Relevant bibliographies by topics / Квантова яма

Academic literature on the topic 'Квантова яма'

Author: Grafiati
Published: 30 May 2022
Last updated: 31 May 2022

Create a spot-on reference in APA, MLA, Chicago, Harvard, and other styles

Select a source type:

Contents

Consult the lists of relevant articles, books, theses, conference reports, and other scholarly sources on the topic 'Квантова яма.'

Next to every source in the list of references, there is an 'Add to bibliography' button. Press on it, and we will generate automatically the bibliographic reference to the chosen work in the citation style you need: APA, MLA, Harvard, Chicago, Vancouver, etc.

You can also download the full text of the academic publication as pdf and read online its abstract whenever available in the metadata.

Journal articles on the topic "Квантова яма"

1

Алешкин, В. Я., Л. В. Гавриленко, Д. М. Гапонова, З. Ф. Красильник, and Д. И. Крыжков. "Процессы переноса экситонных возбуждений и релаксация в низкоразмерных полупроводниковых гетероструктурах с квантовыми ямами." Физика и техника полупроводников 50, no. 12 (2016): 1720. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2016.12.43906.8347.

Full text
Abstract:
В гетероструктурах AlGaAs/GaAs методом спектроскопии возбуждения фотолюминесценции исследовались процессы, связанные с переносом экситонных возбуждений между туннельно-несвязанными квантовыми ямами и изменением встроенного электрического поля. Наблюдалось изменение интенсивности сигнала низкотемпературной фотолюминесценции (при 4.2 K) из более широкой квантовой ямы при совпадении кванта энергии лазера накачки с энергией экситонного перехода в узкой яме. Изменение положения максимума и интенсивности фотолюминисценции из более широкой квантовой ямы при возбуждении вблизи экситонных резонансов в узкой квантовой яме объясняется влиянием квантово-размерного эффекта Штарка на процесс экситонной рекомбинации.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
2

Яблонский, А. Н., Р. Х. Жукавин, Н. А. Бекин, А. В. Новиков, Д. В. Юрасов, and М. В. Шалеев. "Излучательная рекомбинация и туннелирование носителей заряда в гетероструктурах SiGe/Si с двойными квантовыми ямами." Физика и техника полупроводников 50, no. 12 (2016): 1629. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2016.12.43889.35.

Full text
Abstract:
В эпитаксиальных структурах SiGe/Si(001) с двумя неэквивалентными SiGe квантовыми ямами, разделенными тонким Si-барьером, исследованы спектральные и временные характеристики межзонной фотолюминесценции, соответствующей излучательной рекомбинации экситонов в квантовых ямах. Для серии структур с двумя SiGe-квантовыми ямами различной толщины определены зависимости характерного времени туннелирования носителей заряда (дырок) из узкой квантовой ямы, характеризуемой большей энергией рекомбинации экситона, в широкую квантовую яму от толщины Si-барьера. Показано, что время туннелирования дырок между слоями Si0.85Ge0.15 толщиной 3 и 9 нм монотонно спадает от ~500 нс до < 5 нс при уменьшении толщины Si-барьера от 16 до 8 нм. При промежуточных толщинах Si-барьера обнаружено нарастание сигнала фотолюминесценции широкой квантовой ямы с характерным временем, совпадающим по порядку величины с временем спада люминесценции узкой квантовой ямы, что подтверждает наблюдение эффекта туннелирования дырок из узкой квантовой ямы в широкую. Обнаружена существенная зависимость времени туннелирования дырок от содержания Ge в слоях SiGe при фиксированной толщине Si-барьера между квантовыми ямами, что связывается с увеличением эффективной высоты Si-барьера.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
3

Михайлова, М. П., В. А. Березовец, Р. В. Парфеньев, Л. В. Данилов, М. О. Сафончик, A. Hospodkova, J. Pangrac, and E. Hulicius. "Вертикальный транспорт в гетеропереходах II типа с композитными квантовыми ямами InAs/GaSb/AlSb в сильном магнитном поле." Физика и техника полупроводников 51, no. 10 (2017): 1393. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2017.10.45019.8598.

