Relevant bibliographies by topics / Квантова яма / Journal articles

Journal articles on the topic 'Квантова яма'

To see the other types of publications on this topic, follow the link: Квантова яма.
Author: Grafiati
Published: 30 May 2022
Last updated: 31 May 2022

Create a spot-on reference in APA, MLA, Chicago, Harvard, and other styles

Select a source type:

Consult the top 50 journal articles for your research on the topic 'Квантова яма.'

Next to every source in the list of references, there is an 'Add to bibliography' button. Press on it, and we will generate automatically the bibliographic reference to the chosen work in the citation style you need: APA, MLA, Harvard, Chicago, Vancouver, etc.

You can also download the full text of the academic publication as pdf and read online its abstract whenever available in the metadata.

Browse journal articles on a wide variety of disciplines and organise your bibliography correctly.

1

Алешкин, В. Я., Л. В. Гавриленко, Д. М. Гапонова, З. Ф. Красильник, and Д. И. Крыжков. "Процессы переноса экситонных возбуждений и релаксация в низкоразмерных полупроводниковых гетероструктурах с квантовыми ямами." Физика и техника полупроводников 50, no. 12 (2016): 1720. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2016.12.43906.8347.

Full text
Abstract:
В гетероструктурах AlGaAs/GaAs методом спектроскопии возбуждения фотолюминесценции исследовались процессы, связанные с переносом экситонных возбуждений между туннельно-несвязанными квантовыми ямами и изменением встроенного электрического поля. Наблюдалось изменение интенсивности сигнала низкотемпературной фотолюминесценции (при 4.2 K) из более широкой квантовой ямы при совпадении кванта энергии лазера накачки с энергией экситонного перехода в узкой яме. Изменение положения максимума и интенсивности фотолюминисценции из более широкой квантовой ямы при возбуждении вблизи экситонных резонансов в узкой квантовой яме объясняется влиянием квантово-размерного эффекта Штарка на процесс экситонной рекомбинации.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
2

Яблонский, А. Н., Р. Х. Жукавин, Н. А. Бекин, А. В. Новиков, Д. В. Юрасов, and М. В. Шалеев. "Излучательная рекомбинация и туннелирование носителей заряда в гетероструктурах SiGe/Si с двойными квантовыми ямами." Физика и техника полупроводников 50, no. 12 (2016): 1629. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2016.12.43889.35.

Full text
Abstract:
В эпитаксиальных структурах SiGe/Si(001) с двумя неэквивалентными SiGe квантовыми ямами, разделенными тонким Si-барьером, исследованы спектральные и временные характеристики межзонной фотолюминесценции, соответствующей излучательной рекомбинации экситонов в квантовых ямах. Для серии структур с двумя SiGe-квантовыми ямами различной толщины определены зависимости характерного времени туннелирования носителей заряда (дырок) из узкой квантовой ямы, характеризуемой большей энергией рекомбинации экситона, в широкую квантовую яму от толщины Si-барьера. Показано, что время туннелирования дырок между слоями Si0.85Ge0.15 толщиной 3 и 9 нм монотонно спадает от ~500 нс до < 5 нс при уменьшении толщины Si-барьера от 16 до 8 нм. При промежуточных толщинах Si-барьера обнаружено нарастание сигнала фотолюминесценции широкой квантовой ямы с характерным временем, совпадающим по порядку величины с временем спада люминесценции узкой квантовой ямы, что подтверждает наблюдение эффекта туннелирования дырок из узкой квантовой ямы в широкую. Обнаружена существенная зависимость времени туннелирования дырок от содержания Ge в слоях SiGe при фиксированной толщине Si-барьера между квантовыми ямами, что связывается с увеличением эффективной высоты Si-барьера.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
3

Михайлова, М. П., В. А. Березовец, Р. В. Парфеньев, Л. В. Данилов, М. О. Сафончик, A. Hospodkova, J. Pangrac, and E. Hulicius. "Вертикальный транспорт в гетеропереходах II типа с композитными квантовыми ямами InAs/GaSb/AlSb в сильном магнитном поле." Физика и техника полупроводников 51, no. 10 (2017): 1393. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2017.10.45019.8598.

Full text
Abstract:
Вертикальный транспорт исследован в гетеропереходах II типа с двухбарьерной квантовой ямой AlSb/InAs/GaSb/AlSb, выращенной методом МОГФЭ (MOVPE) на подложке n-InAs(100), в квантующих магнитных полях до B=14 Тл при низких температурах, T=1.5 и 4.2 K. Ширина квантовых ям выбиралась из условия получения инвертированной зонной структуры. Измерения осцилляций Шубникова-де-Гааза проводились при двух ориентациях магнитного поля (перпендикулярной и параллельной) относительно плоскости структуры. Установлено, что проводимость в исследуемой структуре осуществлялась как трехмерными (3D) электронами подложки, так и двумерными (2D) электронами квантовой ямы InAs в условиях квантового предела для объемных электронов (B>5 Tл). Определены концентрации электронов в подложке и в квантовой яме InAs, а также g-фактор для трехмерных носителей из спинового расщепления нулевого уровня Ландау. Показано, что максимумы кондактанса в магнитном поле, перпендикулярном плоскости структуры и параллельном току через структуру, в полях B>9 Тл соответствуют резонансному туннелированию 3D электронов из подложки-эмиттера в квантовую яму InAs через 2D электронные состояния уровней Ландау. DOI: 10.21883/FTP.2017.10.45019.8598
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
4

Алешкин, В. Я., and А. А. Дубинов. "Влияние параметров квантовой ямы на спектр двумерных плазмонов в гетероструктурах HgTe/CdHgTe." Физика и техника полупроводников 55, no. 11 (2021): 973. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2021.11.51549.45.

Full text
Abstract:
Теоретически изучено влияние параметров квантовой ямы и пространственной дисперсии электронной поляризуемости на зависимость энергии двумерных плазмонов от волнового вектора в узкозонных квантовых ямах CdHgTe (ширина запрещенной зоны 35 мэВ). Показано, что при энергиях >20 мэВ закон дисперсии двумерных плазмонов близок к линейному. Учет конечной ширины квантовой ямы уменьшает фазовую скорость плазмона. Этот эффект увеличивается с ростом доли кадмия в слое квантовой ямы при сохранении ширины запрещенной зоны и с уменьшением концентрации носителей заряда в ней. Ключевые слова: двумерные плазмоны, квантовые ямы HgTe.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
5

Румянцев, В. В., А. М. Кадыков, М. А. Фадеев, А. А. Дубинов, В. В. Уточкин, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, С. В. Морозов, and В. И. Гавриленко. "Исследования волноводных структур с квантовыми ямами на основе HgCdTe для получения длинноволнового стимулированного излучения." Физика и техника полупроводников 51, no. 12 (2017): 1616. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2017.12.45174.37.

