Journal articles on the topic 'Поле електричне'

В роботі досліджено вплив неоднорідного екранованого електричного поля на процес заряджання пилових частинок в термічній запиленій плазмі. Електричне поле заряджених частинок враховано в межах коміркового підходу, за допомогою якого задачу зведено до одночастинкової. В межах моделі квазіхімічної рівноваги, яку узагальнено на випадок неоднорідного екранованого електричного поля, отримано середній заряд пилових частинок, функцію розподілу частинок за зарядами та дисперсію цього розподілу. Також отримано критерій неоднорідності g(z) електричного поля та показано, що впливом ефектів екранування можна знехтувати у випадку розрідженої підсистеми пилових частинок (при rc/rp>>1) та у випадку частинок малих радіусів (rp~10–5 см).

Розглянуто тунельну тріщину вздовж межі розділу двох зчеплених одновимірних п’єзоелектричних квазікристалічних півпросторів. Досліджуються провідні електричні умови на берегах тріщини. Вважається, що розташування атомів є періодичним у площині, перпендикулярній фронту тріщини та квазіперіодичним у напрямі фронту, причому остання вісь співпадає з напрямком поляризації матеріалів. Рівномірно розподілені антиплоскі фононні та фазонні зсувні напруження та електричне поле в площині, перпендикулярній фронту тріщини, задані на нескінченності. Побудовані матрично-векторні представлення для фононних та фазонних напружень та електричного поля, а також для похідних від стрибка фононних та фазонних переміщень та електричного зміщення через вектор-функцію, голоморфну у всій комплексній площині, за винятком області тріщин. Задовольняючи з використанням цих представлень умовам на берегах тріщини, формулюється задача лінійного спряження Рімана-Гільберта з відповідними умовами на нескінченності та будується аналітичний розв’язок цієї задачі. Аналізуючи цей розв’язок, отримали аналітичні вирази для фононних та фазоних напружень та стрибків переміщень уздовж межі поділу матеріалів. Показано, що отриманий розв’язок має осцилюючу кореневу сингулярність біля вершин тріщини. Важливо, що ця особливість не призводить до взаємного проникнення берегів тріщини, як у плоскому випадку. До того ж області осцилляції є дуже малими, тому отримані розв’язки є прийнятними для практичного використання. Чисельний аналіз проведений для комбінації різних квазікристалічних з’єднань. Результати отримані для фононних та фазонних компонент пружно-деформівного стану вздовж межі поділу матеріалів і представлені в графічній формі. Зроблені висновки стосовно зміни фононних та фазонних характеристик на межі поділу матеріалів залежно від зовнішніх навантажень та геометричних факторів.

Висвітлено результати експериментальних досліджень роботи біотехнічної системи опромінення насіння високочастотним електромагнітним полем, безперервним синусоїдальним сигналом із різною вихідною потужністю для насіння пшениці. Визначений тепловий та осциляторний вплив електромагнітного поля на біологічну тканину. Запропонована фізико-математична модель структури біологічної тканини на рівні клітинних мембран, внутрішньо і міжклітинного середовищ з точки зору електричних властивостей. На основі будови клітин визначені електричні властивості біологічної тканини, з якої складається насіння рослин. Показана зміна складових комплексного опору в залежності від частоти електромагнітного випромінювання за допомогою якого проводилась стимуляція. Побудовано рівняння реґресії і проведено оцінку їх адекватності за критерієм Фішера. Аналіз рівнянь реґресії дозволив визначити оптимальне співвідношення незалежних факторів для досягнення максимального відсотка схожості насіння. Отримані результати дозволили конкретизувати критерії оцінювання опромінення насіння. Експериментально доведено, що еквівалентну електричну схему неможливо звести до простих випадків з’єднання опорів і ємностей, а саме насіння не можна вважати нейтральним діелектриком. Розроблена методика оцінки інтенсивності обмінних процесів залежно від електричного опору насіння.

Розглянуто гібридні системи, що складаються з наночастинки та напівпровідникової гетероструктури з квантовою ямою. Наночастинка є такою, що поляризується у сторонньому електричному полі. Обґрунтовано та сформульовано модель гібридної системи. Отримано точні розв'язки рівнянь. Знайдені частоти коливань зарядів гібридної системи та їх додаткове загасання, що зумовлено взаємодією диполя з плазмонами. Природа додаткового загасання подібна до загасання Ландау. Проаналізовано поведінку в часі та просторі збурень концентрації двовимірних електронів. Досліджено поляризаційні коливання наночастинки. Знайдено, що при ненульових дрейфових швидкостях наведена поляризація характеризується складною динамікою. Зокрема, для двох із трьох гілок частотної дисперсії вектор поляризації обертається по еліптичних траєкторіях. У випадку, коли до квантової ями прикладене поле та тече струм, загасання змінюється на наростання коливань гібридної системи у часі, що відповідає електричній нестійкості гібридної системи. Нові явища в гібридних системах можуть бути застосовані для збудження випромінювання наночастинок струмом та для електричної генерації випромінювання в терагерцовій області спектра.

Стаття присвячена проблемі зберігання бактеріологічної чистоти та вмісту вітаміну С в незбираному молоці при оброблені сильними імпульсними електричними полями. Відомо, що важливим показником мікробіологічної безпечності та якості, а також рівня санітарно-гігієнічних умов обробки молока є мікробіологічні показники (КМАФАнМ) та (БГКП). При перевищенні допустимого титру мікроорганізми КМАФАнМ та БГКП можуть спричиняти псування готового продукту і навіть харчові отруєння. Об’єкт дослідження: імпульсні електричні поля. Предмет дослідження: незбиране молоко до та після оброблення імпульсними електричними полями. Оброблення незбираного молока здійснювали на експериментальній установці, що складається з трансформатора, іскрових розрядників, ємнісних нагромаджувачів енергії, системи керування, робочої камери. Наявність чисельності КМАФАнМ та БГКП в обробленому молоці визначали шляхом посіву на живильні середовища. Масову частку вітаміну С визначали титриметричним методом. При дослідженнях встановлено, що обробка сильними електричними полями з напругою 30 кВ/см протягом 30 с є найбільш ефективною, оскільки спостерігається повна інактивація мікроорганізмів КМАФАнМ та БГКП. Доведено можливість здійснення теплового оброблення незбираного молока за рахунок нетеплових ефектів, що виникають за імпульсної дії електричних полів. Відкрито перспективи використання вітчизняних ІЕП-установок при первинному обробленні незбираного молока з метою поліпшення мікробіологічних показників.