Full text
Abstract:
Вертикальный транспорт исследован в гетеропереходах II типа с двухбарьерной квантовой ямой AlSb/InAs/GaSb/AlSb, выращенной методом МОГФЭ (MOVPE) на подложке n-InAs(100), в квантующих магнитных полях до B=14 Тл при низких температурах, T=1.5 и 4.2 K. Ширина квантовых ям выбиралась из условия получения инвертированной зонной структуры. Измерения осцилляций Шубникова-де-Гааза проводились при двух ориентациях магнитного поля (перпендикулярной и параллельной) относительно плоскости структуры. Установлено, что проводимость в исследуемой структуре осуществлялась как трехмерными (3D) электронами подложки, так и двумерными (2D) электронами квантовой ямы InAs в условиях квантового предела для объемных электронов (B>5 Tл). Определены концентрации электронов в подложке и в квантовой яме InAs, а также g-фактор для трехмерных носителей из спинового расщепления нулевого уровня Ландау. Показано, что максимумы кондактанса в магнитном поле, перпендикулярном плоскости структуры и параллельном току через структуру, в полях B>9 Тл соответствуют резонансному туннелированию 3D электронов из подложки-эмиттера в квантовую яму InAs через 2D электронные состояния уровней Ландау. DOI: 10.21883/FTP.2017.10.45019.8598
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
4

Алешкин, В. Я., and А. А. Дубинов. "Влияние параметров квантовой ямы на спектр двумерных плазмонов в гетероструктурах HgTe/CdHgTe." Физика и техника полупроводников 55, no. 11 (2021): 973. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2021.11.51549.45.

Full text
Abstract:
Теоретически изучено влияние параметров квантовой ямы и пространственной дисперсии электронной поляризуемости на зависимость энергии двумерных плазмонов от волнового вектора в узкозонных квантовых ямах CdHgTe (ширина запрещенной зоны 35 мэВ). Показано, что при энергиях >20 мэВ закон дисперсии двумерных плазмонов близок к линейному. Учет конечной ширины квантовой ямы уменьшает фазовую скорость плазмона. Этот эффект увеличивается с ростом доли кадмия в слое квантовой ямы при сохранении ширины запрещенной зоны и с уменьшением концентрации носителей заряда в ней. Ключевые слова: двумерные плазмоны, квантовые ямы HgTe.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
5

Румянцев, В. В., А. М. Кадыков, М. А. Фадеев, А. А. Дубинов, В. В. Уточкин, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, С. В. Морозов, and В. И. Гавриленко. "Исследования волноводных структур с квантовыми ямами на основе HgCdTe для получения длинноволнового стимулированного излучения." Физика и техника полупроводников 51, no. 12 (2017): 1616. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2017.12.45174.37.

Full text
Abstract:
Исследуются фотолюминесценция и стимулированное излучение на межзонных переходах в квантовых ямах на основе HgCdTe, помещенных в диэлектрический волновод из широкозонного твердого раствора CdHgTe. Гетероструктуры с квантовыми ямами на основе HgCdTe представляют интерес для создания длинноволновых лазеров на диапазон 25-60 мкм, к настоящему времени недоступный для квантово-каскадных лазеров. В работе обсуждаются оптимальные дизайны квантовых ям для достижения длинноволнового стимулированного излучения при оптической накачке. Показано, что узкие квантовые ямы из чистого HgTe оказываются перспективнее для длинноволновых лазеров по сравнению с широкими (потенциальными) ямами из твердого раствора за счет подавления оже-рекомбинации. Продемонстрировано, что технология молекулярно-лучевой эпитаксии позволяет получать структуры для локализации излучения с длиной волны вплоть до 25 мкм при высокой скорости роста. Получено стимулированное излучение на длинах волн 14-6 мкм с пороговой интенсивностью накачки в диапазоне 100-500 Вт/см2 при 20 K. DOI: 10.21883/FTP.2017.12.45174.37
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
6

Кочман, И. В., М. П. Михайлова, А. И. Вейнгер, and Р. В. Парфеньев. "Магнитофононные осцилляции магнитосопротивления в квантовой яме InAs/GaSb с инвертированным зонным спектром." Физика и техника полупроводников 55, no. 4 (2021): 313. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2021.04.50731.9569.