Full text
Abstract:
Исследуются фотолюминесценция и стимулированное излучение на межзонных переходах в квантовых ямах на основе HgCdTe, помещенных в диэлектрический волновод из широкозонного твердого раствора CdHgTe. Гетероструктуры с квантовыми ямами на основе HgCdTe представляют интерес для создания длинноволновых лазеров на диапазон 25-60 мкм, к настоящему времени недоступный для квантово-каскадных лазеров. В работе обсуждаются оптимальные дизайны квантовых ям для достижения длинноволнового стимулированного излучения при оптической накачке. Показано, что узкие квантовые ямы из чистого HgTe оказываются перспективнее для длинноволновых лазеров по сравнению с широкими (потенциальными) ямами из твердого раствора за счет подавления оже-рекомбинации. Продемонстрировано, что технология молекулярно-лучевой эпитаксии позволяет получать структуры для локализации излучения с длиной волны вплоть до 25 мкм при высокой скорости роста. Получено стимулированное излучение на длинах волн 14-6 мкм с пороговой интенсивностью накачки в диапазоне 100-500 Вт/см2 при 20 K. DOI: 10.21883/FTP.2017.12.45174.37
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
6

Кочман, И. В., М. П. Михайлова, А. И. Вейнгер, and Р. В. Парфеньев. "Магнитофононные осцилляции магнитосопротивления в квантовой яме InAs/GaSb с инвертированным зонным спектром." Физика и техника полупроводников 55, no. 4 (2021): 313. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2021.04.50731.9569.

Full text
Abstract:
Впервые из спектров микроволнового поглощения в магнитном поле в структуре с квантовой ямой InAs/GaSb с инвертированным зонным спектром выявлены осцилляции магнитосопротивления, обусловленные резонансным рассеянием двумерных электронов на акустических фононах. Индуцированные взаимодействием с акустическими фононами магнитофононные осцилляции магнитосопротивления проявляются в широком интервале температур 2.7-270 K и достигают максимума по амплитуде при 120 K. Рассматриваются электронные переходы между уровнями Ландау с энергией акустических фононов, равной энергии двумерных электронов в InAs с импульсом 2kF. Спектры магнитосопротивления получены на установке электронного парамагнитного резонанса на образцах квантовых ям InAs/GaSb с полуизолирующей подложкой без контактов. Ключевые слова: квантовая яма InAs/GaSb, инвертированный зонный спектр, магнитофононные осцилляции магнитосопротивления, акустические фононы.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
7

Кочман, И. В., М. П. Михайлова, А. И. Вейнгер, and Р. В. Парфеньев. "Магнитофононные осцилляции магнитосопротивления в квантовой яме InAs/GaSb с инвертированным зонным спектром." Физика и техника полупроводников 55, no. 4 (2021): 313. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2021.04.50731.9569.

Full text
Abstract:
Впервые из спектров микроволнового поглощения в магнитном поле в структуре с квантовой ямой InAs/GaSb с инвертированным зонным спектром выявлены осцилляции магнитосопротивления, обусловленные резонансным рассеянием двумерных электронов на акустических фононах. Индуцированные взаимодействием с акустическими фононами магнитофононные осцилляции магнитосопротивления проявляются в широком интервале температур 2.7-270 K и достигают максимума по амплитуде при 120 K. Рассматриваются электронные переходы между уровнями Ландау с энергией акустических фононов, равной энергии двумерных электронов в InAs с импульсом 2kF. Спектры магнитосопротивления получены на установке электронного парамагнитного резонанса на образцах квантовых ям InAs/GaSb с полуизолирующей подложкой без контактов. Ключевые слова: квантовая яма InAs/GaSb, инвертированный зонный спектр, магнитофононные осцилляции магнитосопротивления, акустические фононы.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
8

Денисов, К. С., И. В. Рожанский, Н. С. Аверкиев, and E. Lahderanta. "Спин-зависимое туннелирование в гетероструктурах с магнитным слоем-=SUP=- 1-=/SUP=-." Физика и техника полупроводников 50, no. 12 (2016): 1725. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2016.12.44035.8291.

Full text
Abstract:
Предложен механизм создания спиновой поляризации в полупроводниковых гетероструктурах, содержащих квантовую яму и пространственно отделенный от нее слой магнитных примесей. Спиновая поляризация носителей заряда в квантовой яме появляется вследствие спин-зависимой туннельной рекомбинации на примесных состояниях в магнитном слое, при этом возникает быстрый линейный рост степени циркулярной поляризации фотолюминесценции из квантовой ямы. Теоретически рассмотрены две ситуации. В первом случае имеет место резонансное туннелирование на спин-расщепленные подуровни примесного центра, при этом генерация спиновой поляризации происходит в меру разной заселенности резонансных уровней в квантовой яме для противоположных проекций спина. Второй, нерезонансный случай, имеет место, когда спин-расщепленный примесный уровень лежит выше заполненных состояний электронов в квантовой яме и играет роль промежуточного состояния в двухэтапном когерентном процессе спин-зависимой рекомбинации электрона из квантовой ямы с дыркой в примесном слое. Разработанная теория позволила качественно и количественно объяснить кинетику фотовозбужденных электронов в экспериментах по фотолюминесценции с временным разрешением в гетероструктурах на основе InGaAs, легированных слоем Mn. DOI: 10.21883/FTP.2017.01.8291
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
9

Денисов, К. С., И. В. Рожанский, Н. С. Аверкиев, and E. Lahderanta. "Спин-зависимое туннелирование в гетероструктурах с магнитным слоем." Физика и техника полупроводников 51, no. 1 (2017): 45. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2017.01.43994.8291.

Full text
Abstract:
Предложен механизм создания спиновой поляризации в полупроводниковых гетероструктурах, содержащих квантовую яму и пространственно отделенный от нее слой магнитных примесей. Спиновая поляризация носителей заряда в квантовой яме появляется вследствие спин-зависимой туннельной рекомбинации на примесных состояниях в магнитном слое, при этом возникает быстрый линейный рост степени циркулярной поляризации фотолюминесценции из квантовой ямы. Теоретически рассмотрены две ситуации. В первом случае имеет место резонансное туннелирование на спин-расщепленные подуровни примесного центра, при этом генерация спиновой поляризации происходит в меру разной заселенности резонансных уровней в квантовой яме для противоположных проекций спина. Второй, нерезонансный случай, имеет место, когда спин-расщепленный примесный уровень лежит выше заполненных состояний электронов в квантовой яме и играет роль промежуточного состояния в двухэтапном когерентном процессе спин-зависимой рекомбинации электрона из квантовой ямы с дыркой в примесном слое. Разработанная теория позволила качественно и количественно объяснить кинетику фотовозбужденных электронов в экспериментах по фотолюминесценции с временным разрешением в гетероструктурах на основе InGaAs, легированных слоем Mn. DOI: 10.21883/FTP.2017.01.8291
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
10

Уточкин, В. В., В. Я. Алёшкин, А. А. Дубинов, В. И. Гавриленко, Н. С. Куликов, М. А. Фадеев, В. В. Румянцев, et al. "Непрерывное стимулированное излучение в области 10-14 мкм при оптической накачке в структурах с квантовыми ямами HgCdTe/CdHgTe с квазирелятивистским законом дисперсии." Физика и техника полупроводников 54, no. 10 (2020): 1169. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2020.10.49963.45.

