Zeitschriftenartikel zum Thema „Thin film, epitaxial“
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Ito, Akihiko, Hiroshi Masumoto und Takashi Goto. „Morphology of Epitaxially Grown BaRuO3 and CaRuO3 Thin Films by Laser Ablation“. Key Engineering Materials 352 (August 2007): 315–18. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/kem.352.315.
Der volle Inhalt der QuelleSeifert, Andreas, Fred F. Lange und James S. Speck. „Epitaxial growth of PbTiO3 thin films on (001) SrTiO3 from solution precursors“. Journal of Materials Research 10, Nr. 3 (März 1995): 680–91. http://dx.doi.org/10.1557/jmr.1995.0680.
Der volle Inhalt der QuelleMiyake, A., H. Kominami, T. Aoki, H. Tatsuoka, H. Kuwabara, Y. Nkanishi und Y. Hatanaka. „Growth of epitaxial ZnO thin film by oxidation of epitaxial ZnS thin films on Si(111)“. International Journal of Modern Physics B 15, Nr. 28n30 (10.12.2001): 3861–64. http://dx.doi.org/10.1142/s0217979201008858.
Der volle Inhalt der QuelleTamaki, Jun, Gregory K. L. Goh und Fred F. Lange. „Novel epitaxial growth of barium titanate thin films by electrodeposition“. Journal of Materials Research 15, Nr. 12 (Dezember 2000): 2583–86. http://dx.doi.org/10.1557/jmr.2000.0368.
Der volle Inhalt der QuelleDeNatale, J. F., und P. H. Kobrin. „Lattice distortion effects on electrical switching in epitaxial thin film NdNiO3“. Journal of Materials Research 10, Nr. 12 (Dezember 1995): 2992–95. http://dx.doi.org/10.1557/jmr.1995.2992.
Der volle Inhalt der QuelleSasi, Krishnaprasad, Sebastian Mailadil, Fredy Rojas, Aldrin Antony und Jayaraj Madambi. „Buffer Assisted Epitaxial Growth of Bi1.5Zn1Nb1.5O7 Thin Films by Pulsed Laser Deposition for Optoelectronic Applications“. MRS Proceedings 1454 (2012): 183–88. http://dx.doi.org/10.1557/opl.2012.1264.
Der volle Inhalt der QuelleMiller, Dean J., Jeffrey D. Hettinger, Ronald P. Chiarello und Hyung K. Kim. „Epitaxial growth of Cu2O films on MgO by sputtering“. Journal of Materials Research 7, Nr. 10 (Oktober 1992): 2828–32. http://dx.doi.org/10.1557/jmr.1992.2828.
Der volle Inhalt der QuelleJiang, J. C., X. Q. Pan, Q. Gan und C. B. Eom. „Domain Structure of Epitaxial SrRuO3 Thin Films on (001) LaA1O3“. Microscopy and Microanalysis 4, S2 (Juli 1998): 578–79. http://dx.doi.org/10.1017/s1431927600023011.
Der volle Inhalt der QuelleWasa, Kiyotaka, Toshifumi Satoh, Kenji Tabata, Hideaki Adachi, Yasumufi Yabuuchi und Kentaro Setune. „Effects of PLT-buffer layer on microstructures of sputtered PLZT thin films epitaxially grown on sapphire“. Journal of Materials Research 9, Nr. 11 (November 1994): 2959–67. http://dx.doi.org/10.1557/jmr.1994.2959.
Der volle Inhalt der QuelleKim, J. H., und F. F. Lange. „Seeded Epitaxial Growth of PbTiO3 Thin Films on (001) LaAlO3 using the Chemical Solution Deposition Method“. Journal of Materials Research 14, Nr. 4 (April 1999): 1626–33. http://dx.doi.org/10.1557/jmr.1999.0218.
