Academic literature on the topic 'Тришарова структура'

Отримано рівняння коливань несиметричної тришарової циліндричної оболонки з легким заповнювачем при нестаціонарному навантаженні. При аналізі елементів пружної структури використовується модель теорії оболонок Тимошенка для кожного шару. Числові результати про напружено-деформований стан несиметричної тришарової пружної структури отримані за допомогою методу скінченних елементів. Досліджено вплив фізико-механічних параметрів шарів оболонки на її напружено-деформований стан при внутрішньому імпульсному навантаженні.

У межах методу деформаційного потенціалу отримано рівняння, які дозволяють розрахувати енергетичний спектр електрона у тришаровійгетеросистемі, що містить кластер точкових дефектів у квантовій ямі. Досліджено залежність різниці енергій електрона в першому збудженому та основному станах від середньої концентрації точкових дефектів виду центра розтягу при різних значеннях ефективної маси електрона в матеріалі нанокластера.

Термообробкою шихти спільно осаджених гідроксикарбонатів синтезовані високостехіометричні полікристалічні зразки катіондефіцитних ніобатів A3IILaNb3O12(AII = Sr, Ba) з тришаровою перовськітоподібною структурою. Методом імпедансної спектроскопії досліджені електрофізичні властивості виготовлених з них керамічних зразків. Для моделювання спектра імпедансу застосовано метод еквівалентних схем, представлених радіотехнічними елементами, який дає змогу виділити у чистому вигляді властивості мікрокристалічних зерен кераміки, тобто власне досліджуваної речовини, без впливу міжкристалічних та електродних ефектів. Встановлені та проаналізовані залежності комплексного імпедансу Z(v) цих сполук від частоти (0,1—106 Гц) зондуючого синусоїдального електричного сигналу та температури (300—700 К). Досліджені температурна залежність електропровідності на постійному струмі, температурні та частотні залежності дійсної компоненти діелектричної проникності ε'‎, а також визначена енергія активації електропровідності зерен кераміки A3IILaNb3O12(AII = Sr, Ba). Встановлена можливість використання синтезованих матеріалів для виготовлення високочутливих і стійких до агресивних умов експлуатації тер місторів із суто нелінійною характеристикою та широким інтервалом робочої температури.

Subject and Purpose. In the context of growing anticipation of fundamentally new optical and radiophysical devices, the present study is concerned with the total electromagnetic wave tunneling through an asymmetric three-layer structure such that contains a conductive negative-permittivity layer. The aim of this work is to recognize how the asymmetry property of this three-layer structure acts on the effect of total wave tunneling with the frequency dispersion of the conductive negative-permittivity layer taken into account. Methods and Methodology. The frequency-dependent conditions of the total electromagnetic wave tunneling through an asymmetric three-layer structure are sought by numerical simulations. A universal approach based on the introduction of dimensionless frequencies and dimensionless layer thicknesses allows us to numerically investigate conditions of the total electromagnetic wave tunneling for any desired frequencies and geometric parameters of the asymmetric three-layer structure. Results. It has been shown that the asymmetry property of the three-layer structure can significantly change the total electromagnetic wave tunneling conditions. It has been demonstrated that parameters of the asymmetric three-layer structure can be selected in such a way as to modify the total electromagnetic wave tunneling conditions toward a desired practical application of the structure. It has been found that a proper choice of the parameters can minimize the action of the three-layer structure asymmetry on the electromagnetic wave tunneling effect. Conclusion. Asymmetric three-layer structures can be of use to effectively change conditions of the total electromagnetic wave tunneling in an effort to provide devices under development with desired characteristics.

На основі аналізу даних про екранування електромагнітних полів наднизьких та ультрависоких частот будівельними та облицювальними матеріалами зроблено висновки, що найбільш доцільним з технічних та економічних міркувань є облицювання захисними матеріалами внутрішніх поверхонь будівель. Наведено коефіцієнти екранування розробленими металополімерними матеріалами електромагнітних полів різних частот. Для електромагнітних полів частотами 2,4-2,6 ГГц коефіцієнти екранування складають 2,44 (за товщини екрана 5 мм) та 3-52 (за товщини екрана 10 мм). Коефіцієнти відбиття складають 0,06-0,32. Зміна концентрації феромагнітної субстанції становить 5-20 % (за вагою). За таких умов зниження напруженості магнітного поля промислової частоти складають 1,2-15,0 (за товщини екрана 5 мм) та 2,3-38,0 (за товщини екрана 10 мм). Наведено порядок оцінювання ефективності екранування високочастотного екранованого поля тришаровою структурою, виходячи зі значення діелектричної проникності несучого матеріалу та мінімальної довжини електромагнітної хвилі діапазону екранованого поля. Для одночасного екранування магнітного поля промислової частоти провідний шар повинен бути феромагнітним. Для цього можна застосувати металополімер з великою концентрацією залізорудного концентрату

Мета кваліфікаційної роботи магістра полягає в аналізі теоретичних моделей, які використовуються для опису явища гіганського магнітоопору у магнітних наноструктурах з спін-залежним розсіюванням електронів, зокрема, у структурах спін-вентильного типу та визначення параметрів спін-залежного розсіювання. У результаті проведених розрахунків параметрів спін-залежного розсіювання для двох серій спін-вентильних структур: І – системи Co(5)/Ag(dAg)/Py(30)/П (dAg = 3-15 нм); ІІ – системи Co(30)/Ag(dAg)/Py(5)/П (dAg = 3-15 нм) установлено, що параметр об’ємної асиметрії змінюється у межах від 1,03 до 1,15 для систем І типу та від 1,17 до 2,06 для систем ІІ типу; параметр спінової асиметрії змінюється у межах від 0,01 до 0,07 для систем І типу та від 0,08 до 0,34 для систем ІІ типу. Величина питомого опору мажоритарних носіїв заряду дорівнює величині питомого опору немагнітного шару, в той час як питомий опір мінітарних носіїв заряду залежить від товщини базового магнітного шару.