Full text
Abstract:
В двух волноводных гетероструктурах с массивами квантовых ям Hg0.892Cd0.108Te/Cd0.63Hg0.37Te толщиной 6.1 нм и Hg0.895Cd0.105Te/Cd0.66Hg0.34Te толщиной 7.4 нм при 8 K впервые получено стимулированное излучение на длинах волн 10.3 и 14 мкм при непрерывном оптическом возбуждении. Показано, что благодаря наличию Cd в квантовых ямах уменьшается влияние флуктуаций толщины квантовых ям на энергию межзонных переходов в ней, что в итоге может являться причиной существенного уменьшения пороговой интенсивности для генерации стимулированного излучения. Ключевые слова: HgCdTe, квантовые ямы, стимулированное излучение, непрерывная генерация.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
11

Алешкин, В. Я., А. А. Дубинов, В. И. Гавриленко, С. Г. Павлов, and H. W. Hubers. "Рекомбинация в бесщелевой квантовой яме в гетероструктуре HgTe/CdHgTe." Физика твердого тела 64, no. 2 (2022): 173. http://dx.doi.org/10.21883/ftt.2022.02.51947.227.

Full text
Abstract:
Рассмотрены три механизма рекомбинации неравновесных носителей в бесщелевой нелегированной квантовой яме в гетероструктуре HgTe/CdHgTe. Вычислены зависимости средней по ансамблю вероятности рекомбинации (обратного времени рекомбинации) от концентрации неравновесных носителей для рекомбинации с испусканием оптических фононов, рекомбинации с испусканием двумерных плазмонов и излучательной рекомбинации. Ключевые слова: бесщелевая квантовая яма HgTe, механизмы рекомбинации неравновесных носителей.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
12

Авакянц, Л. П., А. Э. Асланян, П. Ю. Боков, К. Ю. Положенцев, and А. В. Червяков. "Спектры электроотражения множественных квантовых ям InGaN/GaN, помещенных в неоднородное электрическое поле p-n-перехода." Физика и техника полупроводников 51, no. 2 (2017): 198. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2017.02.44104.8271.

Full text
Abstract:
В спектрах электроотражения гетероструктуры GaN/InGaN/AlGaN обнаружена линия E=2.77 эВ шириной Gamma=88 мэВ, связанная с межзонными переходами в области множественных квантовых ям активной области. При уменьшении амплитуды модулирующего напряжения от 2.9 до 0.4 В наблюдается расщепление этой линии на две с энергиями E1=2.55 эВ и E2 = 2.75 эВ, ширины которых составляют Gamma1=66 мэВ и Gamma2 = 74 мэВ соответственно. Это указывает на то, что эти линии обусловлены межзонными переходами в отдельных квантовых ямах активной области. Различие энергий межзонных переходов E1 и E2 в идентичных квантовых ямах активной области связано с тем, что квантовые ямы помещены в неоднородное электрическое поле. В работе оценивались модули напряженности электрических полей в отдельных квантовых ямах активной области гетероструктуры. Их значения составили 1.6 и 2.2 МВ/см. DOI: 10.21883/FTP.2017.02.44104.8271
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
13

Большаков, А. С., В. В. Чалдышев, Е. Е. Заварин, А. В. Сахаров, В. В. Лундин, and А. Ф. Цацульников. "Оптическая спектроскопия резонансной брэгговской структуры с квантовыми ямами InGaN/GaN." Физика и техника полупроводников 50, no. 11 (2016): 1451. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2016.11.43771.3.

Full text
Abstract:
Исследованы спектры оптического отражения и пропускания при комнатной температуре периодической полупроводниковой гетероструктуры с 60 квантовыми ямами InGaN/GaN. Период структуры подбирался так, чтобы при определенных углах падения света обеспечить совпадение энергии фотона, испытывающего резонансное брэгговское отражение, с энергией возбуждения экситонов в квантовых ямах. Подгонка спектров, измеренных при углах падения света 30 и 60o, с учетом как резонансных экситонных переходов, так и переходов в непрерывный спектр состояний квантовой ямы позволила определить параметры экситонов в квантовых ямах. Получено значение параметра радиационного затухания (0.20±0.02) мэВ.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
14

Дегтярев, В. Е., C. В. Хазанова, and А. А. Конаков. "Влияние электрического поля на соотношение параметров Рашба и Дрессельхауза в гетероструктурах А-=SUP=-III-=/SUP=-B-=SUP=-V-=/SUP=-." Физика и техника полупроводников 51, no. 11 (2017): 1462. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2017.11.45091.05.

Full text
Abstract:
С помощью 8-зонной модели Кейна и конечно-разностной схемы с дискретизацией в координатном пространстве численно выполнены расчеты энергий подзон размерного квантования и огибающих волновых функций для квантовых ям [001] на основе полупроводников АIIIBV со структурой цинковой обманки. Исследовано влияние зонных параметров квантовой ямы, а также величины внешнего электрического поля, ориентированного вдоль направления роста структуры, на соотношение параметров спин-орбитального взаимодействия Рашба и Дрессельхауза. Показано, что в структурах GaAs/InGaAs при определенных значениях электрического поля возможно равенство параметров спин-орбитального взаимодействия, что является условием формирования устойчивых спиновых "хеликсов". Установлено также, что в симметричных ямах GaAs/InGaAs при определенных ширинах ям и химическом составе барьеров может исчезать линейное по волновому вектору спин-орбитальное взаимодействие. DOI: 10.21883/FTP.2017.11.45091.05
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
15

Димитриев, Г. С., В. Ф. Сапега, Н. С. Аверкиев, И. Е. Панайотти, and K. H. Ploog. "Влияние размерного квантования на спиновую поляризацию дырок в структурах с квантовыми ямами разбавленного магнитного полупроводника (Ga,Mn)As/AlAs." Физика твердого тела 59, no. 11 (2017): 2240. http://dx.doi.org/10.21883/ftt.2017.11.45068.109.

Full text
Abstract:
Исследовано влияние размерного квантования на спиновую поляризацию дырок в структуре с квантовыми ямами ферромагнитного полупроводника (Ga,Mn)As. Показано, что спиновая поляризация дырок в примесной зоне определяется, скорее, магнитными свойствами самого GaMnAs, а не эффектом размерного квантования. Развита модель акцептора Mn в квантовой яме, описывающая поляризационные характеристики фотолюминесценции в квантовых ямах GaAs:Mn/AlAs. Экспериментальные данные и теоретический анализ продемонстрировали, что спиновая поляризация дырок в квантовых ямах (Ga,Mn)As/AlAs может быть объяснена в модели, предполагающей, что дырки локализованы в примесной зоне. Работа поддержана грантом РФФИ N 15-52-12017 ННИО-а и грантом Правительства РФ (договор N 14.Z50.31.0021, 07.04.2014-31.12.2018. Ведущий ученый М.Х. Байер). DOI: 10.21883/FTT.2017.11.45068.109
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
16

Локоть, Л. О. "Оптична поляризаційна анізотропія, внутрішній ефект Штарка квантового конфайнменту і вплив кулонівських ефектів на лазерні характеристики [0001]-орієнтованих GaN/Al0,3Ga0,7N квантових ям." Ukrainian Journal of Physics 57, no. 1 (January 30, 2012): 12. http://dx.doi.org/10.15407/ujpe57.1.12.