Der volle Inhalt der QuelleNgoc Thao, Pham, Shinya Yoshida und Shuji Tanaka. „Fabrication and Characterization of PZT Fibered-Epitaxial Thin Film on Si for Piezoelectric Micromachined Ultrasound Transducer“. Micromachines 9, Nr. 9 (11.09.2018): 455. http://dx.doi.org/10.3390/mi9090455.
Der volle Inhalt der QuelleChattopadhyay, Soma, A. R. Teren, Jin-Ha Hwang, T. O. Mason und B. W. Wessels. „Diffuse Phase Transition in Epitaxial BaTiO3 Thin Films“. Journal of Materials Research 17, Nr. 3 (März 2002): 669–74. http://dx.doi.org/10.1557/jmr.2002.0095.
Der volle Inhalt der QuelleBergmann, R. B., T. J. Rinke, R. M. Hausner, M. Grauvogl, M. Vetter und J. H. Werner. „Thin film solar cells on glass by transfer of monocrystalline Si films“. International Journal of Photoenergy 1, Nr. 2 (1999): 89–93. http://dx.doi.org/10.1155/s1110662x99000173.
Der volle Inhalt der QuelleMoustakas, Theodore D. „Molecular Beam Epitaxy: Thin Film Growth and Surface Studies“. MRS Bulletin 13, Nr. 11 (November 1988): 29–36. http://dx.doi.org/10.1557/s0883769400063892.
Der volle Inhalt der QuelleLee, Daesu, und Tae Won Noh. „Giant flexoelectric effect through interfacial strain relaxation“. Philosophical Transactions of the Royal Society A: Mathematical, Physical and Engineering Sciences 370, Nr. 1977 (28.10.2012): 4944–57. http://dx.doi.org/10.1098/rsta.2012.0200.
Der volle Inhalt der QuelleLiu, Haifeng, Yuqiao Guo, Ruishi Xie und Guohua Ma. „Epitaxial Growth of Strain-Induced Ferromagnetic LaCoO3 Thin Films by Simple Sol–Gel Technique“. Nano 11, Nr. 03 (März 2016): 1650030. http://dx.doi.org/10.1142/s1793292016500302.
Der volle Inhalt der QuelleCheng, Xiankun, Qiang Gao, Kaifeng Li, Zhongliang Liu, Qinzhuang Liu, Qiangchun Liu, Yongxing Zhang und Bing Li. „Enhanced Phase Transition Properties of VO2 Thin Films on 6H-SiC (0001) Substrate Prepared by Pulsed Laser Deposition“. Nanomaterials 9, Nr. 8 (24.07.2019): 1061. http://dx.doi.org/10.3390/nano9081061.
Der volle Inhalt der QuelleSeifert, A., A. Vojta, J. S. Speck und F. F. Lange. „Microstructural instability in single-crystal thin films“. Journal of Materials Research 11, Nr. 6 (Juni 1996): 1470–82. http://dx.doi.org/10.1557/jmr.1996.0183.
Der volle Inhalt der QuelleResel, Roland, Markus Koini, Jiri Novak, Steven Berkebile, Georg Koller und Michael Ramsey. „Epitaxial Order Driven by Surface Corrugation: Quinquephenyl Crystals on a Cu(110)-(2×1)O Surface“. Crystals 9, Nr. 7 (22.07.2019): 373. http://dx.doi.org/10.3390/cryst9070373.
Der volle Inhalt der QuelleFang, Y., V. R. Sakhalkar, J. He, H. Q. Jiang, Jiechao Jiang und Efstathios I. Meletis. „Growth, Microstructure and Properties of Epitaxial La1-XSrxMnO3 Thin Films on Various Substrates Using RF Magnetron Sputtering“. Journal of Nano Research 14 (April 2011): 83–92. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/jnanor.14.83.
