Zeitschriftenartikel zum Thema „Ultra Low Power CMOS RF“
Geben Sie eine Quelle nach APA, MLA, Chicago, Harvard und anderen Zitierweisen an
Machen Sie sich mit Top-50 Zeitschriftenartikel für die Forschung zum Thema "Ultra Low Power CMOS RF" bekannt.
Neben jedem Werk im Literaturverzeichnis ist die Option "Zur Bibliographie hinzufügen" verfügbar. Nutzen Sie sie, wird Ihre bibliographische Angabe des gewählten Werkes nach der nötigen Zitierweise (APA, MLA, Harvard, Chicago, Vancouver usw.) automatisch gestaltet.
Sie können auch den vollen Text der wissenschaftlichen Publikation im PDF-Format herunterladen und eine Online-Annotation der Arbeit lesen, wenn die relevanten Parameter in den Metadaten verfügbar sind.
Sehen Sie die Zeitschriftenartikel für verschiedene Spezialgebieten durch und erstellen Sie Ihre Bibliographie auf korrekte Weise.
Jin, Jie, Xianming Wu und Zhijun Li. „Ultra low power mixer with out-of-band RF energy harvesting for wireless sensor networks applications“. Engineering review 40, Nr. 1 (27.01.2020): 1–6. http://dx.doi.org/10.30765/er.40.1.01.
Der volle Inhalt der QuelleLa Rosa, Roberto, Danilo Demarchi, Sandro Carrara und Catherine Dehollain. „High-Efficiency Reconfigurable CMOS RF-to-DC Converter System for Ultra-Low-Power Wireless Sensor Nodes with Efficient MPPT Circuitry“. Chips 3, Nr. 1 (12.03.2024): 49–68. http://dx.doi.org/10.3390/chips3010003.
Der volle Inhalt der QuelleTan, Gim Heng, Roslina Mohd Sidek, Harikrishnan Ramiah, Wei Keat Chong und De Xing Lioe. „Ultra-Low-Voltage CMOS-Based Current Bleeding Mixer with High LO-RF Isolation“. Scientific World Journal 2014 (2014): 1–5. http://dx.doi.org/10.1155/2014/163414.
Der volle Inhalt der QuelleHaddad, Fayrouz, Wenceslas Rahajandraibe und Imen Ghorbel. „RF CMOS Oscillators Design for autonomous Connected Objects“. E3S Web of Conferences 88 (2019): 05001. http://dx.doi.org/10.1051/e3sconf/20198805001.
Der volle Inhalt der QuelleTaris, Thierry, Jennifer Desevedavy, Frederic Hameau, Patrick Audebert und Dominique Morche. „Inductorless Multi-Mode RF-CMOS Low Noise Amplifier Dedicated to Ultra Low Power Applications“. IEEE Access 9 (2021): 83431–40. http://dx.doi.org/10.1109/access.2021.3085990.
Der volle Inhalt der QuelleFenni, S. ,., F. Haddad, A. ,. Slimane, R. ,. Touhami und W. Rahajandraibe. „Design of Monolithic RF CMOS Sub-mW Self-Oscillating-Mixers“. WSEAS TRANSACTIONS ON CIRCUITS AND SYSTEMS 22 (21.04.2023): 23–27. http://dx.doi.org/10.37394/23201.2023.22.4.
Der volle Inhalt der QuelleHuang, Shuigen, Min Lin, Zongkun Zhou und Xiaoyun Li. „An ultra-low-power 2.4 GHz RF receiver in CMOS 55 nm process“. IEICE Electronics Express 15, Nr. 5 (2018): 20180016. http://dx.doi.org/10.1587/elex.15.20180016.
Der volle Inhalt der QuelleMurad, S. A. Z., Muhammad M. Ramli, A. Azizan, M. N. M. Yasin und I. S. Ishak. „Ultra-Low Power CMOS RF Mixer for Wireless Sensor Networks Application: A Review“. MATEC Web of Conferences 97 (2017): 01037. http://dx.doi.org/10.1051/matecconf/20179701037.
