Journal articles on the topic 'Поляризація каналу'
To see the other types of publications on this topic, follow the link: Поляризація каналу.
Create a spot-on reference in APA, MLA, Chicago, Harvard, and other styles
Consult the top 18 journal articles for your research on the topic 'Поляризація каналу.'
Next to every source in the list of references, there is an 'Add to bibliography' button. Press on it, and we will generate automatically the bibliographic reference to the chosen work in the citation style you need: APA, MLA, Harvard, Chicago, Vancouver, etc.
You can also download the full text of the academic publication as pdf and read online its abstract whenever available in the metadata.
Browse journal articles on a wide variety of disciplines and organise your bibliography correctly.
1
Тучин, Андрей Витальевич, Григорий Иванович Глушков, Николай Николаевич Ефимов, and Евгений Николаевич Бормонтов. "ИНВЕРСИЯ СПИНОВОЙ ПОЛЯРИЗАЦИИ УЛЬТРАКОРОТКИХ ОДНОСТЕННЫХ УГЛЕРОДНЫХ НАНОТРУБОК (0,9) В СИЛЬНОМ ЭЛЕКТРИЧЕСКОМ ПОЛЕ." Конденсированные среды и межфазные границы 19, no. 1 (November 6, 2017): 37. http://dx.doi.org/10.17308/kcmf.2017.19/174.
Full textAbstract:
Методом теории функционала проведено численное моделирование электронной структуры закрытых ук-УНТ(0,9) симметрий D3h/D3d и D3 в спинсинглетном и спинтриплетном состоянии для различных величин внешнего электрического поля. Установлена монотонная убывающая зависимость спиновой поляризации при дискретном наращивании длины трубки.
Показано, что модуляция поляризации в электрическом поле имеет спинзависимый характер: для электронов со спином “вверх” при приложении поля поляризация снижается, для электронов со спином “вниз” поляризация возрастает. При критической величине электрического поля происходит инверсия спиновой поляризации, главным каналом проводимости становится канал со спином “вниз”.
Развитые методы синтеза, высокая стабильность и возможность управления спиновой поляризацией приложением внешнего электрического поля позволяют рассматривать ук-УНТ как перспективный материал для создания спиновых вентилей и других функциональных устройств спинтроники.
Работа выполнена при финансовой поддержке гранта РФФИ № 16-32-00926-мол_а.
2
Пільтяй, Степан Іванович, Андрій Васильович Булашенко, Єлизавета Ігорівна Калініченко, and Олександр Васильович Булашенко. "ВИСОКОЕФЕКТИВНИЙ ХВИЛЕВОДНИЙ ПОЛЯРИЗАТОР ДЛЯ СУПУТНИКОВИХ ІНФОРМАЦІЙНИХ СИСТЕМ." Вісник Черкаського державного технологічного університету, no. 4 (January 21, 2021): 14–26. http://dx.doi.org/10.24025/2306-4412.4.2020.217129.
Full textAbstract:
У сучасних супутникових інформаційних системах та безпровідних системах передачі даних широко використовують сигнали із коловими поляризаціями. Сигнали цього типу вимагають застосування спеціальних антенних систем із поляризаційним обробленням. Такий підхід дає можливість удвічі зекономити частотні ресурси, які є обмеженими. У результаті збільшується інформаційна ємність каналів передачі інформації в супутникових та інших інформаційних системах. Базовим елементом антенних систем із коловими поляризаціями є поляризатор. Такий пристрій здійснює перетворення електромагнітних хвиль із круговою поляризацією в лінійно поляризовані хвилі або навпаки. Використання поляризатора та ортомодового перетворювача в антенних системах забезпечує перетворення поляризації сигналів із одночасною передачею їх до розв’язаних хвилеводних каналів. Стаття містить результати аналізу та оптимізації нового високоефективного хвилеводного поляризатора для супутникових інформаційних систем. Конструкція розробленого поляризатора складається із хвилеводу квадратного перерізу з чотирма діафрагмами. Виконано оптимізацію поляризатора для його застосування в робочому діапазоні частот від 10,7 ГГц до 12,8 ГГц. Проаналізовано й оптимізовано фазові, поляризаційні характеристики та характеристики узгодження із застосуванням чисельного методу скінченного інтегрування. Розроблений хвилеводний поляризатор із чотирма діафрагмами забезпечує диференційний фазовий зсув 90° ± 3,5°, коефіцієнт стійної хвилі з напругою, меншою 1,24, коефіцієнт еліптичності, менший 0,53 дБ, кросполяризаційну розв’язку, вищу 30,3 дБ. Таким чином, створений новий поляризатор на основі квадратного хвилеводу з чотирма діафрагмами забезпечує якісну роботу в усьому робочому Ku-діапазоні частот 10,7–12,8 ГГц. Пристрій може широко використовуватися в сучасних антенних системах із поляризаційним обробленням сигналів у телекомунікаційних, радіолокаційних і супутникових інформаційних системах.
