Zeitschriftenartikel zum Thema „Vth instability“
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Senzaki, Junji, Atsushi Shimozato, Kazutoshi Kojima, Shinsuke Harada, Keiko Ariyoshi, Takahito Kojima, Yasunori Tanaka und Hajime Okumura. „Threshold Voltage Instability of SiC-MOSFETs on Various Crystal Faces“. Materials Science Forum 778-780 (Februar 2014): 521–24. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.778-780.521.
Der volle Inhalt der QuelleTadjer, Marko J., Karl D. Hobart, Eugene A. Imhoff und Fritz J. Kub. „Temperature and Time Dependent Threshold Voltage Instability in 4H-SiC Power DMOSFET Devices“. Materials Science Forum 600-603 (September 2008): 1147–50. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.600-603.1147.
Der volle Inhalt der QuelleSometani, Mitsuru, Dai Okamoto, Shinsuke Harada, Hitoshi Ishimori, Shinji Takasu, Tetsuo Hatakeyama, Manabu Takei, Yoshiyuki Yonezawa, Kenji Fukuda und Hajime Okumura. „Exact Characterization of Threshold Voltage Instability in 4H-SiC MOSFETs by Non-Relaxation Method“. Materials Science Forum 821-823 (Juni 2015): 685–88. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.821-823.685.
Der volle Inhalt der QuelleNa, Jeong-Hyeon, Jun-Hyeong Park, Won Park, Junhao Feng, Jun-Su Eun, Jinuk Lee, Sin-Hyung Lee et al. „Dependence of Positive Bias Stress Instability on Threshold Voltage and Its Origin in Solution-Processed Aluminum-Doped Indium Oxide Thin-Film Transistors“. Nanomaterials 14, Nr. 5 (04.03.2024): 466. http://dx.doi.org/10.3390/nano14050466.
Der volle Inhalt der QuelleKutsuki, Katsuhiro, Sachiko Kawaji, Yukihiko Watanabe, Masatoshi Tsujimura, Toru Onishi, Hirokazu Fujiwara, Kensaku Yamamoto und Takashi Kanemura. „Impact of Al Doping Concentration at Channel Region on Mobility and Threshold Voltage Instability in 4H-SiC Trench N-MOSFETs“. Materials Science Forum 858 (Mai 2016): 607–10. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.858.607.
Der volle Inhalt der QuelleSenzaki, Junji, Atsushi Shimozato, Kozutoshi Kajima, Keiko Aryoshi, Takahito Kojima, Shinsuke Harada, Yasunori Tanaka, Hiroaki Himi und Hajime Okumura. „Electrical Properties of MOS Structures on 4H-SiC (11-20) Face“. Materials Science Forum 740-742 (Januar 2013): 621–24. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.740-742.621.
Der volle Inhalt der QuelleKim, Sang Sub, Pyung Ho Choi, Do Hyun Baek, Jae Hyeong Lee und Byoung Deog Choi. „Abnormal Threshold Voltage Shifts in P-Channel Low-Temperature Polycrystalline Silicon Thin Film Transistors Under Negative Bias Temperature Stress“. Journal of Nanoscience and Nanotechnology 15, Nr. 10 (01.10.2015): 7555–58. http://dx.doi.org/10.1166/jnn.2015.11167.
Der volle Inhalt der QuelleOkamoto, Mitsuo, Mitsuru Sometani, Shinsuke Harada, Hiroshi Yano und Hajime Okumura. „Dynamic Characterization of the Threshold Voltage Instability under the Pulsed Gate Bias Stress in 4H-SiC MOSFET“. Materials Science Forum 897 (Mai 2017): 549–52. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.897.549.
Der volle Inhalt der QuelleDeb, Arkadeep, Jose Ortiz-Gonzalez, Mohamed Taha, Saeed Jahdi, Phillip Mawby und Olayiwola Alatise. „Impact of Turn-Off Gate Voltage and Temperature on Threshold Voltage Instability in Pulsed Gate Voltage Stresses of SiC MOSFETs“. Materials Science Forum 1091 (05.06.2023): 61–66. http://dx.doi.org/10.4028/p-lidhbt.
