Journal articles on the topic 'Гетероструктурні транзистори'
Create a spot-on reference in APA, MLA, Chicago, Harvard, and other styles
Consult the top 38 journal articles for your research on the topic 'Гетероструктурні транзистори.'
Next to every source in the list of references, there is an 'Add to bibliography' button. Press on it, and we will generate automatically the bibliographic reference to the chosen work in the citation style you need: APA, MLA, Harvard, Chicago, Vancouver, etc.
You can also download the full text of the academic publication as pdf and read online its abstract whenever available in the metadata.
Browse journal articles on a wide variety of disciplines and organise your bibliography correctly.
Ерофеев, Е. В., И. В. Федин, В. В. Федина, М. В. Степаненко, and А. В. Юрьева. "Мощные GaN-транзисторы с подзатворной областью на основе МДП-структур." Физика и техника полупроводников 51, no. 9 (2017): 1278. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2017.09.44895.8569.
Full textЖуравлев, К. С., Т. В. Малин, В. Г. Мансуров, О. Е. Терещенко, К. К. Абгарян, Д. Л. Ревизников, В. Е. Земляков, et al. "AlN/GaN-гетероструктуры для нормально закрытых транзисторов." Физика и техника полупроводников 51, no. 3 (2017): 395. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2017.03.44215.8287.
Full textЕрофеев, Е. В., И. В. Федин, И. В. Кутков, and Ю. Н. Юрьев. "Увеличение порогового напряжения отпирания силовых GaN-транзисторов при использовании низкотемпературной обработки в потоке атомарного водорода." Физика и техника полупроводников 51, no. 2 (2017): 253. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2017.02.44114.8298.
Full textЕгоркин, В. И., А. А. Зайцев, В. Е. Земляков, В. В. Капаев, and О. Б. Кухтяева. "GAN/ALGAN ГЕТЕРОСТРУКТУРНЫЙ ТРАНЗИСТОР НОРМАЛЬНОЗАКРЫТОГО ТИПА С P-ЗАТВОРОМ ДЛЯ ВЫСОКОВОЛЬТНЫХ ПРИБОРОВ." NANOINDUSTRY Russia 96, no. 3s (June 15, 2020): 133–36. http://dx.doi.org/10.22184/1993-8578.2020.13.3s.133.136.
Full textЕзубченко, И. С., М. Я. Черных, А. А. Андреев, Ю. В. Грищенко, И. А. Черных, and М. Л. Занавескин. "Гетероструктуры на основе нитрида галлия на подложках кремния для мощных СВЧ-транзисторов." Российские нанотехнологии 14, no. 7-8 (January 18, 2020): 77–80. http://dx.doi.org/10.21517/1992-7223-2019-7-8-77-80.
Full textФедотов, С. Д., В. В. Лундин, Е. Е. Заварин, А. В. Сахаров, А. Ф. Цацульников, Е. М. Соколов, В. Н. Стаценко, et al. "ИСПОЛЬЗОВАНИЕ СВЕРХВЫСОКООМНЫХ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР КРЕМНИЯ ДИАМЕТРОМ ДО 150 ММ ДЛЯ РОСТА GA(AL)N-СОЕДИНЕНИЙ МЕТОДОМ МОГФЭ." Nanoindustry Russia 14, no. 7s (October 3, 2021): 197–200. http://dx.doi.org/10.22184/1993-8578.2021.14.7s.197.200.
Full textСуханов, М. А., А. К. Бакаров, and К. С. Журавлёв. "AlSb/InAs-гетероструктуры для СВЧ-транзисторов." Письма в журнал технической физики 47, no. 3 (2021): 37. http://dx.doi.org/10.21883/pjtf.2021.03.50574.18588.
Full textМоскалюк, Владимир, Владимир Тимофеев, and Константин Куликов. "ЭЛЕКТРОННЫЙ ТРАНСПОРТ В ГЕТЕРОТРАНЗИСТОРАХ КВАНТОВОЙ ЯМОЙ." SWorldJournal, no. 06-06 (December 30, 2018): 16–25. http://dx.doi.org/10.30888/2663-5712.2020-06-06-137.
Full textМоскалюк, Владимир, Владимир Тимофеев, and Константин Куликов. "ЭЛЕКТРОННЫЙ ТРАНСПОРТ В ГЕТЕРОТРАНЗИСТОРАХ КВАНТОВОЙ ЯМОЙ." SWorldJournal, no. 06-06 (December 30, 2018): 16–25. http://dx.doi.org/10.30888/2410-6615.2020-06-06-137.