3
Скрипець, А. В., В. Д. Тронько, and М. М. Асанов. "Спосіб реєстрації кута обертання площини поляризації світлового променя з використанням оптично прозорих феримагнітних кристалів." Ukrainian Journal of Physics 57, no. 10 (December 5, 2021): 993. http://dx.doi.org/10.15407/ujpe57.10.993.
Full textAbstract:
Дана робота присвячена аналізу модуляційного фотополяриметра, в якому в ролі активного елемента комірки Фарадея використовується прозорий в інфрачервоному діапазоні феримагнітний кристал, який має на 3-4 порядки більший ефект Фарадея, ніж застосовані ранішепарамагнітні кристали. Описаний метод реєстрації кута обертання площини поляризації дозволяє працювати в області оптимальних кутіврозгойдування, тобто при максимальному відношенні сигнал–шум. Показано, що при оптимальному куті розгойдування чутливість фотополяриметра зменшується незначно у випадку, коли якість оптичного каналу різко погіршується, тобто при сильній деполяризаціїсвітлового променя.
4
Klimov, I. Z., and A. N. Glukhov. "Conversion of Polarization Characteristics of Sounding Signals by a Radar Target." Bulletin of Kalashnikov ISTU 22, no. 2 (July 3, 2019): 91. http://dx.doi.org/10.22213/2413-1172-2019-2-91-98.
Full textAbstract:
Исследовано влияние движения объекта рассеяния на характеристики собственного базиса. Определено влияние модуляции поляризационных характеристик зондирующего сигнала на вероятность обнаружения цели. Предложена методика расчета потенциальных возможностей повышения технических характеристик РЛС путем целенаправленного изменения во времени структуры зондирующего сигнала. Предложено использовать многопозиционную поляризационную модуляцию для решения задачи распознавания цели. Определены пути повышения арсенала многопозиционной поляризации. Для снятия априорной неопределенности состояния радиолокационного канала, связанной с динамически изменяющимися эффективными площадями рассеяния, использована метрика Бхаттачария. Получены на основе распределения Уишарта распределения вероятностей выборочных значений основных показателей состояния радиолокационного канала. Синтезированы алгоритмы и определены объемы выборки, необходимые для получения практически не смещенных и эффективных оценок основных показателей состояния эффективной площади рассеяния радиолокационной цели. Предложено использовать инварианты поляризационной матрицы рассеяния мощности цели для решения задачи классификации целей. На основе распределения Уишарта определены распределения выборочных значений следа и определителя матрицы рассеяния мощности. Получены алгоритмы вычисления инвариантов и определены интервалы наблюдений, при которых оценки выборочных значений становятся практически не смещенными и эффективными.
5
Корниенко, Леонид Григорьевич. "Эффективность поляризационной компенсации помех при учете частотной зависимости поляризаций антенн приемных каналов." Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника 53, no. 3 (March 4, 2010): 33–41. http://dx.doi.org/10.20535/s0021347010030040.
Full text
6
Гольдман, Е. И., В. Г. Нарышкина, and Г. В. Чучева. "О влиянии ионной поляризации транзисторных Si-структур на проводимость каналов инверсии p -типа." Радиотехника и электроника 64, no. 10 (2019): 1034–37. http://dx.doi.org/10.1134/s0033849419100048.
Full text
7
Гичиев, Набиюла Сапиюлаевич. "ГРАВИТАЦИОННАЯ МОДЕЛЬ ВНЕШНЕЙ ТОРГОВЛИ СЕВЕРО-КАВКАЗСКОГО МАКРОРЕГИОНА: ЭКОНОМЕТРИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ, ПРОГНОЗ ЭКОНОМИЧЕСКОГО РОСТА." Региональные проблемы преобразования экономики, no. 12 (August 14, 2020): 155. http://dx.doi.org/10.26726/1812-7096-2019-12-155-168.
