Auswahl der wissenschaftlichen Literatur zum Thema „Ultrathin oxides“
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Zeitschriftenartikel zum Thema "Ultrathin oxides"
Bec, Romulad B., Andrzej Jakubowsk, Lidia Łukasiak und Michał Korwin-Pawłowski. „Challenges in ultrathin oxide layers formation“. Journal of Telecommunications and Information Technology, Nr. 1 (30.03.2001): 27–34. http://dx.doi.org/10.26636/jtit.2001.1.46.
Der volle Inhalt der QuelleTaylor, Seth T., John Mardinly und Michael A. O'Keefe. „HRTEM Image Simulations for the Study of Ultrathin Gate Oxides“. Microscopy and Microanalysis 8, Nr. 5 (Oktober 2002): 412–21. http://dx.doi.org/10.1017/s1431927602020123.
Der volle Inhalt der QuelleMorgen, P., A. Bahari, U. Robenhagen, J. F. Andersen, J. K. Hansen, K. Pedersen, M. G. Rao und Z. S. Li. „Roads to ultrathin silicon oxides“. Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films 23, Nr. 1 (Januar 2005): 201–7. http://dx.doi.org/10.1116/1.1842113.
Der volle Inhalt der QuelleHuang, Feng, W. J. Liu, J. F. Sullivan, J. A. Barnard und M. L. Weaver. „Room-temperature oxidation of ultrathin TiB2 films“. Journal of Materials Research 17, Nr. 4 (April 2002): 805–13. http://dx.doi.org/10.1557/jmr.2002.0118.
Der volle Inhalt der QuelleZhu, Jianhui, Jian Jiang, Wei Ai, Zhanxi Fan, Xintang Huang, Hua Zhang und Ting Yu. „Encapsulation of nanoscale metal oxides into an ultra-thin Ni matrix for superior Li-ion batteries: a versatile strategy“. Nanoscale 6, Nr. 21 (2014): 12990–3000. http://dx.doi.org/10.1039/c4nr03661a.
Der volle Inhalt der QuelleWang, Kai, Bolong Huang, Weiyu Zhang, Fan Lv, Yi Xing, Wenshu Zhang, Jinhui Zhou et al. „Ultrathin RuRh@(RuRh)O2 core@shell nanosheets as stable oxygen evolution electrocatalysts“. Journal of Materials Chemistry A 8, Nr. 31 (2020): 15746–51. http://dx.doi.org/10.1039/d0ta03213a.
Der volle Inhalt der QuelleTing, D. Z. Y. „Tunneling characteristics of nonuniform ultrathin oxides“. Applied Physics Letters 73, Nr. 19 (09.11.1998): 2769–71. http://dx.doi.org/10.1063/1.122585.
Der volle Inhalt der QuelleLobinsky, A. A., und V. I. Popkov. „Ultrathin 2D nanosheets of transition metal (hydro)oxides as prospective materials for energy storage devices: A short review“. Electrochemical Materials and Technologies 1, Nr. 1 (2022): 20221008. http://dx.doi.org/10.15826/elmattech.2022.1.008.
Der volle Inhalt der QuelleRotondaro, A. L. Pacheco, R. T. Laaksonen und S. P. Singh. „Impact of the Nitrogen Concentration of Sub-1.3 nm Gate Oxides on 65 nm Technology Transistor Parameters“. Journal of Integrated Circuits and Systems 2, Nr. 2 (17.11.2007): 63–66. http://dx.doi.org/10.29292/jics.v2i2.265.
Der volle Inhalt der QuelleChari, K. S., und S. Kar. „Interface Characteristics of Metal‐Oxide‐Semiconductor Capacitors with Ultrathin Oxides“. Journal of The Electrochemical Society 138, Nr. 7 (01.07.1991): 2046–49. http://dx.doi.org/10.1149/1.2085921.
Der volle Inhalt der QuelleDissertationen zum Thema "Ultrathin oxides"
Tolvaišienė, Sonata. „Transport of charge carriers in ultrathin films of manganese oxides“. Doctoral thesis, Lithuanian Academic Libraries Network (LABT), 2009. http://vddb.library.lt/obj/LT-eLABa-0001:E.02~2009~D_20090218_143224-76401.