Full text
Abstract:
Впервые из спектров микроволнового поглощения в магнитном поле в структуре с квантовой ямой InAs/GaSb с инвертированным зонным спектром выявлены осцилляции магнитосопротивления, обусловленные резонансным рассеянием двумерных электронов на акустических фононах. Индуцированные взаимодействием с акустическими фононами магнитофононные осцилляции магнитосопротивления проявляются в широком интервале температур 2.7-270 K и достигают максимума по амплитуде при 120 K. Рассматриваются электронные переходы между уровнями Ландау с энергией акустических фононов, равной энергии двумерных электронов в InAs с импульсом 2kF. Спектры магнитосопротивления получены на установке электронного парамагнитного резонанса на образцах квантовых ям InAs/GaSb с полуизолирующей подложкой без контактов. Ключевые слова: квантовая яма InAs/GaSb, инвертированный зонный спектр, магнитофононные осцилляции магнитосопротивления, акустические фононы.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
7

Кочман, И. В., М. П. Михайлова, А. И. Вейнгер, and Р. В. Парфеньев. "Магнитофононные осцилляции магнитосопротивления в квантовой яме InAs/GaSb с инвертированным зонным спектром." Физика и техника полупроводников 55, no. 4 (2021): 313. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2021.04.50731.9569.

Full text
Abstract:
Впервые из спектров микроволнового поглощения в магнитном поле в структуре с квантовой ямой InAs/GaSb с инвертированным зонным спектром выявлены осцилляции магнитосопротивления, обусловленные резонансным рассеянием двумерных электронов на акустических фононах. Индуцированные взаимодействием с акустическими фононами магнитофононные осцилляции магнитосопротивления проявляются в широком интервале температур 2.7-270 K и достигают максимума по амплитуде при 120 K. Рассматриваются электронные переходы между уровнями Ландау с энергией акустических фононов, равной энергии двумерных электронов в InAs с импульсом 2kF. Спектры магнитосопротивления получены на установке электронного парамагнитного резонанса на образцах квантовых ям InAs/GaSb с полуизолирующей подложкой без контактов. Ключевые слова: квантовая яма InAs/GaSb, инвертированный зонный спектр, магнитофононные осцилляции магнитосопротивления, акустические фононы.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
8

Денисов, К. С., И. В. Рожанский, Н. С. Аверкиев, and E. Lahderanta. "Спин-зависимое туннелирование в гетероструктурах с магнитным слоем-=SUP=- 1-=/SUP=-." Физика и техника полупроводников 50, no. 12 (2016): 1725. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2016.12.44035.8291.

Full text
Abstract:
Предложен механизм создания спиновой поляризации в полупроводниковых гетероструктурах, содержащих квантовую яму и пространственно отделенный от нее слой магнитных примесей. Спиновая поляризация носителей заряда в квантовой яме появляется вследствие спин-зависимой туннельной рекомбинации на примесных состояниях в магнитном слое, при этом возникает быстрый линейный рост степени циркулярной поляризации фотолюминесценции из квантовой ямы. Теоретически рассмотрены две ситуации. В первом случае имеет место резонансное туннелирование на спин-расщепленные подуровни примесного центра, при этом генерация спиновой поляризации происходит в меру разной заселенности резонансных уровней в квантовой яме для противоположных проекций спина. Второй, нерезонансный случай, имеет место, когда спин-расщепленный примесный уровень лежит выше заполненных состояний электронов в квантовой яме и играет роль промежуточного состояния в двухэтапном когерентном процессе спин-зависимой рекомбинации электрона из квантовой ямы с дыркой в примесном слое. Разработанная теория позволила качественно и количественно объяснить кинетику фотовозбужденных электронов в экспериментах по фотолюминесценции с временным разрешением в гетероструктурах на основе InGaAs, легированных слоем Mn. DOI: 10.21883/FTP.2017.01.8291
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
9