Full textAbstract:
Предмет исследования: гравитационные эффекты экономической интеграции по каналам внешней торговли СКФО в механизме экономического роста макрорегиона. Объект исследования: региональная социально-экономическая система Северо-Кавказского федерального округа. Цель исследования: оценка направления и уровня влияния размера экономики и расстояний до экономических центров на интенсивность внешней торговли Северо-Кавказского макрорегиона. Задачи исследования: классификация методологического аппарата оценки гравитационного моделирования пространственных эффектов внешней торговли, построение эконометрической модели внешней торговли Северо-Кавказского макрорегиона. Рабочая гипотеза: гипотеза Я. Тинбергена: объем внешней торговли положительно коррелирует с размером экономик стран-контрагентов и отрицательно – с дистанцией до их экономических центров. Методические основы: метод гравитационного моделирования внешней торговли, регрессионного анализа и прогнозирования экономического развития региона. Научная новизна заключается в системном решении проблемы совершенствования методологии индикативного подхода к оценке асимметрии и обоснованию стратегических направлений сглаживания пространственной поляризации гравитационной модели внешней торговли Северо-Кавказского макрорегиона. Практическая значимость исследования определяется возможностью использования полученных результатов в системе государственного управления при разработке Стратегии социально-экономического развития СКФО, ЮФО и находящихся в их составе субъектов, направленных на обеспечение притока инвестиций и новых технологий, для стимулирования экономического роста в СКФО, обеспечения конвергенции и снижения уровня поляризации его социально-экономического развития.
8
Давыдов, Андрей Семенович, Andrei Semenovich Davydov, Артeм Александрович Краснов, Artem Aleksandrovich Krasnov, Владимир Александрович Кузьмин, and Vladimir Alexandrovich Kuzmin. "Вакуумные плотности заряда и тока в закритической двумерной системе Дирака-Кулона в магнитном поле с аксиальным векторным потенциалом." Teoreticheskaya i Matematicheskaya Fizika 208, no. 1 (June 26, 2021): 122–44. http://dx.doi.org/10.4213/tmf10048.
Full textAbstract:
Для планарной системы Дирака-Кулона со сверхкритическим протяженным аксиально-симметричным кулоновским источником с зарядом $Z > Z_{cr,1}$ и радиусом $R_0$ в присутствии магнитного поля с аксиальным векторным потенциалом рассмотрены непертубативные эффекты поляризации вакуума в закритической области. Исследовано поведение вакуумных плотностей заряда $\rho_{\mathrm{\scriptscriptstyle VP}}(\vec r )$ и тока $\vec{j}_\mathrm{{\scriptscriptstyle VP}}(\vec r )$. Основное внимание уделено расходимостям теории, соответствующей перенормировке и сходимости парциальных рядов для $\rho_\mathrm{{\scriptscriptstyle VP}}(\vec r )$ и $\vec{j}_\mathrm{{\scriptscriptstyle VP}}(\vec r )$. Подчеркнуто, что, в отличие от вакуумной плотности заряда, для вычисления вакуумной плотности тока в присутствии локализованного при $R_1>R_0$ внешнего магнитного поля необходимо учитывать парциальные каналы с большими значениями третьей проекции полного углового момента $|m_j|$. Показано, что в присутствии закритического кулоновского источника наведенное магнитное поле при определенных значениях параметров внешнего векторного потенциала способно усиливать исходное магнитное поле.
9
Белорусов, Д. А., Е. И. Гольдман, and Г. В. Чучева. "Слабое проявление эффекта поля в структурах металл--диэлектрик--полупроводник с сегнетоэлектрическим изолирующим слоем Ba-=SUB=-x-=/SUB=-Sr-=SUB=-1-x-=/SUB=-TiO-=SUB=-3-=/SUB=-." Физика твердого тела 63, no. 11 (2021): 1887. http://dx.doi.org/10.21883/ftt.2021.11.51592.154.