Der volle Inhalt der QuelleDisertacijoje nagrinėjami lantano manganitai, pasižymintys faziniu virsmu iš paramagnetinės į feromagnetinę būseną bei milžiniškos neigiamos magnetovar-žos efektu. Tiriami magnetovaržos ir jos anizotropijos efektai silpnuose (iki 0,5 T) magnetiniuose laukuose bei stiprių impulsinių srovių ir magnetinių laukų sukelti efektai plonuose epitaksiniuose manganitų sluoksniuose. Pateikiami pasiūlymai tyrimo rezultatus panaudoti kuriant magnetinio lauko jutiklius, spar-čiųjų elektrinių impulsų formuotuvus bei amplitudės moduliatorius. Tiriant sil-pnų magnetinių laukų poveikį ultraplonųjų La-Sr-MnO3 sluoksnių elektriniam laidumui, buvo nustatyta, kad magnetovaržos anizotropijos ženklas ir vertė šiuo-se laukuose priklauso nuo sluoksnio storio. Pateiktas modelis, paaiškinantis eks-perimentinius rezultatus, paremtas vidutinio lauko artiniu ir įskaitantis sluoksnio struktūros kitimą kintant jo storiui. Aptiktas ir ištirtas grįžtamasis termoelektrinis nestabilumas, išaiškintos šio reiškinio atsiradimo priežastys. Pasiūlytas ir ekspe-rimentiškai realizuotas naujas ns trukmės elektrinių impulsų amplitudės modulia-vimo išoriniu magnetiniu lauku būdas, naudojant epitaksinius La0,87Sr0,17MnO3 sluoksnius. Disertaciją sudaro reziumė lietuvių ir anglų kalbomis, įvadas, šeši skyriai, pagrindiniai rezultatai ir išvados, literatūros sąrašas, publikacijų disertacijos tema sąrašas. Įvadiniame skyriuje nagrinėjamas problemos aktualumas, formuluojamas darbo tikslas bei uždaviniai, aprašomas mokslinis... [toliau žr. visą tekstą]
Dragosavac, Marko. „Electron transport in ultrathin oxide silicon MOSFETs“. Thesis, University of Cambridge, 2005. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.614808.
Der volle Inhalt der QuelleMatharu, J. „Surface science of ultrathin metal oxide films“. Thesis, University College London (University of London), 2011. http://discovery.ucl.ac.uk/1335900/.
Der volle Inhalt der QuelleWlodarczyk, Radoslaw Stanislaw. „Surface structure predictions and development of global exploration tools“. Doctoral thesis, Humboldt-Universität zu Berlin, Mathematisch-Naturwissenschaftliche Fakultät, 2015. http://dx.doi.org/10.18452/17207.
Der volle Inhalt der QuelleThis work is a contribution in the field of theoretical chemistry and surface science. The joint computational and experimental studies investigated the atomic structure of ultrathin silica and iron-doped silica films formed on the Ru(0001) surface and water films formed on the MgO(001) surface. The atomic structure models were obtained using either the educated guess approach or the genetic algorithm that was designed and implemented within the DoDo package. The properties simulated for the resulting models are in a very good agreement with the experimental data (scanning tunnelling microscopy, infrared spectroscopy). The successful structure determination using the DoDo program shows that the genetic algorithm technique is capable of systematic and extensive exploration of the energy landscapes for 2D-periodic systems.
Grinter, D. C. „Surface studies of metal oxide catalysts and ultrathin films“. Thesis, University College London (University of London), 2011. http://discovery.ucl.ac.uk/1334452/.
Der volle Inhalt der QuelleBayat, Alireza [Verfasser]. „Composition and geometric structure of ultrathin oxide films / Alireza Bayat“. Halle, 2018. http://d-nb.info/1175950572/34.
