Journal articles on the topic 'Фоторезист'
Create a spot-on reference in APA, MLA, Chicago, Harvard, and other styles
Consult the top 32 journal articles for your research on the topic 'Фоторезист.'
Next to every source in the list of references, there is an 'Add to bibliography' button. Press on it, and we will generate automatically the bibliographic reference to the chosen work in the citation style you need: APA, MLA, Harvard, Chicago, Vancouver, etc.
You can also download the full text of the academic publication as pdf and read online its abstract whenever available in the metadata.
Browse journal articles on a wide variety of disciplines and organise your bibliography correctly.
Суханов, Д. А. "ЧЕРНЫЙ ФОТОРЕЗИСТ - НОВЫЕ ВОЗМОЖНОСТИ ДЛЯ ПРОЦЕССА ФОТОЛИТОГРАФИИ НА ПРОИЗВОДСТВЕ УСТРОЙСТВ ФОТОНИКИ И МЭМС." NANOINDUSTRY Russia 13, no. 4s (September 11, 2020): 236–43. http://dx.doi.org/10.22184/1993-8578.2020.13.4s.236.243.
Full textСуханов, Д. А. "ЧЕРНЫЙ ФОТОРЕЗИСТ - НОВЫЕ ВОЗМОЖНОСТИ ДЛЯ ПРОЦЕССА ФОТОЛИТОГРАФИИ НА ПРОИЗВОДСТВЕ УСТРОЙСТВ ФОТОНИКИ И МЭМС." Nanoindustry Russia 13, no. 5s (December 28, 2020): 246–49. http://dx.doi.org/10.22184/1993-8578.2020.13.5s.246.249.
Full textЛебедева, Н. М., Т. П. Самсонова, Н. Д. Ильинская, С. И. Трошков, and П. А. Иванов. "Формирование SiC-мезаструктур с пологими боковыми стенками cухим селективным травлением через маску из фоторезиста." Журнал технической физики 90, no. 6 (2020): 997. http://dx.doi.org/10.21883/jtf.2020.06.49289.12-20.
Full textТихонова, Е. Д. "МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОФИЛЯ ФОТОРЕЗИСТА В ПРОЦЕССЕ САМОСОВМЕЩЕННОГО ДВОЙНОГО ПАТТЕРНИРОВАНИЯ С УЧЕТОМ КОРРЕКЦИИ ПРОБЛЕМЫ ГОРЯЧИХ ТОЧЕК." Nanoindustry Russia 14, no. 7s (October 3, 2021): 786–87. http://dx.doi.org/10.22184/1993-8578.2021.14.7s.786.787.
Full textКузнецова, Н. А., Н. В. Малимоненко, М. А. Билданов, Д. А. Варламов, and Б. Г. Грибов. "ВЛИЯНИЕ КАТАЛИЗАТОРА ТЕРМООТВЕРЖДЕНИЯ В АНТИОТРАЖАЮЩЕМ ПОКРЫТИИ НА ПРОФИЛЬ ЭЛЕМЕНТОВ ФОТОРЕЗИСТА, "Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника"." Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника, no. 4 (2021): 69–71. http://dx.doi.org/10.7868/s2410993221040096.
Full textКузнецова, Н. А., В. И. Беклемышев, and Б. Г. Грибов. "ВЛИЯНИЕ ФОТОГЕНЕРАТОРА КИСЛОТЫ В АНТИОТРАЖАЮЩЕМ ПОКРЫТИИ НА ПРОФИЛЬ ЭЛЕМЕНТОВ, ФОРМИРУЕМЫХ В ФОТОРЕЗИСТЕ, "Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника"." Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника, no. 4 (2020): 35–37. http://dx.doi.org/10.7868/s2410993220040053.
Full textБринкевич, Д. И., С. Д. Бринкевич, Н. В. Вабищевич, В. Б. Оджаев, and В. С. Просолович. "Ионная имплантация позитивных фоторезистов." Микроэлектроника 43, no. 3 (2014): 193–99. http://dx.doi.org/10.7868/s0544126914010037.
Full textБринкевич, Д. И., С. Д. Бринкевич, М. Г. Лукашевич, В. С. Просолович, В. Б. Оджаев, and Ю. Н. Янковский. "Модификация поверхности позитивного фоторезиста при ионной имплантации." Микроэлектроника 44, no. 6 (2015): 448–52. http://dx.doi.org/10.7868/s0544126915060022.