Der volle Inhalt der QuelleJayamon, Ashik C., Ankur Mukherjee, Sai Chandra Teja R. und Ashudeb Dutta. „High-efficiency CMOS charge pump for ultra-low power RF energy harvesting applications“. Integration 96 (Mai 2024): 102161. http://dx.doi.org/10.1016/j.vlsi.2024.102161.
Der volle Inhalt der QuelleAkhter, Muhammad Ovais, und Najam Muhammad Amin. „Design and Optimization of 2.1 mW ULP Doherty Power Amplifier with Interstage Capacitances Using 65 nm CMOS Technology“. Mathematical Problems in Engineering 2021 (19.11.2021): 1–12. http://dx.doi.org/10.1155/2021/3364016.
Der volle Inhalt der QuelleHashimoto, Takuma, Hikaru Nekozuka, Yoshitaka Toeda, Masayuki Otani, Yasuhiko Fukuoka und Toru Tanzawa. „A −31.7 dBm Sensitivity 0.011 mm2 CMOS On-Chip Rectifier for Microwave Wireless Power Transfer“. Electronics 12, Nr. 6 (15.03.2023): 1400. http://dx.doi.org/10.3390/electronics12061400.
Der volle Inhalt der QuelleSen, Dipanjan, Savio J. Sengupta, Swarnil Roy, Manash Chanda und Subir K. Sarkar. „Analytical Modeling of D.C. Parameters of Double Gate Junctionless MOSFET in Near and Subthreshold Regime for RF Circuit Application“. Nanoscience & Nanotechnology-Asia 10, Nr. 4 (26.08.2020): 457–70. http://dx.doi.org/10.2174/2210681209666190730170031.
Der volle Inhalt der QuelleGhosh, Sumalya, Bishnu Prasad De, K. B. Maji, R. Kar, D. Mandal und A. K. Mal. „Optimal Design of Ultra-Low-Power 2.4 GHz LNA for IEEE 802.15.4/Bluetooth Applications“. Journal of Circuits, Systems and Computers 29, Nr. 16 (30.06.2020): 2050261. http://dx.doi.org/10.1142/s0218126620502618.
Der volle Inhalt der QuelleLiu, Lian-xi, Jun-chao Mu, Ning Ma, Wei Tu, Zhang-ming Zhu und Yin-tang Yang. „An Ultra-Low-Power Integrated RF Energy Harvesting System in 65-nm CMOS Process“. Circuits, Systems, and Signal Processing 35, Nr. 2 (03.06.2015): 421–41. http://dx.doi.org/10.1007/s00034-015-0092-7.
Der volle Inhalt der QuelleNikseresht, Sasan, Daniel Fernández, Jordi Cosp-Vilella, Irina Selin-Lorenzo und Jordi Madrenas. „CMOS Wireless Hybrid Transceiver Powered by Integrated Photodiodes for Ultra-Low-Power IoT Applications“. Electronics 13, Nr. 1 (20.12.2023): 28. http://dx.doi.org/10.3390/electronics13010028.
Der volle Inhalt der QuelleAspemyr, L., und D. Linten. „An Ultra Low Voltage, Low Power, Fully Integrated VCO for GPS in 90 nm RF-CMOS“. Analog Integrated Circuits and Signal Processing 46, Nr. 1 (14.12.2005): 57–63. http://dx.doi.org/10.1007/s10470-005-4077-5.
Der volle Inhalt der QuelleChen, Ethan, und Vanessa Chen. „Statistical RF/Analog Integrated Circuit Design Using Combinatorial Randomness for Hardware Security Applications“. Mathematics 8, Nr. 5 (20.05.2020): 829. http://dx.doi.org/10.3390/math8050829.
Der volle Inhalt der QuelleAl-Shidaifat, AlaaDdin, Sandeep Kumar, Shubhro Chakrabartty und Hanjung Song. „A Conceptual Investigation at the Interface between Wireless Power Devices and CMOS Neuron IC for Retinal Image Acquisition“. Applied Sciences 10, Nr. 18 (04.09.2020): 6154. http://dx.doi.org/10.3390/app10186154.