У роботі розглянуто теоретичні засади для оптимізації побудови генераторів електричних коливань на основі транзисторних схем і структур з від’ємним опором. Наведено модифіковану математичну модель ван дер Поля, яка описує динамічні процеси осциляторного т

Досліджено динаміку спектральної композиції електричної активності егротропної та трофо­тропної зон гіпоталамуса щурів за умов тривалого стресу (21 тиждень) і дії лівонапрямленого вихрового імпульсного магнітного поля (МП). Виявлено, що ефекти впливу вихрового МП залежать від вихідного стану дослідженої мозкової структури та терміну впливу. За фізіологічних умов під впливом МП у спек­тральній композиції електрогіпоталамограми спостерігається синхронізація, яка виражається у підвищенні потужності тета-ритму. Під комбінованим впливом стресу та МП спостерігається формування двофазної електрогіпоталамограми у вигляді послідовної зміни явища десинхронізації синхронізацією електричної активності за рахунок представленості високочастотних компонентів.

У статті запропоновано математичну модель довгої лінії з розподіленими параметрами. Використано рівняння Максвелла, тобто рівняння електромагнітного поля з частинними похідними, що найповніше відтворюють картину фізичних процесів у елементах передачі енергії. Розв'язок диференціальних рівнянь з частинними похідними реалізується застосуванням числових методів з допомогою комп'ютерної техніки.

Отримано значення порога і запороговий просторовий розподіл директора в електричному полі в нематичній комірці з періодичною енергією зчеплення директора з її поверхнею. Показано, що значення порога немонотонно залежить від числа s періодів енергії зчеплення, що вкладаються на довжині комірки. Запороговий розподіл директора при цілих значеннях s відслідковує періодичну зміну енергії зчеплення. Амплітуда періодичного відхилення директора росте зі зменшенням відношення товщини комірки до періоду енергії зчеплення.

Досліджено вплив бджолиного пилку на стан центральної нервової системи білих лабораторних щурів. Поведінкові реакції оцінювали у „відкритому полі”, запис біоелектричної активності проводили від лобово-тім’яної кори, дорсального гіпокампа та гіпоталамуса на стандартному електрофізіологічному устаткуванні. Показано, що бджолиний пилок, викликаючи збільшення абсолютних показників складових електричної активності мозку, знижує частку повільних низькочастотних компонентів і підвищує потужність швидких високочастотних. Це проявляється у підвищенні спонтанної рухової активності й розвитку орієнтовно-дослідної стратегії поведінки, що вказує на сприятливий вплив цього препарату на ЦНС

У статті представлено аналіз моделі управління термоелектричним пристроєм забезпечення теплових режимів радіоелектронної апаратури, показники надійності якої суттєво визначаються температурою елементів. Модельні дослідження проведено для умов неоднорідного температурного поля в діапазонах типових перепадів температур, струмових режимів роботи та потужності розсіяння. Аналіз проведено для різних відношень висоти до площі перетину гілок термоелектричних елементів. Розкрито перевагу розподіленого активного термоелектричного охолодження радіоелектронних систем із просторово рознесеними теплонавантаженими елементами порівняно із загальним охолодженням. Розглянуто можливість оптимального управління тепловим режимом комплексу термоелектричних охолоджувачів із послідовним електричним з’єднанням за різного рівня охолодження й теплового навантаження. Визначено основні параметри, показники надійності та динамічні характеристики охолоджувачів. Проаналізовано струмові режими у процесі побудови комплексу з урахуванням енергетичних, масогабаритних характеристик і характеристик надійності. Проведено порівняльний аналіз основних параметрів, показників надійності та динамічних характеристик комплексу термоелектричних охолоджувачів за різного рівня охолодження, заданої уніфікації геометрії гілок термоелементів і струмових режимів роботи. Результати досліджень показали можливість управління тепловим режимом комплексу термоелектричних охолоджувачів за рахунок вибору теплового режиму роботи з урахуванням значущості кожного з обмежувальних факторів за масогабаритними, енергетичними й динамічними характеристиками. У процесі вибору струмових режимів ураховано взаємний вплив кожного з обмежувальних факторів, за допомогою зміни яких під час проєктування системи забезпечення теплових режимів можна вибрати компромісні режими роботи.

В роботi одержано формулу для часу релаксацiї електронiв на поверхнi i проаналiзовано частотну залежнiсть електричної i магнiтної компонент поляризовностi двошарової металевої нанокулi. Максимуми поляризовностi вiдповiдають плазмонним резонансам ядра та оболонки. Розрахунки було проведено для бiметалевих наночастинок Ag–Au, Au–Ag та Ag–Al, розташованих у тефлонi. Продемонстровано можливiсть керування оптичними характеристиками бiметалевих наночастинок змiною їх морфологiї. Проведено розрахунки перерiзiв екстинкцiї i розсiювання та фактора пiдсилення поля в околi наночастинок у широкому спектральному iнтервалi за рiзних спiввiдношень розмiрiв ядра та оболонки, а також оцiнено температуру бiметалевої нанокулi для фототермiчної терапiї злоякiсних пухлин.

Розраховано мінімальну густину, за якої гелій переходить у металічний стан. Вона становить приблизно 5 г/см3. Оцінено також температуру переходу метал–діелектрик. Вона становить приблизно 9000 K. З цією метою досліджували парну ефективну міжіонну взаємодію в гелії та його електричний опір в околі точки переходу в металічний стан. Розгляд ґрунтувався на моделі майже вільних електронів. У ролі малого параметра використовували відношення потенціалу взаємодії електронів провідності з одноразово іонізованими атомами гелію до енергії Фермі. Взаємодію між електронами враховували відповідно до дифракційної моделі металу, тобто через екранування електрон-іонної взаємодії. Обмінну взаємодію і кореляції електронів провідності враховували у наближенні локального поля.

