Zeitschriftenartikel zum Thema „Technologie III-V“
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Perret, C., C. Lallement und A. Belleville. „Le Moulinet d'hydrométrie à axe horizontal à travers l'expérience française. Quel avenir pour cette technique ?“ La Houille Blanche, Nr. 5-6 (Oktober 2018): 75–86. http://dx.doi.org/10.1051/lhb/2018054.
Der volle Inhalt der QuelleČULÍK, J., V. KELLNER, B. ŠPINAR, J. PROKEŠ und G. BASAŘOVÁ. „Volatile N-nitrosamines in malt. III. Effect of barley germination on the formation of natural precursors of N-nitrosodimethylamine in green malt and final malt.“ Kvasny Prumysl 36, Nr. 6 (01.06.1990): 162–65. http://dx.doi.org/10.18832/kp1990020.
Der volle Inhalt der QuelleKawanami, H. „Heteroepitaxial technologies of III–V on Si“. Solar Energy Materials and Solar Cells 66, Nr. 1-4 (Februar 2001): 479–86. http://dx.doi.org/10.1016/s0927-0248(00)00209-9.
Der volle Inhalt der QuelleDutta, Nlloy K. „III-V Device Technologies for Lightwave Applications“. AT&T Technical Journal 68, Nr. 1 (02.01.1989): 5–18. http://dx.doi.org/10.1002/j.1538-7305.1989.tb00642.x.
Der volle Inhalt der QuelleShah, Nitin J., und Shin-Shem Pei. „III-V Device Technologies for Electronic Applications“. AT&T Technical Journal 68, Nr. 1 (02.01.1989): 19–28. http://dx.doi.org/10.1002/j.1538-7305.1989.tb00643.x.
Der volle Inhalt der QuelleTakagi, S., R. Zhang, S. H. Kim, M. Yokoyama und M. Takenaka. „(Invited) Performance Enhancement Technologies in III-V/Ge MOSFETs“. ECS Transactions 58, Nr. 9 (31.08.2013): 137–48. http://dx.doi.org/10.1149/05809.0137ecst.
Der volle Inhalt der QuelleHeinecke, Harald, und Eberhard Veuhoff. „Evaluation of III–V growth technologies for optoelectronic applications“. Materials Science and Engineering: B 21, Nr. 2-3 (November 1993): 120–29. http://dx.doi.org/10.1016/0921-5107(93)90334-j.
Der volle Inhalt der QuelleRaj, Vidur, Tuomas Haggren, Wei Wen Wong, Hark Hoe Tan und Chennupati Jagadish. „Topical review: pathways toward cost-effective single-junction III–V solar cells“. Journal of Physics D: Applied Physics 55, Nr. 14 (03.12.2021): 143002. http://dx.doi.org/10.1088/1361-6463/ac3aa9.
Der volle Inhalt der QuelleCaimi, D., H. Schmid, T. Morf, P. Mueller, M. Sousa, K. E. Moselund und C. B. Zota. „III-V-on-Si transistor technologies: Performance boosters and integration“. Solid-State Electronics 185 (November 2021): 108077. http://dx.doi.org/10.1016/j.sse.2021.108077.
Der volle Inhalt der QuelleTakagi, S., M. Kim, M. Noguchi, K. Nishi und M. Takenaka. „(Invited) Tunneling FET Technologies Using III-V and Ge Materials“. ECS Transactions 69, Nr. 10 (02.10.2015): 99–108. http://dx.doi.org/10.1149/06910.0099ecst.
Der volle Inhalt der QuelleTakagi, S., und M. Takenaka. „(Invited) III-V/Ge MOS Transistor Technologies for Future ULSI“. ECS Transactions 54, Nr. 1 (28.06.2013): 39–54. http://dx.doi.org/10.1149/05401.0039ecst.
Der volle Inhalt der QuelleTomioka, Katsuhiro, Hironori Gamo und Junichi Motohisa. „(Invited) Vertical Tunnel FET Technologies Using III-V/Si Heterojunction“. ECS Transactions 92, Nr. 4 (03.07.2019): 71–78. http://dx.doi.org/10.1149/09204.0071ecst.
Der volle Inhalt der QuelleNedelcu, Alexandru, Cyrille Bonvalot, Rachid Taalat, Jérôme Fantini, Thierry Colin, Philippe Muller, Odile Huet et al. „III-V detector technologies at Sofradir: Dealing with image quality“. Infrared Physics & Technology 94 (November 2018): 273–79. http://dx.doi.org/10.1016/j.infrared.2018.09.027.