Full textAbstract:
Проведены высокочастотные измерения емкости и проводимости объектов Ni-Ba0.8Sr0.2TiO_3-Pt и Ni-Ba0.8Sr0.2TiO_3-Si с толщиной сегнетоэлектрика 120 nm в параэлектрической фазе. Показано, что во всем диапазоне внешних напряжений электрическое поле в Si практически не проникает. Подтвержден сделанный ранее вывод о причинах слабого проявления эффекта поля --- происходит практически полное экранирование поляризации сегнетоэлектрического слоя зарядами электронных ловушек на контакте Ba0.8Sr0.2TiO_3-Si. Отмечено, что резкое снижение за счет пассивации активности поверхностных ловушек позволит реализовать транзисторы на базе структур металл-BST-Si с работающим поверхностным каналом неосновных носителей заряда и обеспечит построение высококачественных ячеек энергонезависимой памяти FeRAM. Ключевые слова: металл--диэлектрик--полупроводник-структуры, металл--диэлектрик--металл-структуры, сегнетоэлектрические пленки состава Ba0.8Sr0.2TiO3, высокочастотный импеданс.
10
Олейник, И. И. "ПРЕДСТАВЛЕНИЕ СИГНАЛОВ ПРИ ОБРАБОТКЕ ИНФОРМАЦИИ В МАЛОБАЗОВОЙ ПОЛЯРИЗАЦИОННОЙ ИЗМЕРИТЕЛЬНОЙ СИСТЕМЕ." Экономика. Информатика 47, no. 2 (August 4, 2020): 422–31. http://dx.doi.org/10.18413/2687-0932-2020-47-2-422-431.
Full textAbstract:
С развитием радиолокационной техники, в современных условиях, большую актуальность приобретают MIMO системы. Основным принципом функционирования таких систем является возможность сканирования одного и того же объекта несколькими радиолокаторами, или несколькими радиолокационными позициями, отстоящими друг от друга на расстоянии. При этом обработка отраженных от объекта сигналов заключается не только в определении координат объектов, но и в использовании корреляционных связей между отраженными сигналами с целью получения дополнительных признаков для обнаружения и распознавания объектов. Варианты таких систем, имеющих поляризационные различия в излучаемых и принимаемых сигналах, на сегодняшний день еще недостаточно изучены. В статье рассмотрены структура и принципы функционирования малобазовой поляризационной измерительной системы. Получены математические выражения для описания излучаемых и принимаемых отраженных от объектов сигналов двумя разнесенными позициями, работающих на ортогональных поляризациях. Получены выражения, описывающие напряжения на выходе приемных каналов малобазовой поляризационной измерительной системы при полном поляризационном зондировании для формирования поляризационного вектора рассеяния объекта. Проведен анализ полученных выражений и определены параметры сигналов, влияющие на дальнейшую обработку.
11
"Фотогальванический эффект в киральных краевых каналах / Дурнев М.В., Тарасенко С.А., Планк Х., Кандуссио С., Пернул Дж., Дантчер К.-М.,Мёнш Э., Санднер А., Эромс Дж., Вайс Д., Бельков В.В., Ганичев С.Д." Тезисы докладов XIV РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ ПО ФИЗИКЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ «ПОЛУПРОВОДНИКИ-2019», August 20, 2019, 484. http://dx.doi.org/10.34077/semicond-484.
Full textAbstract:
На краях двумерных проводящих систем, помещенных в сильное магнитное поле, когда выполнены условия квантового эффекта Холла, формируются одномерные электронные каналы, направление движения в которых определяется направлением приложенного магнитного поля. В таких киральных каналах носитель заряда движется баллистически, что приводит к квантованию поперечной проводимости системы. В работе представлена теоретическая модель возникновения постоянного тока при освещении киральных краевых каналов электромагнитной волной. В рамках модели падающее излучение с частотой, меньшей циклотронной, приводит к непрямым оптическим переходам внутри кирального канала. В результате формируются неравновесные электроны и дырки, которые за счёт дисперсии скорости в киральном канале приводят к возникновению диссипативного вклада в краевой фототок, который может быть измерен экспериментально. Модель предсказывает ряд особенностей поведения такого краевого фототока по сравнению с фототоком, возникающим в слабых магнитных полях: в частности, направление фототока определяется направлением магнитного поля и не зависит от типа проводимости (электронной или дырочной) в системе [1]. Изменение поляризации излучения приводит лишь к изменению величины фототока, оставляя неизменным его направление. В работе также представлены экспериментальные данные по краевому фототоку, возникающему при освещении краёв графена, находящегося в режиме квантового Холла, терагерцовым излучением [1]. Наблюдаемый фототок течёт в противоположных направлениях на противоположных краях образца, и в соответствие с предсказаниями модели, направление тока не меняется при переходе от электронной проводимости к дырочной (который осуществляется с помощью изменения напряжения на затворе образца), но меняется при смене знака магнитного поля. В работе разработана количественная теория краевого фототока, возникающего в киральных каналах в графене, выполнены расчеты величины фототока в зависимости от положения уровня Ферми, частоты и поляризации падающего излучения. Сравнение с экспериментальными данными позволило извлечь время энергетической релаксации носителей заряда в киральных каналах в графене.