Предметом даного дослідження є процеси формування електромагнітної обстановки у виробничому середовищі в умовах впливу на неї джерел електромагнітних полів різних амплітудно-частотних характеристик. Мета роботи розроблення методологічного підходу до попереднього оцінювання електромагнітної обстановки у приміщеннях різного призначення у залежності від типу та характеристик технологічного обладнання, параметрів електричних мереж та впровадження відповідних організаційно-технічних заходів захисту людей. Завданням дослідження є аналіз математичних методів розрахунку рівнів електромагнітних полів у залежності від поставлених задач та характеристик електромагнітних полів. Використано аналітичний метод оцінювання адекватності математичних функцій умовам формування електромагнітної обстановки. У роботі показано, що розрахункові та експериментальні методи не можуть бути використані окремо. Це пояснюється обов’язковою присутністю припущень та спрощень при моделюванні поширення електромагнітного поля навколо джерела та наявністю великих обсягів експериментальних даних за їх окремого використання. Зазначено, що більшість розроблених засобів оцінювання електромагнітної обстановки стосуються одного джерела поля або групи однотипних джерел, що не відповідає сучасним вимогам. Надано прикладний розрахунковий апарат для оцінювання зниження високочастотного електромагнітного поля неоднорідними (перфорованими) екрануючими поверхнями. Показано необхідність попереднього експериментального визначення електрофізичних властивостей використаних матеріалів для двокомпонентних захисних матеріалів. Зроблено висновок, що крім аналітичного оцінювання електромагнітної обстановки традиційними методами доцільним є розроблення програмно-технічного комплексу з моделювання поширення електромагнітного поля від джерела. Таке програмне забезпечення має враховувати геометричні характеристики приміщень та відбивні характеристики обмежуючих поверхонь.

У статті наведені результати вивчення кінетичних закономірностей формування, структури, а також елек- тричних властивостей полімерних композитів на основі поліаміноаренових сполук, синтезованих окисною полі- меризацією аміноаренів (о-толуїдину або аніліну) у водних розчинах (гідрогелях) поліакрилової (ПАК) та поліме- такрилової кислот (ПМАК), методом in situ; з’ясовано нові можливості застосування таких систем. Досліджено вплив водорозчинних матриць поліакрилової або поліметакрилової кислот на кінетику окисної полімеризації аніліну, о-толуїдину. За допомогою методу ІЧ-спектроскопії вивчено будову та молекулярну структуру полімерних композитів ПАН−ПАК. На підставі вивчення електричних властивостей отриманих композитів з’ясовано, що концентраційна залежність питомої електропровідності від вмісту наповнювачів має перколяційний характер із «порогом пер- коляції», який залежить від природи полімерної матриці та поліаміноарену і становить 2,3−2,5% для композита ПоТІ−ПАК, 3−4% − для ПоТІ−ПМАК, 1,8% − для ПАН-ПАК і близько 2% − для ПАН−ПМАК. З’ясовано, що наявність іон-провідних матриць поліакрилової та поліметакрилової кислот суттєво змінює кінетику полімеризації аніліну та о-толуїдину, проте не впливає на напівпровідниковий характер електропровід- ності та оптичного поглинання, спряжених поліаміноаренів, що дозволяє використовувати утворені композити для виготовлення нових електропровідних полімерних матеріалів.

Інтенсивне впровадження електротехніки, радіотехніки й електроніки майже у всі галузі народного господарства, науку, техніку, медицину, побут поставило перед широким колом фахівців (радіоінженери, інженери з прискорювальних установок, з ядерної техніки, електроніки, автоматики тощо) завдання активного освоєння методів розрахунків електродинамічних задач. Створення та експлуатація новітніх радіоелектронних пристроїв та приладів визначають зростаючу потребу у добре підготованих фахівцях радіотехнічного напряму.У сучасній радіотехніці й зв’язку широке застосування знаходять електромагнітні хвильові процеси і різноманітні пристрої, у яких ці процеси відіграють суттєву роль: передавальні лінії й хвилеводи, випромінювачі й приймальні антени, об’ємні резонатори й фільтри, невзаємні пристрої з феритами, елементи обчислювальних машин і комутаційних пристроїв, що працюють у сантиметровому або оптичному діапазоні.Курс «Технічна електродинаміка» та подібні до нього є обов’язковими для вивчення під час підготовки фахівців. Крім того, електродинаміка є важливою частиною теоретичної фізики, тому курси з електродинаміки читаються у переважній більшості університетів, й, у тій або іншій формі, і в ряді вищих технічних навчальних закладів.За програмою цього курсу найчастіше розглядаються наступні теми:1. Елементи векторного аналізу та математичної теорії поля2. Рівняння Максвелла3. Пласкі електромагнітні хвилі4. Відбиття та переломлення пласких електромагнітних хвиль5. Стале електричне поле6. Стале магнітне поле7. Поширення електромагнітних хвиль8. Хвилеводи9. Об’ємні резонаториВивчення вище перелічених тем вимагає використовувати такі операції з математичної теорії поля, як градієнт, ротор, дивергенція, скалярний та векторний добуток векторів тощо, розв’язувати рівняння у частинних похідних за методами Д’Аламбера (поширення хвиль), відокремлення змінних (рівняння Лапласа, Пуассона, Гельмгольця), визначати структури полів (типи хвиль) у хвилевідних лініях та об’ємних резонаторахЗ іншого боку, чільне місце у підготовці майбутнього фахівця посідає місце вміння використовування систем комп’ютерної математики (СКМ). Підготовка майбутнього фахівця до використання інформаційно-комунікаційних технологій має відбуватися не тільки на заняттях з дисциплін природничо-наукового циклу, а насамперед під час вивчення фундаментальних дисциплін.До простих і відносно нескладних систем комп’ютерної математики, щоправда з дещо обмеженими можливостями, відносять системи Derive та різні версії системи Mathcad. Система Derive вважається навчальною СКМ початкового рівня. Вона функціонує на основі мови штучного інтелекту (MuLisp) і є найменш вимогливою до апаратних можливостей персональних комп’ютерів: це єдина система, яка здатна працювати навіть на комп’ютерах раритетного класу IBM PC ХТ без жорсткого диску. Проте за можливостями вона не може конкурувати з системами більш високого класу ані у чисельних розрахунках, ані у символьних перетвореннях, ані у графічній візуалізації результатів обчислень.До середнього рівня СКМ відносять системи класу Mathcad. Ця СКМ має висококласну систему чисельних обчислень, проте дещо обмежену систему символьних перетворень, що реалізовано системою MuPAD (достатньо сказати, що лише 300 функцій ядра MuPAD доступні у Mathcad). Втім, графічні можливості різних версій Mathcad мало чим поступаються графіці більш складних СКМ.Більшість перших CKM призначалася для чисельних розрахунків. Їх результат завжди конкретний – це або число, або набір чисел, що зображується у вигляді таблиці, матриці або точок графіків. Однак вони не надавали можливості одержати загальні формули, що описують розв’язок задач. Як правило, з результатів чисельних обчислень неможливо було зробити загальні теоретичні, а часом і практичні висновки. Символьні (чи, інакше, аналітичні) операції – це якраз те, що кардинально відрізняє системи класу Maple та Mathematica (і подібні їм символьні математичні системи) від систем для виконання чисельних розрахунків. Під час виконання символьних операцій завдання на обчислення складаються у вигляді символьних (формульних) виразів, і результати обчислень також подаються у символьному вигляді. Числові результати при цьому є окремими, частковими випадками символьних.Вирази, що зображено у символьному вигляді, відрізняються високим ступенем загальності.Maple та Mathematica мають приблизно однакові можливості як в галузі символьних обчислень, так і в галузі числових розрахунків. Варто відзначити, що інтерфейс Maple є більш інтуїтивно зрозумілим, ніж у більш строгої системи Mathematica. Обидві системи в останніх реалізаціях зробили якісний стрибок у напрямі ефективності розв’язання задач в числовому вигляді, зокрема через підвищення швидкості виконання матричних операцій або застосування СКМ Matlab.Як ілюстрацію застосування СКМ Maple до курсу технічної електродинаміки розглянемо кілька прикладів розв’язання типових задач.1. Визначити дивергенцію і ротор векторного поля , яке має в декартовій системі координат єдину складову .with(VectorCalculus):F := VectorField(<20*sin(x/Pi),0,0>, ’cartesian’[x,y,z]); div := Divergence(F); rot := Curl(F); 2. Визначити дивергенцію і ротор векторного поля , яке характеризується такими складовими в циліндричній системі координат: , Аφ = 0, Аz = 0.F := VectorField(<10/r^2,0,0>, ’cylindrical’[r,phi,z]); div := Divergence(F); rot := Curl(F); 3. Визначити дивергенцію і ротор векторного поля , яке має в сферичній системі координат єдину складову Аθ = 8r ехр (– 10r).F := VectorField( <0,0,8*r*exp(-10*r)>, ’spherical’[r,phi,theta] ); div := Divergence(F); rot := Curl(F); 4. Побудувати структуру поля для хвилі типу Н12 у прямокутному хвилеводіcontourplot(H0*cos(m1*Pi*x/a)*cos(n1*Pi*y/b), x=0..a, y=0..b, contours=30, numpoints=2000, coloring=[white,white], filled=true, labels=["a","b"], title="Структура поля класу H (TE)"); 5. Побудувати структуру поля для хвилі типу Е21 у прямокутному хвилеводіcontourplot(E0*sin(m*Pi*x/a)*sin(n*Pi*y/b), x=0..a, y=0..b, contours=30, numpoints=2000, coloring=[white,white], filled=true, labels=["a","b"], title="Структура поля класу Е (TM)"); 6. Побудувати структуру поля для хвилі типу Е21 у круглому хвилеводіcontourplot([r,phi,E0*(epsilonmn/R)^2*BesselJ(m,r*epsilonmn/R)* sin(m*phi)], r=0..R, phi=0..2*Pi, coords=cylindrical, contours=30, numpoints=2000, coloring=[white,white], filled=true, title="Структура поля класу Е (TM)"): З вище викладеного та проілюстрованого випливає, що систему комп’ютерної математики Maple доцільно використовувати під час викладання курсу «Технічна електродинаміка» або подібні до нього, особливо на практичних заняттях або під час самостійної підготовки студентів, щоб суттєво зменшити час на непродуктивні дії обчислень чи графічних побудов.