Full text
Abstract:
У цій статті представлено теоретичне дослідження просторово розділених електронних і діркових розподілів, яке відображається у самоузгодженому розв'язанні рівнянь Шредінгера для електронів та дірок і рівняння Пуассона. Результати проілюстровано дляGaN/Al0,3Ga0,7N квантової ями. Спектр оптичного підсилення в [0001]-орієнтованої GaN/Al0,3Ga0,7N квантової ями обчислено в ультрафіолетовій області. Знайдено, що як матричні елементи оптичних переходів з важкої діркової підзони в зону провідності, так і спектр оптичного підсилення мають строго x (або y) поляризацію світла. Показано вплив конфайнменту хвильових функцій на оптичне підсилення, яке неявно залежить від вбудованого електричного поля, що обчислене і дорівнює 2,3 MВ/cм. Якщо структури з вузькою шириною ями проявляють звичайну залежність розвитку максимуму підсилення світла майже без зміщення спектральної області, то значного голубого зміщення максимуму підсилення зі зростанням густини плазми набувають структури зі значною шириною квантової ями. Це голубе зміщення відносять до взаємодії між екрануючим п'єзоелектричним полем, створеним деформацією і зонною структурою. Велике зоммерфельдівське або кулонівське підсилення присутнє у квантовій ямі.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
17

Горшков, А. П., Н. С. Волкова, П. Г. Воронин, А. В. Здоровейщев, Л. А. Истомин, Д. А. Павлов, Ю. В. Усов, and С. Б. Левичев. "Влияние состава покровного слоя на электронные характеристики квантовых точек InAs/GaAs." Физика и техника полупроводников 51, no. 11 (2017): 1447. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2017.11.45088.02.

Full text
Abstract:
Заращивание массива самоорганизованных квантовых точек InAs/GaAs слоем квантовой ямы InGaAs приводит к увеличению их размера за счет обогащения области вблизи вершины квантовых точек индием, что уменьшает энергию основного оптического перехода в квантовых точках на 50 мэВ и смещает волновую функцию дырки по направлению к вершине квантовой точки. DOI: 10.21883/FTP.2017.11.45088.02
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
18

Минтаиров, С. А., Н. А. Калюжный, А. М. Надточий, М. В. Максимов, С. С. Рувимов, and А. Е. Жуков. "Оптические свойства гибридных наноструктур "квантовая яма-точки", полученных методом МОС-гидридной эпитаксии." Физика и техника полупроводников 51, no. 3 (2017): 372. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2017.03.44210.8394.

Full text
Abstract:
Показано, что осаждение InxGa1-xAs с концентрацией индия от 0.3 до 0.5 и средней толщиной от 3 до 27 монослоев на подложку GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии при пониженных температурах роста приводит к возникновению модуляций толщины и концентрации атомов индия в формирующихся слоях. В силу их свойств, полученные наноструктуры могут быть отнесены к промежуточному типу между идеальными квантовыми ямами и квантовыми точками. В зависимости от толщины и состава InGaAs, длина волны максимума линии фотолюминесценции гибридных наноструктур квантовая яма-точки меняется от 950 до 1100 нм. Определены оптимальные толщины и составы осажденного InxGa1-xAs, обеспечивающие максимальную длину волны излучения при сохранении высокой квантовой эффективности. DOI: 10.21883/FTP.2017.03.44210.8394
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
19

Клюев, А. М., Н. Г. Философов, А. Ю. Серов, В. Ф. Агекян, С. Morhain, and В. П. Кочерешко. "Спектры отражения и фотоотражения структур с квантовыми ямами на основе ZnO." Физика твердого тела 62, no. 11 (2020): 1795. http://dx.doi.org/10.21883/ftt.2020.11.50052.127.

Full text
Abstract:
Исследованы спектры отражения и модуляционного фотоотражения от эпитаксиальных слоев ZnO и Zn1-xMgxO, а также квантовых ям ZnO/Zn1-xMgxO при нормальном и наклонном падении света. Сравнение экспериментально измеренных и расчетных спектров позволило уточнить некоторые параметры экситонов в этих структурах и уточнить порядок следования энергетических зон в ZnO. Ключевые слова: гетероструктуры, квантовые ямы, экситоны, спектроскопия.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
20

Бовкун, Л. С., С. С. Криштопенко, А. В. Иконников, В. Я. Алешкин, А. М. Кадыков, S. Ruffenach, C. Consejo, et al. "Магнитоспектроскопия двойных квантовых ям HgTe/CdHgTe." Физика и техника полупроводников 50, no. 11 (2016): 1554. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2016.11.43790.22.

Full text
Abstract:
Исследованы спектры магнитопоглощения в двойных квантовых ямах HgTe/CdHgTe с нормальным и инвертированным зонным спектром. На основе модели Кейна 8·8 рассчитаны уровни Ландау в симметричных квантовых ямах с прямоугольным профилем потенциала. Показано, что наличие туннельно-прозрачного барьера приводит к расщеплению состояний и "удвоению" основных линий магнитопоглощения. При ширине ям, близкой к критической, для структуры с одиночной квантовой ямой показаны наличие инверсии зон и возникновение бесщелевой зонной структуры, как в двухслойном графене. Обнаружен сдвиг линий магнитопоглощения при изменении концентрации носителей за счет эффекта остаточной фотопроводимости, связываемый с изменением профиля потенциала при перезарядке ловушек, что открывает возможность управления топологическими фазовыми переходами в таких структурах.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
21

ЛІСОВСЬКА, Юлія. "РАЦІОНАЛІСТИЧНІ МІФИ КВАНТОВОЇ ФІЛОСОФІЇ У НЕПИСАНИХ ПРАВИЛАХ ЗВИЧАЄВОГО ПРАВА: МЕТОДОЛОГІЧНІ АСПЕКТИ." Наукові праці Міжрегіональної Академії управління персоналом. Юридичні науки 60, no. 1 (February 23, 2022): 26–30. http://dx.doi.org/10.32689/2522-4603.2021.1.5.

Full text
Abstract:
У сучасну епоху глобалізаційних змін актуального значення набуває квантова філософія, яка стимулює пошук істини як основи права в життєвому світі. Досліджуються зв’язок раціоналістичних міфів, які розглядає квантова філософія у неписаних правилах звичаєвого права з доцільною дією закону в онтологічній, гносеологічній та аксіологічній структурі правової реальності. Визначено онтологічну структуру звичаєвого права з огляду раціоналістичних міфів квантової філософії як мотиваційний момент істини в архетипно-ментальній модернізації. Доведено, що кожна людина має цілеспрямувати свої власні сенсорно-розумові уподобання згідно екзистенційних вимірів, виходячи із ентропійності, тобто хаотично сконструйованих окремих фактів, подій, епізодів власного досвіду у виразну і прозору цілісність, що передбачає майбутнє. Метою статті є здійснення теоретико-пізнавального аналізу квантової філософії щодо доцільності раціоналістичних міфів у неписаних правилах звичаєвого права, як модернізації ідеї в її архетипно-ментальній змістовності. Наукова новизна. Стаття присвячена питанням квантової філософії у постсучасності. Новизна полягає в якісно новому семантичному ставленні до особи, держави та суспільства, що сформувалися на підставі суспільних потреб, можливостей, а також завдяки імперативу модернізації страху (зокрема метафізичного), відкриваючи нові смислотворчі горизонти буття. Як висновок, раціоналістичні міфи квантової філософії відображають надлюдські реальності, що є проявом фізичного та соціального світу. За цих умов квантова філософія, ентропійно виражена як фізичний вимір, передбачає перетворення онтологічно-правових догматів на дійсність у раціоналістичних діях міфотворчості.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
22

Кособукин, В. А. "Плазмон-экситонные поляритоны в сверхрешетках." Физика твердого тела 59, no. 5 (2017): 972. http://dx.doi.org/10.21883/ftt.2017.05.44389.365.

