що введення рідкоземельного елементу (Er) до AgGaGeS4 сприяє збільшенню ширини забороненої зони досліджуваної сполуки. Внаслідок нецентросиметричності кристалічної структури кристали AgGaGeS4, леговані рідкоземельними металами, викликають інтерес внаслідок потенційного їх використання в електрооптичних та нелінійно-оптичних пристроях. З огляду на це нами проведено дослідження генерації другої гармоніки. Встановлено, що інтенсивність генерації другої гармоніки в легованих кристалах є меншою в порівнянні з такою в нелегованих зразках. Важливим є те, що при збільшенні розміру зерен інтенсивність SGH збільшується як у кристалах AgGaGeS4, так і в AgGaGe3Se8:Er Отриманий результат свідчить про те, що багатокомпонентні халькогеніди, а саме AgGaGeS4 та AgGaGeS4:Er, є перспективними нелінійно-оптичними матеріалами, оскільки в них поріг лазерного пошкодження є більшим, а нелінійно-оптичний відгук порівняний із комерційно використовуваним AgGaS2.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
2

Мирончук, Г. Л., Г. Є. Давидюк, О. В. Парасюк, М. В. Шевчук, О. В. Якимчук, and С. П. Данильчук. "Електричні і оптичні властивості монокристалів AgGaGe2S2Se4." Ukrainian Journal of Physics 57, no. 10 (December 5, 2021): 1050. http://dx.doi.org/10.15407/ujpe57.10.1050.

Full text
Abstract:
Досліджено монокристали твердих розчинів 50 мол.% AgGaGeS4 + 50 мол.% AgGaGe3Se8. Внаслідок статистичного розміщення у вузлах кристалічної ґратки атомів Ga і Ge, а також наявності вузлів не заповнених атомами Ag, тверді розчини проявляють властивості невпорядкованих напівпровідників з максимальною щільністю локалізованих енергетичних станів біля середини забороненої зони. Встановлено оптичну і термічну ширину забороненої зони та їх температурну залежність (Eg ≈ 2,30 еВ при T ≈ 300 К). Монокристали розчину AgGaGe2Se4 виявилися фоточутливиминапівпровідниками p-типу провідності з положенням рівня Фермі біля середини забороненої зони. Досліджено особливості електропровідностіі спектрального розподілу фотопровідності зразків розчину. Запропоновано несуперечливу фізичну модель, яка дозволяє пояснитиекспериментально одержані результати.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
3

Мирончук Д.Б., студент., Кот Ю.О., студент, Мирончук Г.Л. к.ф.м.н., доц., and Замуруєва О.В., к.ф.-м.н. "ВПЛИВ РОЗМІРІВ ЗЕРЕН КРИСТАЛІЧНОГО ПОРОШКУ НА ІНТЕНСИВНІСТЬ ГЕНЕРАЦІЇ ДРУГОЇ ГАРМОНІКИ." Перспективні технології та прилади, no. 14 (December 4, 2019): 94–97. http://dx.doi.org/10.36910/6775-2313-5352-2019-14-16.

Full text
Abstract:
У даній роботі проведено аналіз впливу ширини забороненої зони та середніх розмірів зерен на інтенсивність генерації другої гармоніки кристалів AgGaGeS4 та AgGaGe3Se8. Отриманий результат свідчить про те, що багатокомпонентні халькогеніди, а саме AgGaGeS4 та AgGaGe3Se8, є перспективними нелінійно-оптичними матеріалами, оскільки в них поріг лазерного пошкодження є більшим, а нелінійно-оптичний відгук порівняний із комерційно використовуваними AgGaS2 та AgGaSe2.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
4

Valakh, Mykhailo, Alexander P. Litvinchuk, Yevhenii Havryliuk, Volodymyr Yukhymchuk, Volodymyr Dzhagan, Dmytro Solonenko, Sergei A. Kulinich, et al. "Raman- and Infrared-Active Phonons in Nonlinear Semiconductor AgGaGeS4." Crystals 13, no. 1 (January 14, 2023): 148. http://dx.doi.org/10.3390/cryst13010148.

Full text
Abstract:
AgGaGeS4 is an emerging material with promising nonlinear properties in the near- and mid-infrared spectral ranges. Here, the experimental phonon spectra of AgGaGeS4 single crystals synthesized by a modified Bridgman method are presented. The infrared absorption spectra are reported. They are obtained from the fitting of reflectivity to a model dielectric function comprising a series of harmonic phonon oscillators. In the Raman spectra, several modes are registered, which were not detected in previous works. The analysis of the experimental vibrational bands is performed on the basis of a comparison with reported data on structurally related binary, ternary, and quaternary metal chalcogenides. The temperature dependence of the Raman spectra between room temperature and 15 K is also investigated.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
5

Vu, Tuan V., Vo D. Dat, A. A. Lavrentyev, B. V. Gabrelian, Nguyen N. Hieu, G. L. Myronchuk, and O. Y. Khyzhun. "Electronic and optical properties of thiogermanate AgGaGeS4: theory and experiment." RSC Advances 13, no. 2 (2023): 881–87. http://dx.doi.org/10.1039/d2ra07639j.