Дослідження магнітних і магніторезистивних властивостей багатошарових плівкових систем на основі перехідних металів з прошарками з металевих, напівпровідникових або діелектричних шарів не втратили свою актуальність, незважаючи на велику кількість накопичених результатів. Це пов’язано з великою кількістю різноманітних ефектів та можливістю контролю їх величини, що стало основою для практичного застосуванням таких систем функціональних і чутливих елементів сучасних приладів.

Багатошарові плівкові системи на основі феромагнітних та рідкоземельних металів активно досліджуються в останнє десятиліття, завдяки їх унікальним фізичним властивостям. Такі системи становлять широкий інтерес з точки зору їх практичного використання у якості високощільних матеріалів для запису і зберігання інформації, елементів спінової електроніки та магнітооптичних систем.

Дисертаційна робота присвячена комплексному дослідженню впливу структурно-фазового стану на магнітні й магніторезистивні властивості приладових структур на основі плівкових систем із перехідних феромагнітних (Ni або Со) металів і рідкоземельного Dy або Ві та при різній орієнтації зразків у зовнішньому магнітному полі. Встановлено, що для всіх досліджуваних плівкових систем фіксується анізотропний характер магнітоопору за кімнатної температури вимірювання. Показано, що при зміні товщини прошарку з ка-Dy залежність магнітоопору і коерцитивної сили виявляє немонотонний характер, який зникає при переході у кристалічний стан. Дослідження магнітних властивостей показали, що після термообробки у тришарових плівках у більшості випадків відбувається зростання величини коерцитивної сили, намагніченості насичення та залишкової намагніченості. У тришарових плівках Со/Ві/Со у свіжосконденсованому стані коерцитивність не залежить від товщини прошарку з Ві, після відпалювання до 680 К її значення зростає зі збільшенням ефективної товщини Ві. Показано можливість практичного використання результатів дослідження для розробки функціональних елементів індукційних датчиків положення, анізотропних магніторезистивних датчиків положення і кута повороту, магнітного середовища запису інформації, що будуть мати стабільні робочі характеристики в широкому діапазоні температур.
Диссертация посвящена комплексному исследованию влияния структурно-фазового состояния на магнитные и магниторезистивные свойства приборных структур на основе пленочных систем с переходных ферромагнитных (Ni или Со) металлов и редкоземельного Dy или Ві и при разной ориентации образцов во внешнем магнитном поле. Установлено, что для всех исследуемых пленочных систем фиксируется анизотропный характер магнетосопротивления при комнатной температуре измерения. Показано, что при изменении толщины слоя с ка-Dy зависимость магнитосопротивления и коэрцитивной силы проявляет немонотонный характер, который исчезает при переходе в кристаллическое состояние. Исследование магнитных свойств показали, что после термообработки в трехслойных пленках в большинстве случаев происходит увеличение величины коэрцитивной силы, намагниченности насыщения и остаточной намагниченности. В трехслойных пленках Со/Ві/Со в свежосконденсированом состоянии коэрцитивность не зависит от толщины слоя с Ві, после отжига до 680 К ее значение возрастает с увеличением эффективной толщины Ві. Показана возможность практического использования результатов исследования для разработки функциональных элементов индукционных датчиков положения, анизотропных магниторезистивных датчиков положения и угла поворота, магнитной среды записи информации, будут иметь стабильные рабочие характеристики в широком диапазоне температур.
The PhD thesis is devoted to a complex study of the influence of the structural-phase state on the magnetic and magnetoresistive properties of devices structure based on film systems of transition ferromagnetic (Ni or Co) metals and rare earth Dy or Bi and to establish the influence of sample orientation in an external magnetic field. The interconnection between the features of the structural-phase state of the structures of devices in the form of three-layer film systems and their magnetic and magnetoresistive properties has been established. The phase composition of three-layer films based on Co and Bi in the as-deposited state corresponds to hcp-Co, fcc-Co, and rhombohedral-Bi. Three-layer films based on Ni or Co and Dy (dDy < 15 nm) before and after heat treatment, the phase composition is as follows: fcc-Ni + qa-Dy and hcp-Co + fcc-Co + qa-Dy. It is established that for all investigated film systems the anisotropic character of the magnetoresistance at room temperature of measurement is fixed. The maximum MR values for systems based on Ni or Co and Dy are observed in the perpendicular measurement geometry when Dy is in the quasi amorphous state. For a system based on Co and Bi, the maximum values are observed at its largest thicknesses in the system in the perpendicular geometry of the measurement. When the thickness of the layer changes from qa-Dy, the dependence of the magnetoresistance and coercive force reveals a nonmonotonic character, which disappears during the layer Dy transition to the crystalline state. Studies of magnetic properties have shown that after heat treatment in three-layer films in most cases there is an increase in the value of coercive force, saturation magnetization, and residual magnetization. In three-layer Co/Bi/Co films in an as-deposited state, the coercivity does not depend on the thickness of the Bi layer and after annealing to 680 K, its value increases with increasing effective Bi thickness. The possibility of practical use of research results for the development of functional elements of induction position sensors, anisotropic magnetoresistive position, and angle sensors, magnetic medium of information recording, which will have stable operating characteristics in a wide temperature range, is shown.

Нейронна мережа – це набір нейронів, певним чином зв’язаних між собою. Тришаровий перцептрон – нейромережа, яка досить проста за структурою й у той же час широко використається для розв’язання прикладних завдань.