Денисов, К. С., И. В. Рожанский, Н. С. Аверкиев, and E. Lahderanta. "Спин-зависимое туннелирование в гетероструктурах с магнитным слоем." Физика и техника полупроводников 51, no. 1 (2017): 45. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2017.01.43994.8291.

Full text
Abstract:
Предложен механизм создания спиновой поляризации в полупроводниковых гетероструктурах, содержащих квантовую яму и пространственно отделенный от нее слой магнитных примесей. Спиновая поляризация носителей заряда в квантовой яме появляется вследствие спин-зависимой туннельной рекомбинации на примесных состояниях в магнитном слое, при этом возникает быстрый линейный рост степени циркулярной поляризации фотолюминесценции из квантовой ямы. Теоретически рассмотрены две ситуации. В первом случае имеет место резонансное туннелирование на спин-расщепленные подуровни примесного центра, при этом генерация спиновой поляризации происходит в меру разной заселенности резонансных уровней в квантовой яме для противоположных проекций спина. Второй, нерезонансный случай, имеет место, когда спин-расщепленный примесный уровень лежит выше заполненных состояний электронов в квантовой яме и играет роль промежуточного состояния в двухэтапном когерентном процессе спин-зависимой рекомбинации электрона из квантовой ямы с дыркой в примесном слое. Разработанная теория позволила качественно и количественно объяснить кинетику фотовозбужденных электронов в экспериментах по фотолюминесценции с временным разрешением в гетероструктурах на основе InGaAs, легированных слоем Mn. DOI: 10.21883/FTP.2017.01.8291
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
10

Уточкин, В. В., В. Я. Алёшкин, А. А. Дубинов, В. И. Гавриленко, Н. С. Куликов, М. А. Фадеев, В. В. Румянцев, et al. "Непрерывное стимулированное излучение в области 10-14 мкм при оптической накачке в структурах с квантовыми ямами HgCdTe/CdHgTe с квазирелятивистским законом дисперсии." Физика и техника полупроводников 54, no. 10 (2020): 1169. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2020.10.49963.45.

Full text
Abstract:
В двух волноводных гетероструктурах с массивами квантовых ям Hg0.892Cd0.108Te/Cd0.63Hg0.37Te толщиной 6.1 нм и Hg0.895Cd0.105Te/Cd0.66Hg0.34Te толщиной 7.4 нм при 8 K впервые получено стимулированное излучение на длинах волн 10.3 и 14 мкм при непрерывном оптическом возбуждении. Показано, что благодаря наличию Cd в квантовых ямах уменьшается влияние флуктуаций толщины квантовых ям на энергию межзонных переходов в ней, что в итоге может являться причиной существенного уменьшения пороговой интенсивности для генерации стимулированного излучения. Ключевые слова: HgCdTe, квантовые ямы, стимулированное излучение, непрерывная генерация.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
More sources

Dissertations / Theses on the topic "Квантова яма"

1

Євтушенко, Ігор Олександрович. "Датчик інфрачервоного випромінювання." Master's thesis, КПІ ім. Ігоря Сікорського, 2019. https://ela.kpi.ua/handle/123456789/30579.