Der volle Inhalt der QuelleRescher, Gerald, Gregor Pobegen und Thomas Aichinger. „Impact of Nitric Oxide Post Oxidation Anneal on the Bias Temperature Instability and the On-Resistance of 4H-SiC nMOSFETs“. Materials Science Forum 821-823 (Juni 2015): 709–12. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.821-823.709.
Der volle Inhalt der QuelleLi, Shanjie, Peiye Sun, Zhiheng Xing, Nengtao Wu, Wenliang Wang und Guoqiang Li. „Degradation mechanisms of Mg-doped GaN/AlN superlattices HEMTs under electrical stress“. Applied Physics Letters 121, Nr. 6 (08.08.2022): 062101. http://dx.doi.org/10.1063/5.0094957.
Der volle Inhalt der QuelleKoo, Sang-Mo, und Tae-Jun Ha. „Improved Photo-Induced Stability in Amorphous Metal-Oxide Based TFTs for Transparent Displays“. Journal of Nanoscience and Nanotechnology 15, Nr. 10 (01.10.2015): 7800–7803. http://dx.doi.org/10.1166/jnn.2015.11193.
Der volle Inhalt der QuelleLi, Xiangdong, Meng Wang, Jincheng Zhang, Rui Gao, Hongyue Wang, Weitao Yang, Jiahui Yuan et al. „Revealing the Mechanism of the Bias Temperature Instability Effect of p-GaN Gate HEMTs by Time-Dependent Gate Breakdown Stress and Fast Sweeping Characterization“. Micromachines 14, Nr. 5 (12.05.2023): 1042. http://dx.doi.org/10.3390/mi14051042.
Der volle Inhalt der QuelleWu, Ruizhu, Simon Mendy, Nereus Agbo, Jose Ortiz Gonzalez, Saeed Jahdi und Olayiwola Alatise. „Performance of Parallel Connected SiC MOSFETs under Short Circuits Conditions“. Energies 14, Nr. 20 (19.10.2021): 6834. http://dx.doi.org/10.3390/en14206834.
Der volle Inhalt der QuelleAsllani, Besar, Alberto Castellazzi, Dominique Planson und Hervé Morel. „Subthreshold Drain Current Hysteresis of Planar SiC MOSFETs“. Materials Science Forum 963 (Juli 2019): 184–88. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.963.184.
Der volle Inhalt der QuelleGrossl Bade, Tamiris, Hassan Hamad, Adrien Lambert, Hervé Morel und Dominique Planson. „Threshold Voltage Measurement Protocol “Triple Sense” Applied to GaN HEMTs“. Electronics 12, Nr. 11 (03.06.2023): 2529. http://dx.doi.org/10.3390/electronics12112529.
Der volle Inhalt der QuelleLiu, Han-Wen, Tzu-Cheng Hung und Bo-Xiang Huang. „(Digital Presentation) Instability of α-Si:H TFTs under Simultaneous Ultraviolet Light Illumination and Different Bias Stresses“. ECS Meeting Abstracts MA2022-02, Nr. 35 (09.10.2022): 1262. http://dx.doi.org/10.1149/ma2022-02351262mtgabs.
Der volle Inhalt der QuelleRescher, Gerald, Gregor Pobegen und Tibor Grasser. „Threshold Voltage Instabilities of Present SiC-Power MOSFETs under Positive Bias Temperature Stress“. Materials Science Forum 858 (Mai 2016): 481–84. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.858.481.
Der volle Inhalt der QuelleGo, Donghyun, Gilsang Yoon, Jounghun Park, Donghwi Kim, Jiwon Kim, Jungsik Kim und Jeong-Soo Lee. „Effect of Noncircular Channel on Distribution of Threshold Voltage in 3D NAND Flash Memory“. Micromachines 14, Nr. 11 (28.10.2023): 2007. http://dx.doi.org/10.3390/mi14112007.
Der volle Inhalt der QuelleLee, Sangmin, Pyungho Choi, Minjun Song, Gaeun Lee, Nara Lee, Bohyeon Jeon und Byoungdeog Choi. „Negative Bias Instability of InZnO-Based Thin-Film Transistors Under Illumination Stress“. Journal of Nanoscience and Nanotechnology 21, Nr. 8 (01.08.2021): 4277–84. http://dx.doi.org/10.1166/jnn.2021.19392.