Важливим показником мікробіологічної безпечності та якості, а також рівня санітарно-гігієнічних умов виробництва є бактерії групи кишкових паличок . При перевищенні допустимого титру ці мікроорганізми можуть спричиняти псування готового продукту і навіть харчові отруєння. В проблемно науково-дослідній лабораторії Національного університету харчових технологій були проведені експерементальні дослідження з метою вивчення дії впливу імпульсних електромагнітних полів на ентеробактерії, а саме культури Escherichia coli в модельному розчині молочної сироватки. При проведенні досліджень використовувалася експериментальна установка, яка розроблена фахівцями в НТУ «Харківський Політехнічний Інститут». Для диференціації Escherichia coli використовувалося середовище Ендо, у якому ці бактерії давали характерний ріст у вигляді колоній червоного кольору з метелевим блиском. Модельні розчини молочної сироватки обробляли при напрузі 15…30 кВт/см3, з тривалістю обробки 10…20 с. Результати мікробіологічних досліджень модельного розчину сироватки молочної підтверджені комунальним підприємством «Санепідсервісом» м. Харкова. При дослідженнях встановлено, що обробка електромагнітними імпульсами з напругою 30 кВт/см3 протягом 20 с є найбільш ефективною, оскільки спостерігається повна інактивація клітини Escherichia coli внесеної до молочної сироватки. Доведено можливість здійснення теплового оброблення молочної сироватки за рахунок нетеплових ефектів, що виникають за імпульсної дії електричних полів. Відкрито перспективи використання вітчизняних ІЕП-установок при первинному обробленні молочної сироватки з метою знищення мікроорганізмів.

Формулювання проблеми. При вивченні закону Кулона, зазвичай, акцент робиться на його застосуванні при вирішенні учбових задач. При цьому межі застосування цього закону майже не обговорюються, що призводить до його надмірного використання та «абсолютизації». У зв’язку з цим постає необхідність у виокремленні та висвітленні критеріїв застосування такого закону. З метою уникнення «абсолютизації» слід також дібрати та розглянути разом із студентами якісно нові ефекти, що виникають у разі порушення таких умов. Матеріали і методи. Узагальнення та системний аналіз літературних джерел з обраної тематики; метод електричних зображень, системний підхід, задачний підхід. Результати. Індукційні та поляризаційні ефекти по-різному впливають на спотворення поля точкового заряду. В першому випадку таке спотворення спостерігається на малих відстанях від нього, причому навіть може мати місце ефект «інверсії взаємодії». Ефект екранування заряду призводить до зникнення поля точкового заряду на відстанях більших за Дебаївський радіус. При русі точкового заряду відбувається як «деформація» і виникнення вихрової компоненти електричного поля так і виникнення магнітного поля. Висновки. Виокремлено наступні чотири умови коректності використання закону Кулона: 1) заряди мають бути наближено точковими (відстань між зарядженими тілами повинна бути набагато більшою за їх розміри) або повинні мати сферично-симетричний розподіл у просторі; 2) заряди не повинні «перетинатися»; 3) заряди мають бути розташовані у вакуумі або в будь-якому іншому безмежному ізотропному середовищі; 4) Заряди мають бути нерухомими відносно системи відліку, в якій розглядається їх взаємодія. Розглянутий в даній роботі кількісний та якісний аналіз впливу відхилень від наведених умов, повинен допомогти читачам дослідити межі застосовності модельного закону Кулона.