Der volle Inhalt der QuelleTongesayi, Tsanangurayi, und Ronald B. Smart. „Arsenic Speciation: Reduction of Arsenic(V) to Arsenic(III) by Fulvic Acid“. Environmental Chemistry 3, Nr. 2 (2006): 137. http://dx.doi.org/10.1071/en05095.
Der volle Inhalt der QuelleCHANG, M. F., und P. M. ASBECK. „III-V HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTORS FOR HIGH-SPEED APPLICATIONS“. International Journal of High Speed Electronics and Systems 01, Nr. 03n04 (September 1990): 245–301. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156490000137.
Der volle Inhalt der QuelleTakagi, Shinichi, Rui Zhang, Junkyo Suh, Sang-Hyeon Kim, Masafumi Yokoyama, Koichi Nishi und Mitsuru Takenaka. „III–V/Ge channel MOS device technologies in nano CMOS era“. Japanese Journal of Applied Physics 54, Nr. 6S1 (07.05.2015): 06FA01. http://dx.doi.org/10.7567/jjap.54.06fa01.
Der volle Inhalt der QuelleKAMIMURA, Ryuichiro, und Kanji FURUTA. „Dry Etching Technologies of Optical Device and III-V Compound Semiconductors“. IEICE Transactions on Electronics E100.C, Nr. 2 (2017): 150–55. http://dx.doi.org/10.1587/transele.e100.c.150.
Der volle Inhalt der QuelleTakagi, S., C. Y. Chang, M. Yokoyama, K. Nishi, R. Zhang, M. Ke, J. H. Han und M. Takenaka. „(Invited) MOS Interface Control Technologies for Advanced III-V/ Ge Devices“. ECS Transactions 69, Nr. 5 (02.10.2015): 37–51. http://dx.doi.org/10.1149/06905.0037ecst.
Der volle Inhalt der QuelleTakagi, Shinichi, Rui Zhang, Takuya Hoshii, Noriyuki Taoka und Mitsuru Takenaka. „(Invited) MOS Interface Control Technologies for III-V/Ge Channel MOSFETs“. ECS Transactions 41, Nr. 3 (16.12.2019): 3–20. http://dx.doi.org/10.1149/1.3633015.
Der volle Inhalt der QuelleTakagi, Shinichi, Masafumi Yokoyama, Sang-Hyeon Kim, Rui Zhang und Mitsuru Takenaka. „(Invited) Device and Integration Technologies of III-V/Ge Channel CMOS“. ECS Transactions 41, Nr. 7 (16.12.2019): 203–18. http://dx.doi.org/10.1149/1.3633300.
Der volle Inhalt der QuelleTakagi, Shinichi, Dae-Hwan Ahn, Munetaka Noguchi, Sanghee Yoon, Takahiro Gotow, Koichi Nishi, Minsoo Kim et al. „(Invited) Low Power Tunneling FET Technologies Using Ge/III-V Materials“. ECS Transactions 80, Nr. 4 (01.08.2017): 115–24. http://dx.doi.org/10.1149/08004.0115ecst.
Der volle Inhalt der QuelleTakagi, S., M. Noguchi, M. Kim, S. H. Kim, C. Y. Chang, M. Yokoyama, K. Nishi, R. Zhang, M. Ke und M. Takenaka. „III-V/Ge MOS device technologies for low power integrated systems“. Solid-State Electronics 125 (November 2016): 82–102. http://dx.doi.org/10.1016/j.sse.2016.07.002.
Der volle Inhalt der QuelleHeyns, Marc M., Marc M. Meuris und Matty R. Caymax. „Ge and III/V as Enabling Materials for Future CMOS Technologies“. ECS Transactions 3, Nr. 7 (21.12.2019): 511–18. http://dx.doi.org/10.1149/1.2355848.
Der volle Inhalt der QuelleDautremont-Smith, William C., R. J. McCoy, Randolph H. Burton und Albert G. Baca. „Fabrication Technologies for III-V Compound Semiconductor Photonic and Electronic Devices“. AT&T Technical Journal 68, Nr. 1 (02.01.1989): 64–82. http://dx.doi.org/10.1002/j.1538-7305.1989.tb00647.x.
Der volle Inhalt der QuelleZeng, Cong, Donghui Fu, Yunjiang Jin und Yu Han. „Recent Progress in III–V Photodetectors Grown on Silicon“. Photonics 10, Nr. 5 (14.05.2023): 573. http://dx.doi.org/10.3390/photonics10050573.