Der volle Inhalt der QuelleElangovan, Surya, Stone Cheng und Edward Yi Chang. „Reliability Characterization of Gallium Nitride MIS-HEMT Based Cascode Devices for Power Electronic Applications“. Energies 13, Nr. 10 (21.05.2020): 2628. http://dx.doi.org/10.3390/en13102628.
Der volle Inhalt der QuelleLim, Sang Chul, Seong Hyun Kim, Gi Heon Kim, Jae Bon Koo, Jung Hun Lee, Chan Hoe Ku, Yong Suk Yang, Do Jin Kim und Tae Hyoung Zyung. „Instability of OTFT with Organic Gate Dielectrics“. Solid State Phenomena 124-126 (Juni 2007): 407–10. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.124-126.407.
Der volle Inhalt der QuelleLEE, YONG K. „CONTROLLING INSTABILITIES OF HYDROGENERATED a-Si:H TFT UNDER BIAS TEMPERATURE STRESSING“. Modern Physics Letters B 22, Nr. 04 (10.02.2008): 263–68. http://dx.doi.org/10.1142/s0217984908014730.
Der volle Inhalt der QuelleLee, Seung-Hun, Kihwan Kwon, Kwanoh Kim, Jae Sung Yoon, Doo-Sun Choi, Yeongeun Yoo, Chunjoong Kim, Shinill Kang und Jeong Hwan Kim. „Electrical, Structural, Optical, and Adhesive Characteristics of Aluminum-Doped Tin Oxide Thin Films for Transparent Flexible Thin-Film Transistor Applications“. Materials 12, Nr. 1 (03.01.2019): 137. http://dx.doi.org/10.3390/ma12010137.
Der volle Inhalt der QuellePark, Jee Ho, Sohyung Lee, Hee Sung Lee, Sung Ki Kim, Kwon-Shik Park und Soo-Young Yoon. „Correlation between spin density and Vth instability of IGZO thin-film transistors“. Current Applied Physics 18, Nr. 11 (November 2018): 1447–50. http://dx.doi.org/10.1016/j.cap.2018.08.016.
Der volle Inhalt der QuelleGonzalez, Jose Ortiz, Olayiwola Alatise und Philip A. Mawby. „Novel Method for Evaluation of Negative Bias Temperature Instability of SiC MOSFETs“. Materials Science Forum 963 (Juli 2019): 749–52. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.963.749.
Der volle Inhalt der QuelleWang, Kai Yu, Cai Ping Wan, Wen Hao Lu, Nian Nian Ge und Heng Yu Xu. „Factors Affecting Bias Temperature Instability in 4H-SiC MOS Capacitors“. Key Engineering Materials 950 (31.07.2023): 133–38. http://dx.doi.org/10.4028/p-fagd0d.
Der volle Inhalt der QuelleElangovan, Surya, Edward Yi Chang und Stone Cheng. „Analysis of Instability Behavior and Mechanism of E-Mode GaN Power HEMT with p-GaN Gate under Off-State Gate Bias Stress“. Energies 14, Nr. 8 (13.04.2021): 2170. http://dx.doi.org/10.3390/en14082170.
Der volle Inhalt der QuelleMurakami, Eiichi, Takahiro Furuichi, Tatsuya Takeshita und Kazuhiro Oda. „Suppression of PBTI of SiC-MOSFETs under 100 kHz Gate-Switching Operation by Using a Gate Off-Voltage of -5 V“. Materials Science Forum 924 (Juni 2018): 711–14. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.924.711.
Der volle Inhalt der QuelleIdris, Muhammad I., Ming Hung Weng, H. K. Chan, A. E. Murphy, Dave A. Smith, R. A. R. Young, Ewan P. Ramsay, David T. Clark, Nick G. Wright und Alton B. Horsfall. „Electrical Stability Impact of Gate Oxide in Channel Implanted SiC NMOS and PMOS Transistors“. Materials Science Forum 897 (Mai 2017): 513–16. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.897.513.
