Zeitschriftenartikel zum Thema „Ultrathin oxides“
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Bec, Romulad B., Andrzej Jakubowsk, Lidia Łukasiak und Michał Korwin-Pawłowski. „Challenges in ultrathin oxide layers formation“. Journal of Telecommunications and Information Technology, Nr. 1 (30.03.2001): 27–34. http://dx.doi.org/10.26636/jtit.2001.1.46.
Der volle Inhalt der QuelleTaylor, Seth T., John Mardinly und Michael A. O'Keefe. „HRTEM Image Simulations for the Study of Ultrathin Gate Oxides“. Microscopy and Microanalysis 8, Nr. 5 (Oktober 2002): 412–21. http://dx.doi.org/10.1017/s1431927602020123.
Der volle Inhalt der QuelleMorgen, P., A. Bahari, U. Robenhagen, J. F. Andersen, J. K. Hansen, K. Pedersen, M. G. Rao und Z. S. Li. „Roads to ultrathin silicon oxides“. Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films 23, Nr. 1 (Januar 2005): 201–7. http://dx.doi.org/10.1116/1.1842113.
Der volle Inhalt der QuelleHuang, Feng, W. J. Liu, J. F. Sullivan, J. A. Barnard und M. L. Weaver. „Room-temperature oxidation of ultrathin TiB2 films“. Journal of Materials Research 17, Nr. 4 (April 2002): 805–13. http://dx.doi.org/10.1557/jmr.2002.0118.
Der volle Inhalt der QuelleZhu, Jianhui, Jian Jiang, Wei Ai, Zhanxi Fan, Xintang Huang, Hua Zhang und Ting Yu. „Encapsulation of nanoscale metal oxides into an ultra-thin Ni matrix for superior Li-ion batteries: a versatile strategy“. Nanoscale 6, Nr. 21 (2014): 12990–3000. http://dx.doi.org/10.1039/c4nr03661a.
Der volle Inhalt der QuelleWang, Kai, Bolong Huang, Weiyu Zhang, Fan Lv, Yi Xing, Wenshu Zhang, Jinhui Zhou et al. „Ultrathin RuRh@(RuRh)O2 core@shell nanosheets as stable oxygen evolution electrocatalysts“. Journal of Materials Chemistry A 8, Nr. 31 (2020): 15746–51. http://dx.doi.org/10.1039/d0ta03213a.
Der volle Inhalt der QuelleTing, D. Z. Y. „Tunneling characteristics of nonuniform ultrathin oxides“. Applied Physics Letters 73, Nr. 19 (09.11.1998): 2769–71. http://dx.doi.org/10.1063/1.122585.
Der volle Inhalt der QuelleLobinsky, A. A., und V. I. Popkov. „Ultrathin 2D nanosheets of transition metal (hydro)oxides as prospective materials for energy storage devices: A short review“. Electrochemical Materials and Technologies 1, Nr. 1 (2022): 20221008. http://dx.doi.org/10.15826/elmattech.2022.1.008.
Der volle Inhalt der QuelleRotondaro, A. L. Pacheco, R. T. Laaksonen und S. P. Singh. „Impact of the Nitrogen Concentration of Sub-1.3 nm Gate Oxides on 65 nm Technology Transistor Parameters“. Journal of Integrated Circuits and Systems 2, Nr. 2 (17.11.2007): 63–66. http://dx.doi.org/10.29292/jics.v2i2.265.
Der volle Inhalt der QuelleChari, K. S., und S. Kar. „Interface Characteristics of Metal‐Oxide‐Semiconductor Capacitors with Ultrathin Oxides“. Journal of The Electrochemical Society 138, Nr. 7 (01.07.1991): 2046–49. http://dx.doi.org/10.1149/1.2085921.
Der volle Inhalt der QuelleTing, D. Z. Y., Erik S. Daniel und T. C. Mcgill. „Interface Roughness Effects in Ultra-Thin Tunneling Oxides“. VLSI Design 8, Nr. 1-4 (01.01.1998): 47–51. http://dx.doi.org/10.1155/1998/23567.
Der volle Inhalt der QuelleChoi, B. D., und D. K. Schroder. „Degradation of ultrathin oxides by iron contamination“. Applied Physics Letters 79, Nr. 16 (15.10.2001): 2645–47. http://dx.doi.org/10.1063/1.1410363.
Der volle Inhalt der QuelleDonggun Park und Chenming Hu. „Plasma charging damage on ultrathin gate oxides“. IEEE Electron Device Letters 19, Nr. 1 (Januar 1998): 1–3. http://dx.doi.org/10.1109/55.650333.