Full text
Abstract:
В магістерській дисертації проведено огляд науково-технічної літератури по призначенню та конструкції датчиків інфрачервоного випромінювання. Показано перспективами використання нітриду галію в електронній техніці для виробництва побутових та промислових датчиків інфрачервоного випромінювання. Проведено аналіз впливу конструктивних особливостей на перспективу розвитку датчиків ІЧ випромінювання. Розглянуті перспективні технології для створення ефективних датчиків. Розроблене експериментальне устаткування для дослідження росту епітаксіальних плівок GаN і AlxGa1-xN та виміру параметрів плівок. Запропонована методика розрахунку параметрів епітаксіальних плівок.
In the master's thesis the review of scientific and technical literature on the purpose and design of infrared radiation sensors was carried out. Prospects for the use of gallium nitride in electronic technology for the production of household and industrial infrared radiation sensors are shown. The influence of design features on the perspective of the development of IR radiation sensors is analyzed. Advanced technologies for creating effective sensors are considered. Experimental equipment for the growth of epitaxial GaN and AlxGa1-xN films and measurement of film parameters has been developed. The method of calculation of parameters of epitaxial films is offered.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
2

Сологуб, О. Ю. "Многокомпонентные полупроводниковые структуры в конструкциях солнечных элементов." Thesis, ХНУРЕ, 2010. http://openarchive.nure.ua/handle/document/9046.

Full text
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
3

Світлична, Катерина Миколаївна. "S-гетерилмодифіковані похідні ендогенних тіолів: синтез та ідентифікація." Магістерська робота, 2020. https://dspace.znu.edu.ua/jspui/handle/12345/4202.

Full text
Abstract:
Світличка К. М. S-гетерилмодифіковані похідні ендогенних тіолів: синтез та ідентифікація : кваліфікаційна робота магістра спеціальності 102 "Хімія" / наук. керівник М. М. Корнет. Запоріжжя : ЗНУ, 2020. 70 с.
UA : В роботі 70 сторінок, 5 таблиць, 17 рисунків, було використано 71 літературне джерело, із них 40 іноземною мовою. Об’єкт дослідження – S-заміщені цистеаміну. Предметом дослідження є квантово-хімічні розрахунки, синтез, ідентифікація та дослідження фізико-хімічних властивості S-заміщених цистеаміну. Метою даної роботи є синтез потенційних біорегуляторів – S-заміщених цистеаміну, дослідження їх фізико-хімічних властивостей та ідентифікація даних структур (тонкошарова хроматографія, функціональний аналіз, 1H ЯМР). Методи досліджень та апаратура – теоретичний, розрахунковий, експериментальний, терези, піщана баня, хімічний посуд, прилад для визначення температури плавлення, хроматографічна камера, програмне забезпечення ACDLabs 6.0, ChemOffice 15.0, спектрометр Varian Mercury VX-200 (200 МГц). Новизна роботи полягає в удосконалені методів синтезу отриманих сполук, визначенні основних фізичних констант, таких як температура плавлення, оцінка чистоти синтезованих сполук за допомогою тонкошарової хроматографії та проведені функціонального аналізу. Синтезовані сполуки є перспективними антиоксидантами з протекторними властивостями, також вони є оригінальними building-blocks для подальшої розробки БАР.
EN : 70 pages, 5 tables, 17 figures, 71 references, including 40 foreign language were used in this work. The object of study – S-substituted cysteamine. The subject of the study is quantum-chemical calculations, synthesis, identification and study of the physico-chemical properties of S-substituted cysteamine. The purpose of this work is to synthesize potential bioregulators – S-substituted cysteamine, to investigate their physico-chemical properties and to identify these structures (thin-layer chromatography, functional analysis, 1H NMR). Research methods and equipment – theoretical, estimated, experimental, scales, sand bath, chemical dishes, melting point, chromatographic chamber, ACDLabs 6.0 software, ChemOffice 15.0, Varian Mercury spectrometer VX-200 (200 MHz). The novelty of the work consists in improved methods of synthesis of the obtained compounds, determination of basic physical constants such as melting temperature, evaluation of purity of synthesized compounds by thin-layer chromatography, and functional analysis. The synthesized compounds are promising antioxidants with tread properties, as well as the original building blocks for further development of BAR.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

Conference papers on the topic "Квантова яма"

1

Обухов, А. Е. "Ядерно-магнитная резонансная и оптическая спектроскопия в рядах многоатомных соединений в основном и структура электронных возбуждённых синглетных, триплетных, дублетных и квартетных состояний, формирующих наведённый лазерной накачкой парамагнетизм при горении в самосогласованном поле плазмы." In Механика композиционных материалов и конструкций, сложных и гетерогенных сред. 11-я Всероссийская научная конференция с международным участием им. И.Ф. Образцова и Ю.Г. Яновского. ФГБУН Институт прикладной механики РАН, 2021. http://dx.doi.org/10.33113/conf.mkmk.ras.2021.253_264.32.