Вступ. Гіпергомоцистеїнемія є небезпечним метаболічним порушенням, що призводить до виникнення низки захворювань.Проблематика. Нагальним завданням є розроблення препаратів, які здатні знижувати рівень гомоцистеїну, не спричиняючи побічних ефектів.Мета. Розробити дієтичну добавку, що при мінімальному вмісті компонентів, які здатні викликати побічні реакції, знижує рівень гомоцистеїну; а також дослідити, чи впливає розроблена добавка на когнітивні здібності тварин, та впровадити її у виробництво.Матеріали й методи. До складу розробленої дієтичної добавки «Альфакогнітин» включено вітаміни В6, В9, В12, С і холін. Моделювання експериментальної гіпергомоцистенемії у щурів проводили шляхом утримання тварин наL-метіоніновій дієті. Вміст гомоцистеїну у крові визначали за допомогою іонообмінної рідинно-колонної хроматографії з використанням автоматичного аналізатору амінокислот. Поведінкові реакції та когнітивні здібності щурів досліджували за допомогою поведінкових тестів «Відкрите поле», «Електрична стимуляція кінцівки» і «Соціальнавзаємодія». Роботи щодо впровадження у виробництво виконано за участі компанії ТОВ «Нутрімед» (Київ).Результати. Показано, що у тварин із гіпергомоцистеїнемією «Альфакогнітин» знижував рівень гомоцистеїну, підвищував когнітивні здібності, ефективність соціальної взаємодії та комунікабельність, а також нормалізував функціональні порушення пам’яті та здатності до навчання. Затверджено технічні умови виробництва дієтичної добавки,відпрацьовано пілотну технологію отримання її капсульованої форми та виготовлено дослідну партію.Висновки. «Альфакогнітин» може знижувати рівень гомоцистеїну, що дозволяє використовувати його з метою нормалізації функціонального стану серцево-судинної та нервової систем за гіпергомоцистеїнемії, а також для покращення когнітивних функцій, зокрема після захворювання на COVID-19.

У роботі розглянуто основні принципи проектування та вироблення матеріалів для екранування електромагнітних полів широко частотного діапазону. Призначення таких матеріалів - облицювання поверхонь великих площ. Сформульовано головні вимоги до таких матеріалів. Головними з них є: лицьова поверхня повинна мати електрофізичні властивості (діелектричну та магнітну проникності), мінімально можливі для забезпечення низьких коефіцієнтів відбиття електромагнітних хвиль. При цьому обов'язковим є одночасне забезпечення міцнісних характеристик, вогнестійкості, нетоксичності тощо. Вміст радіопоглинальної субстанції у прошарку шарової структури й закономірності зростання ефективної діелектричної (магнітної) проникності у бік підкладинки повинні забезпечувати широкосмуговість та ефективність матеріалу. Дисперсійна залежність повинна забезпечити рівномірне у заданому діапазоні частот поглинання електромагнітної енергії та її проходження від вхідної поверхні до підкладинки. Надано розрахунок необхідної товщини градієнтного матеріалу за заданого коефіцієнта відбиття, виходячи з максимальної та мінімальної довжин хвиль екранованого поля, магнітних проникності та товщин окремих шарів. Показано можливість виготовлення монолітного металополімерного екрана з поверхневим шаром з малою діелектричною проникністю за рахунок термооброблення поверхні матеріалу під час виготовлення. Показано можливість та надано технологічні рішення щодо створення монолітного металополімерного екрана з керованим градієнтом феромагнітної дрібнодисперсної субстанції у напрямку від лицьової поверхні до нижньої. Такий матеріал можливо застосовувати для керування співвідношень коефіцієнтів екранування високочастотних електромагнітних полів, електричних та магнітних полів наднизьких частот і супутнього екранування природного магнітного поля

Вологість паливо-мастильних матеріалів є одним з визначальних показників їх якості. Присутність вологи в матеріалі впливає на їх фізико-хімічні і електричні властивості. Вода характеризується високою діелектричною проникністю і здатністю легко взаємодіяти з іншими речовинами. Розроблення системи контролю вологості паливо-мастильних матеріалів у процесі експлуатації машини є невід’ємною частиною інформаційно-вимірювальних і керувальних систем сучасної мобільної техніки, і зокрема техніки спеціального призначення. Ємнісні сенсори вологості є розприділеними структурами і у вимірювальних системах параметрами вимірювання є як ємність, так і опір й індуктивність. Для реалізації ємнісного вимірювача з лінійною калібрувальною характеристикою, враховано що вимірювальне середовище є з великими змінними активними втратами, якими є оливи і палива двигунів внутрішнього згоряння. Для компенсування активних втрат застосовано схему з окремим вимірюванням реактивної складової повного опору діелькометричного первинного перетворювача на основі модуляції параметрів вимірювального резонансного контуру. Параметри такої схеми обирано так, щоб при вимкненій модуляційній ємності повна провідність схеми мала індуктивний характер. За міру якості перетворення вимірювальної схеми сенсора прийнято диференціальну чутливість, яка характеризує відношення відносних приростів вихідного (повної провідності) й вхідного (реактивної провідності) параметрів. Розроблений автоматичний одночастотний вимірювач з ємнісним сенсором, виконаним у вигляді електродів розсіяного поля, покритих шаром ізоляції, в якому використано метод модуляції параметрів вимірювального резонансного контуру. Для перевірки теоретичних досліджень проведений повний факторний експеримент на трьох рівнях при двох факторах – вологості досліджуваного середовища і частота напруги живлення вимірювального контуру. Працездатність вимірювальної схеми ємнісного перетворювача зберігається у всьому діапазоні вимірювань, якщо добротність ємнісного вимірювального перетворювача в матеріалі більша одиниці.

