Zeitschriftenartikel zum Thema „TZM - SiC“
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Portelli, Marcus, Alessandro Bertarelli, Federico Carra, Michele Pasquali, Nicholas Sammut und Pierluigi Mollicone. „Numerical and experimental benchmarking of the dynamic response of SiC and TZM specimens in the MultiMat experiment“. Mechanics of Materials 138 (November 2019): 103169. http://dx.doi.org/10.1016/j.mechmat.2019.103169.
Der volle Inhalt der QuelleNikzad Khangholi, Siamak, Mousa Javidani, Alexandre Maltais und X. Grant Chen. „Investigation on electrical conductivity and hardness of 6xxx aluminum conductor alloys with different Si levels“. MATEC Web of Conferences 326 (2020): 08002. http://dx.doi.org/10.1051/matecconf/202032608002.
Der volle Inhalt der QuelleLiu, R. J., L. M. Porter, M. J. Kim, R. W. Carpenter und R. F. Davis. „Microstructure of Cr-B Ohmic and Rectifying Contacts on (0001) 6H Sic“. Microscopy and Microanalysis 3, S2 (August 1997): 641–42. http://dx.doi.org/10.1017/s1431927600038484.
Der volle Inhalt der QuelleLiu, R. J., L. M. Porter, M. J. Kim, R. W. Carpenter und R. F. Davis. „Microstructure of Cr-B Ohmic and Rectifying Contacts on (0001) 6H Sic“. Microscopy and Microanalysis 3, S2 (August 1997): 641–42. http://dx.doi.org/10.1017/s1431927600010096.
Der volle Inhalt der QuellePark, K., und C. Sung. „Characterization of SiC fiber-reinforced SiC composites by TEM“. Proceedings, annual meeting, Electron Microscopy Society of America 52 (1994): 632–33. http://dx.doi.org/10.1017/s042482010017089x.
Der volle Inhalt der QuelleAoki, Masahiko, Megumi Miyazaki, Taro Nishiguchi, Hiroyuki Kinoshita und Masahiro Yoshimoto. „TEM Observation of the Polytype Transformation of Bulk SiC Ingot“. Materials Science Forum 600-603 (September 2008): 365–68. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.600-603.365.
Der volle Inhalt der QuelleWang, E. Y., X. Pan, J. P. Mansfield, T. Kennedy und S. Hampshire. „TEM Studies of Silicon Nitride-Silicon Carbide Nanocomposites“. Microscopy and Microanalysis 3, S2 (August 1997): 411–12. http://dx.doi.org/10.1017/s1431927600008941.
Der volle Inhalt der QuelleBertrand, S., C. Droillard, R. Pailler, X. Bourrat und R. Naslain. „TEM structure of (PyC/SiC)n multilayered interphases in SiC/SiC composites“. Journal of the European Ceramic Society 20, Nr. 1 (Januar 2000): 1–13. http://dx.doi.org/10.1016/s0955-2219(99)00086-2.
Der volle Inhalt der QuelleDiot, C., und V. Arnault. „Orientation Anisotropy in SiC Matrix of Unidirectional SiC/SiC Composite“. Textures and Microstructures 14 (1991): 389–95. http://dx.doi.org/10.1155/tsm.14-18.389.
Der volle Inhalt der QuelleNutt, S. R., und David J. Smith. „High-resolution TEM of thin-film β-SiC interfaces“. Proceedings, annual meeting, Electron Microscopy Society of America 44 (August 1986): 408–9. http://dx.doi.org/10.1017/s0424820100143638.
Der volle Inhalt der QuelleCarter, C. H., J. E. Lane, J. Bentley und R. F. Davis. „Determination of creep mechanisms in various silicon carbides via TEM“. Proceedings, annual meeting, Electron Microscopy Society of America 44 (August 1986): 484–87. http://dx.doi.org/10.1017/s0424820100143973.
Der volle Inhalt der QuelleMatsuhata, Hirofumi, Junji Senzaki, Ichiro Nagai und Hirotaka Yamaguchi. „TEM Observation of SiO2/4H-SiC Hetero Interface“. Materials Science Forum 600-603 (September 2008): 671–74. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.600-603.671.
Der volle Inhalt der QuelleLiu, R. J., M. J. Kim, R. W. Carpenter, L. M. Porter, L. P. Scheunemann und R. F. Davis. „A TEM Study of Cr Based Contacts to (0001) 6H-SiC“. Microscopy and Microanalysis 6, S2 (August 2000): 1064–65. http://dx.doi.org/10.1017/s1431927600037818.