Full text
Abstract:
С применением методов - оптики, лазерной спектроскопии и электронно-ядерного магнетизма (ЯМР и ЭПР) в рядах N-,O-,S-гетероароматических моно-, би-, три-, пентациклических соединений, синтезированных на основе: бензола, фурана, тиофена, оксазола, оксадиазола, оксазолина и пиридина изучено пространственное и электронное строение в основном состоянии, а также по рассчитанным квантово-химическими методами ЛКАО-МО ССП-КВ ЧПДП/C и ППП/С полным спектрам электронных возбуждённых синглетных, триплетных, дублетных, квартетных - как нижних, так средних и высоких состояний, влияющих на энергетические и фотофизические свойства многоатомных соединений углеводородов: дисперсию, коэффициент преломления и магнитную восприимчивость, колебательную теплоёмкость, вязкость, плотность, поскольку инициируются механизмы - многоступенчатой ионизации, диссоциации, фрагментации, ион-катион-радикальной рекомбинации и реакции окисления и диспропорционирования, при детонационном горении в самосогласованном неразрывном поле плазмы.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
2

Baymatov, Poziljon, Abdurasul Gulyamov, and Bakhrom Abdulazizov. "МАГНИТНЫЕ УРОВНИ ЭЛЕКТРОНА В КВАНТОВОЙ ЯМЕ ГЕТЕРОСТРУКТУР С УЧЕТОМ НЕПАРАБОЛИЧНОСТИ ЗОНЫ ПРОВОДИМОСТИ. ТРЕХЗОННАЯ МОДЕЛЬ." In Современные тенденции развития физики полупроводников: достижения, проблемы и перспективы. Research Support Center LLC, 2020. http://dx.doi.org/10.47100/conference_physics/s2_45.

Full text
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

Reports on the topic "Квантова яма"

1

Турінов, А. М., and О. М. Галдіна. Використання комп’ютерного моделювання при розв’язанні квантовомеханічних задач. Сумський державний педагогічний університет імені А.С. Макаренка, 2017. http://dx.doi.org/10.31812/0564/2320.

Full text
Abstract:
Статтю присвячено одному з актуальних питань сучасної педагогіки – застосуванню методу комп’ютерного моделювання в навчальному процесі, зокрема при розв’язанні розрахункових задач загальної та теоретичної фізики в середовищі Mathematica. Сучасна фізична картина світу є квантово-польовою і потребує специфічного понятійного й математичного апарату. Практично кожне поняття подається за допомогою деякої математичної конструкції з розділів математичного й функціонального аналізу, для якісного розуміння якої необхідно самостійне розв’язання студентом на практиці конкретної фізичної задачі. Проектування інформаційних моделей фізичних процесів дозволяє осмислити задачу як об’єкт або явище фізичної реальності, проаналізувати її з використанням різних математичних методів, розробити алгоритм і програму розв’язку на комп’ютері. Як приклад, у статті розглядається типова квантовомеханічна задача про електрон у потенційній ямі. Для перших трьох стаціонарних станів за допомогою математичного пакету Wolfram Mathematica знайдено енергії та хвильові функції, побудовано відповідні графіки. Проведено детальний аналіз отриманих результатів.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
You might also be interested in the extended bibliographies on the topic 'Квантова яма' for particular source types:
Journal articles
We offer discounts on all premium plans for authors whose works are included in thematic literature selections. Contact us to get a unique promo code!

To the bibliography