Der volle Inhalt der QuelleMoraes Junior, Tarcisio Oliveira, Raimundo Carlos Silvério Freire und Cleonilson Protásio de Souza. „A High-Efficiency CMOS Rectifier for RF Using Bulk Biasing Control Circuit“. Journal of Integrated Circuits and Systems 13, Nr. 2 (04.10.2018): 1–6. http://dx.doi.org/10.29292/jics.v13i2.35.
Der volle Inhalt der QuelleHan, Peiqing, Zhaofeng Zhang, Yajun Xia und Niansong Mei. „A 920-MHz Dual-Mode Receiver with Energy Harvesting for UHF RFID Tag and IoT“. Electronics 9, Nr. 6 (24.06.2020): 1042. http://dx.doi.org/10.3390/electronics9061042.
Der volle Inhalt der QuelleRehman, Muhammad Riaz Ur, Imran Ali, Danial Khan, Muhammad Asif, Pervesh Kumar, Seong Jin Oh, Young Gun Pu et al. „A Design of Adaptive Control and Communication Protocol for SWIPT System in 180 nm CMOS Process for Sensor Applications“. Sensors 21, Nr. 3 (27.01.2021): 848. http://dx.doi.org/10.3390/s21030848.
Der volle Inhalt der QuelleKim, Jihoon. „A Wideband and Low-Power Distributed Cascode Mixer Using Inductive Feedback“. Sensors 22, Nr. 22 (21.11.2022): 9022. http://dx.doi.org/10.3390/s22229022.
Der volle Inhalt der QuelleLysenko, Igor, Alexey Tkachenko, Elena Sherova und Alexander Nikitin. „Analytical Approach in the Development of RF MEMS Switches“. Electronics 7, Nr. 12 (10.12.2018): 415. http://dx.doi.org/10.3390/electronics7120415.
Der volle Inhalt der QuelleRui Xu und Cam Nguyen. „An Ultra-Wideband Low Power-Consumption Low Noise-Figure High-Gain RF Power-Efficient DC–3.5-GHz CMOS Integrated Sampling Mixer Subsystem“. IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques 56, Nr. 5 (Mai 2008): 1069–75. http://dx.doi.org/10.1109/tmtt.2008.920163.
Der volle Inhalt der QuelleKhaleel, Farooq A., und Mohammed Nadhim Abbas. „Ultra low power and highly linearized LNA for V-band RF applications in 180 nm CMOS technology“. IEICE Electronics Express 14, Nr. 5 (2017): 20170066. http://dx.doi.org/10.1587/elex.14.20170066.
Der volle Inhalt der QuelleSeethur, Rashmi, Siva Yellampalli und Shreedhar H. K. „Design of Common Gate Current-Reuse Noise Cancellation UWB Low Noise Amplifier in 90nm CMOS“. International Journal of Electronics, Communications, and Measurement Engineering 11, Nr. 1 (01.01.2022): 1–14. http://dx.doi.org/10.4018/ijecme.312257.
Der volle Inhalt der QuelleZhang, Zhihao, Jing Li, Lin Peng und Bo Sun. „Multi-Band Power Amplifier Module with Back-Off Efficiency Improvement using Ultra-Compact 3D Vertical Stack Multi-Chip Package for Cellular Handsets“. Micromachines 13, Nr. 11 (15.11.2022): 1976. http://dx.doi.org/10.3390/mi13111976.
Der volle Inhalt der QuelleLee, Yongho, Shinil Chang, Jungah Kim und Hyunchol Shin. „A CMOS RF Receiver with Improved Resilience to OFDM-Induced Second-Order Intermodulation Distortion for MedRadio Biomedical Devices and Sensors“. Sensors 21, Nr. 16 (05.08.2021): 5303. http://dx.doi.org/10.3390/s21165303.