Der volle Inhalt der QuelleGarza, Michelle. „Reactivity of Oxide Surfaces and Metal-Oxide Interfaces: Effects of Water Vapor Pressure on Ultrathin Aluminum Oxide Films, and Studies of Platinum Growth Modes on Ultrathin Oxide Films and Their Effects on Adhesion“. Thesis, University of North Texas, 2004. https://digital.library.unt.edu/ark:/67531/metadc4517/.
Der volle Inhalt der QuelleVarga, P., M. Schmid, S. Muto, K. Tatsumi, T. Matsui, D. Tajima und J. Yuhara. „Growth and structure of an ultrathin tin oxide film on Rh (111)“. AIP Publishing, 2011. http://hdl.handle.net/2237/20826.
Der volle Inhalt der QuelleMihaychuk, James Gordon. „Nonlinear optical studies of multiphoton photoemission in silicon covered by ultrathin oxide films“. Thesis, National Library of Canada = Bibliothèque nationale du Canada, 1998. http://www.collectionscanada.ca/obj/s4/f2/dsk2/tape15/PQDD_0013/NQ35250.pdf.
Der volle Inhalt der QuelleMartynova, Yulia [Verfasser], und Reinhard [Akademischer Betreuer] Schomäcker. „CO oxidation on metal supported ultrathin oxide films / Yulia Martynova. Betreuer: Reinhard Schomäcker“. Berlin : Universitätsbibliothek der Technischen Universität Berlin, 2013. http://d-nb.info/1035767384/34.
Der volle Inhalt der QuelleBücher zum Thema "Ultrathin oxides"
1939-, King D. A., und Woodruff D. P, Hrsg. Growth and properties of ultrathin epitaxial layers. Amsterdam: Elsevier, 1997.
Den vollen Inhalt der Quelle findenPacchioni, Gianfranco, und Sergio Valeri, Hrsg. Oxide Ultrathin Films. Weinheim, Germany: Wiley-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, 2011. http://dx.doi.org/10.1002/9783527640171.
Der volle Inhalt der QuelleFrei, Heinz, und Daniel Esposito, Hrsg. Ultrathin Oxide Layers for Solar and Electrocatalytic Systems. Cambridge: Royal Society of Chemistry, 2022. http://dx.doi.org/10.1039/9781839163708.
Der volle Inhalt der QuellePacchioni, Gianfranco, und Sergio Valeri. Oxide Ultrathin Films: Science and Technology. Wiley & Sons, Incorporated, John, 2012.
Den vollen Inhalt der Quelle findenPacchioni, Gianfranco, und Sergio Valeri. Oxide Ultrathin Films: Science and Technology. Wiley & Sons, Limited, John, 2012.
Den vollen Inhalt der Quelle findenPacchioni, Gianfranco, und Sergio Valeri. Oxide Ultrathin Films: Science and Technology. Wiley & Sons, Incorporated, John, 2012.
Den vollen Inhalt der Quelle findenPacchioni, Gianfranco, und Sergio Valeri. Oxide Ultrathin Films: Science and Technology. Wiley & Sons, Incorporated, John, 2012.
Den vollen Inhalt der Quelle findenPacchioni, Gianfranco, und Sergio Valeri. Oxide Ultrathin Films: Science and Technology. Wiley-VCH Verlag GmbH, 2011.
Den vollen Inhalt der Quelle finden(Editor), D. A. King, und D. P. Woodruff (Editor), Hrsg. Oxide Surfaces - The Chemical Physics of Solid Surfaces : Growth and Properties of Ultrathin Epitaxial Layers. Elsevier Science Pub Co, 1997.
Den vollen Inhalt der Quelle findenFrei, Heinz, und Daniel Esposito. Ultrathin Oxide Layers for Solar and Electrocatalytic Systems. Royal Society of Chemistry, The, 2022.
Den vollen Inhalt der Quelle findenBuchteile zum Thema "Ultrathin oxides"
Giordano, Livia, und Gianfranco Pacchioni. „Unusual Properties of Oxides and Other Insulators in the Ultrathin Limit“. In Oxide Ultrathin Films, 75–100. Weinheim, Germany: Wiley-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, 2012. http://dx.doi.org/10.1002/9783527640171.ch4.