Der volle Inhalt der QuelleLi, Jiye, Yuqing Zhang, Hao Peng, Huan Yang, Lei Lu und Shengdong Zhang. „9.2: Mechanism of H2O‐induced Instability of Self‐Aligned Top‐Gate Amorphous InGaZnO TFTs“. SID Symposium Digest of Technical Papers 54, S1 (April 2023): 94–97. http://dx.doi.org/10.1002/sdtp.16230.
Der volle Inhalt der QuelleHuang, Sen, Shu Yang, John Roberts und Kevin J. Chen. „Characterization of Vth-instability in Al2O3/GaN/AlGaN/GaN MIS-HEMTs by quasi-static C-V measurement“. physica status solidi (c) 9, Nr. 3-4 (29.02.2012): 923–26. http://dx.doi.org/10.1002/pssc.201100302.
Der volle Inhalt der QuelleNeema, Vaibhav, Kuldeep Raguwanshi, Ambika Prasad Shah und Santosh Kumar Vishvakarma. „Vth Extraction Based Run Time Transistor Width (TWOS) Module for On-Chip Negative Bias Temperature Instability (NBTI) Mitigation“. Sensor Letters 17, Nr. 5 (01.05.2019): 385–92. http://dx.doi.org/10.1166/sl.2019.4103.
Der volle Inhalt der QuelleCho, Sanghyun, Seohan Kim, Doyeong Kim, Moonsuk Yi, Junseok Byun und Pungkeun Song. „Effects of Yttrium Doping on a-IGZO Thin Films for Use as a Channel Layer in Thin-Film Transistors“. Coatings 9, Nr. 1 (15.01.2019): 44. http://dx.doi.org/10.3390/coatings9010044.
Der volle Inhalt der QuelleFlorentin, Matthieu, Mihaela Alexandru, Aurore Constant, Bernd Schmidt und Philippe Godignon. „10 MeV Proton Irradiation Effect on 4H-SiC nMOSFET Electrical Parameters“. Materials Science Forum 806 (Oktober 2014): 121–25. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.806.121.
Der volle Inhalt der QuelleBai, Zhi Qiang, Xiao Yan Tang, Chao Han, Yan Jing He, Qing Wen Song, Yi Fan Jia, Yi Men Zhang und Yu Ming Zhang. „The Influence of Temperature Storage on Threshold Voltage Stability for SiC VDMOSFET“. Materials Science Forum 954 (Mai 2019): 144–50. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.954.144.
Der volle Inhalt der QuelleWang, Dapeng, Mamoru Furuta, Shigekazu Tomai und Koki Yano. „Impact of Photo-Excitation on Leakage Current and Negative Bias Instability in InSnZnO Thickness-Varied Thin-Film Transistors“. Nanomaterials 10, Nr. 9 (09.09.2020): 1782. http://dx.doi.org/10.3390/nano10091782.
Der volle Inhalt der QuelleJung, Seyeon, Taehoon Sung, Sein Lee und J. Y. Kwon. „Control of Hydrogen Concentration in Ingazno Thin Film Using Cryopumping System“. ECS Meeting Abstracts MA2022-01, Nr. 31 (07.07.2022): 1333. http://dx.doi.org/10.1149/ma2022-01311333mtgabs.
Der volle Inhalt der QuelleLee, Geon Hee, Jang Kwon Lim, Sang Mo Koo und Mietek Bakowski. „Measurement and Analysis of Body Diode Stress of 3.3 kV Sic-Mosfets with Intrinsic Body Diode and Embedded SBD“. Materials Science Forum 1091 (05.06.2023): 55–59. http://dx.doi.org/10.4028/p-nnor4r.
Der volle Inhalt der QuelleRuderman, M. S., E. Verwichte, R. Erdélyi und M. Goossens. „Dissipative instability of the MHD tangential discontinuity in magnetized plasmas with anisotropic viscosity and thermal conductivity“. Journal of Plasma Physics 56, Nr. 2 (Oktober 1996): 285–306. http://dx.doi.org/10.1017/s0022377800019279.