Full textМиннебаев, С. М., А. В. Черных, В. М. Миннебаев, and А. В. Редька. "МЕТОДЫ ПРОВЕДЕНИЯ ТЕХНОЛОГИЧЕСКОЙ ОПЕРАЦИИ СОВМЕЩЕНИЯ СЛОЕВ ПРИ ИЗГОТОВЛЕНИИ СВЧ-ТРАНЗИСТОРОВ НА ОСНОВЕ ГЕТЕРОСТРУКТУР ALGAN/GAN ПРИ КОНТАКТНОЙ ФОТОЛИТОГРАФИИ." NANOINDUSTRY Russia 13, no. 4s (August 11, 2020): 462–64. http://dx.doi.org/10.22184/1993-8578.2020.13.4s.462.464.
Full textЕрофеев, Е. В., И. В. Федин, and Ю. Н. Юрьев. "Силовые коммутационные транзисторы на основе эпитаксиальных гетероструктур нитрида галлия, "Микроэлектроника"." Микроэлектроника, no. 3 (2017): 224–30. http://dx.doi.org/10.7868/s0544126917020028.
Full textНикитина, Е. В., А. А. Лазаренко, Е. В. Пирогов, М. С. Соболев, and Т. Н. Березовская. "Влияние конструкции метаморфного буферного слоя на сохраняемость параметров метаморфного транзистора InGaAs/GaAs с высокой подвижностью электронов." Письма в журнал технической физики 43, no. 18 (2017): 97. http://dx.doi.org/10.21883/pjtf.2017.18.45039.16643.
Full textХраповицкая, Ю. В., and И. С. Езубченко. "Нормально закрытые транзисторы на основе нитрид-галлиевых гетероструктур на подложках кремния." Вестник Военного инновационного технополиса «ЭРА» 2, no. 4 (December 24, 2021): 53–56. http://dx.doi.org/10.1134/s2782375x21040079.
Full textПашковский, А. Б., И. В. Куликова, В. Г. Лапин, В. М. Лукашин, Н. К. Приступчик, Л. В. Манченко, В. Г. Калина, М. И. Лопин, and А. Д. Закурдаев. "Поверхностный тепловой интерфейс для мощных арсенид-галлиевых гетероструктурных полевых транзисторов." Журнал технической физики 89, no. 2 (2019): 252. http://dx.doi.org/10.21883/jtf.2019.02.47079.2493.
Full textЦацульников, А. Ф., В. В. Лундин, Е. Е. Заварин, А. В. Сахаров, and А. Е. Николаев. "III-N-ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ ДЛЯ СВЧ- И СИЛОВОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ, ВЫРАЩЕННЫЕ НА ОТЕЧЕСТВЕННОЙ УСТАНОВКЕ МОС-ГИДРИДНОЙ ЭПИТАКСИИ DRAGON-125." Nanoindustry Russia 14, no. 7s (September 4, 2021): 195–96. http://dx.doi.org/10.22184/1993-8578.2021.14.7s.195.196.
Full textMinnebaev, S. V., A. L. Filatov, and V. V. Krasnov. "LOW-NOISE AlGaN/GaN COMPOSITE-CHANNEL HEMT." Electronic engineering. Series 2. Semiconductor device 247, no. 4 (2017): 21–27. http://dx.doi.org/10.36845/2073-8250-2017-247-4-21-27.
Full textЧерных, М. Я., И. С. Езубченко, И. О. Майборода, И. А. Черных, Е. М. Колобкова, П. А. Перминов, В. С. Седов, et al. "НИТРИДНЫЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ И ТРАНЗИСТОРЫ С ВЫСОКОЙ ПОДВИЖНОСТЬЮ ЭЛЕКТРОНОВ НА СОСТАВНЫХ ПОДЛОЖКАХ КРЕМНИЙ–ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ АЛМАЗ." Российские нанотехнологии 15, no. 6 (2020): 820–23. http://dx.doi.org/10.1134/s1992722320060072.
Full textБогданов, С. А., А. К. Бакаров, К. С. Журавлев, В. Г. Лапин, В. М. Лукашин, А. Б. Пашковский, И. А. Рогачёв, Е. В. Терёшкин, and С. В. Щербаков. "Полевой транзистор миллиметрового диапазона длин волн на основе псевдоморфной гетероструктуры с дополнительными потенциальными барьерами." Письма в журнал технической физики 47, no. 7 (2021): 52. http://dx.doi.org/10.21883/pjtf.2021.07.50802.18640.
Full textEgorkin, V. I., V. A. Bespalov, A. A. Zaitsev, V. E. Zemlyakov, V. V. Kapaev, and O. B. Kukhtyaeva. "Normally-off p-Gate Transistor Based on AlGaN/GaN Heterostructure." Proceedings of Universities. Electronics 25, no. 5 (October 2020): 391–401. http://dx.doi.org/10.24151/1561-5405-2020-25-5-391-401.