Full text
Abstract:
Представлена теория распространения поляритонов в сверхрешетках с резонансным плазмон-экситонным взаимодействием. Периодическая сверхрешетка состоит из конечного числа ячеек c близко расположенными квантовой ямой и монослоем металлических наночастиц. Изучается спектр смешанных мод, образованных квазидвумерными экситонами квантовых ям и дипольными плазмонами металлических частиц. Задача электродинамики решается методом функций Грина c учетом резонансной поляризации квантовых ям и частиц в самосогласованном приближении. Эффективная поляризуемость частиц сфероидальной формы, заполняющих квадратную решетку, вычислена с учетом эффекта локального поля дипольных плазмонов слоя и их "изображений", обусловленных экситонной поляризацией ближайшей квантовой ямы. Численно исследованы оптические спектры отражения сверхрешеток с квантовыми ямами GaAs/AlGaAs и частицами серебра. Особое внимание уделено режиму сверхизлучения при брэгговской дифракции поляритонов в сверхрешетке. Сверхизлучение исследовано для плазмонов и экситонов по отдельности, а также для смешанных плазмон-экситонных поляритонов. Показано, что широкий спектр отражения, связанный с плазмонами, зависит от числа ячеек в сверхрешетке и имеет узкий спектральный провал в области экситон-плазмонного расщепления Раби. Работа выполнена при частичной поддержке РФФИ (грант N 14-02-01123). DOI: 10.21883/FTT.2017.05.44389.365
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
23

Алафердов, А. В., О. В. Вихрова, Ю. А. Данилов, Б. Н. Звонков, and С. А. Мошкалев. "Использование пленок из многослойного графена в качестве покрытий светоизлучающих GaAs-структур." Журнал технической физики 128, no. 3 (2020): 399. http://dx.doi.org/10.21883/os.2020.03.49067.300-19.

Full text
Abstract:
Экспериментально обнаружено существенное (почти на два порядка величины) увеличение интенсивности фото- и электролюминесценции диодной структуры с квантовой ямой InGaAs/GaAsSb/GaAs, слоем GaMnAs в качестве спинового инжектора и контактным покрытием из пленки многослойного графена. Результат объясняется возможным образованием гибридной системы многослойного графена и полупроводника GaAs под воздействием излучения He-Ne-лазера, приводящим к изменению зонной диаграммы гетероструктуры. Ключевые слова: светоизлучающая структура, GaAs, квантовая яма, многослойный графен, люминесценция, лазерное воздействие.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
24

Иконников, А. В., Л. С. Бовкун, В. В. Румянцев, С. С. Криштопенко, В. Я. Алешкин, А. М. Кадыков, M. Orlita, et al. "Зонный спектр в гетероструктурах HgTe/CdHgTe p-типа и его перестройка с изменением температуры." Физика и техника полупроводников 51, no. 12 (2017): 1588. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2017.12.45168.30.

Full text
Abstract:
Выполнены исследования спектров магнитопоглощения и спектров межзонной фотопроводимости при различных температурах в квантовых ямах HgTe/CdHgTe с дырочным типом проводимости. Показано, что в образце с нормальной зонной структурой наблюдается сдвиг положения красной границы в сторону больших энергий с ростом температуры, что указывает на увеличение ширины запрещенной зоны в квантовой яме. В образце с инвертированной структурой впервые наблюдалось смещение красной границы в сторону меньших энергий, связанное с топологическим фазовым переходом от инвертированной зонной структуры к прямой с увеличением температуры. Результаты экспериментальных исследований находятся в согласии с теоретическими расчетами зонной структуры, выполненными на основе модели Кейна. DOI: 10.21883/FTP.2017.12.45168.30
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
25

Гавриленко, В. И., Л. С. Бовкун, А. В. Иконников, В. Я. Алешкин, С. С. Криштопенко, А. В. Антонов, К. Е. Спирин, Н. Н. Михайлов, and С. А. Дворецкий. "Активационная проводимость в квантовых ямах HgTe/CdHgTe при целочисленных факторах заполнения уровней Ландау: роль случайного потенциала." Физика и техника полупроводников 51, no. 12 (2017): 1621. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2017.12.45175.38.

Full text
Abstract:
В квантовых ямах HgTe/CdHgTe шириной 8 нм с концентрацией электронов (1.7-13)·1011 см-2 проведены исследования осцилляций Шубникова-де-Гааза в диапазоне температур от 1.6 до 40 K. Из анализа температурной зависимости амплитуды осцилляций при целочисленных факторах заполнения определены значения щелей между уровнями Ландау и квантовое время рассеяния. Экспериментальные значения щелей находятся в хорошем согласии с результатами одноэлектронных расчетов энергий уровней в рамках 8-зонной модели Кейна. Полученные экспериментальные значения ширины плотности состояний свидетельствуют о сильном экранировании обменного взаимодействия в квантовых ямах HgTe/CdHgTe. DOI: 10.21883/FTP.2017.12.45175.38
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
26

Сейсян, Р. П., А. В. Кавокин, Kh Moumanis, and М. Э. Сасин. "Эффект кулоновской ямы в квантовых ямах (In, Ga)As/GaAs." Физика твердого тела 59, no. 6 (2017): 1133. http://dx.doi.org/10.21883/ftt.2017.06.44486.232.

Full text
Abstract:
Выполнено магнитооптическое исследование экситонных переходов в высококачественных квантовых ямах гетеросистемы (In, Ga)As/GaAs. Исследование пропускания отделенных от подложки свободных образцов в магнитных полях вплоть до 12 T выявило богатую тонкую структуру, связанную с различными тяжелодырочными и легкодырочными экситонными переходами. В частности, были зарегистрированы переходы из возбужденных состояний легких дырок, локализованных в кулоновском потенциале, создаваемом электроном вдоль оси гетероструктуры (кулоновская яма). Последовательно принимая во внимание напряжения, образование уровней Ландау, энергии связи экситонов (диамагнитных экситонов) и эффект "кулоновской ямы", мы смогли описать экспериментальные результаты в рамках самосогласованной вариационной процедуры. В результате были объяснены новые особенности структуры оптических переходов и с хорошей точностью были определены приведенные массы электронов и дырок для экситона, образованного как на тяжелой дырке, так и на легкой. Работа выполнена при поддержке РФФИ и Немецкого научно-исследовательского общества (проект РФФИ-ННИО N 15-52-12018). DOI: 10.21883/FTT.2017.06.44486.232
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
27

Добрецова, А. А., З. Д. Квон, Л. С. Брагинский, М. В. Энтин, and Н. Н. Михайлов. "Подвижность и квантовое время бесщелевых дираковских электронов в квантовых ямах HgTe." Журнал технической физики 52, no. 11 (2018): 1357. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2018.11.46598.20.

Full text
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
28

Хабибуллин, Р. А., Н. В. Щаврук, А. Н. Клочков, И. А. Глинский, Н. В. Зенченко, Д. С. Пономарев, П. П. Мальцев, et al. "Энергетический спектр и тепловые свойства терагерцового квантово-каскадного лазера на основе резонансно-фононного дизайна." Физика и техника полупроводников 51, no. 4 (2017): 540. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2017.04.44349.8414.