Der volle Inhalt der QuelleNashimoto, Keiichi, Michael J. Cima, Paul C. McIntyre und Wendell E. Rhine. „Microstructure development of sol-gel derived epitaxial LiNbO3 thin films“. Journal of Materials Research 10, Nr. 10 (Oktober 1995): 2564–72. http://dx.doi.org/10.1557/jmr.1995.2564.
Der volle Inhalt der QuelleDerouin, T. A., C. D. E. Lakeman, X. H. Wu, J. S. Speck und F. F. Lange. „Effect of lattice mismatch on the epitaxy of sol-gel LiNbO3 thin films“. Journal of Materials Research 12, Nr. 5 (Mai 1997): 1391–400. http://dx.doi.org/10.1557/jmr.1997.0189.
Der volle Inhalt der QuelleNemoto, Naru, Naoki Wakiya, Kazuo Shinozaki, Takanori Kiguchi, Keisuke Satoh, Masatoshi Ishii, Masao Kondo, Kazuaki Kurihara und Nobuyasu Mizutani. „Preparation and Optical Properties of Epitaxial Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3 Thin Film on Si Substrates with Buffer Layer Using Pulsed Laser Deposition“. Key Engineering Materials 301 (Januar 2006): 265–68. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/kem.301.265.
Der volle Inhalt der QuelleShaikhulov, Timur A., Valery A. Shakhunov, Victor V. Demidov, Gennady A. Ovsyannikov, Nikolay V. Andreev, Anna E. Pestun und Vladimir L. Preobrazhensky. „Strain effect on resistivity of La0.7Ba0.3MnO3 thin film“. EPJ Web of Conferences 185 (2018): 06006. http://dx.doi.org/10.1051/epjconf/201818506006.
Der volle Inhalt der QuelleKim, Jihong. „Low-Temperature Epitaxial Growth of AlN Thin Films on a Mo Electrode/Sapphire Substrate Using Reactive Sputtering“. Coatings 11, Nr. 4 (12.04.2021): 443. http://dx.doi.org/10.3390/coatings11040443.
Der volle Inhalt der QuelleNutt, S. R., und David J. Smith. „High-resolution TEM of thin-film β-SiC interfaces“. Proceedings, annual meeting, Electron Microscopy Society of America 44 (August 1986): 408–9. http://dx.doi.org/10.1017/s0424820100143638.
Der volle Inhalt der QuelleZhang, H., H. L. M. Chang, J. Guo und T. J. Zhang. „Microstructure of epitaxial VO2 thin films deposited on (1120) sapphire by MOCVD“. Journal of Materials Research 9, Nr. 9 (September 1994): 2264–71. http://dx.doi.org/10.1557/jmr.1994.2264.
Der volle Inhalt der QuelleVaidya, K. J., C. Y. Yang, M. DeGraef und F. F. Lange. „Heteroepitaxy of rare-earth hexa-aluminates on sapphire“. Journal of Materials Research 9, Nr. 2 (Februar 1994): 410–19. http://dx.doi.org/10.1557/jmr.1994.0410.
Der volle Inhalt der QuelleKoo, Junmo, Jae Hyeok Jang und Byeong-Soo Bae. „Preparation and characteristics of seeded epitaxial (Sr,Ba)Nb2O6 optical waveguide thin films using sol-gel method“. Journal of Materials Research 16, Nr. 2 (Februar 2001): 430–36. http://dx.doi.org/10.1557/jmr.2001.0065.
Der volle Inhalt der QuelleTan, Ming, Wei-Di Liu, Xiao-Lei Shi, Qiang Sun und Zhi-Gang Chen. „Minimization of the electrical contact resistance in thin-film thermoelectric device“. Applied Physics Reviews 10, Nr. 2 (Juni 2023): 021404. http://dx.doi.org/10.1063/5.0141075.
Der volle Inhalt der QuelleKim, Jin Hyeok, Boram Kim, David Andeen und Fred F. Lange. „Seeded epitaxial growth of ZnO thin films on MgAl2O4 substrates using the chemical solution deposition method“. Journal of Materials Research 22, Nr. 4 (April 2007): 943–49. http://dx.doi.org/10.1557/jmr.2007.0109.