Der volle Inhalt der QuelleMarinova, Maya, Alkyoni Mantzari, Milena Beshkova, Mikael Syväjärvi, Rositza Yakimova und Efstathios K. Polychroniadis. „TEM Investigation of the 3C/6H-SiC Transformation Interface in Layers Grown by Sublimation Epitaxy“. Solid State Phenomena 163 (Juni 2010): 97–100. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.163.97.
Der volle Inhalt der QuellePerić Gavrančić, Sanja. „Sic etiam Croati“. Povijesni prilozi 39, Nr. 58 (2020): 7–28. http://dx.doi.org/10.22586/pp.v39i58.10115.
Der volle Inhalt der QuelleBorysiuk, Jolanta, Wlodek Strupiński, Rafał Bożek, Andrzej Wysmolek und Jacek M. Baranowski. „TEM Investigations of Graphene on 4H-SiC(0001)“. Materials Science Forum 615-617 (März 2009): 207–10. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.615-617.207.
Der volle Inhalt der QuellePlummer, H. K., S. E. Shinozaki, B. N. Juterbock und R. M. Williams. „TEM Observation of a Mechanically Thinned SiC Material“. Proceedings, annual meeting, Electron Microscopy Society of America 43 (August 1985): 232–33. http://dx.doi.org/10.1017/s0424820100118084.
Der volle Inhalt der QuelleGkanatsiou, Alexandra, Christos B. Lioutas, Nikolaos Frangis, Narendraraj Chandraraj, Efstathios K. Polychroniadis, Pawel Prystawko und Mike Leszczynski. „TEM Study of AlGaN/GaN on Hexagonal SiC Substrates“. Advanced Materials Research 936 (Juni 2014): 656–60. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.936.656.
Der volle Inhalt der QuelleMarinova, Maya, Georgios Zoulis, Teddy Robert, Frédéric Mercier, Alkyoni Mantzari, Irina G. Galben-Sandulache, Olivier Kim-Hak et al. „TEM and LTPL Investigations of 3C-SiC Layers Grown by LPE on (100) and (111) 3C-SiC Seeds“. Materials Science Forum 645-648 (April 2010): 383–86. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.645-648.383.
Der volle Inhalt der QuelleKameda, Toshimasa, Atsuo Tomita, Takaaki Matsui und Toshiyuki Isshiki. „TEM Observation of Defect Structure of Low-Energy Ion Implanted SiC“. Materials Science Forum 778-780 (Februar 2014): 350–53. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.778-780.350.
Der volle Inhalt der QuelleElizalde, M. R., E. Paris und J. Gil-Sevillano. „La intercara fibra-matriz de un compuesto CMC de SiC-SiC: Comparación de imágenes SEM, TEM y AFM“. Revista de Metalurgia 34, Extra (30.05.1998): 226–31. http://dx.doi.org/10.3989/revmetalm.1998.v34.iextra.743.
Der volle Inhalt der QuelleSwiderska-Sroda, Anna, J. A. Kozubowski, A. Maranda-Niedbala, Ewa Grzanka, Bogdan F. Palosz, A. Presz, Stanislaw Gierlotka et al. „Investigation of the Microstructure of SiC-Zn Nanocomposites by Microscopic Methods: SEM, AFM and TEM“. Solid State Phenomena 101-102 (Januar 2005): 151–56. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.101-102.151.
Der volle Inhalt der QuelleRossi, Francesca, Filippo Fabbri, Giovanni Attolini, Matteo Bosi, Bernard Enrico Watts und Giancarlo Salviati. „TEM and SEM-CL Studies of SiC Nanowires“. Materials Science Forum 645-648 (April 2010): 387–90. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.645-648.387.
Der volle Inhalt der QuelleRuterana, P., B. Beaumont, P. Gibart und Y. Melnik. „A TEM study of GaN grown by ELO on (0001) 6H-SiC“. MRS Internet Journal of Nitride Semiconductor Research 5, S1 (2000): 76–82. http://dx.doi.org/10.1557/s1092578300004105.
Der volle Inhalt der QuelleBorysiuk, Jolanta, Rafał Bożek, Wlodek Strupiński und Jacek M. Baranowski. „Graphene Growth on C and Si-Face of 4H-SiC – TEM and AFM Studies“. Materials Science Forum 645-648 (April 2010): 577–80. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.645-648.577.
