Bücher zum Thema „Transistor effect“
Geben Sie eine Quelle nach APA, MLA, Chicago, Harvard und anderen Zitierweisen an
Machen Sie sich mit Top-50 Bücher für die Forschung zum Thema "Transistor effect" bekannt.
Neben jedem Werk im Literaturverzeichnis ist die Option "Zur Bibliographie hinzufügen" verfügbar. Nutzen Sie sie, wird Ihre bibliographische Angabe des gewählten Werkes nach der nötigen Zitierweise (APA, MLA, Harvard, Chicago, Vancouver usw.) automatisch gestaltet.
Sie können auch den vollen Text der wissenschaftlichen Publikation im PDF-Format herunterladen und eine Online-Annotation der Arbeit lesen, wenn die relevanten Parameter in den Metadaten verfügbar sind.
Sehen Sie die Bücher für verschiedene Spezialgebieten durch und erstellen Sie Ihre Bibliographie auf korrekte Weise.
Zhang, Lining, und Mansun Chan, Hrsg. Tunneling Field Effect Transistor Technology. Cham: Springer International Publishing, 2016. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-319-31653-6.
Der volle Inhalt der QuelleWang, Shiyu, Zakir Hossain, Yan Zhao und Tao Han. Graphene Field-Effect Transistor Biosensors. Singapore: Springer Singapore, 2021. http://dx.doi.org/10.1007/978-981-16-1212-1.
Der volle Inhalt der QuellePark, Byung-Eun, Hiroshi Ishiwara, Masanori Okuyama, Shigeki Sakai und Sung-Min Yoon, Hrsg. Ferroelectric-Gate Field Effect Transistor Memories. Singapore: Springer Singapore, 2020. http://dx.doi.org/10.1007/978-981-15-1212-4.
Der volle Inhalt der QuellePark, Byung-Eun, Hiroshi Ishiwara, Masanori Okuyama, Shigeki Sakai und Sung-Min Yoon, Hrsg. Ferroelectric-Gate Field Effect Transistor Memories. Dordrecht: Springer Netherlands, 2016. http://dx.doi.org/10.1007/978-94-024-0841-6.
Der volle Inhalt der QuelleShvart͡s, N. Z. Usiliteli SVCh na polevykh tranzistorakh. Moskva: Radio i sviazʹ, 1987.
Den vollen Inhalt der Quelle findenCorporation, Mitsubishi Electric. Ga As field effect transistor(chip) databook. Tokyo: Mitsubishi Electric Corporation, 1986.
Den vollen Inhalt der Quelle findenAmiri, Iraj Sadegh, und Mahdiar Ghadiry. Analytical Modelling of Breakdown Effect in Graphene Nanoribbon Field Effect Transistor. Singapore: Springer Singapore, 2018. http://dx.doi.org/10.1007/978-981-10-6550-7.
Der volle Inhalt der QuelleMarston, R. M. Diode, transistor & FET circuits manual. Oxford: Newnes, 1991.
Den vollen Inhalt der Quelle findenCorporation, Mitsubishi Electric. GaAs field effect transistor MGF 1900 series user's manual. Tokyo: Mitsubishi Electric Corporation, 1987.
Den vollen Inhalt der Quelle findenCorporation, Mitsubishi Electric. Mitsubishi semiconductors 1991: GaAs field effect transistor [data book]. Tokyo: Mitsubishi Electric Corporation, 1991.
Den vollen Inhalt der Quelle findenKarmakar, Supriya. Novel Three-state Quantum Dot Gate Field Effect Transistor. New Delhi: Springer India, 2014. http://dx.doi.org/10.1007/978-81-322-1635-3.
Der volle Inhalt der QuelleCorporation, Mitsubishi Electric. Mitsubishi semiconductors 1994: GaAs field effect transistor (data book). Tokyo: Mitsubishi Electric Corporation, 1994.
Den vollen Inhalt der Quelle findenOperation and modeling of the MOS transistor. New York: McGraw-Hill, 1987.
Den vollen Inhalt der Quelle findenTsividis, Yannis. Operation and modeling of the MOS transistor. 3. Aufl. New York: Oxford University Press, 2010.
Den vollen Inhalt der Quelle findenTsividis, Yannis. Operation and modeling of the MOS transistor. 3. Aufl. New York: Oxford University Press, 2010.
Den vollen Inhalt der Quelle findenTsividis, Yannis. Operation and modeling of the MOS transistor. 3. Aufl. New York: Oxford University Press, 2011.
Den vollen Inhalt der Quelle findenSridharan, K., B. Srinivasu und Vikramkumar Pudi. Low-Complexity Arithmetic Circuit Design in Carbon Nanotube Field Effect Transistor Technology. Cham: Springer International Publishing, 2020. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-030-50699-5.
Der volle Inhalt der QuelleTsividis, Yannis. Operation and modeling of the MOS transistor. 2. Aufl. New York: Oxford University Press, 1999.
Den vollen Inhalt der Quelle findenTsividis, Yannis. Operation and modeling of the MOS transistor. 2. Aufl. Boston: WCB/McGraw-Hill, 1999.
Den vollen Inhalt der Quelle findenTsividis, Yannis. Operation and modeling of the MOS transistor. New York: McGraw-Hill, 1987.
Den vollen Inhalt der Quelle findenOperation and modeling of the MOS transistor. 2. Aufl. Boston: WCB/McGraw-Hill, 1998.