Der volle Inhalt der QuelleWen, H. J., und R. Ludeke. „Localized degradation studies of ultrathin gate oxides“. Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films 16, Nr. 3 (Mai 1998): 1735–40. http://dx.doi.org/10.1116/1.581293.
Der volle Inhalt der QuelleEng, J., R. L. Opila, J. M. Rosamilia, B. J. Sapjeta, Y. J. Chabal, T. Boone, R. Masaitis, Thomas Sorsch und Martin L. Green. „The Evolution of Chemical Oxides Into Ultrathin Oxides: A Spectroscopic Characterization“. Solid State Phenomena 76-77 (Januar 2001): 145–48. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.76-77.145.
Der volle Inhalt der QuelleTakeda, Mikako, Takeshi Ohwaki, Hideo Fujii, Eisuke Kusumoto, Yoshiyuki Kaihara, Yoshizo Takai und Ryuichi Shimizu. „Influence of Native Oxides on the Reliability of Ultrathin Gate Oxide“. Japanese Journal of Applied Physics 37, Part 1, No. 2 (15.02.1998): 397–401. http://dx.doi.org/10.1143/jjap.37.397.
Der volle Inhalt der QuelleHamed, Mai Hussein, David N. Mueller und Martina Müller. „Thermal phase design of ultrathin magnetic iron oxide films: from Fe3O4 to γ-Fe2O3 and FeO“. Journal of Materials Chemistry C 8, Nr. 4 (2020): 1335–43. http://dx.doi.org/10.1039/c9tc05921k.
Der volle Inhalt der QuelleHardy, An, Sven Van Elshocht, Jan D’Haen, Olivier Douhéret, Stefan De Gendt, Christoph Adelmann, Matty Caymax et al. „Aqueous chemical solution deposition of ultrathin lanthanide oxide dielectric films“. Journal of Materials Research 22, Nr. 12 (Dezember 2007): 3484–93. http://dx.doi.org/10.1557/jmr.2007.0433.
Der volle Inhalt der QuelleLiao, Zhaoliang, und Jiandi Zhang. „Metal-to-Insulator Transition in Ultrathin Manganite Heterostructures“. Applied Sciences 9, Nr. 1 (03.01.2019): 144. http://dx.doi.org/10.3390/app9010144.
Der volle Inhalt der QuelleChen, Zongkun, Minghua Huang und Helmut Cölfen. „Synthesis of ultrathin metal oxide and hydroxide nanosheets using formamide in water at room temperature“. CrystEngComm 23, Nr. 21 (2021): 3794–801. http://dx.doi.org/10.1039/d1ce00277e.
Der volle Inhalt der QuelleFukuda, Masatoshi, Wataru Mizubayashi, Atsushi Kohno, Seiichi Miyazaki und Masataka Hirose. „Analysis of Tunnel Current through Ultrathin Gate Oxides“. Japanese Journal of Applied Physics 37, Part 2, No. 12B (15.12.1998): L1534—L1536. http://dx.doi.org/10.1143/jjap.37.l1534.
Der volle Inhalt der QuelleChen, C. C., C. Y. Chang, C. H. Chien, T. Y. Huang, H. C. Lin und M. S. Liang. „Temperature-accelerated dielectric breakdown in ultrathin gate oxides“. Applied Physics Letters 74, Nr. 24 (14.06.1999): 3708–10. http://dx.doi.org/10.1063/1.123228.
Der volle Inhalt der QuelleHori, Takashi, Hiroshi Iwasaki, Takuichi Ohmura, Atsuko Samizo, Minoru Sato und Yoshiaki Yoshioka. „Compositional study of ultrathin rapidly reoxidized nitrided oxides“. Journal of Applied Physics 65, Nr. 2 (15.01.1989): 629–35. http://dx.doi.org/10.1063/1.343095.
Der volle Inhalt der QuelleHattori, Takeo, Hiroshi Nohira und Kensuke Takahashi. „The initial growth steps of ultrathin gate oxides“. Microelectronic Engineering 48, Nr. 1-4 (September 1999): 17–24. http://dx.doi.org/10.1016/s0167-9317(99)00329-9.
Der volle Inhalt der QuelleContaret, T., G. Ghibaudo, A. Ferron und F. Bœuf. „Excess drain noise simulation in ultrathin oxides MOSFETs“. Journal of Computational Electronics 5, Nr. 2-3 (Juli 2006): 187–92. http://dx.doi.org/10.1007/s10825-006-8842-1.