Full textОлешкевич, А. Н., Н. М. Лапчук, В. Б. Оджаев, И. А. Карпович, В. С. Просолович, Д. И. Бринкевич, and С. Д. Бринкевич. "Электронная проводимость в имплантированном ионами Р + позитивном фоторезисте." Микроэлектроника 49, no. 1 (2020): 58–65. http://dx.doi.org/10.31857/s0544126919060073.
Full textСкиданов, Р. В., О. Ю. Моисеев, and С. В. Ганчевская. "Формирование микротурбин методом прямой лазерной записи по фоторезисту." Журнал технической физики 88, no. 6 (2018): 888. http://dx.doi.org/10.21883/jtf.2018.06.46021.1795.
Full textБринкевич, С. Д., Д. И. Бринкевич, and В. С. Просолович. "Модификация пленок диазохинон-новолачного фоторезиста имплантацией ионов сурьмы." Микроэлектроника 50, no. 1 (2021): 36–42. http://dx.doi.org/10.31857/s0544126920060022.
Full textВабищевич, С. А., С. Д. Бринкевич, Н. В. Вабищевич, Д. И. Бринкевич, and В. С. Просолович. "Адгезия облученных пленок диазохинонноволачного фоторезиста к монокристаллическому кремнию." Химия высоких энергий 55, no. 6 (2021): 461–68. http://dx.doi.org/10.31857/s0023119321060152.
Full textЛебедев, В. И., В. Е. Котомина, and С. В. Зеленцов. "Способы увеличения срока службы позитивных фоторезистов." Микроэлектроника 45, no. 6 (2016): 448–51. http://dx.doi.org/10.7868/s0544126916060041.
Full textShushpanov, A. N., A. Ya Vasin, V. M. Raykova, and G. G. Gadzhiev. "Ability of Naphthoquinondiazide Photoresists to Exothermic Decomposition." Occupational Safety in Industry, no. 10 (October 2020): 90–96. http://dx.doi.org/10.24000/0409-2961-2020-10-90-96.
Full textПанкратова, А. В., А. А. Крючин, Ю. О. Бородін, Є. В. Беляк, and О. В. Пригун. "Дослідження процесу формування мікрорельєфних структур у плівках хрому на основі методу хімічного травлення." Реєстрація, зберігання і обробка даних 23, no. 1 (March 16, 2021): 5–14. http://dx.doi.org/10.35681/1560-9189.2021.23.1.235022.
Full textМалимоненко, Н. В., Н. А. Кузнецова, В. И. Беклемышев, and Б. Г. Грибов. "ОПТИМИЗАЦИЯ ОПТИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ АНТИОТРАЖАЮЩЕГО ПОКРЫТИЯ В ФОТОЛИТОГРАФИИ." NANOINDUSTRY Russia 13, no. 4s (September 11, 2020): 191–93. http://dx.doi.org/10.22184/1993-8578.2020.13.4s.191.193.
Full textВолков, П. В., С. В. Зеленцов, С. А. Королёв, А. Ю. Лукьянов, А. И. Охапкин, and А. Н. Тропанова. "ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ ФОТОРЕЗИСТА С ПОМОЩЬЮ ОПТИЧЕСКОГО МОНИТОРИНГА, "Микроэлектроника"." Микроэлектроника, no. 1 (2017): 44–49. http://dx.doi.org/10.7868/s0544126916060090.
Full textSimonov, O. "THE USE OF MICROWAVE PLASMA TO REMOVE PHOTORESIST DURING GROUP PROCESSING OF SEMICONDUCTOR WAFERS." ELECTRONICS: Science, Technology, Business 2 (2017): 180–84. http://dx.doi.org/10.22184/1992-4178.2017.162.2.180.184.
Full textБринкевич, С. Д., Е. В. Гринюк, Д. И. Бринкевич, and В. С. Просолович. "Модификация пленок диазохинон-новолачного фоторезиста за пределами области внедрения ионов В +." Химия высоких энергий 54, no. 5 (2020): 377–86. http://dx.doi.org/10.31857/s0023119320050046.
Full textБулгакова, С. А., Д. А. Гурова, С. Д. Зайцев, Е. Е. Куликов, Е. В. Скороходов, М. Н. Торопов, А. Е. Пестов, Н. И. Чхало, and Н. Н. Салащенко. "Влияние полимерной матрицы и фотогенератора кислоты на литографические свойства химически усиленного фоторезиста." Микроэлектроника 43, no. 6 (2014): 419–28. http://dx.doi.org/10.7868/s0544126914050020.