Вступ. Підприємствам машинобудування України, особливо двигунобудівним та авіаційним, потрібен прецизійнийалмазний правлячий інструмент. Для його ефективного використання необхідним є застосування в них порошків синтетичного алмаза високої якості з контрольованими характеристиками показників міцності та термостійкості, а також геометричних розмірів зерен.Проблематика. Синтетичні алмази синтезуються в різних ростових системах, тому суттєво різняться за наявністю в них внутрішньокристалічних домішок і включень, а відтак і за різними властивостями.Мета. Дослідження можливостей поліпшення фізико-механічних властивостей алмазних шліфпорошків шляхом ефективного сортування за дефектністю поверхні зерен шліфпорошків.Матеріали і методи. В алмазних порошках АС65–АС250 визначали фізико-механічні характеристики: міцність при статичному стисненні, коефіцієнт однорідності за міцністю, термостійкість та питому магнітну сприйнятливість. Елементний склад домішок і включень у порошках визначали рентгенофлуоресцентним інтегральним аналізом за допомогою растрового електронного мікроскопу «BS-340» та енергодисперсійного аналізатора рентгенівських спектрів «Link-860».Результати. Показано, що розділення алмазів в магнітному полі різної напруженості сприяє отриманню шліф порошків, які різняться між собою за вмістом в них домішок і включень, а відтак і змінюються їхні фізико-механічніхарактеристики. Загалом кристали алмазів всіх систем, що містять меншу кількість домішок і включень, мають вищу міцність. Для досягнення цього здійснюється спеціальне сортування шліфпорошків алмаза. Для цього удос коналено спосіб адгезійно-магнітного сортування алмазних шліфпорошків, де передбачено обробку поверхні зереншліфпорошків шляхом нанесення електропровідних тонкодисперсних частинок і адгезійного закріплення їх на поверхні зерен алмаза для створення набутих електричних властивостей.Висновки. Застосування в інструменті таких спрямовано поліпшених алмазних шліфпорошків дозволяє під вищити ефективність алмазного правлячого інструменту.

Предметом представленої роботи є процеси формування комплексу фізичних факторів у приміщеннях диспетчерських служб аеродромів цивільної авіації. Мета дослідження – натурні вимірювання кількісних значень найбільш критичних фізичних факторів та надання науково обґрунтованих рекомендацій з їх нормалізації та підтримання на нормативному рівні. Для досягнення поставленої мети визначені наступні задачі: вимірювання напруженостей магнітного та електричного полів промислової частоти, індукції стаціонарного магнітного поля, густини потоків енергії електричних полів, радіочастот, напруженостей електростатичних полів та концентрації аероіонів обох знаків у повітрі робочої зони. На основі отриманих даних розроблені рекомендації з управління та підтримки стандартного рівня виміряних фізичних факторів. Методами досліджень є інструментальні вимірювання рівнів фізичних факторів, розрахунковий та графоаналітичний методи. У результаті вимірювань рівнів фізичних факторів у диспетчерських вежах аеропортів встановлено наступне. Напруженості магнітного та електричного полів промислової частоти, густини потоків енергії електромагнітних випромінювань радіочастот, стаціонарних магнітних полів перебувають на нормативному рівні та не потребують коригування. Повітря робочої зони є повністю деіонізованим. Це обумовлене наявністю ненормативних рівнів електризації полімерних поверхонь. Цей висновок зроблено на основі виконаного моделювання відповідних процесів та підтверджено експериментально. Для нормалізації аероіонного складу повітря рекомендовано використовувати спеціально розроблений ультразвуковий іонізатор повітря. Його перевагою є відсутність генерації озону та оксидів азоту у процесах коронних розрядів. Досліджено ефективність розробленого іонізатора повітря. Показано, що зона впливу іонізатора задовільна, при цьому відбувається підвищення відносної вологості. Це сприяє зниженню електризації поверхонь. Зроблено висновки про фактичний стан рівнів фізичних факторів. У приміщеннях диспетчерських служб аеропортів доведено необхідність нормалізації аероіонного складу повітря і надано спосіб її реалізації.

