Zeitschriftenartikel zum Thema „Wind band gap Semiconductors“
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Rome, Grace, Fry Intia, Talysa Klein, Zebulon Schicht, Adele Tamboli, Emily L. Warren und Ann L. Greenaway. „Utilizing a Transparent Conductive Encapsulant to Protect Photoelectrodes during Solar Fuel Formation“. ECS Meeting Abstracts MA2023-01, Nr. 55 (28.08.2023): 2705. http://dx.doi.org/10.1149/ma2023-01552705mtgabs.
Der volle Inhalt der QuelleWoods-Robinson, Rachel, Yanbing Han, Hanyu Zhang, Tursun Ablekim, Imran Khan, Kristin A. Persson und Andriy Zakutayev. „Wide Band Gap Chalcogenide Semiconductors“. Chemical Reviews 120, Nr. 9 (06.04.2020): 4007–55. http://dx.doi.org/10.1021/acs.chemrev.9b00600.
Der volle Inhalt der QuelleMedvid, Arthur, Igor Dmitruk, Pavels Onufrijevs und Iryna Pundyk. „Properties of Nanostructure Formed on SiO2/Si Interface by Laser Radiation“. Solid State Phenomena 131-133 (Oktober 2007): 559–62. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.131-133.559.
Der volle Inhalt der QuelleLI, KEYAN, YANJU LI und DONGFENG XUE. „BAND GAP PREDICTION OF ALLOYED SEMICONDUCTORS“. Functional Materials Letters 04, Nr. 03 (September 2011): 217–19. http://dx.doi.org/10.1142/s179360471100210x.
Der volle Inhalt der QuelleNag, B. R. „Direct band-gap energy of semiconductors“. Infrared Physics & Technology 36, Nr. 5 (August 1995): 831–35. http://dx.doi.org/10.1016/1350-4495(95)00023-r.
Der volle Inhalt der QuelleKeßler, P., K. Lorenz und R. Vianden. „Implanted Impurities in Wide Band Gap Semiconductors“. Defect and Diffusion Forum 311 (März 2011): 167–79. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ddf.311.167.
Der volle Inhalt der QuelleJin, Haiwei, Li Qin, Lan Zhang, Xinlin Zeng und Rui Yang. „Review of wide band-gap semiconductors technology“. MATEC Web of Conferences 40 (2016): 01006. http://dx.doi.org/10.1051/matecconf/20164001006.
Der volle Inhalt der QuelleWoods-Robinson, Rachel, Yanbing Han, Hanyu Zhang, Tursun Ablekim, Imran Khan, Kristin A. Persson und Andriy Zakutayev. „Correction to Wide Band Gap Chalcogenide Semiconductors“. Chemical Reviews 120, Nr. 15 (03.08.2020): 8035. http://dx.doi.org/10.1021/acs.chemrev.0c00643.
Der volle Inhalt der QuelleCam, Hoang Ngoc, Nguyen Van Hieu und Nguyen Ai Viet. „Excitons in direct band gap cubic semiconductors“. Annals of Physics 164, Nr. 1 (Oktober 1985): 172–88. http://dx.doi.org/10.1016/0003-4916(85)90007-7.
Der volle Inhalt der QuelleSalvatori, S. „Wide-band gap semiconductors for noncontact thermometry“. Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures 19, Nr. 1 (2001): 219. http://dx.doi.org/10.1116/1.1342007.
Der volle Inhalt der QuellePearton, S. J., C. R. Abernathy, M. E. Overberg, G. T. Thaler, D. P. Norton, N. Theodoropoulou, A. F. Hebard et al. „Wide band gap ferromagnetic semiconductors and oxides“. Journal of Applied Physics 93, Nr. 1 (Januar 2003): 1–13. http://dx.doi.org/10.1063/1.1517164.
Der volle Inhalt der QuelleLI, KEYAN, YANJU LI und DONGFENG XUE. „BAND GAP ENGINEERING OF CRYSTAL MATERIALS: BAND GAP ESTIMATION OF SEMICONDUCTORS VIA ELECTRONEGATIVITY“. Functional Materials Letters 05, Nr. 02 (Juni 2012): 1260002. http://dx.doi.org/10.1142/s1793604712600028.