Der volle Inhalt der QuellePartlow, D. P., und J. Greggi. „Properties and microstructure of thin LiNbO3 films prepared by a sol-gel process“. Journal of Materials Research 2, Nr. 5 (Oktober 1987): 595–605. http://dx.doi.org/10.1557/jmr.1987.0595.
Der volle Inhalt der QuelleM C Ávila, Renan, Roney C da Silva und Rogério J Prado. „Preparation of epitaxial BiFeO3 thin films on Si(001) substrates by pulsed electron deposition“. Physics & Astronomy International Journal 7, Nr. 2 (03.04.2023): 77–81. http://dx.doi.org/10.15406/paij.202307.00288.
Der volle Inhalt der QuelleHerklotz, Andreas, Florina Stefania Rus, Martin M. Koch, Kyle M. Grove, Michael S. Bowen, David P. Cann, Kristin Tippey und Kathrin Dörr. „Epitaxial Stabilization of Perovskite ATeO3 Thin Films“. Coatings 13, Nr. 12 (07.12.2023): 2055. http://dx.doi.org/10.3390/coatings13122055.
Der volle Inhalt der QuelleKamiya, T., H. Ohta, M. Kamiya, K. Nomura, K. Ueda, M. Hirano und H. Hosono. „Li-Doped NiO Epitaxial Thin Film with Atomically Flat Surface“. Journal of Materials Research 19, Nr. 3 (März 2004): 913–20. http://dx.doi.org/10.1557/jmr.2004.19.3.913.
Der volle Inhalt der QuellePatrykiejew, A., und S. Sokolowski. „On the Melting and Disordering of Thin Epitaxial Films“. Adsorption Science & Technology 25, Nr. 7 (September 2007): 451–61. http://dx.doi.org/10.1260/0263-6174.25.7.451.
Der volle Inhalt der QuelleKomatsu, Keiji, Pineda Marulanda David Alonso, Nozomi Kobayashi, Ikumi Toda, Shigeo Ohshio, Hiroyuki Muramatsu und Hidetoshi Saitoh. „Epitaxial Growth of Magnesia Films on Single Crystalline Magnesia Substrates by Atmospheric-Pressure Chemical Vapor Deposition“. Journal of Materials Science Research 5, Nr. 2 (31.01.2016): 56. http://dx.doi.org/10.5539/jmsr.v5n2p56.
Der volle Inhalt der QuelleJokerst, N. M. „Integrated Optoelectronics Using Thin Film Epitaxial Liftoff Materials and Devices“. Journal of Nonlinear Optical Physics & Materials 06, Nr. 01 (März 1997): 19–48. http://dx.doi.org/10.1142/s0218863597000034.
Der volle Inhalt der QuelleChang, H. L. M., T. J. Zhang, H. Zhang, J. Guo, H. K. Kim und D. J. Lam. „Epitaxy, microstructure, and processing-structure relationships of TiO2 thin films grown on sapphire (0001) by MOCVD“. Journal of Materials Research 8, Nr. 10 (Oktober 1993): 2634–43. http://dx.doi.org/10.1557/jmr.1993.2634.
Der volle Inhalt der QuelleKaul, Andrey R., Roy R. Nygaard, Vadim Yu Ratovskiy und Alexander L. Vasiliev. „TSF-MOCVD – a novel technique for chemical vapour deposition on oxide thin films and layered heterostructures“. Kondensirovannye sredy i mezhfaznye granitsy = Condensed Matter and Interphases 23, Nr. 3 (17.08.2021): 396–405. http://dx.doi.org/10.17308/kcmf.2021.23/3531.
Der volle Inhalt der QuelleMcIntyre, Paul C., und Michael J. Cima. „Heteroepitaxial growth of chemically derived ex situ Ba2YCu3O7−x thin films“. Journal of Materials Research 9, Nr. 9 (September 1994): 2219–30. http://dx.doi.org/10.1557/jmr.1994.2219.