Full textЕлесин, В. В. "Расчетно-экспериментальное моделирование эффектов мощности дозы в СВЧ МИС на основе гетероструктурных полевых транзисторов." Микроэлектроника 43, no. 2 (2014): 133–41. http://dx.doi.org/10.7868/s0544126914020057.
Full textПавлов, А. Ю., В. Ю. Павлов, Д. Н. Слаповский, С. С. Арутюнян, Ю. В. Федоров, and П. П. Мальцев. "НЕСПЛАВНЫЕ ОМИЧЕСКИЕ КОНТАКТЫ ДЛЯ ТРАНЗИСТОРОВ С ВЫСОКОЙ ПОДВИЖНОСТЬЮ ЭЛЕКТРОНОВ НА ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ ALGAN/GAN, "Микроэлектроника"." Микроэлектроника, no. 5 (2017): 340–47. http://dx.doi.org/10.7868/s0544126917050039.
Full textKorolev, A. M. "PHEMTS AS CIRCUIT ELEMENTS FOR LOW-POWER-CONSUMPTION RECEIVERS/AMPLIFIERS OPERATING IN A WIDE TEMPERATURE RANGE ENVIRONMENT." Radio physics and radio astronomy 19, no. 2 (June 3, 2014): 181–85. http://dx.doi.org/10.15407/rpra19.02.181.
Full textАлексеев, А. Н., В. В. Мамаев, and С. И. Петров. "Исследование влияния сурфактанта Ga при высокотемпературной аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии слоев AlN на свойства нитридных гетероструктур." Физика и техника полупроводников 51, no. 11 (2017): 1507. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2017.11.45100.14.
Full textАндреев, А. А., Ю. В. Грищенко, И. C. Езубченко, М. Я. Черных, Е. М. Колобкова, И. О. Майборода, И. А. Черных, and М. Л. Занавескин. "Изучение характеристик транзисторов на гетероструктурах нитрида галлия, выращенных методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках сапфира и кремния." Письма в журнал технической физики 45, no. 4 (2019): 52. http://dx.doi.org/10.21883/pjtf.2019.04.47340.17567.
Full textАлексеев, А. Н., and С. И. Петров. "КОМПЛЕКС БАЗОВЫХ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ МОЩНЫХ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ И МИС СВЧ-ДИАПАЗОНА НА ОСНОВЕ GAN И GAAS С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ОТЕЧЕСТВЕННОГО ОБОРУДОВАНИЯ." NANOINDUSTRY Russia 96, no. 3s (June 15, 2020): 343–46. http://dx.doi.org/10.22184/1993-8578.2020.13.3s.343.346.
Full textАлексеев, А. Н., and С. И. Петров. "РЕЗУЛЬТАТЫ ПРИМЕНЕНИЯ ОТЕЧЕСТВЕННОГО ОБОРУДОВАНИЯ ДЛЯ РЕАЛИЗАЦИИ КЛЮЧЕВЫХ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ОПЕРАЦИЙ ПРИ ИЗГОТОВЛЕНИИ СВЧ ЭКБ НА ОСНОВЕ GAN И GAAS." NANOINDUSTRY Russia 96, no. 3s (June 15, 2020): 494–97. http://dx.doi.org/10.22184/1993-8578.2020.13.3s.494.497.
Full textМамаев, Viktor Mamaev, Новиков, Sergey Novikov, Петров, Stanislav Petrov, Зайцев, Sergey Zaycev, Прохоренков, and Dmitriy Prohorenkov. "THE INFLUENCE OF CONDITIONS OF FORMATION OF HETEROSTRUCTURES BASED ON NITRIDES OF III GROUP, ON THE STRUCTURAL PERFECTION OF THE INSTRUMENT STRUCTURES FOR MICROWAVE TRANSISTORS, AND OPTOELECTRONIC DEVICES IN THE ULTRAVIOLET RANGE." Bulletin of Belgorod State Technological University named after. V. G. Shukhov 2, no. 6 (May 24, 2017): 102–9. http://dx.doi.org/10.12737/article_5926a059824a22.24626416.
Full textЕгоров, Н. Н., С. А. Голубков, С. Д. Федотов, В. Н. Стаценко, А. А. Романов, and В. А. Метлов. "ВЛИЯНИЕ ТВЕРДОФАЗНОЙ РЕКРИСТАЛЛИЗАЦИИ С ДВОЙНОЙ ИМПЛАНТАЦИЕЙ НА ПЛОТНОСТЬ СТРУКТУРНЫХ ДЕФЕКТОВ В УЛЬТРАТОНКИХ СЛОЯХ КРЕМНИЯ НА САПФИРЕ." NANOINDUSTRY Russia 96, no. 3s (June 15, 2020): 154–59. http://dx.doi.org/10.22184/1993-8578.2020.13.3s.154.159.