Der volle Inhalt der QuelleLuches, Paola, und Sergio D’Addato. „Reducible Oxides as Ultrathin Epitaxial Films“. In Oxide Materials at the Two-Dimensional Limit, 119–48. Cham: Springer International Publishing, 2016. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-319-28332-6_4.
Der volle Inhalt der QuellePalmstrom, A. F., und M. O. Reese. „Chapter 3. Ultrathin Oxides for Solar Cells“. In Energy and Environment Series, 27–69. Cambridge: Royal Society of Chemistry, 2022. http://dx.doi.org/10.1039/9781839163708-00027.
Der volle Inhalt der QuelleLi, Qi, und H. S. Wang. „Strain and Magnetoresistance Anisotropy of PR0.7SR0.3MNO3 Ultrathin Films“. In Nano-Crystalline and Thin Film Magnetic Oxides, 133–44. Dordrecht: Springer Netherlands, 1999. http://dx.doi.org/10.1007/978-94-011-4493-3_9.
Der volle Inhalt der QuelleAkbari, Mohammad Karbalaei, und Serge Zhuiykov. „Self-Limiting Two-Dimensional Surface Oxides of Liquid Metals“. In Ultrathin Two-Dimensional Semiconductors for Novel Electronic Applications, 79–110. First edition. | Boca Raton, FL: CRC Press, 2020.: CRC Press, 2020. http://dx.doi.org/10.1201/9780429316784-3.
Der volle Inhalt der QuelleTerashima, T., K. Shimura, Y. Bando, Y. Matsuda, A. Fujiyama und S. Komiyama. „Ultrathin Films and Superlattices of High Temperature Superconducting Oxides“. In Springer Proceedings in Physics, 25–31. Berlin, Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg, 1992. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-642-77154-5_3.
Der volle Inhalt der QuelleHattori, Takeo. „Surface, Interface and Valence Band of Ultra-Thin Silicon Oxides“. In Fundamental Aspects of Ultrathin Dielectrics on Si-based Devices, 241–56. Dordrecht: Springer Netherlands, 1998. http://dx.doi.org/10.1007/978-94-011-5008-8_17.
Der volle Inhalt der QuelleHirose, M., W. Mizubayashi, K. Morino, M. Fukuda und S. Miyazaki. „Tunneling Transport and Reliability Evaluation in Extremely Thin Gate Oxides“. In Fundamental Aspects of Ultrathin Dielectrics on Si-based Devices, 315–24. Dordrecht: Springer Netherlands, 1998. http://dx.doi.org/10.1007/978-94-011-5008-8_22.
Der volle Inhalt der QuelleMeda, L., und G. F. Cerofolini. „Local Tunnel Emission Assisted by Inclusions Contained in Buried Oxides“. In Fundamental Aspects of Ultrathin Dielectrics on Si-based Devices, 493–502. Dordrecht: Springer Netherlands, 1998. http://dx.doi.org/10.1007/978-94-011-5008-8_37.
Der volle Inhalt der QuelleLu, Z. H. „Synchrotron and Conventional Photoemission Studies of Oxides and N20 Oxynitrides“. In Fundamental Aspects of Ultrathin Dielectrics on Si-based Devices, 49–63. Dordrecht: Springer Netherlands, 1998. http://dx.doi.org/10.1007/978-94-011-5008-8_4.
Der volle Inhalt der QuelleKonferenzberichte zum Thema "Ultrathin oxides"
Hirose, M., W. Mizubayashi, M. Fukuda und S. Miyazaki. „Characterization of ultrathin gate oxides for advanced MOSFETs“. In CHARACTERIZATION AND METROLOGY FOR ULSI TECHNOLOGY. ASCE, 1998. http://dx.doi.org/10.1063/1.56852.