Der volle Inhalt der QuelleKühn, G. „Landolt-Börnstein. Zahlenwerte und Funktionen aus Naturwissenschaften und Technik, Neue Serie, Gruppe III: Kristall- und Festkörperphysik Bd. 17: Halbleiter, Teilband d: Technologie von III—V, II—VI und nicht-tetraedrisch gebundenen Verbindungen. Herausgegeben von M. Schulz und H. Weiss. Springer-Verlag Berlin, Heidelberg, New York, Tokyo, 429 Seiten, 446 Abbildungen, zahlreiche Tabellen und Literaturzitate. Preis: DM 750.00. ISBN 3–540–11779–2“. Crystal Research and Technology 20, Nr. 7 (Juli 1985): 898. http://dx.doi.org/10.1002/crat.2170200705.
Der volle Inhalt der QuelleSimon, John, Kevin Schulte, Kelsey Horowitz, Timothy Remo, David Young und Aaron Ptak. „III-V-Based Optoelectronics with Low-Cost Dynamic Hydride Vapor Phase Epitaxy“. Crystals 9, Nr. 1 (20.12.2018): 3. http://dx.doi.org/10.3390/cryst9010003.
Der volle Inhalt der QuelleLan, Luis E., Fernando D. Reina, Graciela E. De Seta, Jorge M. Meichtry und Marta I. Litter. „Comparison between Different Technologies (Zerovalent Iron, Coagulation-Flocculation, Adsorption) for Arsenic Treatment at High Concentrations“. Water 15, Nr. 8 (11.04.2023): 1481. http://dx.doi.org/10.3390/w15081481.
Der volle Inhalt der QuelleAkram, Sabahat, Hajra Faraqat und Saadia Bano Hashmi. „Examining the Impact of Information and Communication Technologies on Female Economic Participation in Pakistan“. Global Economics Review V, Nr. III (30.09.2020): 118–30. http://dx.doi.org/10.31703/ger.2020(v-iii).11.
Der volle Inhalt der QuelleTakagi, S., M. Yokoyama, S. H. Kim, R. Zhang, R. Suzuki, N. Taoka und M. Takenaka. „(Invited) III-V/Ge CMOS Device Technologies for High Performance Logic Applications“. ECS Transactions 53, Nr. 3 (02.05.2013): 85–96. http://dx.doi.org/10.1149/05303.0085ecst.
Der volle Inhalt der QuelleZhao, Lixia. „Studies of III-V Semiconductor Materials and Devices Using Different Analytical Technologies“. Journal of Surface Analysis 26, Nr. 2 (2019): 136–37. http://dx.doi.org/10.1384/jsa.26.136.
Der volle Inhalt der QuelleClaeys, C., P.-C. Hsu, L. He, Y. Mols, R. Langer, N. Waldron, G. Eneman, N. Collaert, M. Heyns und E. Simoen. „Are Extended Defects a Show Stopper for Future III-V CMOS Technologies“. Journal of Physics: Conference Series 1190 (Mai 2019): 012001. http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/1190/1/012001.
Der volle Inhalt der QuelleTakagi, S., S. H. Kim, M. Yokoyama, R. Zhang, N. Taoka, Y. Urabe, T. Yasuda et al. „High mobility CMOS technologies using III–V/Ge channels on Si platform“. Solid-State Electronics 88 (Oktober 2013): 2–8. http://dx.doi.org/10.1016/j.sse.2013.04.020.
Der volle Inhalt der QuelleKerio, Ghulam Ali, Naimatullah Keeryo und Anjum Bano Kazimi. „A Qualitative Study on Classroom Management of Undergraduate Students: A Case of Information Technologies Class“. Global Regional Review V, Nr. III (30.09.2020): 91–100. http://dx.doi.org/10.31703/grr.2020(v-iii).10.
Der volle Inhalt der QuelleWattoo, Rashid Minas, Muhammad Latif und Namra Munir. „Information Communication Technologies Hauling Out University Students' Effective Learning during COVID-19: A Qualitative Study“. Global Social Sciences Review V, Nr. III (30.09.2020): 351–57. http://dx.doi.org/10.31703/gssr.2020(v-iii).37.
Der volle Inhalt der QuelleSeo, Jung-Hun. „Editorial for the Special Issue on Wide Bandgap Semiconductor Based Micro/Nano Devices“. Micromachines 10, Nr. 3 (26.03.2019): 213. http://dx.doi.org/10.3390/mi10030213.
Der volle Inhalt der QuelleBrennan, B., S. McDonnell, D. Zhernokletov, H. Dong, C. L. Hinkle, J. Kim und R. M. Wallace. „In Situ Studies of III-V Surfaces and High-K Atomic Layer Deposition“. Solid State Phenomena 195 (Dezember 2012): 90–94. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.195.90.
Der volle Inhalt der QuelleDu, Yong, Buqing Xu, Guilei Wang, Yuanhao Miao, Ben Li, Zhenzhen Kong, Yan Dong, Wenwu Wang und Henry H. Radamson. „Review of Highly Mismatched III-V Heteroepitaxy Growth on (001) Silicon“. Nanomaterials 12, Nr. 5 (22.02.2022): 741. http://dx.doi.org/10.3390/nano12050741.