Der volle Inhalt der QuelleLund, Mark W. „More than One Ever Wanted to Know about X-Ray Detectors Part VI: Alternate Semiconductors for Detectors“. Microscopy Today 3, Nr. 5 (Juni 1995): 12–13. http://dx.doi.org/10.1017/s1551929500066116.
Der volle Inhalt der QuelleZhao, Yang-Yang, und Si-Yuan Sheng. „The electronic and optical properties of Cs2BX6 (B = Zr, Hf) perovskites with first-principle method“. PLOS ONE 18, Nr. 12 (22.12.2023): e0292399. http://dx.doi.org/10.1371/journal.pone.0292399.
Der volle Inhalt der QuellePramanik, Md Bappi, Md Abdullah Al Rakib, Md Abubakor Siddik und Shorab Bhuiyan. „Doping Effects and Relationship between Energy Band Gaps, Impact of Ionization Coefficient and Light Absorption Coefficient in Semiconductors“. European Journal of Engineering and Technology Research 9, Nr. 1 (18.01.2024): 10–15. http://dx.doi.org/10.24018/ejeng.2024.9.1.3118.
Der volle Inhalt der QuelleTu, Haoran, Jing Zhang, Zexuan Guo und Chunyan Xu. „Biaxial strain modulated the electronic structure of hydrogenated 2D tetragonal silicene“. RSC Advances 9, Nr. 72 (2019): 42245–51. http://dx.doi.org/10.1039/c9ra08634j.
Der volle Inhalt der QuelleKrivosheeva, A. V., und V. L. Shaposhnikov. „The structure and optical properties of semiconductor nitrides MgSiN<sub>2</sub>, MgGeN<sub>2</sub>, ZnSiN<sub>2</sub>, ZnGeN<sub>2</sub>“. Proceedings of the National Academy of Sciences of Belarus. Physics and Mathematics Series 58, Nr. 4 (01.01.2023): 424–30. http://dx.doi.org/10.29235/1561-2430-2022-58-4-424-430.
Der volle Inhalt der QuelleGusakov, Vasilii E. „A New Approach for Calculating the Band Gap of Semiconductors within the Density Functional Method“. Solid State Phenomena 242 (Oktober 2015): 434–39. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.242.434.
Der volle Inhalt der QuelleLaks, D. B., Chris G. Van de Walle, Gertrude F. Neumark und Sokrates T. Pantelides. „Native Defect Compensation in Wide-Band-Gap Semiconductors“. Materials Science Forum 83-87 (Januar 1992): 1225–34. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.83-87.1225.
Der volle Inhalt der QuelleJohn, Rita. „Band Gap Engineering in Bulk and Nano Semiconductors“. MRS Proceedings 1454 (2012): 233–38. http://dx.doi.org/10.1557/opl.2012.1445.
Der volle Inhalt der QuelleHebda, Maciej, Grażyna Stochel, Konrad Szaciłowski und Wojciech Macyk. „Optoelectronic Switches Based on Wide Band Gap Semiconductors“. Journal of Physical Chemistry B 110, Nr. 31 (August 2006): 15275–83. http://dx.doi.org/10.1021/jp061262b.
Der volle Inhalt der QuelleKhurgin, Jacob B. „Band gap engineering for laser cooling of semiconductors“. Journal of Applied Physics 100, Nr. 11 (2006): 113116. http://dx.doi.org/10.1063/1.2395599.
Der volle Inhalt der QuellePong, C., N. M. Johnson, R. A. Street, J. Walker, R. S. Feigelson und R. C. De Mattei. „Hydrogenation of wide‐band‐gap II‐VI semiconductors“. Applied Physics Letters 61, Nr. 25 (21.12.1992): 3026–28. http://dx.doi.org/10.1063/1.107998.
Der volle Inhalt der QuelleSontakke, Kirti, Nischhal Yadav und S. Ghosh. „Transient Brillouin gain in direct band gap semiconductors“. Journal of Physics: Conference Series 365 (18.05.2012): 012043. http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/365/1/012043.
Der volle Inhalt der QuelleGoldbach, Andreas, Marie-Louise Saboungi, Lennox E. Iton und David L. Price. „Approach to band gap alignment in confined semiconductors“. Journal of Chemical Physics 115, Nr. 24 (22.12.2001): 11254–60. http://dx.doi.org/10.1063/1.1416125.