Full text
Abstract:
Исследованы зависимости положения электронных уровней и силы осциллятора переходов от приложенного электрического поля для терагерцового квантово-каскадного лазера (ТГц ККЛ)с резонансно-фононным дизайном на основе каскада, состоящего их трех квантовых ям. Рассчитаны напряженности электрического поля для двух характерных состояний исследуемого терагерцового квантово-каскадного лазера: 1) протекание паразитного" тока по структуре, когда порог генерации еще не достигнут; 2) порог генерации достигнут. Проведено моделирование процессов теплопереноса в исследуемых терагерцовых квантово-каскадных лазерах для определения оптимальных режимов питания и охлаждения. Подобраны режимы термокомпрессионного соединения гребневого полоска лазера с проводящей подложкой n+-GaAs на основе Au-Au для создания механически более прочного контакта c большей теплопроводностью. DOI: 10.21883/FTP.2017.04.44349.8414
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
29

Моисеев, К. Д., В. Н. Неведомский, Yu Kudriavtsev, A. Escobosa-Echavarria, and M. Lopez-Lopez. "Дельта-легирование соединениями марганца гетероструктур на основе GaAs." Физика и техника полупроводников 51, no. 9 (2017): 1189. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2017.09.44882.8534.

Full text
Abstract:
Гетероструктуры с квантовыми ямами GaAs/InGaAs/GaAs, легированные пространственно удаленными моноатомными слоями Mn, были получены на подложке GaAs(001) в режиме монослойного наращивания методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Комбинированные исследования полученных образцов были проведены при помощи метода вторичной ионной масс-спектрометрии, рентгено-дифракционных измерений и с использованием просвечивающего электронного микроскопа. Исследуемые гетероструктуры с концентрацией легирующей примеси 0.5 монослоя были упруго напряжены и демонстрировали планарные четкие границы раздела без видимых протяженных и точечных дефектов. Предложена методика визуализации распределения концентрации марганца в трехмерной матрице GaAs вблизи квантовой ямы. Согласно экспериментальным результатам существует вероятность диффузии марганца в квантовую яму GaAs/InGaAs/GaAs при уменьшении критической толщины буферного слоя GaAs менее 3 нм. Работа была выполнена при частичной поддержке проекта РФФИ (N 15-02-08909). DOI: 10.21883/FTP.2017.09.44882.8534
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
30

Галиев, Г. Б., А. Н. Клочков, И. С. Васильевский, Е. А. Климов, С. С. Пушкарев, А. Н. Виниченко, Р. А. Хабибуллин, and П. П. Мальцев. "Электронные свойства приповерхностных квантовых ям InGaAs/InAlAs с инвертированным легированием на подложках InP." Физика и техника полупроводников 51, no. 6 (2017): 792. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2017.06.44559.8456.

Full text
Abstract:
Сравниваются электронные транспортные и оптические свойства гетероструктур с приповерхностной квантовой ямой InGaAs/InAlAs при использовании инвертированного (снизу от квантовой ямы) и стандартного (сверху от квантовой ямы) delta-легирования атомами Si. Показано, что при использовании инвертированного легирования происходит увеличение плотности двумерных электронов в квантовой яме по сравнению со стандартным расположением легирующего слоя при идентичных составах и толщинах других слоев гетероструктур. Наблюдаемые особенности низкотемпературного электронного транспорта (осцилляций Шубникова--де-Гааза, эффекта Холла) и спектров фотолюминесценции гетероструктур интерпретированы с помощью моделирования зонной структуры. DOI: 10.21883/FTP.2017.06.44559.8456
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
31

Кулакова, Л. А., А. В. Лютецкий, and И. С. Тарасов. "Поляризационные эффекты в гетеролазерах In-=SUB=-28-=/SUB=-Ga-=SUB=-72-=/SUB=-As/GaAs на квантовой яме." Физика твердого тела 59, no. 9 (2017): 1684. http://dx.doi.org/10.21883/ftt.2017.09.44837.062x.

Full text
Abstract:
Экспериментально и теоретически изучено воздействие вводимых извне переменных деформаций на поляризационные свойства излучения лазера In28Ga72As/GaAs на квантовой яме при комнатной температуре. Проведен анализ поляризационных эффектов при различных величинах превышения рабочим током порогового. Получены данные о величине энергии расщепления уровней легких и тяжелых дырок в квантовой яме исследованной структуры. Экспериментально доказано, что эффективность воздействия переменной деформацией на поворот поляризации существенно возрастает с увеличением ширины квантовой ямы. Работа поддержана РФФИ (грант N 11-02-00729) и научными программами Президиума РАН. DOI: 10.21883/FTT.2017.09.44837.062x
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
32

Кочелап, В. О., and С. М. Кухтарук. "Взаємодія ізотропної наночастинки з дрейфуючими електронами у квантовій ямі." Ukrainian Journal of Physics 57, no. 3 (March 30, 2012): 367. http://dx.doi.org/10.15407/ujpe57.3.367.

Full text
Abstract:
Розглянуто гібридні системи, що складаються з наночастинки та напівпровідникової гетероструктури з квантовою ямою. Наночастинка є такою, що поляризується у сторонньому електричному полі. Обґрунтовано та сформульовано модель гібридної системи. Отримано точні розв'язки рівнянь. Знайдені частоти коливань зарядів гібридної системи та їх додаткове загасання, що зумовлено взаємодією диполя з плазмонами. Природа додаткового загасання подібна до загасання Ландау. Проаналізовано поведінку в часі та просторі збурень концентрації двовимірних електронів. Досліджено поляризаційні коливання наночастинки. Знайдено, що при ненульових дрейфових швидкостях наведена поляризація характеризується складною динамікою. Зокрема, для двох із трьох гілок частотної дисперсії вектор поляризації обертається по еліптичних траєкторіях. У випадку, коли до квантової ями прикладене поле та тече струм, загасання змінюється на наростання коливань гібридної системи у часі, що відповідає електричній нестійкості гібридної системи. Нові явища в гібридних системах можуть бути застосовані для збудження випромінювання наночастинок струмом та для електричної генерації випромінювання в терагерцовій області спектра.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
33

Абдулазизов, Б. Т., П. Ж. Байматов, Ш. Т. Иноятов, and А. С. Махмудов. "Фактор спинового расщепления электрона в квантовой яме InAs в сильных магнитных полях." «Узбекский физический журнал» 23, no. 1 (February 21, 2021): 19–23. http://dx.doi.org/10.52304/.v23i1.218.

Full text
Abstract:
На основе модели Кейна проведен расчет циклотронной массы электрона в квантовой яме InAs. Расчеты проведены в приближении бесконечной глубины квантовой ямы с учетом уровня Ландау второй минизоны. Получен график зависимости циклотронной массы mCR от величины магнитного поля для квантовой ямы InAs шириной L = 20 nm. Представлен также график полевой зависимости энергии Ферми для температуры T=20.5 K и концентрации nS = 3.6×1011 cm−2, что соответствует экспериментальным условиям. Показано, что учет циклотронного перехода электронов внутри второй минизоны удовлетворительно описывает экспериментальные данные, полученные в сильных магнитных полях в гетероструктуре InAs/In0.81Ga0.19As/InxAl1−xAs.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
34

Харченко, A. A., А. М. Надточий, А. А. Серин, С. А. Минтаиров, Н. А. Калюжный, А. Е. Жуков, М. В. Максимов, and S. Breuer. "Бимодальность в спектрах электролюминесценции InGaAs квантовых яма-точек." Физика и техника полупроводников 56, no. 1 (2022): 97. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2022.01.51818.9730.