Der volle Inhalt der QuelleTakenaka, Mitsuru, und Shinichi Takagi. „III-V/Ge Device Engineering for CMOS Photonics“. Materials Science Forum 783-786 (Mai 2014): 2028–33. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.783-786.2028.
Der volle Inhalt der QuelleGAO, GUANG-BO, S. NOOR MOHAMMAND, GREGORY A. MARTIN und HADIS MORKOÇ. „FUNDAMENTALS, PERFORMANCE AND RELIABILITY OF III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTORS“. International Journal of High Speed Electronics and Systems 06, Nr. 01 (März 1995): 1–89. http://dx.doi.org/10.1142/s012915649500002x.
Der volle Inhalt der QuelleMuhammad, Rehan, Shahid Nawaz und Muhammad Hammad Hussain Shah. „Teachers' Perceptions about the Use of Information Communication Technologies (ICTs) in Second Language Learning at Higher Secondary Level“. Global Mass Communication Review V, Nr. III (30.09.2020): 164–74. http://dx.doi.org/10.31703/gmcr.2020(v-iii).14.
Der volle Inhalt der QuelleYoon, Jongseung. „III-V Nanomembranes for High Performance, Cost-Competitive Photovoltaics“. MRS Advances 2, Nr. 30 (2017): 1591–96. http://dx.doi.org/10.1557/adv.2017.139.
Der volle Inhalt der QuelleBerd, David, Takami Sato, Henry C. Maguire, John Kairys und Michael J. Mastrangelo. „Immunopharmacologic Analysis of an Autologous, Hapten-Modified Human Melanoma Vaccine“. Journal of Clinical Oncology 22, Nr. 3 (01.02.2004): 403–15. http://dx.doi.org/10.1200/jco.2004.06.043.
Der volle Inhalt der QuelleKong, Shu Qiong, Yan Xin Wang, Cheng Wang, Li Ling Jin, Ming Liang Liu und Mei Yu. „Nanoscale Iron-Manganese Binary Oxide for As(III) Removal in Synthesized Groundwater“. Applied Mechanics and Materials 319 (Mai 2013): 209–12. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amm.319.209.
Der volle Inhalt der QuelleFeng, Qi, Wenqi Wei, Bin Zhang, Hailing Wang, Jianhuan Wang, Hui Cong, Ting Wang und Jianjun Zhang. „O-Band and C/L-Band III-V Quantum Dot Lasers Monolithically Grown on Ge and Si Substrate“. Applied Sciences 9, Nr. 3 (23.01.2019): 385. http://dx.doi.org/10.3390/app9030385.
Der volle Inhalt der QuelleJi, Chunnuan, Rongjun Qu, Qinghua Tang, Xiguang Liu, Hou Chen, Changmei Sun und Peng Yin. „Removal of trace As(V) from aqueous solution by Fe(III)-loaded porous amidoximated polyacrylonitrile“. Water Supply 16, Nr. 6 (18.05.2016): 1603–13. http://dx.doi.org/10.2166/ws.2016.085.
Der volle Inhalt der QuelleXi, Jianhong, und Mengchang He. „Removal of Sb(III) and Sb(V) from aqueous media by goethite“. Water Quality Research Journal 48, Nr. 3 (01.08.2013): 223–31. http://dx.doi.org/10.2166/wqrjc.2013.030.
Der volle Inhalt der QuelleNayak, Bishwajit, Md Amir Hossain, Mrinal Kumar Sengupta, Saad Ahamed, Bhaskar Das, Arup Pal und Amitava Mukherjee. „Adsorption Studies with Arsenic onto Ferric Hydroxide Gel in a Non-oxidizing Environment: the Effect of Co-occurring Solutes and Speciation“. Water Quality Research Journal 41, Nr. 3 (01.08.2006): 333–40. http://dx.doi.org/10.2166/wqrj.2006.037.
Der volle Inhalt der QuelleLiu, Chun Tong, Li Bing, Wang Tao und Hong Cai Li. „Key Technologies Research of New Generation Concentrating Photovoltaic“. Advanced Materials Research 724-725 (August 2013): 171–75. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.724-725.171.
Der volle Inhalt der QuelleBakkers, Erik P. A. M., Magnus T. Borgström und Marcel A. Verheijen. „Epitaxial Growth of III-V Nanowires on Group IV Substrates“. MRS Bulletin 32, Nr. 2 (Februar 2007): 117–22. http://dx.doi.org/10.1557/mrs2007.43.
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