Der volle Inhalt der QuelleLiu, J. Q., M. Skowronski, P. G. Neudeck und J. A. Powell. „TEM Observation on Single Defect in SiC“. Microscopy and Microanalysis 8, S02 (August 2002): 1180–81. http://dx.doi.org/10.1017/s143192760210777x.
Der volle Inhalt der QuelleDanishevskii, A. M., M. V. Zamoryanskaya, A. A. Sitnikova, V. B. Shuman und A. A. Suvorova. „TEM and cathodoluminescence studies of porous SiC“. Semiconductor Science and Technology 13, Nr. 10 (01.10.1998): 1111–16. http://dx.doi.org/10.1088/0268-1242/13/10/010.
Der volle Inhalt der QuelleAlani, R., und P. R. Swann. „TEM specimen preparation of individual SiC/C composite (SCS-6) fibers“. Proceedings, annual meeting, Electron Microscopy Society of America 49 (August 1991): 1104–5. http://dx.doi.org/10.1017/s0424820100089834.
Der volle Inhalt der QuelleLee, B.-T., D.-K. Kim, C.-K. Moon, J. K. Kim, Y. H. Seo, K. S. Nahm, H. J. Lee et al. „Microstructural investigation of low temperature chemical vapor deposited 3C-SiC/Si thin films using single-source precursors“. Journal of Materials Research 14, Nr. 1 (Januar 1999): 24–28. http://dx.doi.org/10.1557/jmr.1999.0006.
Der volle Inhalt der QuelleBow, J. S., F. Shaapur, M. J. Kim und R. W. Carpenter. „Preparation of thin-film-metal/6H-SiC TEM specimens by RPR ion milling“. Proceedings, annual meeting, Electron Microscopy Society of America 51 (01.08.1993): 714–15. http://dx.doi.org/10.1017/s0424820100149404.
Der volle Inhalt der QuelleMantzari, Alkyoni, Christos B. Lioutas und Efstathios K. Polychroniadis. „A TEM Study of Inversion Domain Boundaries Annihilation Mechanism in 3C-SiC during Growth“. Materials Science Forum 615-617 (März 2009): 331–34. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.615-617.331.
Der volle Inhalt der QuelleYano, Toyohiko, Yoo Yamamoto und K. Yoshida. „TEM Investigation and Fracture Behavior of SiC/SiC Composites Fabricated by Hot-Pressing“. Key Engineering Materials 166 (April 1999): 135–38. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/kem.166.135.
Der volle Inhalt der QuelleZhou, W. L., F. Namavar, P. C. Colter, M. Yoganathan, M. W. Leksono und J. I. Pankove. „Characterization of GaN Grown on SiC on Si/SiO2/Si by Metalorganic Chemical Vapor Deposition“. Journal of Materials Research 14, Nr. 4 (April 1999): 1171–74. http://dx.doi.org/10.1557/jmr.1999.0155.
Der volle Inhalt der QuelleLebedev, Sergey P., Alexander A. Lebedev, Alla A. Sitnikova, Demid A. Kirilenko, Natasha V. Seredova, Alla S. Tregubova und Mikhail P. Scheglov. „Heteroepitaxial Growth of 3C-SiC on Polar Faces of 6H-SiC Substrates, TEM Investigations“. Materials Science Forum 740-742 (Januar 2013): 267–70. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.740-742.267.
Der volle Inhalt der QuelleGiannuzzi, L. A., C. A. Lewinsohn, C. E. Bakis und R. E. Tressler. „TEM of grain growth and phase transformations during creep of SCS-6 silicon carbide fibers“. Proceedings, annual meeting, Electron Microscopy Society of America 53 (13.08.1995): 350–51. http://dx.doi.org/10.1017/s0424820100138129.
Der volle Inhalt der QuelleCabibbo, Marcello. „Strengthening Evaluation in a Composite Mg-RE Alloy Using TEM“. Materials Science Forum 678 (Februar 2011): 75–84. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.678.75.
Der volle Inhalt der QuelleBow, J. S., M. J. Kim und R. W. Carpenter. „Comparative Oxidation Studies of Polycrystalline HP and CVD Silicon Carbides by TEM“. Proceedings, annual meeting, Electron Microscopy Society of America 49 (August 1991): 938–39. http://dx.doi.org/10.1017/s0424820100089007.