Full text
Abstract:
The electronic and optical properties of a AgGaGeS4 crystal were studied by first-principles calculations, and experimental X-ray photoelectron and emission spectra were measured to verify the theoretical data.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
6

Vasil’eva, I. G., and R. E. Nikolaev. "Saturated vapor pressure over AgGaGeS4 crystals." Inorganic Materials 42, no. 12 (December 2006): 1299–301. http://dx.doi.org/10.1134/s002016850612003x.

Full text
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
7

Vasilyeva, Inga G., and Ruslan E. Nikolaev. "Non-stoichiometry and point native defects in non-oxide non-linear optical large single crystals: advantages and problems." CrystEngComm 24, no. 8 (2022): 1495–506. http://dx.doi.org/10.1039/d1ce01423d.

Full text
Abstract:
Advances and limitations in the field of growing large, high optical quality single crystals of AgGaS2 (AGS), AgGaGeS4 (AGGS), ZnGeP2 (ZGP), LiInS2 (LIS), LiGaS2 (LGS), LiInSe2 (LISe), LiGaSe2 (LGSe) and LiGaTe2 (LGT) are considered in this article.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
8

Davydyuk, G. Ye, G. L. Myronchuk, G. Lakshminarayana, O. V. Yakymchuk, A. H. Reshak, A. Wojciechowski, P. Rakus, et al. "IR-induced features of AgGaGeS4 crystalline semiconductors." Journal of Physics and Chemistry of Solids 73, no. 3 (March 2012): 439–43. http://dx.doi.org/10.1016/j.jpcs.2011.11.026.

Full text
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
9

Yurchenko, O. M., I. D. Olekseyuk, O. V. Parasyuk, and V. Z. Pankevich. "Single crystal growth and properties of AgGaGeS4." Journal of Crystal Growth 275, no. 1-2 (February 2005): e1983-e1985. http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2004.11.319.

Full text
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
10

Adamenko, D., A. Say, O. Parasyuk, I. Martynyuk-Lototska, and R. Vlokh. "Magnetooptic rotation and thermal expansion of AgGaGeS4 crystals." Ukrainian Journal of Physical Optics 17, no. 3 (2016): 105. http://dx.doi.org/10.3116/16091833/17/3/105/2016.

Full text
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
More sources

Dissertations / Theses on the topic "AgGaGeS4"

1

Кримусь, А. С., Г. Л. Мирончук, О. М. Кльоц, and К. В. Каплявка. "Дослідження коефіцієнта поглинання світла у монокристалах сполук Ag[0.95]Cu[0.05]GaGe[3]Se[8], AgGa[0.95]In[0.05]Ge[3]Se[8] та AgGaGe[2.85]Sn[0.15]Se[8]." Thesis, Сумський державний університет, 2016. http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/45786.

Full text
Abstract:
Розраховано значення сили електрон-фононної взаємодії (g), яке дорівнює 1.04, 1.06 та 1.08 для кристалів легованих Сu, In та Sn відповідно, що є типовим для кристалів, що мають дефекти стехіометрії у катіонних підрешітках.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

Book chapters on the topic "AgGaGeS4"

1

Eckardt, R. C. "Infrared Frequency Generation in Chalcopyrite Crystals AgGaS2 and AgGaGe2." In Tunable Solid State Lasers for Remote Sensing, 138–40. Berlin, Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg, 1985. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-540-39765-6_37.

Full text
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

Conference papers on the topic "AgGaGeS4"

1

Rame, J., J. Petit, Q. Clement, J. M. Melkonian, and B. Viana. "Chemical synthesis and crystal growth of AgGaGeS4, a material for mid-IR nonlinear laser applications." In SPIE LASE, edited by Konstantin L. Vodopyanov. SPIE, 2015. http://dx.doi.org/10.1117/12.2075582.

Full text
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
2

Rame, Jérémy, Johan Petit, and Bruno Viana. "Synthesis and growth of AgGaGeS4, a promising material for the frequency conversion in the mid-IR range." In Advanced Solid State Lasers. Washington, D.C.: OSA, 2013. http://dx.doi.org/10.1364/assl.2013.am4a.32.

Full text
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
3

Miyata, K., V. Petrov, N. Umemura, K. Kato, N. Saito, and S. Wada. "New experimental results for SHG and DFG in AgGaGeS 4." In Lasers and Applications in Science and Engineering, edited by Peter E. Powers. SPIE, 2007. http://dx.doi.org/10.1117/12.698079.

Full text
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
4

Andreev, Yuri M., Pavel P. Geiko, Valery V. Badikov, Vladimir L. Panyutin, Galina S. Shevyrdayeva, Maxim V. Ivaschenko, Alexander I. Karapuzikov, and Igor V. Sherstov. "Parametric frequency converters with LiInSe 2 , AgGaGeS 4 , HgGa 2 S 4 and Hg 0.65 Cd 0.35 Ga 2 S 4 crystals." In Ninth Joint International Symposium on Atmospheric and Ocean Optics/Atmospheric Physics, edited by Gennadii G. Matvienko and Vladimir P. Lukin. SPIE, 2003. http://dx.doi.org/10.1117/12.497306.

Full text
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
You might also be interested in the extended bibliographies on the topic 'AgGaGeS4' for particular source types:
Journal articles
We offer discounts on all premium plans for authors whose works are included in thematic literature selections. Contact us to get a unique promo code!

To the bibliography