12
"Фотогальванический эффект в киральных краевых каналах / Дурнев М.В., Тарасенко С.А., Планк Х., Кандуссио С., Пернул Дж., Дантчер К.-М., Мёнш Э., Санднер А., Эромс Дж., Вайс Д., Бельков В.В., Ганичев С.Д." Тезисы докладов XIV РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ ПО ФИЗИКЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ «ПОЛУПРОВОДНИКИ-2019», August 20, 2019, 484. http://dx.doi.org/10.34077/semicond2019-484.
Full textAbstract:
На краях двумерных проводящих систем, помещенных в сильное магнитное поле, когда выполнены условия квантового эффекта Холла, формируются одномерные электронные каналы, направление движения в которых определяется направлением приложенного магнитного поля. В таких киральных каналах носитель заряда движется баллистически, что приводит к квантованию поперечной проводимости системы. В работе представлена теоретическая модель возникновения постоянного тока при освещении киральных краевых каналов электромагнитной волной. В рамках модели падающее излучение с частотой, меньшей циклотронной, приводит к непрямым оптическим переходам внутри кирального канала. В результате формируются неравновесные электроны и дырки, которые за счёт дисперсии скорости в киральном канале приводят к возникновению диссипативного вклада в краевой фототок, который может быть измерен экспериментально. Модель предсказывает ряд особенностей поведения такого краевого фототока по сравнению с фототоком, возникающим в слабых магнитных полях: в частности, направление фототока определяется направлением магнитного поля и не зависит от типа проводимости (электронной или дырочной) в системе [1]. Изменение поляризации излучения приводит лишь к изменению величины фототока, оставляя неизменным его направление. В работе также представлены экспериментальные данные по краевому фототоку, возникающему при освещении краёв графена, находящегося в режиме квантового Холла, терагерцовым излучением [1]. Наблюдаемый фототок течёт в противоположных направлениях на противоположных краях образца, и в соответствие с предсказаниями модели, направление тока не меняется при переходе от электронной проводимости к дырочной (который осуществляется с помощью изменения напряжения на затворе образца), но меняется при смене знака магнитного поля. В работе разработана количественная теория краевого фототока, возникающего в киральных каналах в графене, выполнены расчеты величины фототока в зависимости от положения уровня Ферми, частоты и поляризации падающего излучения. Сравнение с экспериментальными данными позволило извлечь время энергетической релаксации носителей заряда в киральных каналах в графене.
13
Тарасенко, С. А. "Краевые фотогальванические эффекты в двумерных кристаллах." ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ, September 27, 2021, 30. http://dx.doi.org/10.34077/rcsp2021-30.
Full textAbstract:
В докладе представлены результаты теоретического и экспериментального исследования краевых фотогальванических эффектов в двумерных кристаллах. Продемонстрировано, что возбуждение двумерной структуры электромагнитным излучением приводит к генерации направленного электрического тока вдоль геометрической границы структуры; полярность тока зависит от поляризации излучения. Обсуждаются механизмы генерации краевого фототока для различных спектральных диапазонов, соответствующих как межзонным, так и внутризонным оптическим переходам в структурах на основе графена и других двумерных дираковских материалах. Показана возможность многократного усиления фотоотклика в системах с латеральной сверхструктурой. Обсуждаются также эффекты генерации фототоков в киральных и спиральных краевых каналах двумерных топологических изоляторов. Разработанная теория хорошо описывает зависимости фототока от поляризации излучения и магнитного поля, наблюдаемые на графеновых системах, и показывает, что краевой фотогальванический эффект может доминировать в фотоэлектрическом отклике микроструктур.
14
"Знакопеременная оптическая ориентация в структурах GaAs:Mn / Кокурин И.А., Силов А.Ю., Аверкиев Н.С." Тезисы докладов XIV РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ ПО ФИЗИКЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ «ПОЛУПРОВОДНИКИ-2019», August 20, 2019, 313. http://dx.doi.org/10.34077/semicond2019-313.