Der volle Inhalt der QuelleZander, D., F. Saigne, C. Petit und A. Meinertzhagen. „Electrical stress effects on ultrathin (2.3 nm) oxides“. Journal of Non-Crystalline Solids 280, Nr. 1-3 (Februar 2001): 86–91. http://dx.doi.org/10.1016/s0022-3093(00)00393-8.
Der volle Inhalt der QuelleChang, Chun-Yen, Chi-Chun Chen, Horng-Chih Lin, Mong-Song Liang, Chao-Hsin Chien und Tiao-Yuan Huang. „Reliability of ultrathin gate oxides for ULSI devices“. Microelectronics Reliability 39, Nr. 5 (Mai 1999): 553–66. http://dx.doi.org/10.1016/s0026-2714(99)00037-2.
Der volle Inhalt der QuelleGiustino, Feliciano, und Alfredo Pasquarello. „Infrared properties of ultrathin oxides on Si(100)“. Microelectronic Engineering 80 (Juni 2005): 420–23. http://dx.doi.org/10.1016/j.mee.2005.04.025.
Der volle Inhalt der QuelleZhang, Xinyu, Yongwei Wang, Fenghua Cheng, Zhiping Zheng und Yaping Du. „Ultrathin lanthanide oxides nanomaterials: synthesis, properties and applications“. Science Bulletin 61, Nr. 18 (September 2016): 1422–34. http://dx.doi.org/10.1007/s11434-016-1155-2.
Der volle Inhalt der QuelleVereecke, G., E. Röhr, R. J. Carter, T. Conard, H. De Witte und M. M. Heyns. „Investigation of fluorine in dry ultrathin silicon oxides“. Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures 19, Nr. 6 (2001): 2108. http://dx.doi.org/10.1116/1.1414050.
Der volle Inhalt der QuelleCellere, G., L. Larcher, M. G. Valentini und A. Paccagnella. „Micro breakdown in small-area ultrathin gate oxides“. IEEE Transactions on Electron Devices 49, Nr. 8 (August 2002): 1367–74. http://dx.doi.org/10.1109/ted.2002.801443.
Der volle Inhalt der QuelleLundgren, P., M. O. Andersson, K. R. Farmer und O. Engström. „Electrical instability of ultrathin thermal oxides on silicon“. Microelectronic Engineering 28, Nr. 1-4 (Juni 1995): 67–70. http://dx.doi.org/10.1016/0167-9317(95)00017-3.
Der volle Inhalt der QuelleWu, E. Y., D. L. Harmon und Liang-Kai Han. „Interrelationship of voltage and temperature dependence of oxide breakdown for ultrathin oxides“. IEEE Electron Device Letters 21, Nr. 7 (Juli 2000): 362–64. http://dx.doi.org/10.1109/55.847381.
Der volle Inhalt der QuelleChen, Ming-Jer, Ting-Kuo Kang, Chuan-Hsi Liu, Yih J. Chang und Kuan-Yu Fu. „Oxide thinning percolation statistical model for soft breakdown in ultrathin gate oxides“. Applied Physics Letters 77, Nr. 4 (24.07.2000): 555–57. http://dx.doi.org/10.1063/1.127042.
Der volle Inhalt der QuelleBruyère, S., F. Guyader, W. De Coster, E. Vincent, M. Saadeddine, N. Revil und G. Ghibaudo. „Wet or dry ultrathin oxides: impact on gate oxide and device reliability“. Microelectronics Reliability 40, Nr. 4-5 (April 2000): 691–95. http://dx.doi.org/10.1016/s0026-2714(99)00273-5.
Der volle Inhalt der QuelleLin, M.-T., R. J. Jaccodine und T. J. Delph. „Planar oxidation of strained silicon substrates“. Journal of Materials Research 16, Nr. 3 (März 2001): 728–33. http://dx.doi.org/10.1557/jmr.2001.0112.
Der volle Inhalt der Quellevon Bardeleben, Hans Jürgen, J. L. Cantin, I. Vickridge, Yong Wei Song, S. Dhar, Leonard C. Feldman, John R. Williams et al. „Modification of the Oxide/Semiconductor Interface by High Temperature NO Treatments: A Combined EPR, NRA and XPS Study on Oxidized Porous and Bulk n-Type 4H-SiC“. Materials Science Forum 483-485 (Mai 2005): 277–80. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.483-485.277.