Der volle Inhalt der QuelleDas, G., und R. E. Omlor. „TEM characterization of reaction zone in a SiC fiber-reinforced titanium alloy“. Proceedings, annual meeting, Electron Microscopy Society of America 46 (1988): 738–39. http://dx.doi.org/10.1017/s0424820100105758.
Der volle Inhalt der QuelleBurke, M. G., M. N. Gungor und P. K. Liaw. „TEM examination of 2014-SiC metal matrix composite“. Proceedings, annual meeting, Electron Microscopy Society of America 46 (1988): 726–27. http://dx.doi.org/10.1017/s0424820100105692.
Der volle Inhalt der QuelleOlivier, E. J., und J. H. Neethling. „TEM analysis of planar defects in β-SiC“. International Journal of Refractory Metals and Hard Materials 27, Nr. 2 (März 2009): 443–48. http://dx.doi.org/10.1016/j.ijrmhm.2008.09.013.
Der volle Inhalt der QuellePirouz, P., und J. W. Yang. „Polytypic transformations in SiC: the role of TEM“. Ultramicroscopy 51, Nr. 1-4 (Juni 1993): 189–214. http://dx.doi.org/10.1016/0304-3991(93)90146-o.
Der volle Inhalt der QuelleSitnikova, A. A., E. N. Mokhov und E. I. Radovanova. „TEM Investigation of Radiation Defects in SiC Crystals“. Physica Status Solidi (a) 135, Nr. 2 (16.02.1993): K45—K49. http://dx.doi.org/10.1002/pssa.2211350232.
Der volle Inhalt der QuelleMore, K. L. „An investigation of ion beam and pulsed laser Ni-SiC mixed surface structures by cross-sectional TEM“. Proceedings, annual meeting, Electron Microscopy Society of America 44 (August 1986): 512–13. http://dx.doi.org/10.1017/s0424820100144073.
Der volle Inhalt der QuelleYOON, HAN-KI, HO-JUN CHO, AKIRA KOHYAMA und TETSUJI NODA. „R&D OF SICF/SIC COMPOSITE FOR FUSION REACTOR MATERIAL“. International Journal of Modern Physics B 25, Nr. 31 (20.12.2011): 4212–15. http://dx.doi.org/10.1142/s021797921106660x.
Der volle Inhalt der QuelleShibayama, T., H. Takahashi, M. Kawasaki und A. Kohyama. „Interface structure analysis of SiC fibres reinforced SiC matrix composites by energy filtering TEM“. Journal of Electron Microscopy 48, Nr. 6 (01.01.1999): 893–97. http://dx.doi.org/10.1093/oxfordjournals.jmicro.a023762.
Der volle Inhalt der QuelleHusnayani, Ihda, und Muzakkiy Putra Muhammad Akhir. „COLLISION CASCADE AND PRIMARY RADIATION DAMAGE IN SILICON CARBIDE: A MOLECULAR DYNAMICS STUDY“. JURNAL TEKNOLOGI REAKTOR NUKLIR TRI DASA MEGA 24, Nr. 3 (09.11.2022): 131. http://dx.doi.org/10.17146/tdm.2022.24.3.6702.
Der volle Inhalt der QuelleYasui, Kanji, T. Kurimoto, Masasuke Takata und Tadashi Akahane. „SiCOI Structure Fabricated by Hot-Mesh Chemical Vapor Deposition“. Advanced Materials Research 11-12 (Februar 2006): 257–60. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.11-12.257.
Der volle Inhalt der QuelleChien, F. R., S. R. Nutt, W. S. Yoo, T. Kimoto und H. Matsunami. „Terrace growth and polytype development in epitaxial β-SiC films on α-SiC (6H and 15R) substrates“. Journal of Materials Research 9, Nr. 4 (April 1994): 940–54. http://dx.doi.org/10.1557/jmr.1994.0940.
Der volle Inhalt der QuelleFang, J., H. M. Chan und M. P. Harmer. „TEM investigations of surface residual stress relaxation in A12O3 and Al2O3-SiC nanocomposite“. Proceedings, annual meeting, Electron Microscopy Society of America 52 (1994): 628–29. http://dx.doi.org/10.1017/s0424820100170876.
Der volle Inhalt der QuelleGokhman, Aleksandr R., Andreas Ulbricht, Uwe Birkenheuer und Frank Bergner. „Cluster Dynamics Study of Neutron Irradiation Induced Defects in Fe-12.5at%Cr Alloy“. Solid State Phenomena 172-174 (Juni 2011): 449–57. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.172-174.449.
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