Full text"Высокоомный GaN буфер для AlGaN/GaN-HEMT / Малин Т.В., Милахин Д.С., Александров И.А., Земляков В.Е., Егоркин В.И., Зайцев А.А., Протасов Д.Ю., Кожухов А.С., Бер Б.Я., Казанцев Д.Ю., Мансуров В.Г., К.С. Журавлёв." Тезисы докладов XIV РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ ПО ФИЗИКЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ «ПОЛУПРОВОДНИКИ-2019», August 20, 2019, 429. http://dx.doi.org/10.34077/semicond2019-429.
Full text"Микроволновой фотоотклик в емкости полевых транзисторов на основе гетероструктур GaAs/AlGaAs / Капустин А.А., Дорожкин С.И., Umansky V., Smet J.H." Тезисы докладов XIV РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ ПО ФИЗИКЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ «ПОЛУПРОВОДНИКИ-2019», August 20, 2019, 360. http://dx.doi.org/10.34077/semicond2019-360.
Full text"Исследование AlGaN/AlN/GaN HEMT с дорощенными омическими контактами / Павлов В.Ю., Павлов А.Ю., Слаповский Д.Н., Майтама М.В." Тезисы докладов XIV РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ ПО ФИЗИКЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ «ПОЛУПРОВОДНИКИ-2019», August 20, 2019, 454. http://dx.doi.org/10.34077/semicond2019-454.
Full text"Двойной полупроводниковый лазер, интегрированный с электронным ключом / Багаев Т.А., Ладугин М.А., Падалица А.А., Мармалюк А.А., Курнявко Ю.В., Лобинцов А.В., Данилов А.И., Сапожников С.М., Кричевский В.В., Коняев В.П., Симаков В.А., Слипченко С.О., Подоскин А.А., Пихтин Н.А." Тезисы докладов XIV РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ ПО ФИЗИКЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ «ПОЛУПРОВОДНИКИ-2019», August 20, 2019, 436. http://dx.doi.org/10.34077/semicond2019-436.
Full textКолосовский, Д. А., Д. В. Дмитриев, and С. А. Пономарев. "Формирования InAs островков на поверхности InP(001) при высокотемпературном отжиге в потоке мышьяка." ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ, September 27, 2021, 98. http://dx.doi.org/10.34077/rcsp2021-98.
Full text"Терагерцовое излучение неравновесных 2D плазмонов из наногетероструктуры AlGaN/GaN / Молдавская М.Д., Шалыгин В.А., Винниченко М.Я., Паневин В.Ю., Маремьянин К.В., Воробьев Л.Е., Фирсов Д.А., Korotyeyev V.V., Suihkonen S., Kauppinen C., Сахаров А.В., Заварин Е.Е., Артеев Д.С., Лундин В.В." Тезисы докладов XIV РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ ПО ФИЗИКЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ «ПОЛУПРОВОДНИКИ-2019», August 20, 2019, 207. http://dx.doi.org/10.34077/semicond2019-207.
Full text"Динамика спонтанного электрического поля в индуцированном микроволновым излучением “zero-resistance state” / Дорожкин С.И., Капустин А.А., Дмитриев И.А., Umansky V., Smet J.H." Тезисы докладов XIV РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ ПО ФИЗИКЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ «ПОЛУПРОВОДНИКИ-2019», August 20, 2019, 355. http://dx.doi.org/10.34077/semicond2019-355.
Full text"Квантовый магнетотранспорт HEMT/InP гетероструктур с наноразмерной вставкой InAs в КЯ InGaAs/InAlAs / Виниченко А.Н., Васильевский И.С., Сафонов Д.А., Павленко И.А., Каргин Н.И." Тезисы докладов XIV РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ ПО ФИЗИКЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ «ПОЛУПРОВОДНИКИ-2019», August 20, 2019, 157. http://dx.doi.org/10.34077/semicond2019-157.
Full text"Влияние параметров структур Al2O3/AlxGa1-xN/GaN на эффективность теплопереноса / Чернодубов Д.А., Инюшкин А.В." Тезисы докладов XIV РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ ПО ФИЗИКЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ «ПОЛУПРОВОДНИКИ-2019», August 20, 2019, 188. http://dx.doi.org/10.34077/semicond2019-188.
Full text"Формирование светоизлучающих и фотодетектирующих в ИК-области тонкослойных структур Ge:Sb/Ge методами ионной имплантации, вакуумного осаждения и импульсного отжига." Тезисы докладов Российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники «ФОТОНИКА-2019», May 24, 2019, 163. http://dx.doi.org/10.34077/rcsp2019-163.
Full text