Der volle Inhalt der QuelleSUÑE, JORDI, DAVID JIMENEZ und ENRIQUE MIRANDA. „BREAKDOWN MODES AND BREAKDOWN STATISTICS OF ULTRATHIN SiO2 GATE OXIDES“. International Journal of High Speed Electronics and Systems 11, Nr. 03 (September 2001): 789–848. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156401001003.
Der volle Inhalt der QuelleGao, Xinlong, Wenhui Shi, Pengchao Ruan, Jinxiu Feng, Dong Zheng, Linhai Yu, Min Xue et al. „Ultrathin carbon boosted sodium storage performance in aqueous electrolyte“. Functional Materials Letters 13, Nr. 05 (Juli 2020): 2030002. http://dx.doi.org/10.1142/s1793604720300029.
Der volle Inhalt der QuelleIstomin, A. V., und S. G. Kolyshev. „ELECTROSTATIC METHOD OF FORMING ULTRATHIN FIBERS OF REFRACTORY OXIDES“. «Aviation Materials and Technologies», Nr. 2 (2019): 40–46. http://dx.doi.org/10.18577/2071-9140-2019-0-2-40-46.
Der volle Inhalt der QuelleVereecke, Guy, Erika Röhr, R. J. Carter, Thierry Conard, H. De Witte und Marc M. Heyns. „The Origins of Fluorine in Dry Ultrathin Silicon Oxides“. Solid State Phenomena 76-77 (Januar 2001): 153–56. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.76-77.153.
Der volle Inhalt der QuelleArienzo, Maurizio, Leonello Dori und Thomas N. Szabo. „Effect of post‐oxidation anneal on ultrathin SiO2gate oxides“. Applied Physics Letters 49, Nr. 16 (20.10.1986): 1040–42. http://dx.doi.org/10.1063/1.97465.
Der volle Inhalt der QuelleOellig, Eva M., E. G. Michel, M. C. Asensio und R. Miranda. „Ultrathin gate oxides formed by catalytic oxidation of silicon“. Applied Physics Letters 50, Nr. 23 (08.06.1987): 1660–62. http://dx.doi.org/10.1063/1.97760.
Der volle Inhalt der QuelleLiao, Wei-Jian, Yi-Lin Yang, Shun-Cheng Chuang und Jenn-Gwo Hwu. „Growth-Then-Anodization Technique for Reliable Ultrathin Gate Oxides“. Journal of The Electrochemical Society 151, Nr. 9 (2004): G549. http://dx.doi.org/10.1149/1.1783907.
Der volle Inhalt der QuelleFair, Richard B. „Physical Models of Boron Diffusion in Ultrathin Gate Oxides“. Journal of The Electrochemical Society 144, Nr. 2 (01.02.1997): 708–17. http://dx.doi.org/10.1149/1.1837473.
Der volle Inhalt der QuelleThompson, W. Howard, Zain Yamani, Laila AbuHassan, Osman Gurdal und Munir Nayfeh. „The effect of ultrathin oxides on luminescent silicon nanocrystallites“. Applied Physics Letters 73, Nr. 6 (10.08.1998): 841–43. http://dx.doi.org/10.1063/1.122019.
Der volle Inhalt der QuelleMadsen, Jon M., Zhenjiang Cui und Christos G. Takoudis. „Low temperature oxidation of SiGe in ozone: Ultrathin oxides“. Journal of Applied Physics 87, Nr. 4 (15.02.2000): 2046–51. http://dx.doi.org/10.1063/1.372134.
Der volle Inhalt der QuelleMukhopadhyay, M., S. K. Ray, D. K. Nayak und C. K. Maiti. „Ultrathin oxides using N2O on strained Si1−xGex layers“. Applied Physics Letters 68, Nr. 9 (26.02.1996): 1262–64. http://dx.doi.org/10.1063/1.115946.
Der volle Inhalt der QuellePennetta, C., L. Reggiani und Gy Trefán. „A percolative model of soft breakdown in ultrathin oxides“. Physica B: Condensed Matter 314, Nr. 1-4 (März 2002): 400–403. http://dx.doi.org/10.1016/s0921-4526(01)01408-9.
Der volle Inhalt der QuelleBeck, Romuald B. „Formation of ultrathin silicon oxides—modeling and technological constraints“. Materials Science in Semiconductor Processing 6, Nr. 1-3 (Februar 2003): 49–57. http://dx.doi.org/10.1016/s1369-8001(03)00071-4.
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