Der volle Inhalt der QuelleIliadis, A. A., R. D. Vispute, T. Venkatesan und K. A. Jones. „Ohmic metallization technology for wide band-gap semiconductors“. Thin Solid Films 420-421 (Dezember 2002): 478–86. http://dx.doi.org/10.1016/s0040-6090(02)00834-9.
Der volle Inhalt der QuelleMahanti, S. D., Khang Hoang und Salameh Ahmad. „Deep defect states in narrow band-gap semiconductors“. Physica B: Condensed Matter 401-402 (Dezember 2007): 291–95. http://dx.doi.org/10.1016/j.physb.2007.08.169.
Der volle Inhalt der QuelleRam, R. S., O. M. Prakash und A. N. Pandey. „Photoacoustic determination of energy band gap of semiconductors“. Pramana 28, Nr. 3 (März 1987): 293–97. http://dx.doi.org/10.1007/bf02845606.
Der volle Inhalt der QuelleWalsh, Aron, John Buckeridge, C. Richard A. Catlow, Adam J. Jackson, Thomas W. Keal, Martina Miskufova, Paul Sherwood et al. „Limits to Doping of Wide Band Gap Semiconductors“. Chemistry of Materials 25, Nr. 15 (31.07.2013): 2924–26. http://dx.doi.org/10.1021/cm402237s.
Der volle Inhalt der QuelleSingh, M., und P. R. Wallace. „Inter-band magneto-optics in narrow-gap semiconductors“. Journal of Physics C: Solid State Physics 20, Nr. 14 (20.05.1987): 2169–81. http://dx.doi.org/10.1088/0022-3719/20/14/018.
Der volle Inhalt der QuelleJain, S. C., J. M. McGregor und D. J. Roulston. „Band‐gap narrowing in novel III‐V semiconductors“. Journal of Applied Physics 68, Nr. 7 (Oktober 1990): 3747–49. http://dx.doi.org/10.1063/1.346291.
Der volle Inhalt der QuelleJones, Tony C. „Precursors for wide band gap II–VI semiconductors“. Euro III-Vs Review 3, Nr. 3 (Juni 1990): 32–33. http://dx.doi.org/10.1016/0959-3527(90)90220-n.
Der volle Inhalt der QuelleHenriques, A. B., S. Obukhov, L. C. D. Gonçalves, B. Yavich und A. B. Henriques. „Band Gap Renormalization in Periodically Delta-Doped Semiconductors“. physica status solidi (a) 164, Nr. 1 (November 1997): 133–36. http://dx.doi.org/10.1002/1521-396x(199711)164:1<133::aid-pssa133>3.0.co;2-c.
Der volle Inhalt der QuelleDas, Atanu, und Arif Khan. „Carrier Concentrations in Degenerate Semiconductors Having Band Gap Narrowing“. Zeitschrift für Naturforschung A 63, Nr. 3-4 (01.04.2008): 193–98. http://dx.doi.org/10.1515/zna-2008-3-413.
Der volle Inhalt der QuelleXu, Chunyan, Jing Zhang, Ming Guo und Lingrui Wang. „Modulation of the electronic property of hydrogenated 2D tetragonal Ge by applying external strain“. RSC Advances 9, Nr. 40 (2019): 23142–47. http://dx.doi.org/10.1039/c9ra04655k.
Der volle Inhalt der QuelleChu, Jun‐hao, Zheng‐yu Mi und Ding‐yuan Tang. „Band‐to‐band optical absorption in narrow‐gap Hg1−xCdxTe semiconductors“. Journal of Applied Physics 71, Nr. 8 (15.04.1992): 3955–61. http://dx.doi.org/10.1063/1.350867.
Der volle Inhalt der QuelleWang, R. Z., B. Wang, H. Wang, H. Zhou, A. P. Huang, M. K. Zhu, H. Yan und X. H. Yan. „Band bending mechanism for field emission in wide-band gap semiconductors“. Applied Physics Letters 81, Nr. 15 (07.10.2002): 2782–84. http://dx.doi.org/10.1063/1.1511809.
Der volle Inhalt der QuelleApostolova, Iliana, Angel Apostolov und Julia Wesselinowa. „Band Gap Tuning in Transition Metal and Rare-Earth-Ion-Doped TiO2, CeO2, and SnO2 Nanoparticles“. Nanomaterials 13, Nr. 1 (28.12.2022): 145. http://dx.doi.org/10.3390/nano13010145.