Full textAbstract:
Предсказана смена знака электронной поляризации в структурах на основе GaAs, легированных Mn, в условиях оптической ориентации, когда фотовозбуждение осуществляется из состояния ионизированного акцептора (фотонейтрализация). Переключение намагниченности при этом осуществляется изменением интенсивности возбуждения. Для возникновения эффекта необходимо наличие в системе не только акцепторных примесей замещения MnGa, но и двухзарядных доноров в междоузлиях MnI, а также более сложных комплексов, таких как димеры MnI-MnGa, которые возникают при высоком уровне легирования [1]. Учет указанных конфигураций Mn и различных типов обменного взаимодействия в этих состояниях позволяет заключить, что при низкой степени фотовозбуждения (когда время захвата оказывается короче времени спиновой релаксации электронов) происходит захват неравновесных электронов на магнитные доноры преимущественно с переворотом спина. Это приводит к аномальной спиновой ориентации неравновесных электронов, т.е. знак намагниченности оказывается противоположным знаку, определяемому правилами отбора при возбуждении. Увеличение мощности накачки приводит к насыщению канала возбуждениярекомбинации с участием доноров, а это в свою очередь восстанавливает «правильный» знак электронной намагниченности. В работе [2] исследовалась поляризованная микро-ФЛ из квантовых ям (КЯ) GaAs:Mn/AlGaAs шириной 3,7 нм. ФЛ возбуждалась циркулярно-поляризованным светом с энергией кванта 1,53 эВ, что значительно ниже энергии межзонного перехода в КЯ. Анализ спектров микро-ФЛ указывает на наличие ряда особенностей у линии, связанной с рекомбинацией с участием нейтрального акцептора MnGa: а) синий сдвиг положения линии с ростом интенсивности возбуждения; б) спектральная зависимость циркулярной поляризации ФЛ (длинноволновый край линии поляризован отрицательно, а коротковолновый – положительно); в) изменение знака интегральной поляризации с ростом накачки, при этом аномальный отрицательный знак имеет место при малых накачках. Предложенная модель объясняет описанные экспериментальные данные в предположении, что спектральная линия в действительности состоит из двух уширенных линий, одна из которых связана с рекомбинацией свободного электрона на акцептор, а другая соответствует донорно-акцепторной рекомбинации с участием магнитных центров. При этом следует учесть, что энергия ионизации донора Mn (около 4 мэВ) не превышает неоднородного уширения. С ростом интенсивности возбуждения происходит изменение относительных вкладов от низкоэнергетической и высокоэнергетической полос в пользу последней, что и объясняет «синее» смещение максимума линии и изменение знака интегральной поляризации ФЛ. Таким образом, наше рассмотрение показывает, что возникновение неравновесной намагниченности в полупроводниках определяется не только правилами отбора при возбуждении, но также зависит от деталей захвата носителей примесями или дефектами, характера спин-спиновых взаимодействий и спиновой релаксации.
15
"Кондактанс асимметричных квантовых точечных контактов / Похабов Д.А., Погосов А.Г., Жданов Е.Ю., Бакаров А.К., Шкляев А.А." Тезисы докладов XIV РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ ПО ФИЗИКЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ «ПОЛУПРОВОДНИКИ-2019», August 20, 2019, 175. http://dx.doi.org/10.34077/semicond2019-175.