Der volle Inhalt der QuelleSiddiqui, Muhammad Faisal, Mukesh Kumar Maheshwari, Muhammad Raza und Aurangzeb Rashid Masud. „Design and Optimization of an Ultra-Low-Power Cross-Coupled LC VCO with a DFF Frequency Divider for 2.4 GHz RF Receivers Using 65 nm CMOS Technology“. Journal of Low Power Electronics and Applications 13, Nr. 4 (07.10.2023): 54. http://dx.doi.org/10.3390/jlpea13040054.
Der volle Inhalt der QuelleTu, Cheng, Zhao-Qiang Chu, Benjamin Spetzler, Patrick Hayes, Cun-Zheng Dong, Xian-Feng Liang, Huai-Hao Chen et al. „Mechanical-Resonance-Enhanced Thin-Film Magnetoelectric Heterostructures for Magnetometers, Mechanical Antennas, Tunable RF Inductors, and Filters“. Materials 12, Nr. 14 (13.07.2019): 2259. http://dx.doi.org/10.3390/ma12142259.
Der volle Inhalt der QuelleTrojman, Lionel, Eduardo Holguin, Marco Villegas, Luis-Miguel Procel und Ramiro Taco. „From 32 nm to TFET Technology: New Perspectives for Ultra-Scaled RF-DC Multiplier Circuits“. Electronics 11, Nr. 4 (10.02.2022): 525. http://dx.doi.org/10.3390/electronics11040525.
Der volle Inhalt der QuellePekarik, Jack, Vibhor Jain, Crystal Kenney, Judson Holt, Shweta Khokale, Sudesh Saroop, Jeffrey Johnson et al. „Challenges for Sige Bicmos in Advanced-Node SOI“. ECS Meeting Abstracts MA2022-02, Nr. 32 (09.10.2022): 1196. http://dx.doi.org/10.1149/ma2022-02321196mtgabs.
Der volle Inhalt der QuelleLee, Yao-Jen, Shu-Wei Chang, Wen-Hsi Lee und Yeong-Her Wang. „(Invited, Digital Presentation) Heterogeneous IGZO/Si CFET Monolithic 3D Integration“. ECS Meeting Abstracts MA2022-02, Nr. 35 (09.10.2022): 1289. http://dx.doi.org/10.1149/ma2022-02351289mtgabs.
Der volle Inhalt der QuelleLamy, Yann, Florian Dupont, Guillaume Rodriguez, Messaoud Bedjaoui, Pierre Perreau, Marie Bousquet, Alexandre Reinhardt und Sami Oukassi. „(Invited) Lithium-Based Components Integrated on Silicon: Disruptive, Promising and Credible Solutions for 5G & Beyond“. ECS Meeting Abstracts MA2022-01, Nr. 29 (07.07.2022): 1286. http://dx.doi.org/10.1149/ma2022-01291286mtgabs.
Der volle Inhalt der QuelleKunert, Bernardette, Yves Mols, Reynald Alcotte, Peter Swekis, Sachin Yadav, Abhitosh Vais, Annie Kumar et al. „(Invited) Integration of InP Heterojunction Bipolar Transistors on Silicon Substrates for 6G Networks“. ECS Meeting Abstracts MA2023-01, Nr. 33 (28.08.2023): 1852. http://dx.doi.org/10.1149/ma2023-01331852mtgabs.
Der volle Inhalt der QuelleSteyaert, M. S. J., B. De Muer, P. Leroux, M. Borremans und K. Mertens. „Low-voltage low-power CMOS-RF transceiver design“. IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques 50, Nr. 1 (2002): 281–87. http://dx.doi.org/10.1109/22.981281.
Der volle Inhalt der QuelleSalama, Mohammed K., und Ahmed M. Soliman. „Low-voltage low-power CMOS RF low noise amplifier“. AEU - International Journal of Electronics and Communications 63, Nr. 6 (Juni 2009): 478–82. http://dx.doi.org/10.1016/j.aeue.2008.03.007.
Der volle Inhalt der QuelleYousef, K., H. Jia, R. Pokharel, A. Allam, M. Ragab, H. Kanaya und K. Yoshida. „CMOS Ultra-Wideband Low Noise Amplifier Design“. International Journal of Microwave Science and Technology 2013 (30.04.2013): 1–6. http://dx.doi.org/10.1155/2013/328406.