Full text
Abstract:
The electroluminescence spectra of waveguiding structures based on quantum well-dots were investigated with polarization resolution in the temperature range of 60−300 K. It is found that the ground state emission consists of two peaks with different degrees of TE-polarization and these peaks are getting closer with temperature decrease. We attribute the bimodality to the existence of two different types of nanoobjects in the active region: the quantum well-dots, which have partially TE-polarized emission, and quantum dots emitting almost fully TE-polarized light.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
35

Хомицкий, Д. В., Е. А. Лаврухина, А. А. Чубанов, and Н. Нжийа. "Релаксация энергии в квантовой точке на крае двумерного топологического изолятора." Физика и техника полупроводников 51, no. 11 (2017): 1557. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2017.11.45111.25.

Full text
Abstract:
Выполнен расчeт скорости релаксации энергии для переходов с участием фононов в квантовых точках различного размера, созданных магнитными барьерами на краe двумерного топологического изолятора на базе квантовой ямы HgTe/CdTe. Рассматривается релаксация как в дискретный, так и в непрерывный спектр краевых состояний, а также в состояния непрерывного спектра объeмного образца. Полученные результаты свидетельствуют о существовании области параметров структуры, обеспечивающей сравнительно медленную релаксацию энергии, что говорит о перспективности данных объектов, в том числе для создания новых типов твердотельных кубитов. DOI: 10.21883/FTP.2017.11.45111.25
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
36

Минтаиров, С. А., Н. А. Калюжный, А. М. Надточий, М. В. Максимов, В. Н. Неведомский, Л. А. Сокура, С. С. Рувимов, М. З. Шварц, and А. Е. Жуков. "Многослойные InGaAs-гетероструктуры "квантовая яма-точки" в фотопреобразователях на основе GaAs." Физика и техника полупроводников 52, no. 10 (2018): 1131. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2018.10.46452.8879.

Full text
Abstract:
AbstractGaAs photovoltaic converters containing quantum well-dot (QWD) heterostructures are studied. The QWD properties are intermediate between those of quantum wells (QWs) and quantum dots. The QWDs are obtained by the epitaxial deposition of In_0 . 4Ga_0 . 6As with a nominal thickness of 8 single layers by metal-organic vapor phase epitaxy. QWDs are a dense array of elastically strained islands that localize carriers in three directions and are formed by a local increase in the indium concentration and/ or InGaAs-layer thickness. There are two quantum-well levels of varied nature in structures with QWDs. These levels are manifested in the spectral characteristics of GaAs photovoltaic converters. A short-wavelength peak with a maximum at around 935 nm is associated with absorption in the residual QW, and the long-wavelength peak (1015–1030 nm) is due to absorption in the QWDs. Investigation by transmission electron microscopy demonstrates that an increase in the number of InGaAs layers leads to stronger elastic stresses, which, in turn, increases the carrier confinement energy in the QWDs and lead to a corresponding long-wavelength shift of the internal quantum efficiency spectrum.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
37

Журавлева, Л. М., and Н. М. Легкий. "Улучшение качества фотоприемников методами изотопической наноинженерии." Российские нанотехнологии 14, no. 3-4 (December 5, 2019): 21–25. http://dx.doi.org/10.21517/1992-7223-2019-3-4-21-25.

Full text
Abstract:
Рассмотрена возможность изменения изотопического состава вещества для улучшения физических свойств материала и оптоэлектронных характеристик фотоприемника как наиболее распространенного устройства оптоэлектроники. Показано, что уменьшение тяжелых изотопов в полупроводниковом материале фотоприемников повышает подвижность носителей заряда, коэффициент поглощения света, квантовую эффективность и уменьшает количество подуровней в запрещенной зоне, влияющих на темновой ток. Это приводит к повышению чувствительности фотоприемника, уменьшению величины темнового тока, к улучшению отношения мощности сигнала к мощности шума на выходе фотоприемника. Проведено сравнение технологий улучшения свойств материала совершенствованием характеристик объемных полупроводниковых кристаллов, множественных квантовых ям и сверхрешеток.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
38

Овешников, Л. Н., and Е. И. Нехаева. "Квантовые поправки к проводимости и аномальный эффект Холла в квантовых ямах InGaAs с пространственно отделенной примесью Mn." Физика и техника полупроводников 51, no. 10 (2017): 1364. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2017.10.45014.8489.

Full text
Abstract:
Исследован магнетотранспорт в гетероструктурах с пространственным разделением магнитной примеси Mn и квантовой ямы InGaAs. Анализ наблюдаемого эффекта слабой локализации с помощью формулы Хиками-Ларкина-Нагаоки приводит к аномально низкому значению префактора (0.4). Полученные данные указывают на то, что основным механизмом сбоя фазы может быть неупругое e-e рассеяние. Анализ проводимости и магнетосопротивления указывает на доминантную роль спин-зависимого рассеяния на флуктуациях магнитной подсистемы, что согласуется с увеличением амплитуды отрицательного магнетосопротивления и увеличением друдевской проводимости при охлаждении. Исследована природа аномального эффекта Холла в данных структурах, в частности присутствуют указания на наличие топологического вклада при низких температурах. DOI: 10.21883/FTP.2017.10.45014.8489
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
39

Кочерешко, В. П., В. Н. Кац, А. В. Платонов, and D. Wolverson. "Эффект магнитоиндуцированной пространственной дисперсии в квантовых ямах*." Известия Российской академии наук. Серия физическая 78, no. 12 (2014): 1649–52. http://dx.doi.org/10.7868/s036767651412014x.

Full text
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
40

Батаев, М. Н., Н. Г. Философов, А. Ю. Серов, В. Ф. Агекян, C. Mohrain, and В. П. Кочерешко. "Экситоны в квантовых ямах на основе ZnO." Журнал технической физики 60, no. 12 (2018): 2450. http://dx.doi.org/10.21883/ftt.2018.12.46738.143.

Full text
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
41

Батаев, М. Н., Н. Г. Философов, А. Ю. Серов, В. Ф. Агекян, C. Mohrain, and В. П. Кочерешко. "Экситоны в квантовых ямах на основе ZnO." Журнал технической физики 60, no. 12 (2018): 2579. http://dx.doi.org/10.21883/ftt.2018.12.47356.143.

Full text
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
42

Криштопенко, С. С., А. В. Иконников, К. В. Маремьянин, Л. С. Бовкун, К. Е. Спирин, А. М. Кадыков, M. Marcinkiewicz, et al. "Циклотронный резонанс дираковских фермионов в квантовых ямах InAs/GaSb/InAs." Физика и техника полупроводников 51, no. 1 (2017): 40. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2017.01.43993.8244.