Full textВайнер, А. Я., К. М. Дюмаев, А. М. Коваленко, Я. Л. Бабушкин, С. А. Кричевская, and Г. Р. Лубенский. "Полифенольные производные флуоренсодержащих порфиринов: синтез и позитивные фоторезисты для 22-нанометровой литографии." Доклады Академии наук 468, no. 5 (2016): 525–29. http://dx.doi.org/10.7868/s0869565216170151.
Full textБринкевич, Д. И., С. Д. Бринкевич, А. Н. Петлицкий, and В. С. Просолович. "Трансформация спектров нарушенного полного внутреннего отражения в процессе сушки диазохинон-новолачного фоторезиста." Микроэлектроника 50, no. 4 (2021): 274–80. http://dx.doi.org/10.31857/s0544126921040037.
Full textБринкевич, Д. И., А. А. Харченко, В. С. Просолович, В. Б. Оджаев, С. Д. Бринкевич, and Ю. Н. Янковский. "Модификация спектров отражения пленок диазохинон-новолачного фоторезиста при имплантации ионами бора и фосфора." Микроэлектроника 48, no. 3 (2019): 235–39. http://dx.doi.org/10.1134/s0544126919020029.
Full textХарченко, А. А., Д. И. Бринкевич, В. С. Просолович, С. Д. Бринкевич, В. Б. Оджаев, and Ю. Н. Янковский. "Радиационно-стимулированная трансформация спектров отражения пленок диазохинон-новолачного фоторезиста при имплантации ионов сурьмы." Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, no. 6 (2020): 14–18. http://dx.doi.org/10.31857/s1028096020060084.
Full textВабищевич, С. А., С. Д. Бринкевич, Д. И. Бринкевич, and В. С. Просолович. "Адгезия к монокристаллическому кремнию пленок диазохинон-новолачного фоторезиста, имплантированных ионами бора и фосфора." Химия высоких энергий 54, no. 1 (2020): 54–59. http://dx.doi.org/10.31857/s002311932001012x.
Full textКовивчак, В. С. "Формирование углеродных нановолокон на поверхности фоторезиста под действием мощного ионного пучка наносекундной длительности." Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, no. 10 (2021): 97–101. http://dx.doi.org/10.31857/s1028096021100095.
Full textБахадирханов, М. К., Ш. Н. Ибодуллаев, Н. Ф. Зикриллаев, and С. В. Ковешников. "Фоторезистор инфракрасного излучения на основе кремния с нанокластерами атомов марганца." Письма в журнал технической физики 47, no. 13 (2021): 12. http://dx.doi.org/10.21883/pjtf.2021.13.51114.18582.
Full textДолгополов, В. М., В. В. Одиноков, П. А. Иракин, and В. М. Варакин. "Новое оборудование для травления кремниевых структур на пластинах диаметром до 200 мм." NANOINDUSTRY Russia 12, no. 5 (September 6, 2019): 268–74. http://dx.doi.org/10.22184/1993-8578.2019.12.5.268.274.
Full textИванов, П. А., Н. М. Лебедева, Н. Д. Ильинская, Т. П. Самсонова, and О. И. Коньков. "Высоковольтные лавинные 4H-SiC диоды с прямой фаской." Физика и техника полупроводников 55, no. 4 (2021): 349. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2021.04.50737.9566.
Full textИванов, П. А., Н. М. Лебедева, Н. Д. Ильинская, Т. П. Самсонова, and О. И. Коньков. "Высоковольтные лавинные 4H-SiC диоды с прямой фаской." Физика и техника полупроводников 55, no. 4 (2021): 349. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2021.04.50737.9566.
Full textI. Z. Indutny, A. A. Kryuchyn, Yu. A. Borodin, V. A. Danko, M. V. Lukanyuk, V. I. Minko, P. E. Shepelyavyi, E. V. Gera, and V. M. Rubish. "Оптичний запис мікро- та нанорозмірних рельєфних структур на неорганічних резистах Ge-Se." Реєстрація, зберігання і обробка даних 15, no. 4 (December 8, 2013). http://dx.doi.org/10.35681/1560-9189.2013.15.4.103416.
Full textТИТОВЕЦ, П. А., А. И. САТТАРОВА, А. А. ПИЩЕРКОВ, and Н. С. БЕКУШЕВ. "LOOP ANTENNA WITH A SEMICONDUCTOR ELEMENT." Труды НИИР, no. 3(6) (September 27, 2021). http://dx.doi.org/10.34832/niir.2021.6.3.006.
Full text