Der volle Inhalt der QuelleMizubayashi, Wataru, Hiroshi Itokawa, Seiichi Miyazaki und Masataka Hirose. „Modeling of Soft Breakdown in Ultrathin Gate Oxides“. In 1999 International Conference on Solid State Devices and Materials. The Japan Society of Applied Physics, 1999. http://dx.doi.org/10.7567/ssdm.1999.a-10-2.
Der volle Inhalt der QuelleMizubayashi, W., Y. Yoshida, M. Narasaki, S. Miyazaki und M. Hirose. „Temperature-Dependent Soft Breakdown in Ultrathin Gate Oxides“. In 2000 International Conference on Solid State Devices and Materials. The Japan Society of Applied Physics, 2000. http://dx.doi.org/10.7567/ssdm.2000.b-6-3.
Der volle Inhalt der QuelleLin, H. C., M. F. Wang, C. C. Chen, S. K. Hsien, C. H. Chien, T. Y. Huang, C. Y. Chang und T. S. Chao. „Characterization of plasma charging damage in ultrathin gate oxides“. In 1998 IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings 36th Annual. IEEE, 1998. http://dx.doi.org/10.1109/relphy.1998.670662.
Der volle Inhalt der QuelleJoshi, Atul B., G. Q. Lo, J. Ahn, Windsor Ting und Dim-Lee Kwong. „Chemically modified ultrathin oxides fabricated by rapid thermal processing“. In Rapid thermal and Integrated Processing, herausgegeben von Mehrdad M. Moslehi, Rajendra Singh und Dim-Lee Kwong. SPIE, 1992. http://dx.doi.org/10.1117/12.56674.
Der volle Inhalt der QuelleMoon, Dae Won, Hyun Kyong Kim, Hwack Joo Lee, Yong Jai Cho und Hyun Mo Cho. „Thickness evaluation of ultrathin gate oxides at the limit“. In CHARACTERIZATION AND METROLOGY FOR ULSI TECHNOLOGY. ASCE, 1998. http://dx.doi.org/10.1063/1.56794.
Der volle Inhalt der QuelleHattangady, Sunil, D. T. Grider, Robert Kraft, Wei-Tsun Shiau, Monte A. Douglas, P. Nicollian, Mark Rodder et al. „Remote plasma nitrided oxides for ultrathin gate dielectric applications“. In Microelectronic Manufacturing, herausgegeben von David Burnett, Dirk Wristers und Toshiaki Tsuchiya. SPIE, 1998. http://dx.doi.org/10.1117/12.323956.
Der volle Inhalt der QuelleField, Alan H. „Process monitoring of ultrathin oxides using surface charge analysis“. In Microelectronic Manufacturing, herausgegeben von Damon K. DeBusk und Sergio A. Ajuria. SPIE, 1997. http://dx.doi.org/10.1117/12.284682.
Der volle Inhalt der QuelleSytchkova, A., D. Zola, M. L. Grilli, A. Piegari, M. Fang, H. He und J. Shao. „Interface plasmonic properties of silver coated by ultrathin metal oxides“. In SPIE Optical Systems Design, herausgegeben von Michel Lequime, H. Angus Macleod und Detlev Ristau. SPIE, 2011. http://dx.doi.org/10.1117/12.896769.
Der volle Inhalt der QuelleNishioka, Yasushiro, Kenji Namba, Mieko Matsumura, Tomoyuki Sakoda, Yoshinao Kumagai, Tadahiro Komeda, Hikaru Kobayashi, Tyuji Hoshino, Atsushi Ando und Kazushi Miki. „Surface Preparation, Growth, and Interface Control of Ultrathin Gate Oxides“. In 1998 International Conference on Solid State Devices and Materials. The Japan Society of Applied Physics, 1998. http://dx.doi.org/10.7567/ssdm.1998.b-4-2.
Der volle Inhalt der QuelleBerichte der Organisationen zum Thema "Ultrathin oxides"
Ludeke, R. Spatially Resolved Transport Studies and Microscopy of Ultrathin Metal-Oxide-Semiconductor Structures. Fort Belvoir, VA: Defense Technical Information Center, August 1997. http://dx.doi.org/10.21236/ada329531.
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