Der volle Inhalt der QuelleSlobounov, Semyon, Cheng Cao, Niharika Jaiswal und Karl M. Newell. „Neural basis of postural instability identified by VTC and EEG“. Experimental Brain Research 199, Nr. 1 (05.08.2009): 1–16. http://dx.doi.org/10.1007/s00221-009-1956-5.
Der volle Inhalt der QuelleFranck Severin Ando, Amalaman. „Milieu Institutionnel, Sexe Et Stabilité Émotionnelle/Névrosisme Chez Des Orphelins Et Enfants Vulnérables Du Fait Du VIH À Abidjan“. European Scientific Journal, ESJ 18, Nr. 14 (30.04.2022): 116. http://dx.doi.org/10.19044/esj.2022.v18n14p116.
Der volle Inhalt der QuelleAli, Amjad, Ahmad Naveed, Tahir Rasheed, Tariq Aziz, Muhammad Imran, Ze-Kun Zhang, Muhammad Wajid Ullah et al. „Methods for Predicting Ethylene/Cyclic Olefin Copolymerization Rates Promoted by Single-Site Metallocene: Kinetics Is the Key“. Polymers 14, Nr. 3 (24.01.2022): 459. http://dx.doi.org/10.3390/polym14030459.
Der volle Inhalt der QuelleAktershev, Yuriy, Sergey Vasichev und Vladimir Veremeenko. „Precision Four-Quadrant Current Source Vch-500-12r For Superconducting Solenoids“. Siberian Journal of Physics 12, Nr. 2 (01.06.2017): 138–41. http://dx.doi.org/10.54362/1818-7919-2017-12-2-138-141.
Der volle Inhalt der QuelleNandi, Abhijit, Manisha, Vandana Solanki, Vishvanath Tiwari, Basavaraj Sajjanar, Muthu Sankar, Mohini Saini, Sameer Shrivastava, S. K. Bhure und Srikant Ghosh. „Protective Efficacy of Multiple Epitope-Based Vaccine against Hyalomma anatolicum, Vector of Theileria annulata and Crimean–Congo Hemorrhagic Fever Virus“. Vaccines 11, Nr. 4 (21.04.2023): 881. http://dx.doi.org/10.3390/vaccines11040881.
Der volle Inhalt der QuelleRenz, Arne Benjamin Benjamin, Oliver J. Vavasour, Peter Michael Gammon, Fan Li, Tianxiang Dai, Guy W. C. Baker, Nicholas E. Grant et al. „(Invited, Digital Presentation) Improved Reliability of 4H-SiC Metal-Oxide-Semiconductor Devices Utilising Atomic Layer Deposited Layers with Enhanced Interface Quality“. ECS Meeting Abstracts MA2022-01, Nr. 19 (07.07.2022): 1065. http://dx.doi.org/10.1149/ma2022-01191065mtgabs.
Der volle Inhalt der QuelleOrtel, Thomas L., Karen D. Moore, Mirella Ezban und William H. Kane. „Effect of Heterologous Factor V Heavy Chain Sequences on the Secretion of Recombinant Human Factor VIII“. Thrombosis and Haemostasis 75, Nr. 01 (1996): 036–44. http://dx.doi.org/10.1055/s-0038-1650218.
Der volle Inhalt der QuelleSingh, N. „Space-time evolution of electron-beam driven electron holes and their effects on the plasma“. Nonlinear Processes in Geophysics 10, Nr. 1/2 (30.04.2003): 53–63. http://dx.doi.org/10.5194/npg-10-53-2003.
Der volle Inhalt der QuelleBesnier, Niko. „Les politiques identitaires entre le local et le global : la mobilisation transgenre aux îles Tonga (Pacifique sud)“. Ethnologie française Vol. 54, Nr. 1 (26.02.2024): 117–33. http://dx.doi.org/10.3917/ethn.241.0117.
Der volle Inhalt der QuelleVargas, Carlos Alberto, und Hector Andres Tinoco. „Electrical Performance of a Piezo-inductive Device for Energy Harvesting with Low-Frequency Vibrations“. Actuators 8, Nr. 3 (16.07.2019): 55. http://dx.doi.org/10.3390/act8030055.
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