Full textAbstract:
Исследование электронного транспорта в квантовых точечных контактах (КТК) представляет повышенный интерес в связи с эффектами, связанными со спиновой поляризацией и электрон-электронным взаимодействием. К ярким проявлениям этих эффектов можно отнести «аномальные» особенности кондактанса КТК, наблюдающиеся в нулевом магнитном поле в виде плато при значениях кондактанса, не кратных 2e 2 /h: 0.25×2e 2 /h, 0.5×2e 2 /h и 0.7×2e 2 /h. Их возникновение в ряде работ связывают со спонтанной спиновой поляризацией. Эффекты спиновой поляризации в таких устройствах связаны со спин-орбитальным взаимодействием, обусловленным как латеральным электрическим полем, приложенным вдоль [1] или поперёк [2-3] канала КТК, так и нарушением симметрии ограничивающего потенциала. В настоящей работе исследуются «аномальные» особенности кондактанса симметричных и асимметричных КТК. Экспериментальные образцы изготавливались на основе гетероструктур GaAs/AlGaAs с высокоподвижным двумерным электронным газом и представляли собой подвешенные, т.е. оторванные от подложки, КТК. Изучались (а) симметричные КТК, (б) КТК с несимметричными боковыми затворами (включая конфигурацию боковых затворов «wall – finger») и (в) КТК с несимметричными адиабатическими входами и выходами (с каналами неоднородными в продольном направлении). Проведены измерения кондактанса как функции напряжений на боковых затворах VG1 и VG2 и напряжения исток-сток VSD, демонстрирующие роль асимметрии канала КТК в формировании спин-поляризованных состояний, соответствующих плато квантования кондактанса 0.25×2e 2 /h и 0.5×2e 2 /h. Обнаружены отличия, обусловленные направлением (знаком) спин-поляризующего латерального электрического поля, — поперечного или продольного — создаваемого напряжением, прикладываемым между боковыми затворами, и областями истока и стока, соответственно. Измерения проводились методом синхронного детектирования при температуре жидкого гелия.
16
"Роль подложки и дефектов на транспортные свойства пленок висмутового феррита граната / Масюгин А.Н., Бегишева О.Б., Аплеснин С.С." Тезисы докладов XIV РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ ПО ФИЗИКЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ «ПОЛУПРОВОДНИКИ-2019», August 20, 2019, 117. http://dx.doi.org/10.34077/semicond2019-117.
Full textAbstract:
Висмут ферритовые гранаты обладают колоссальным Фарадеевским вращением в видимой области спектра и используются в магнитооптических устройствах для пространственной модуляции света, в оптических сенсорах. В пленках обнаружен линейный магнитоэлектрический эффект, который объясняется наличием доменных границ и интерфейсом пленка-подложка. В этих системах важно рассмотреть влияние примесей и интерфейса пленка-подложка на магнитоэлектрическое взаимодействие и сосуществование каналов тока с ферроэлектрическими областями, что позволит создавать мемристорные устройства управляемые светом. Исследовались эпитаксиальные пленки Nd1Bi2Fe5O12(450nm)/Nd2Bi1Fe4Ga1O12(90nm) на стеклянной подложке и Nd0.5Bi2.5Fe5O12(450nm) на монокристаллической подложке GGG, выращенной в кристаллографическом направлении (111). Ниже 400 К обнаружено влияние подложки на резистивные характеристики пленки. В окрестности температуры Кюри Тс=450 К энергия активации уменьшается от ∆E=0.48 эВ до 0.33 эВ при нагревании, что указывает на взаимодействие носителей тока с магнитной подсистемой. Найден гистерезис в ВАХ с конечным значением тока порядка 1 нА при нулевом внешнем электрическом поле, связанный с пиротоком в результате изменения электрической поляризации. Импеданс, измеренный в интервале частот 1-300 кГц, уменьшается выше температуры Нееля вследствие роста диэлектрической проницаемости, обусловленной электронами проводимости. В интервале температур 180-210 К реактивная часть импеданса резко уменьшается, что связываем с пиннингованием доменных границ на заряженных примесях.
17
"Плазмонно-резонансное поглощение ТГц излучения в графене / Титова Е.И., Былинкин А.Н., Кащенко М.А., Михеев В.В., Жукова Е.С., Свинцов Д.А." Тезисы докладов XIV РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ ПО ФИЗИКЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ «ПОЛУПРОВОДНИКИ-2019», August 20, 2019, 244. http://dx.doi.org/10.34077/semicond2019-244.