Den vollen Inhalt der Quelle findenC, Sansen Willy M., und Maes H. E, Hrsg. Matching properties of deep sub-micron MOS transistors. New York: Springer, 2005.
Den vollen Inhalt der Quelle findenBlaser, Markus. Monolithically integrated InGaAs/Inp photodiode-junction field-effect transistor receivers for fiber-optic telecommunication. Konstanz: Hartung-Gorre, 1997.
Den vollen Inhalt der Quelle findenCharge-based MOS transistor modelling: The EKV model for low-power and RF IC design. Chichester, UK: John Wiley & Sons, 2006.
Den vollen Inhalt der Quelle findenHeime, Klaus. InGaAs field-effect transistors. Taunton, Somerset, England: Research Studies Press, 1989.
Den vollen Inhalt der Quelle findenZetex. Junction field effect transistors. Chadderton: Zetex, 1991.
Den vollen Inhalt der Quelle findenKymissis, Ioannis. Organic Field Effect Transistors. Boston, MA: Springer US, 2009. http://dx.doi.org/10.1007/978-0-387-92134-1.
Der volle Inhalt der QuelleMamidala, Jagadesh Kumar, Rajat Vishnoi und Pratyush Pandey. Tunnel Field-Effect Transistors (TFET). Chichester, UK: John Wiley & Sons, Ltd, 2016. http://dx.doi.org/10.1002/9781119246312.
Der volle Inhalt der QuelleChaudhry, Amit. Fundamentals of Nanoscaled Field Effect Transistors. New York, NY: Springer New York, 2013.
Den vollen Inhalt der Quelle findenValizadeh, Pouya. Field Effect Transistors, A Comprehensive Overview. Hoboken, NJ: John Wiley & Sons, Inc, 2016. http://dx.doi.org/10.1002/9781119155850.
Der volle Inhalt der QuelleChaudhry, Amit. Fundamentals of Nanoscaled Field Effect Transistors. New York, NY: Springer New York, 2013. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4614-6822-6.
Der volle Inhalt der QuelleSemiconductors, Philips. Small-signal field-effect transistors: Data handbook. Eindhoven: Philips Semiconductors, 1994.
Den vollen Inhalt der Quelle findenKim, Dae Mann, und Yoon-Ha Jeong, Hrsg. Nanowire Field Effect Transistors: Principles and Applications. New York, NY: Springer New York, 2014. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4614-8124-9.
Der volle Inhalt der QuelleCaine, Thomas H. Graphene and carbon nanotube field effect transistors. Hauppauge, N.Y: Nova Science Publishers, 2011.
Den vollen Inhalt der Quelle findenSemiconductors, Philips. Small-signal field-effect transistors: Data handbook. Eindhoven: Philips Semiconductors, 1997.
Den vollen Inhalt der Quelle findenFundamentals of III-V devices: HBTs, MESFETs, and HFETs/HEMTs. New York: Wiley, 1999.
Den vollen Inhalt der Quelle findenHandbook of III-V heterojunction bipolar transistors. New York: Wiley, 1998.
Den vollen Inhalt der Quelle findenAbe, Masayuki. Semiconductor heterostructure devices. New York: Gordon and Breach Science Publishers, 1989.
Den vollen Inhalt der Quelle findenPierret, Robert F. Field effect devices. 2. Aufl. Reading, Mass: Addison-Wesley Pub. Co., 1990.
Den vollen Inhalt der Quelle findenMicrowave field-effect transistors: Theory, design, and applications. 3. Aufl. Atlanta: Noble, 1995.
Den vollen Inhalt der Quelle findenservice), SpringerLink (Online, Hrsg. Organic Field Effect Transistors: Theory, Fabrication and Characterization. Boston, MA: Springer Science+Business Media, LLC, 2009.
Den vollen Inhalt der Quelle findenSoclof, Sidney. Junction field-effect transistors (JFETS): Principles and applications. Boston: ArtechHouse, 1996.
Den vollen Inhalt der Quelle findenChan, Mansun, und Lining Zhang. Tunneling Field Effect Transistor Technology. Springer, 2018.
Den vollen Inhalt der Quelle findenChan, Mansun, und Lining Zhang. Tunneling Field Effect Transistor Technology. Springer, 2016.
Den vollen Inhalt der Quelle findenNanowire Field-Effect Transistor (FET). MDPI, 2021. http://dx.doi.org/10.3390/books978-3-03936-209-7.
Der volle Inhalt der QuelleIncorporated, Siliconix. Designing With Field-Effect Transistors. 2. Aufl. McGraw-Hill Companies, 1989.
Den vollen Inhalt der Quelle findenDesigning With Field-Effect Transistors. McGraw-Hill Companies, 1989.
Den vollen Inhalt der Quelle findenAmiri, Iraj Sadegh, und Mahdiar Ghadiry. Analytical Modelling of Breakdown Effect in Graphene Nanoribbon Field Effect Transistor. Springer, 2017.
Den vollen Inhalt der Quelle findenAmiri, Iraj Sadegh, und Mahdiar Ghadiry. Analytical Modelling of Breakdown Effect in Graphene Nanoribbon Field Effect Transistor. Springer, 2017.
Den vollen Inhalt der Quelle findenLebby, Michael Stephen. Fabrication and characterisation of the heterojunction field effect transistor (HFET) and the bipolar inversion channel field effect transistor (BICFET): Characterisations of HFETs.... Bradford, 1987.
Den vollen Inhalt der Quelle finden