Bücher zum Thema „Transistors HEMT“
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Lee, Ross R., Svensson Stefan P und Lugli P. 1956-, Hrsg. Pseudomorphic HEMT technology and applications. Dordrecht: Kluwer Academic, 1996.
Den vollen Inhalt der Quelle findenQ, Lee Richard, und United States. National Aeronautics and Space Administration., Hrsg. Planar dielectric resonator stabilized HEMT oscillator integrated with CPW/aperture coupled patch antenna. [Washington, D.C.]: National Aeronautics and Space Administration, 1991.
Den vollen Inhalt der Quelle findenFreeman, Jon C. Basic equations for the modeling of gallium nitride (GaN) high electron mobility transistors (HEMTs). [Cleveland, Ohio]: National Aeronautics and Space Administration, Glenn Research Center, 2003.
Den vollen Inhalt der Quelle findenDuran, Halit C. High performance InP-based HEMTs with dry etched gate recess. Konstanz: Hartung-Gorre Verlag, 1998.
Den vollen Inhalt der Quelle findenAnholt, Robert. Electrical and thermal characterization of MESFETs, HEMTs, and HBTs. Boston: Artech House, 1995.
Den vollen Inhalt der Quelle findenLadbrooke, Peter H. MMIC design: GaAs FETS and HEMTs. Boston: Artech House, 1989.
Den vollen Inhalt der Quelle findenJu, Y. Sungtaek. Microscale Heat Conduction in Integrated Circuits and Their Constituent Films. Boston, MA: Springer US, 1999.
Den vollen Inhalt der Quelle findenJu, Y. Sungtaek. Microscale heat conduction in integrated circuits and their constituent films. Boston: Kluwer Academic, 1999.
Den vollen Inhalt der Quelle findenJu, Y. Sungtaek. Microscale heat conduction in integrated circuits and their constituent films. Boston: Kluwer Academic, 1999.
Den vollen Inhalt der Quelle findenInternational High Temperature Electronics Conference (4th 1998 Albuquerque, N.M.). 1998 Fourth International High Temperature Electronics Conference: HITEC, Albuquerque, New Mexico, USA, June 14-18, 1998. New York City, NY: The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc., 1998.
Den vollen Inhalt der Quelle findenEliason, Garth W. HEMT-compatible laser diodes. 1994.
Den vollen Inhalt der Quelle findenEliason, Garth W. HEMT-compatible laser diodes. 1994.
Den vollen Inhalt der Quelle findenRoss, R. L., und Silvana Lombardo. Pseudomorphic HEMT Technology and Applications. Springer, 2012.
Den vollen Inhalt der Quelle findenChang, Chujyh. Modeling and characterization of hemt devices. 1989.
Den vollen Inhalt der Quelle findenAdvanced Indium Arsenide-Based HEMT Architectures for Terahertz Applications. Taylor & Francis Group, 2023.
Den vollen Inhalt der Quelle findenAdvanced Indium Arsenide-Based HEMT Architectures for Terahertz Applications. CRC Press, 2021.
Den vollen Inhalt der Quelle findenMohankumar, N. Advanced Indium Arsenide-Based HEMT Architectures for Terahertz Applications. Taylor & Francis Group, 2021.
Den vollen Inhalt der Quelle findenNirmal, D., und J. Ajayan. Handbook for III-V High Electron Mobility Transistor Technologies. Taylor & Francis Group, 2020.
Den vollen Inhalt der Quelle findenNirmal, D., und J. Ajayan. Handbook for III-V High Electron Mobility Transistor Technologies. Taylor & Francis Group, 2019.
Den vollen Inhalt der Quelle findenNirmal, D., und J. Ajayan. Handbook for III-V High Electron Mobility Transistor Technologies. Taylor & Francis Group, 2019.
Den vollen Inhalt der Quelle findenHandbook for III-V High Electron Mobility Transistor Technologies. Taylor & Francis Group, 2019.
Den vollen Inhalt der Quelle findenFundamentals of III-V devices: HBTs, MESFETs, and HFETs/HEMTs. New York: Wiley, 1999.
Den vollen Inhalt der Quelle findenLiu, William. Fundamentals of III-V Devices: HBTs, MESFETs, and HFETs/HEMTs. Wiley & Sons, Incorporated, John, 2008.
Den vollen Inhalt der Quelle findenBryant, Kathleen Cooper. The analysis of a transistor cap as a heat dissipator. 1986.
Den vollen Inhalt der Quelle findenChauhan, Yogesh Singh, Sheikh Aamir Ahsan, Ahtisham Ul Haq Pampori und Raghvendra Dangi. GaN Transistor Modeling for RF and Power Electronics: Using the ASM-GaN-HEMT Model. Elsevier Science & Technology, 2023.
Den vollen Inhalt der Quelle findenGaN Transistor Modeling for RF and Power Electronics: Using the ASM-GaN-HEMT Model. Elsevier Science & Technology, 2023.
Den vollen Inhalt der Quelle findenNational Aeronautics and Space Administration (NASA) Staff. Basic Equations for the Modeling of Gallium Nitride (Gan) High Electron Mobility Transistors (Hemts). Independently Published, 2018.
Den vollen Inhalt der Quelle findenBergamaschi, Crispino Enrico. Herstellung, Charakterisierung und Modellierung von InAlAs/InGaAs/InP HEMT Transistoren für Anwendungen im mm-Wellenbereich. 1994.
Den vollen Inhalt der Quelle findenAnderson, James A. Computing Hardware. Oxford University Press, 2018. http://dx.doi.org/10.1093/acprof:oso/9780199357789.003.0003.
Der volle Inhalt der QuelleJu, Y. Sungtaek, und Kenneth E. Goodson. Microscale Heat Conduction in Integrated Circuits and Their Constituent Films (Microsystems). Springer, 1999.
Den vollen Inhalt der Quelle findenLin, Angela A. Two dimensional numerical simulation of a non-isothermal GaAs MESFET. 1992.
Den vollen Inhalt der Quelle finden1998 Fourth International High Temperature Electronics Conference: HITEC, Albuquerque, New Mexico, USA, June 14-18, 1998. The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc, 1998.
Den vollen Inhalt der Quelle findenInstitute Of Electrical and Electronics Engineers und International High Temperature Electronics Conference 1998 albuquerqu. High Temperature Electronics Conference, 1998 4th International. Institute of Electrical & Electronics Enginee, 1999.
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