Der volle Inhalt der QuelleKlimm, Detlef. „Electronic materials with a wide band gap: recent developments“. IUCrJ 1, Nr. 5 (29.08.2014): 281–90. http://dx.doi.org/10.1107/s2052252514017229.
Der volle Inhalt der QuelleLin, Der-Yuh, Hung-Pin Hsu, Cheng-Wen Wang, Shang-Wei Chen, Yu-Tai Shih, Sheng-Beng Hwang und Piotr Sitarek. „Temperature-Dependent Absorption of Ternary HfS2−xSex 2D Layered Semiconductors“. Materials 15, Nr. 18 (11.09.2022): 6304. http://dx.doi.org/10.3390/ma15186304.
Der volle Inhalt der QuelleLi, Guowei, Ren Su, Jiancun Rao, Jiquan Wu, Petra Rudolf, Graeme R. Blake, Robert A. de Groot, Flemming Besenbacher und Thomas T. M. Palstra. „Band gap narrowing of SnS2superstructures with improved hydrogen production“. Journal of Materials Chemistry A 4, Nr. 1 (2016): 209–16. http://dx.doi.org/10.1039/c5ta07283b.
Der volle Inhalt der QuelleMoram, M. A., und S. Zhang. „ScGaN and ScAlN: emerging nitride materials“. J. Mater. Chem. A 2, Nr. 17 (2014): 6042–50. http://dx.doi.org/10.1039/c3ta14189f.
Der volle Inhalt der QuelleHuo, Sitong, Shuqing Zhang, Qilin Wu und Xinping Zhang. „Feature-Assisted Machine Learning for Predicting Band Gaps of Binary Semiconductors“. Nanomaterials 14, Nr. 5 (28.02.2024): 445. http://dx.doi.org/10.3390/nano14050445.
Der volle Inhalt der QuelleTREW, R. J., und M. W. SHIN. „HIGH FREQUENCY, HIGH TEMPERATURE FIELD-EFFECT TRANSISTORS FABRICATED FROM WIDE BAND GAP SEMICONDUCTORS“. International Journal of High Speed Electronics and Systems 06, Nr. 01 (März 1995): 211–36. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156495000067.
Der volle Inhalt der QuelleBagraev, Nikolai T., A. D. Bouravleuv, A. A. Gippius, L. E. Klyachkin und A. M. Malyarenko. „Low Temperature Impurity Diffusion into Large-Band-Gap Semiconductors“. Defect and Diffusion Forum 194-199 (April 2001): 679–86. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ddf.194-199.679.
Der volle Inhalt der QuellePanday, Suman Raj, und Maxim Dzero. „Interacting fermions in narrow-gap semiconductors with band inversion“. Journal of Physics: Condensed Matter 33, Nr. 27 (28.05.2021): 275601. http://dx.doi.org/10.1088/1361-648x/abfc6e.
Der volle Inhalt der QuelleMitrovic, Ivona Z., Harry Finch, Leanne A. H. Jones, Vinod R. Dhanak, Adrian N. Hannah, Reza Valizadeh, Arne Benjamin B. Renz, Vishal Ajit Shah, Peter Michael Gammon und P. A. Mawby. „(Invited) Rare Earth Oxides on Wide Band Gap Semiconductors“. ECS Meeting Abstracts MA2022-01, Nr. 19 (07.07.2022): 1072. http://dx.doi.org/10.1149/ma2022-01191072mtgabs.
Der volle Inhalt der QuelleEdgar, J. H. „Prospects for device implementation of wide band gap semiconductors“. Journal of Materials Research 7, Nr. 1 (Januar 1992): 235–52. http://dx.doi.org/10.1557/jmr.1992.0235.
Der volle Inhalt der QuelleLaks, D. B., C. G. Van de Walle, G. F. Neumark und S. T. Pantelides. „Role of native defects in wide-band-gap semiconductors“. Physical Review Letters 66, Nr. 5 (04.02.1991): 648–51. http://dx.doi.org/10.1103/physrevlett.66.648.
Der volle Inhalt der QuelleKalt, H., und M. Rinker. „Band-gap renormalization in semiconductors with multiple inequivalent valleys“. Physical Review B 45, Nr. 3 (15.01.1992): 1139–54. http://dx.doi.org/10.1103/physrevb.45.1139.
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