Academic literature on the topic 'Вимірювання діелектричної проникності'

Проведено дослідження низькочастотної діелектричної проникності високоомних кристалів GaSe на частотах до 100 кГц з використанням блокуючих для носіїв електричного заряду (ізолюючих) контактів. Вимірювання проводили при прикладанні до зразка невеликого одновісного тиску в межах до 2,4 · 105 Па вздовж осі c, нормальної до площини шарів кристала. Встановлено, що діелектричний спектр високоомних кристалів GaSe з блокуючими електродами підлягаєуніверсальному степеневому закону ~ωn–1, де ω – кутова частота, n ≈ 0,8, який раніше спостерігали на високоомних зразках з контактами з наплавленого індію. Однакова форма діелектричного спектра на кристалах з різними типами контактів (омічними та блокуючими) підтверджує об'ємний характер спостережуваного явища поляризації, яке пов'язується з стрибкоподібним переміщенням квазілокалізованих носіїв електричного заряду. Встановлено, що діелектрична проникність лінійно зростає з величиною прикладеного одновісного тиску з коефіцієнтом Δϵ/(ϵΔp) = 8 · 10–7 Па–1. Спостерігається незначне збільшення показника степеня 1 – n при збільшенні тиску, що приводить до посилення дисперсії діелектричної проникності. Значна залежність низькочастотної діелектричної проникності від одновісного тиску в високоомних кристалах GaSe пов'язується з формуванням утворень диполів, обертання яких еквівалентні стрибкам локалізованих носіїв електричного заряду.

В статті представлені результати дослідження функціонального стану показників симпатоадреналової системи хворих на інфаркт головного мозку (ІГМ). Розроблено нові діагностично-прогностичні критерії захворювання на основі виявлених змін. Мета – удосконалення діагностичного алгоритму дослідження хворих у гострому періоді ІГМ з урахуванням особливостей змін β-адренергічної активності цитоплазматичних мембран (АРМ) еритроцитів та встановлення нових прогностичних чинників виходу захворювання. Матеріал і методи. Основою роботи були матеріали комплексного обстеження 350 хворих із першим у житті ІГМ на 1-у, 10-у та 21-у доби захворювання. Тяжкість стану і ступінь неврологічного дефіциту об’єктивізували за допомогою шкали інсульту Національного інституту здоров’я США (NIHSS) з оцінкою в балах у перші години захворювання, в динаміці лікування на 10-ту та 21-шу доби. Було виділено 2 клінічні групи: 1-а (n=183) – хворі в стані середнього ступеня тяжкості (середній бал за шкалою NIHSS 11,74±0,33); 2-а (n=167) – хворі в тяжкому стані (середній бал за шкалою NIHSS 24,06±0,29). Вимірювання комплексної діелектричної проникності (КДП) проводили методом КВЧ діелектрометрії. Зміни осмотичної резистентності еритроцитів (ОРЕ) під дією β-адреноблокатора (β-АБ) визначали методом фотоелектронної колориметрії. Результати. У дебюті ІГМ відбувається достовірне підвищення значень β-АРМ в 2,4 раза порівняно з контролем. Максимальні рівні β-АРМ (42,43±3,64 УО) відмічаються у хворих із початково тяжким ступенем захворювання, що вказує на значне напруження роботи симпатоадреналової системи у даних хворих. У ході проведеного дослідження було вперше розроблено інформативний комплексний підхід для оцінки β-АРМ еритроцитів периферійної крові у хворих на ІГМ, який заснований на аналізі змін їх діелектричних характеристик і ступеня ОРЕ під дією адренергічних лікарських засобів. Висновки. Застосування даного підходу показало, що відхилення КДП еритроцитів, що були індуковані адренергічними речовинами, є проявом специфічної реакції клітин і залежать від функціонального стану симпатоадреналової системи.

У температурній залежності діелектричної проникності нанокристалічного танталату калію виявлено широкий максимум у інтервалі 20 < T < 40 К, який не залежить від частоти вимірювань. Припускається, що даний максимум свідчить про наявність сегнетоелектричного фазового переходу із температурою Кюрі Tc = 29 ± 2 К. Встановлено, що діелектрична проникність підпорядковується закону Кюрі–Вейса, і визначено сталу Кюрі–Вейса C = (2,5 ± 1) · 103 К. Причиною фазового переходу вважається наявність неідентифікованої домішки, яка локально порушує кубічну симетрію ґратки і приводить до появи полярних мікрообластей. У спектрах ЕПР виявлено два типи ліній. Обговорено можливе застосування нового матеріалу.

Представлено новий поляриметричний метод вимірювання діелектричної проникності матеріалів і рідин на основі анізотропного фотонного кристалу. Теоретично розв’язана задача розсіяння плоских електромагнітних хвиль двох ортогональних поляризацій методом матриці передачі і знайдено в аналітичному вигляді коефіцієнти проходження хвиль та визначено кут нахилу площини поляризації хвилі для повного поля за кристалом. Проведено аналіз зміни кута в залежності від параметрів анізотропного кристалу і встановлено його зв'язок з діелектричною проникністю вимірюваного зразка середовища за повним проходження хвиль на різних частотах. Розраховано кути повороту площини поляризації для різних значень діелектричної проникності одного із шарів фотонного кристалу. Показана висока чутливість методу знаходження діелектричної проникності зразків на фотонному анізотропному поляриметрі.