Full textAbstract:
Возбуждение поверхностного плазмонного резонанса (ППР) позволяет концентрировать электромагнитное поле в веществе, что значительно увеличивает поглощение излучения различными материалами. Этот эффект позволяет создавать эффективные и сверхбыстрые фотодетекторы на основе графена, который в обычном состоянии слабо поглощает внешнее излучение. Фотодетектирование с помощью возбуждения ППР уже наблюдалось в высококачественном графене на SiC [1], а также в инкапсулированном графене, полученном методом отщепления [2]. В данной работе показано возбуждение ППР в более доступном и масштабируемом графене, полученном методом химического осаждения из газовой фазы (ХОГФ) в диапазоне 5-10 ТГц. Были изготовлены транзисторные структуры с монослоем графена в качестве канала, золотыми контактами в качестве стока/истока, и p-легированной Si/SiO2 подложкой в качестве нижнего затвора. Также на стеке графен/диэлектрик была сделана субмикронная решетка из титана для возбуждения ППР. Металлическая решетка с минимальними размерами 130нм была изготовлена с помощью электронно-лучевой литографии. Спектры пропускания данной структуры были измерены с помощью Фурье-спектрометра Bruker Vertex 80v в диапазоне от 50 до 450 см-1. Во время спектрометрических измерений образцы также контролировались электрически. Пренебрегая отражением и рассеянием излучения, поглощение образца равно CNP G T VT A )( 1 , где TCNP - пропускание графена в точке электронейтральности. Измерения проводились при двух различных поляризациях излучения: параллельно и перпендикулярно титановой решетке. При этом в первом случае наблюдалось только Друдепоглощения в графене, тогда как во втором случае возбуждался ППР. Исследовав зависимость частоты ППР от напряжения на затворе мы обнаружили, что ранние теории [3] плохо описывают данный эффект, т.к. не учитывают сильное отражение плазмонов на краях металлических полос при близком расположении решетки и графена. В отличие от предыдущих теорий, резонансная частота плазмонов в таком случае определяется длинной отдельных металлических полос, а не периодом решетки. Мы сформулировали простую теорию для резонансных частот в нашем эксперименте, которая описывает экспериментальные данные без каких-либо подгоночных параметров [4].
18
"Эллипсометрия анизотропных и несовершенных полупроводниковых материалов и структур / Спесивцев Е.В., Швец В.А., Рыхлицкий С.В." Тезисы докладов XIV РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ ПО ФИЗИКЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ «ПОЛУПРОВОДНИКИ-2019», August 20, 2019, 132. http://dx.doi.org/10.34077/semicond2019-132.
Full textAbstract:
С развитием нанотехнологий появляются новые материалы, характеризующиеся нелинейными оптическими свойствами, анизотропной внутренней и поверхностной структурой, сложной поверхностью. Это приводит к тому, что отраженный от такой поверхности свет имеет сложный поляризационный состав. Он может характеризоваться смешанной поляризацией, в случае если анализируемый участок поверхности неоднороден по оптическим свойствам. Кроме того, в нем может присутствовать деполяризованная компонента. Физической причиной возникновения деполяризации может быть диффузное рассеяние света на рельефе поверхности или неоднородность оптических свойств по площади или толщине образца. Эффекты деполяризации наблюдаются, к примеру, при выращивании буферных слоев, металлических пленок на GaAs, кластеров InAs на GaAs, алмазоподобных пленок, пористого и поликристаллического кремния для солнечных элеменов и т.д. Подобные объекты требуют проведения полных эллипсометрических измерений, то есть расширения эллипсометрического метода до возможности измерения полной 16-ти элементной матрицы Мюллера-Джонса. Такой метод дает исчерпывающую информацию об оптических свойствах анизотропной, а также деполяризующей диффузно рассеивающей поверхности. Для проведения полных измерений требуется создание соответствующей аппаратуры. Нами разработан эллипсометр на основе оригинальной и запатентованной двухканальной измерительной схемы [1]. Данная схема относится к классу статических фотометрических схем, и характеризуется рядом существенных преимуществ. Накопление данных ведется при неподвижных поляризационных элементах и при отсутствии модуляции сигнала. Это обеспечивает высокое быстродействие при сохранении высокой чувствительности, поскольку скорость измерения ограничивается только временем оцифровки сигнала. Кроме того, алгоритм обработки данных предусматривает измерение отношения дифференциальной разности сигналов в каждом канале к их сумме, что исключает влияние флуктуаций интенсивности источника излучения. Методика предполагает наряду со стандартными положениями призмы поляризатора ± 45°, использовать дополнительные положения 0° и 90°, то есть параллельно плоскости падения и перпендикулярно к ней. Это позволяет помимо основных диагональных элементов pp и pp измерять недиагональные элементы матрицы Джонса ps, ps, ps и ps, а также определять степень поляризации отражённого света, а значит разделять эффекты анизотропии и деполяризации, и в конечном счете, получать полную информацию о поверхности. Нужно отметить, что по сравнению с техникой прямых измерений матрицы Мюллера, где эффекты анизотропии и деполяризации не разделяются, предложенная методика позволяет их разделить.