У зв’язку із загальною інформатизацією освіти і швидким розвитком цифрових засобів обробки інформації назріла необхідність впровадження в лабораторні практикуми вищих та середніх навчальних закладів цифрових засобів збору, обробки та оформлення експериментальних результатів, в тому числі під час виконання лабораторних робот з основ електротехнічних пристроїв та систем. При цьому надмірне захоплення віртуальними лабораторними роботами на основі комп’ютерного моделювання в порівнянні з реальним (натурним) експериментом може призводити до втрати особової орієнтації в технології освіти і відсутності надалі у випускників навчальних закладів ряду практичних навичок.У той же час світові компанії, що спеціалізуються в учбово-технічних засобах, переходять на випуск учбового устаткування, що узгоджується з комп’ютерною технікою: аналого-цифрових перетворювачів і датчиків фізико-хімічних величин, учбових приладів керованих цифро-аналоговими пристроями, автоматизованих учбово-експеримен­тальних комплексів, учбових експериментальних установок дистанційного доступу.У зв’язку із цим в області реального експерименту відбувається поступовий розвиток інформаційних джерел складної структури, до яких, у тому числі, відносяться комп’ютерні лабораторії, що останнім часом оформлюються у новий засіб реалізації учбового натурного експерименту – цифрові електронні лабораторії (ЦЕЛ).Відомі цифрові лабораторії для шкільних курсів фізики, хімії та біології (найбільш розповсюджені компаній Vernier Software & Technology, USA та Fourier Systems Inc., Israel) можуть бути використані у ВНЗ України, але вони мають обмежений набір датчиків, необхідність періодичного ручного калібрування, використовують застарілий та чутливий до електромагнітних завад аналоговий інтерфейс та спрощене програмне забезпечення, що не дозволяє проводити статистичну обробку результатів експерименту та з урахуванням низької розрядності аналого-цифрових перетворювачів не може використовуватись для проведення науково-дослідних робіт у вищих навчальних закладах, що є однією із складових підготовки висококваліфікованих спеціалістів, особливо в університетах, які мають статус дослідницьких.Із вітчизняних аналогів відомі окремі компоненти цифрових лабораторій, що випускаються ТОВ «фірма «ІТМ» м. Харків. Вони поступаються продукції компаній Vernier Software & Technology, USA та Fourier Systems Inc. та мають близькі цінові характеристики на окремі компоненти. Тому необхідність розробки вітчизняної цифрової навчальної лабораторії є нагальною, проблематика досліджень та предмет розробки актуальні.Метою проекту є створення сучасної вітчизняної цифрової електронної лабораторії та відпрацювання рекомендацій по використанню у викладанні на її основі базового переліку науково-природничих та біомедичних дисциплін у ВНЗ I-IV рівнів акредитації при значному зменшенні витрат на закупку приладів, комп’ютерної техніки та навчального-методичного забезпечення. В роботі використані попередні дослідження НДІ Прикладної електроніки НТУУ «КПІ» в галузі МЕМС-технологій (micro-electro-mechanical) при створенні датчиків фізичних величин, виконано огляд технічних та методичних рішень, на яких базуються існуючі навчальні цифрові лабораторії та датчики, розроблені схемотехнічні рішення датчиків фізичних величин, проведено конструювання МЕМС – первинних перетворювачів, та пристроїв реєстрації інформації. Розроблені прикладні програми інтерфейсу пристроїв збору інформації та вбудованих мікроконтролерів датчиків. Сформульовані вихідні дані для розробки бездротового інтерфейсу датчиків та програмного забезпечення цифрової лабораторії.Таким чином, у даній роботі пропонується нова вітчизняна цифрова електронна лабораторія, що складається з конструкторської документації та дослідних зразків обладнання, програмного забезпечення та розробленого єдиного підходу до складання навчальних методик для цифрових лабораторій, проведення лабораторних практикумів з метою економії коштів під час створення нових лабораторних робіт із реєстрацією даних, обробки результатів вимірювань та оформленням результатів експерименту за допомогою комп’ютерної техніки.Цифрова електронна лабораторія складається із таких складових частин: набірного поля (НП); комплектів модулів (М) із стандартизованим вихідним інтерфейсом, з яких складається лабораторний макет для досліджування об’єкту (це – набір електронних елементів: резисторів, ємностей, котушок індуктивності, цифро-аналогових та аналого-цифрових перетворювачів (ЦАП та АЦП відповідно)) та різноманітних датчиків фізичних величин; комп’ютерів студента (планшетного комп’ютера або спеціалізованого комп’ютера) з інтерфейсами для датчиків; багатовходових пристроїв збору даних та їх перетворення у вигляд, узгоджений з інтерфейсом комп’ютера (реєстратор інформації або Data Logger); комп’ютер викладача (або серверний комп’ютер із спеціалізованим програмним забезпеченням); пристрої зворотного зв’язку (актюатори), що керуються комп’ютером; трансивери для бездротового прийому та передачі інформації з НП.Таким чином, з’являється новий клас бездротових мереж малої дальності. Ці мережі мають ряд особливостей. Пристрої, що входять в ці мережі, мають невеликі розміри і живляться в основному від батарей. Ці мережі є Ad-Hoc мережами – високоспеціалізованими мережами з динамічною зміною кількісного складу мережі. У зв’язку з цим виникають завдання створення та функціонування даних мереж – організація додавання і видалення пристроїв, аутентифікація пристроїв, ефективна маршрутизація, безпека даних, що передаються, «живучість» мережі, продовження часу автономної роботи кінцевих пристроїв.Протокол ZigBee визначає характер роботи мережі датчиків. Пристрої утворюють ієрархічну мережу, яка може містити координатор, маршрутизатори і кінцеві пристрої. Коренем мережі являється координатор ZigBee. Маршрутизатори можуть враховувати ієрархію, можлива також оптимізація інформаційних потоків. Координатор ZigBee визначає мережу і встановлює для неї оптимальні параметри. Маршрутизатори ZigBee підключаються до мережі або через координатор ZigBee, або через інші маршрутизатори, які вже входять у мережу. Кінцеві пристрої можуть з’єднуватися з довільним маршрутизатором ZigBee або координатором ZigBee. По замовчуванню трафік повідомлень розповсюджується по вітках ієрархії. Якщо маршрутизатори мають відповідні можливості, вони можуть визначати оптимізовані маршрути до визначеної точки і зберігати їх для подальшого використання в таблицях маршрутизації.