Full text
Abstract:
Теоретически исследована зонная структура в трехслойных симметричных квантовых ямах InAs/GaSb/InAs, ограниченных барьерами AlSb. Показано, что в зависимости от соотношения толщин слоев InAs и GaSb в системе может реализовываться нормальная зонная структура, бесщелевое состояние с дираковским конусом в центре зоны Бриллюэна и инвертированная зонная структура (двумерный топологический изолятор). Экспериментальные исследования циклотронного резонанса в образцах с бесщелевым зонным спектром, выполненные при различных значениях концентрации электронов, подтверждают существование безмассовых дираковских фермионов в квантовых ямах InAs/GaSb/InAs. DOI: 10.21883/FTP.2017.01.8244
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
43

Минтаиров, С. А., И. М. Гаджиев, Н. А. Калюжный, М. В. Максимов, А. М. Надточий, М. В. Нахимович, Р. А. Салий, М. З. Шварц, and А. Е. Жуков. "Быстродействующие фотодетекторы оптического диапазона 950-1100 nm на основе In-=SUB=-0.4-=/SUB=-Ga-=SUB=-0.6-=/SUB=-As/GaAs-наноструктур квантовая яма-точки." Письма в журнал технической физики 46, no. 24 (2020): 11. http://dx.doi.org/10.21883/pjtf.2020.24.50420.18485.

Full text
Abstract:
Исследованы быстродействующие фотодетекторы на основе InGaAs/GaAs-наноструктур квантовая яма-точки (КЯТ) с фронтальным и торцевым вводом излучения. Фотодетектор с 40 рядами КЯТ продемонстрировал спектральную чувствительность до 0.4 A/W в диапазоне 900-1100 nm при смещении -5 V. Постоянная времени спада импульсного отклика фотодетектора площадью 1.4·10-4 cm2 составила ~250 ps. Ключевые слова: фотодетектор, быстродействие, спектральная чувствительность, наноструктуры, емкость.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
44

Шамирзаев, Т. С. "Рекомбинация и спиновая динамика экситонов в непрямозонных квантовых ямах и квантовых точках." Физика твердого тела 60, no. 8 (2018): 1542. http://dx.doi.org/10.21883/ftt.2018.08.46240.08gr.

Full text
Abstract:
AbstractThe behavior of excitons in heterostructures with indirect-gap GaAs/AlAs quantum wells and (In, Al)As/AlAs quantum dots is discussed. The possibilities of controlled change of the exciton radiative recombination time in the range from dozens of nanoseconds to dozens of microseconds, experimental study of the spin dynamics of long-lived localized excitons, and use of the optical resonant methods for exciting the indirect-band exciton states are demonstrated.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
45

Доронин, С. И., И. Д. Лазарев, and Э. Б. Фельдман. "МНОГОСПИНОВАЯ ЗАПУТАННОСТЬ В МНОГОКВАНТОВОЙ СПЕКТРОСКОПИИ ЯМР." NANOINDUSTRY Russia 13, no. 4s (September 11, 2020): 678–79. http://dx.doi.org/10.22184/1993-8578.2020.13.4s.678.679.

Full text
Abstract:
Для исследования многочастичной запутанности мы использовали многоквантовую (МК) динамику ЯМР спин-несущих молекул газа в нанополости. Распределение интенсивностей МК-когерентностей ЯМР получено при высоких и низких температурах в системе из 201 спина. Второй момент этого распределения, дающий нижнюю границу квантовой информации Фишера, позволяет получить информацию о многоспиновой запутанности в системе. Исследована зависимость многоспиновой запутанности от температуры. При низких температурах почти все спины являются запутанными.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
46

Виниченко, А. Н., Д. А. Сафонов, Н. И. Каргин, and И. С. Васильевский. "Электронный квантовый транспорт в псевдоморфных и метаморфных квантовых ямах на основе In-=SUB=-0.2-=/SUB=-Ga-=SUB=-0.8-=/SUB=-As." Физика и техника полупроводников 53, no. 3 (2019): 359. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2019.03.47288.9001.

Full text
Abstract:
AbstractMetamorphic high-electron-mobility transistor (HEMT) structures based on deep In_0.2Ga_0.8As/In_0.2Al_0.8As quantum wells (0.7 eV for Γ electrons) with different metamorphic buffer designs are implemented and investigated for the first time. The electronic properties of metamorphic and pseudomorphic HEMT structures with the same doping are compared. It is found that, over a temperature range of 4–300 K, both the electron mobility and concentration in the HEMT structure with a linear metamorphic buffer are higher than those in the pseudomorphic HEMT structure due to an increase in the depth of the quantum well. Low-temperature magnetotransport measurements demonstrate that the quantum momentum-relaxation time decreases considerably in metamorphic HEMT structures because of enhanced small-angle scattering resulting from structural defects and inhomogeneities, while the dominant scattering mechanism in structures of both types is still due to remote ionized impurities.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
47

Микушкин, В. М. "Квантовая яма на поверхности n-GaAs, облученной ионами аргона, "Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики"." Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, no. 3-4 (2018): 248–51. http://dx.doi.org/10.7868/s0370274x18040082.

Full text
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
48

Надточий, А. М., С. А. Минтаиров, Н. А. Калюжный, Ю. М. Шерняков, Г. О. Корнышов, А. А. Серин, А. С. Паюсов, et al. "Лазеры на основе квантовых яма-точек, излучающие в оптических диапазонах 980 и 1080 nm." Письма в журнал технической физики 45, no. 4 (2019): 42. http://dx.doi.org/10.21883/pjtf.2019.04.47337.17615.

Full text
Abstract:
AbstractThe main characteristics of edge-emitting lasers with active regions based on nanoheterostructures of a new type—quantum well-dots (QWDs) operating at various wavelengths—are compared. The QWD structures operating at 980- and 1080-nm wavelengths demonstrated minimum values of threshold current density (160 and 125 A/cm^2), high internal quantum efficiency (74 and 85%), and low internal losses (1.1 and 0.9 cm^–1), respectively.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
49

МИНЬКОВ, Г. М., О. Э. РУТ, А. А. ШЕРСТОБИТОВ, С. А. ДВОРЕЦКИЙ, and Н. Н. МИХАЙЛОВ. "ОСОБЕННОСТИ МАГНЕТО-МЕЖПОДЗОННЫХ ОСЦИЛЛЯЦИЙ В КВАНТОВЫХ ЯМАХ HGTE." ПИСЬМА В ЖУРНАЛ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЙ И ТЕОРЕТИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ 110, no. 3-4(8) (2019): 274–78. http://dx.doi.org/10.1134/s0370274x19160124.

Full text
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
50

Иванов, А. М. "Низкочастотный шум в светодиодах на основе InGaN/GaN квантовых ям при электрических воздействиях, сопровождающихся возрастанием внешней квантовой эффективности." Журнал технической физики 91, no. 1 (2021): 76. http://dx.doi.org/10.21883/jtf.2021.01.50276.447-18.

Full text
Abstract:
The results of testing the degradation of LED structures with InGaN/GaN quantum wells are presented. An increase in the external quantum efficiency above the initial value was observed after passing a current of 150–170 mA. Possible physical processes leading to a change in quantum efficiency and an increase in low-frequency noise are considered.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
We offer discounts on all premium plans for authors whose works are included in thematic literature selections. Contact us to get a unique promo code!

To the bibliography