Der volle Inhalt der QuelleShirazi, Amir Hossein Masnadi, und Shahriar Mirabbasi. „An ultra-low-voltage ultra-low-power CMOS active mixer“. Analog Integrated Circuits and Signal Processing 77, Nr. 3 (08.10.2013): 513–28. http://dx.doi.org/10.1007/s10470-013-0163-2.
Der volle Inhalt der QuelleSalama, Mohammed K., und Ahmed M. Soliman. „Low-Voltage Low-Power CMOS RF Four-Quadrant Multiplier“. AEU - International Journal of Electronics and Communications 57, Nr. 1 (Januar 2003): 74–78. http://dx.doi.org/10.1078/1434-8411-54100143.
Der volle Inhalt der QuelleKhan, Shahid. „Design of Ultra Low Power CMOS Inverter“. IJIREEICE 5, Nr. 3 (15.03.2017): 55–57. http://dx.doi.org/10.17148/ijireeice.2017.5312.
Der volle Inhalt der QuelleYang, Sang-hyeok, Kyoung-bum Kim, Eung-ju Kim, Kwang-hyun Baek und Suki Kim. „An ultra low power CMOS motion detector“. IEEE Transactions on Consumer Electronics 55, Nr. 4 (November 2009): 2425–30. http://dx.doi.org/10.1109/tce.2009.5373819.
Der volle Inhalt der QuelleFERREIRA, L. H. C., T. C. PIMENTA und R. L. MORENO. „An Ultra Low-Voltage Ultra Low-Power CMOS Threshold Voltage Reference“. IEICE Transactions on Electronics E90-C, Nr. 10 (01.10.2007): 2044–50. http://dx.doi.org/10.1093/ietele/e90-c.10.2044.
Der volle Inhalt der QuelleNASEH, SASAN, und M. JAMAL DEEN. „RF CMOS RELIABILITY“. International Journal of High Speed Electronics and Systems 11, Nr. 04 (Dezember 2001): 1249–95. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156401001088.
Der volle Inhalt der QuelleThanachayanont, A. „Low-voltage low-power high-Q CMOS RF bandpass filter“. Electronics Letters 38, Nr. 13 (2002): 615. http://dx.doi.org/10.1049/el:20020440.
Der volle Inhalt der QuelleSreenivasulu, Patikineti, Srinivasa Rao und Vinaya Babu. „Ultra-Low Power Designing for CMOS Sequential Circuits“. International Journal of Communications, Network and System Sciences 08, Nr. 05 (2015): 146–53. http://dx.doi.org/10.4236/ijcns.2015.85016.
Der volle Inhalt der QuelleDas, Jayita, Syed M. Alam und Sanjukta Bhanja. „Ultra-Low Power Hybrid CMOS-Magnetic Logic Architecture“. IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers 59, Nr. 9 (September 2012): 2008–16. http://dx.doi.org/10.1109/tcsi.2012.2185311.
Der volle Inhalt der QuelleZhou, Sheng-hua, Wancheng Zhang und Nan-Jian Wu. „An ultra-low power CMOS random number generator“. Solid-State Electronics 52, Nr. 2 (Februar 2008): 233–38. http://dx.doi.org/10.1016/j.sse.2007.08.008.
Der volle Inhalt der QuelleZhou, Yijun, und Michael Yan-Wah Chia. „A Low-Power Ultra-Wideband CMOS True RMS Power Detector“. IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques 56, Nr. 5 (Mai 2008): 1052–58. http://dx.doi.org/10.1109/tmtt.2008.921299.
Der volle Inhalt der QuelleWong, Sew-Kin, Fabian Kung Wai Lee, Siti Maisurah und Mohd Nizam Bin Osman. „A WIMEDIA COMPLIANT CMOS RF POWER AMPLIFIER FOR ULTRA-WIDEBAND (UWB) TRANSMITTER“. Progress In Electromagnetics Research 112 (2011): 329–47. http://dx.doi.org/10.2528/pier10122303.
Der volle Inhalt der Quelle