В основі будь-якого елементу для мережі ZigBee лежить трансивер. Активно розробляються різного роду трансивери та мікроконтролери, в які потім завантажується ряд керуючих програм (стек протоколів ZigBee). Так як розробки ведуться багатьма компаніями, то розглянемо та порівняємо новинки трансиверів тільки кількох виробників: СС2530 (Texas Instruments), AT86RF212 (Atmel), MRF24J40 (Microchip).Texas Instruments випускає широкий асортимент трансиверів. Основні з них: CC2480, СС2420, CC2430, CC2431, CC2520, CC2591. Всі вони відрізняються за характеристиками та якісними показниками. Новинка від TI – мікросхема СС2530, що підтримує стандарт IEEE 802.15.4, призначена для організації мереж стандарту ZigBee Pro, а також засобів дистанційного керування на базі ZigBee RF4CE і обладнання стандарту Smart Energy. ІС СС2530 об’єднує в одному кристалі РЧ-трансивер і мікроконтролер, ядро якого сумісне зі стандартним ядром 8051 і відрізняється від нього поліпшеною швидкодією. ІС випускається в чотирьох виконаннях CC2530F32/64/128/256, що розрізняються обсягом флеш-пам’яті – 32/64/128/256 Кбайт, відповідно. В усьому іншому всі ІС ідентичні: вони поставляються в мініатюрному RoHS-сумісному корпусі QFN40 розмірами 6×6 мм і мають однакові робочі характеристики. СС2530 являє собою істотно покращений варіант мікросхеми СС2430. З точки зору технічних параметрів і функціональних можливостей мікросхема СС2530 перевершує або не поступається CC2430. Однак через підвищену вихідну потужність (4,5 дБм) незначно виріс струм споживання (з 27 до 34 мА) при передачі. Крім того, ці мікросхеми мають різні корпуси і кількість виводів (рис. 1). Рис. 1. Трансивери СС2530, СС2430 та СС2520 фірми Texas Instruments AT86RF212 – малопотужний і низьковольтний РЧ-трансивер діапазону 800/900 МГц, який спеціально розроблений для недорогих IEEE 802.15.4 ZigBee-сумісних пристроїв, а також для ISM-пристроїв з підвищеними швидкостями передачі даних. Працюючи в діапазонах частот менше 1 ГГц, він підтримує передачу даних на малих швидкостях (20 і 40 Кбіт/с) за стандартом IEEE 802.15.4-2003, а також має опціональну можливість передачі на підвищених швидкостях (100 і 250 Кбіт/с) при використанні модуляції O-QPSK у відповідності зі стандартом IEEE 802.15.4-2006. Більше того, при використанні спеціальних високошвидкісних режимів, можлива передача на швидкості до 1000 Кбіт/с. AT86RF212 можна вважати функціональним блоком, який з’єднує антену з інтерфейсом SPI. Всі критичні для РЧ тракту компоненти, за винятком антени, кварцового резонатора і блокувальних конденсаторів, інтегровані в ІС. Для поліпшення загальносистемної енергоефективності та розвантаження керуючого мікроконтролера в ІС інтегровані прискорювачі мережевих протоколів (MAC) і AES- шифрування.Компанія Microchip Technology виробляє 8-, 16- і 32- розрядні мікроконтролери та цифрові сигнальні контролери, а також аналогові мікросхеми і мікросхеми Flash-пам’яті. На даний момент фірма випускає передавачі, приймачі та трансивери для реалізації рішень для IEEE 802.15.4/ZigBee, IEEE 802.11/Wi-Fi, а також субгігагерцового ISM-діапазону. Наявність у «портфелі» компанії PIC-мікроконтролерів, аналогових мікросхем і мікросхем пам’яті дозволяє їй запропонувати клієнтам комплексні рішення для бездротових рішень. MRF24J40 – однокристальний приймач, що відповідає стандарту IEEE 802.15.4 для бездротових рішень ISM-діапазону 2,405–2,48 ГГц. Цей трансивер містить фізичний (PHY) і MAC-функціонал. Разом з мікроспоживаючими PIC-мікроконтролерами і готовими стеками MiWi і ZigBee трансивер дозволяє реалізувати як прості (на базі стека MiWi), так і складніші (сертифіковані для роботи в мережах ZigBee) персональні бездротові мережі (Wireless Personal Area Network, WPAN) для портативних пристроїв з батарейним живленням. Наявність MAC-рівня допомагає зменшити навантаження на керуючий мікроконтролер і дозволяє використовувати недорогі 8-розрядні мікроконтролери для побудови радіомереж.Ряд компаній випускає завершені модулі ZigBee (рис. 2). Це невеликі плати (2÷5 кв.см.), на яких встановлено чіп трансивера, керуючий мікроконтролер і необхідні дискретні елементи. У керуючий мікроконтролер, у залежності від бажання і можливості виробника закладається або повний стек протоколів ZigBee, або інша програма, що реалізує можливість простого зв’язку між однотипними модулями. В останньому випадку модулі іменуються ZigBee-готовими (ZigBee-ready) або ZigBee-сумісними (ZigBee compliant).Всі модулі дуже прості в застосуванні – вони містять широко поширені інтерфейси (UART, SPI) і управляються за допомогою невеликого набору нескладних команд. Застосовуючи такі модулі, розробник позбавлений від роботи з високочастотними компонентами, так як на платі присутній ВЧ трансивер, вся необхідна «обв’язка» і антена. Модулі містять цифрові й аналогові входи, інтерфейс RS-232 і, в деяких випадках, вільну пам’ять для прикладного програмного забезпечення. Рис. 2. Модуль ZigBee із трансивером MRF24J40 компанії Microchip Для прикладу, компанія Jennic випускає лінійку ZigBee-сумісних радіомодулів, побудованих на низькоспоживаючому бездротовому мікроконтролері JN5121. Застосування радіомодуля значно полегшує процес розробки ZigBee-мережі, звільняючи розробника від необхідності конструювання високочастотної частини виробу. Використовуючи готовий радіомодуль, розробник отримує доступ до всіх аналогових і цифрових портів вводу-виводу чіпу JN5121, таймерам, послідовного порту і інших послідовних інтерфейсів. У серію входять модулі з керамічної антеною або SMA-коннектором з дальністю зв’язку до 200 метрів. Розмір модуля 18×30 мм. Версія модуля з підсилювачем потужності і підсилювачем вхідного сигналу має розмір 18×40 мм і забезпечує дальність зв’язку більше 1 км. Кожен модуль поставляється з вбудованим стеком протоколу рівня 802.15.4 MAC або ZigBee-стеком.За висновками експертів з аналізу ринку сьогодні одним з найперспективніших є ринок мікросистемних технологій, що сягнув 40 млрд. доларів станом на 2006 рік зі значними показниками росту. Самі мікросистемні технології (МСТ) почали розвиватися ще з середини ХХ ст. і, отримуючи щоразу нові поштовхи з боку нових винаходів, чергових удосконалень технологій, нових галузей науки та техніки, динамічно розвиваються і дедалі ширше застосовуються у широкому спектрі промислової продукції у всьому світі.Прилад МЕМС є об’єднанням електричних та механічних елементів в одну систему дуже мініатюрних розмірів (значення розмірів механічних елементів найчастіше лежать у мікронному діапазоні), і достатньо часто такий прилад містить мікрокомп’ютерну схему керування для здійснення запрограмованих дій у системі та обміну інформацією з іншими приладами та системами.Навіть з побіжного аналізу структури МЕМС зрозуміло, що сумарний технологічний процес є дуже складним і тривалим. Так, залежно від складності пристрою технологічний процес його виготовлення, навіть із застосуванням сучасних технологій, може тривати від кількох днів до кількох десятків днів. Попри саме виготовлення, доволі тривалими є перевірка та відбраковування. Часто виготовляється відразу партія однотипних пристроїв, причому вихід якісної продукції часто не перевищує 2 %.Для виготовлення сучасних МЕМС використовується широка гама матеріалів: різноманітні метали у чистому вигляді та у сплавах, неметали, мінеральні сполуки та органічні матеріали. Звичайно, намагаються використовувати якомога меншу кількість різнорідних матеріалів, щоби покращити технологічність МЕМС та знизити собівартість продукції. Тому розширення спектра матеріалів прийнятне лише за наявності специфічних вимог до елементів пристрою.Спектр наявних типів сенсорів в арсеналі конструктора значно ширший та різноманітніший, що зумовлено багатоплановим застосуванням МЕМС. Переважно використовуються ємнісні, п’єзоелектричні, тензорезистивні, терморезистивні, фотоелектричні сенсори, сенсори на ефекті Холла тощо. Розроблені авторами в НДІ Прикладної електроніки МЕМС-датчики, їх характеристики, маса та розміри наведені у табл. 1.Таблиця 1 №з/пМЕМС-датчикиТипи датчиківДіапазони вимірюваньГабарити, маса1.Відносного тиску, тензорезистивніДВТ-060ДВТ-1160,01–300 МПа∅3,5–36 мм,5–130 г2.Абсолютного тиску,тензорезистивніДАТ-0220,01–60 МПа∅16 мм,20–50 г3.Абсолютного тиску, ємнісніДАТЄ-0090,05–1 МПа5×5 мм4.Лінійного прискорення,тензорезистивніДЛП-077±(500–100 000) м/с224×24×8 мм,100 г5.Лінійного прискорення,ємнісніАЛЄ-049АЛЄ-050±(5,6–1200) м/с235×35×22 мм, 75 г6.Кутової швидкості,ємнісніДКШ-011100–1000 °/с