Bücher zum Thema „Wind band gap Semiconductors“
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1953-, Prelas Mark Antonio, North Atlantic Treaty Organization. Scientific Affairs Division. und NATO Advanced Research Workshop on Wide Band Gap Electronic Materials: Diamond, Aluminum Nitride, and Boron Nitride (1994 : Minsk, Belarus), Hrsg. Wide band gap electronic materials. Dordrecht: Kluwer Academic Publishers, 1995.
Den vollen Inhalt der Quelle findenUnited States. National Aeronautics and Space Administration., Hrsg. Further improvements in program to calculate electronic properties of narrow band gap materials: Final report. [Washington, DC: National Aeronautics and Space Administration, 1992.
Den vollen Inhalt der Quelle findenYang, Fan. Electromagnetic band gap structures in antenna engineering. New York: Cambridge University Press, 2008.
Den vollen Inhalt der Quelle findenT͡Sidilʹkovskiĭ, I. M. Electron spectrum of gapless semiconductors. Berlin: Springer, 1997.
Den vollen Inhalt der Quelle findenSymposium L on Nitrides and Related Wide Band Gap Materials of the E-MRS (1998 Strasbourg, France). Nitrides and related wide band gap materials: Proceedings of Symposium L on Nitrides and Related Wide Band Gap Materials of the E-MRS 1998 Spring Conference, Strasbourg, France, June 16-19, 1998. Amsterdam: Elsevier, 1999.
Den vollen Inhalt der Quelle findenYi-Gao, Sha, und United States. National Aeronautics and Space Administration., Hrsg. Growth of wide band gap II-VI compound semiconductors by physical vapor transport. [Washington, DC: National Aeronautics and Space Administration, 1995.
Den vollen Inhalt der Quelle findenYi-Gao, Sha, und United States. National Aeronautics and Space Administration., Hrsg. Growth of wide band gap II-VI compound semiconductors by physical vapor transport. [Washington, DC: National Aeronautics and Space Administration, 1995.
Den vollen Inhalt der Quelle findenTrieste ICTP-IUPAP Semiconductor Symposium (7th 1992). Wide-band-gap semiconductors: Proceedings of the Seventh Trieste ICTP-IUPAP Semiconductor Symposium, International Centre for Theoretical Physics, Trieste, Italy, 8-12 June 1992. Herausgegeben von Van de Walle, Chris Gilbert. Amsterdam: North-Holland, 1993.
Den vollen Inhalt der Quelle findenSymposium, L. on Nitrides and Related Wide Band Gap Materials (1998 Strasbourg France). Nitrides and related wide band gap materials: Proceedings of Symposium L on Nitrides and Related Wide Band Gap Materials of the E-MRS 1998 Spring Conference, Strasbourg, France 16-19 June 1998. Amsterdam: Elsevier, 1999.
Den vollen Inhalt der Quelle findenUnited States. National Aeronautics and Space Administration., Hrsg. Bulk growth of wide band gap II-VI compound semiconductors by physical vapor transport. Bellingham, Wash: Society of Photo-Optical Instrumentation Engineers, 1997.
Den vollen Inhalt der Quelle findenĖlektronnyĭ spektr besshchelevykh poluprovodnikov. Sverdlovsk: Akademii͡a nauk SSSR, Uralʹskoe otd-nie, 1991.
Den vollen Inhalt der Quelle findenVernon, Stanley. Gallium arsenide-based ternary compounds and multi-band-gap solar cell research: Annual subcontract report, 15 April 1988-14 June 1990. Golden, Colo: National Renewable Energy Laboratory, 1993.
Den vollen Inhalt der Quelle finden1992), Trieste IUPAP-ICTP Semiconductor Symposium (7th. Wide-band-gap semiconductors: Proceedings of the seventh Trieste ICTP-IUPAP Semiconductor Symposium, International Centre for Theoretical Physics, Trieste, Italy, 8-12 June 1992. Amsterdam: North Holland, 1993.
Den vollen Inhalt der Quelle findenWide-Band-Gap Semiconductors. Elsevier, 1993. http://dx.doi.org/10.1016/c2009-0-10257-x.
Der volle Inhalt der QuelleC. G. Van de Walle. Wide-Band-gap Semiconductors. Elsevier Science & Technology Books, 2012.
Den vollen Inhalt der Quelle findenPearton, Stephen J. Processing of 'Wide Band Gap Semiconductors. Elsevier Science & Technology Books, 2000.
Den vollen Inhalt der Quelle findenGupta, Tapan Kumar. Band gap narrowing in heavily doped silicon. 1988.
Den vollen Inhalt der Quelle findenPearton, Stephen J. Processing of Wide Band Gap Semiconductors (Materials and Processing Technology). Noyes Publications, 2000.
Den vollen Inhalt der Quelle findenD, Moustakas T., Pankove Jacques I. 1922- und Hamakawa Yoshihiro 1932-, Hrsg. Wide band gap semiconductors: Symposium held December 2-6, 1991, Boston, Massachusetts, U.S.A. Pittsburgh, Pa: Materials Research Society, 1992.
Den vollen Inhalt der Quelle findenMorkoç, Hadis. Handbook of Nitride Semiconductors and Devices, Vol. 2: Electronic and Optical Processes in Wide Band Gap Semiconductors. Springer, 2007.
Den vollen Inhalt der Quelle findenHeterojunction band discontinuities: Physics and device applications. Amsterdam: North-Holland, 1987.
Den vollen Inhalt der Quelle findenWalle, Chris G. Van De. Wide-Band-Gap Semiconductors: Proceedings of the Seventh Trieste Ictp-Iupap Semiconductor Symposium : International Centre for Theoretical Physics T. North-Holland, 1993.
Den vollen Inhalt der Quelle findenWang, Fei, Zheyu Zhang und Edward A. Jones. Characterization of Wide Bandgap Power Semiconductor Devices. Institution of Engineering & Technology, 2018.
Den vollen Inhalt der Quelle findenCharacterization of Wide Bandgap Power Semiconductor Devices. Institution of Engineering & Technology, 2018.
Den vollen Inhalt der Quelle findenAdvanced Technologies for Next Generation Integrated Circuits. Institution of Engineering & Technology, 2020.
Den vollen Inhalt der Quelle findenBasu, Prasanta Kumar, Bratati Mukhopadhyay und Rikmantra Basu. Semiconductor Nanophotonics. Oxford University PressOxford, 2022. http://dx.doi.org/10.1093/oso/9780198784692.001.0001.
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