Der volle Inhalt der QuelleTrinkler, Laima, Dajin Dai, Liuwen Chang, Mitch Ming-Chi Chou, Tzu-Ying Wu, Jevgenijs Gabrusenoks, Dace Nilova, Rihards Ruska, Baiba Berzina und Ramunas Nedzinskas. „Luminescence Properties of Epitaxial Cu2O Thin Films Electrodeposited on Metallic Substrates and Cu2O Single Crystals“. Materials 16, Nr. 12 (13.06.2023): 4349. http://dx.doi.org/10.3390/ma16124349.
Der volle Inhalt der QuelleWANG, XINCHANG, ZHIZHEN YE, JUNHUI HE, JINGYUN HUANG und BINGHUI ZHAO. „GROWTH AND CHARACTERIZATION OF C-ORIENTED LiNbO3 THIN FILMS ON Si (100) BY PLD“. International Journal of Modern Physics B 16, Nr. 28n29 (20.11.2002): 4343–46. http://dx.doi.org/10.1142/s0217979202015406.
Der volle Inhalt der QuelleOrna, Julia, Luis Morellón, Pedro Algarabel, José M. De Teresa, Amalio Fernández-Pacheco, Gala Simón, Cesar Magen, José A. Pardo und M. Ricardo Ibarra. „Fe3O4 Epitaxial Thin Films and Heterostructures: Magnetotransport and Magnetic Properties“. Advances in Science and Technology 67 (Oktober 2010): 82–91. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ast.67.82.
Der volle Inhalt der QuelleKrakow, W., N. M. Rivera, R. A. Roy, R. S. Ruoff und J. J. Cuomo. „Epitaxial growth of C60 thin films on mica“. Journal of Materials Research 7, Nr. 4 (April 1992): 784–87. http://dx.doi.org/10.1557/jmr.1992.0784.
Der volle Inhalt der QuelleThompson, Carl V. „The Origins of Epitaxial Orientations in thin Films“. MRS Proceedings 280 (1992). http://dx.doi.org/10.1557/proc-280-307.
Der volle Inhalt der QuelleKolluri, Kedarnath, Luis A. Zepeda-Ruiz, Cheruvu S. Murthy und Dimitrios Maroudas. „Strain Relaxation in Si1-xGex Thin Films on Si (100) Substrates: Modeling and Comparisons with Experiments“. MRS Proceedings 875 (2005). http://dx.doi.org/10.1557/proc-875-o4.21.
Der volle Inhalt der QuelleHosaka, Makoto, Yasuyuki Akita, Yuki Sugimoto, Yushi Kato, Yusaburo Ono, Akifumi Matsuda, Koji Koyama und Mamoru Yoshimoto. „Low-Temperature Selective Growth of Heteroepitaxial α-Al2O3 Thin Films on a NiO Layer by the Electron-Beam Assisted PLD Process“. MRS Proceedings 1150 (2008). http://dx.doi.org/10.1557/proc-1150-rr04-04.
Der volle Inhalt der QuelleHattori, Y., A. Mizoguchi, Y. Ogaki und A. Nishimtjra. „Epitaxial Growth of Organic Nonlinear Optical Materials“. MRS Proceedings 247 (1992). http://dx.doi.org/10.1557/proc-247-235.
Der volle Inhalt der QuelleKawai, Masanori, Daisuke Kan, Seiichi Isojima, Hiroki Kurata, Seiji Isoda, Shigeru Kimura, Osami Sakata und Yuichi Shimakawa. „Deposition Rate Effect on Critical Thickness of BaTiO3 Epitaxial Thin Film Grown on SrTiO3 (001)“. MRS Proceedings 1034 (2007). http://dx.doi.org/10.1557/proc-1034-k10-04.
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