Zeitschriftenartikel zum Thema „Surface Activated Bonding“
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Takeuchi, Kai, Junsha Wang, Beomjoon Kim, Tadatomo Suga und Eiji Higurashi. „Room temperature bonding of Au assisted by self-assembled monolayer“. Applied Physics Letters 122, Nr. 5 (30.01.2023): 051603. http://dx.doi.org/10.1063/5.0128187.
Der volle Inhalt der QuelleLomonaco, Quentin, Karine Abadie, Jean-Michel Hartmann, Christophe Morales, Paul Noël, Tanguy Marion, Christophe Lecouvey, Anne-Marie Papon und Frank Fournel. „Soft Surface Activated Bonding of Hydrophobic Silicon Substrates“. ECS Meeting Abstracts MA2023-02, Nr. 33 (22.12.2023): 1601. http://dx.doi.org/10.1149/ma2023-02331601mtgabs.
Der volle Inhalt der QuelleODA, Tomohiro, Tomoyuki ABE und Isao KUSUNOKI. „Wafer Bonding by Surface Activated Method“. Shinku 49, Nr. 5 (2006): 310–12. http://dx.doi.org/10.3131/jvsj.49.310.
Der volle Inhalt der QuelleLomonaco, Quentin, Karine Abadie, Jean-Michel Hartmann, Christophe Morales, Paul Noël, Tanguy Marion, Christophe Lecouvey, Anne-Marie Papon und Frank Fournel. „Soft Surface Activated Bonding of Hydrophobic Silicon Substrates“. ECS Transactions 112, Nr. 3 (29.09.2023): 139–45. http://dx.doi.org/10.1149/11203.0139ecst.
Der volle Inhalt der QuelleYang, Song, Ningkang Deng, Yongfeng Qu, Kang Wang, Yuan Yuan, Wenbo Hu, Shengli Wu und Hongxing Wang. „Argon Ion Beam Current Dependence of Si-Si Surface Activated Bonding“. Materials 15, Nr. 9 (25.04.2022): 3115. http://dx.doi.org/10.3390/ma15093115.
Der volle Inhalt der QuelleYang, Song, Ningkang Deng, Yongfeng Qu, Kang Wang, Yuan Yuan, Wenbo Hu, Shengli Wu und Hongxing Wang. „Argon Ion Beam Current Dependence of Si-Si Surface Activated Bonding“. Materials 15, Nr. 9 (25.04.2022): 3115. http://dx.doi.org/10.3390/ma15093115.
Der volle Inhalt der QuelleYang, Song, Ningkang Deng, Yongfeng Qu, Kang Wang, Yuan Yuan, Wenbo Hu, Shengli Wu und Hongxing Wang. „Argon Ion Beam Current Dependence of Si-Si Surface Activated Bonding“. Materials 15, Nr. 9 (25.04.2022): 3115. http://dx.doi.org/10.3390/ma15093115.
Der volle Inhalt der QuelleSuga, Tadatomo, Fengwen Mu, Masahisa Fujino, Yoshikazu Takahashi, Haruo Nakazawa und Kenichi Iguchi. „Silicon carbide wafer bonding by modified surface activated bonding method“. Japanese Journal of Applied Physics 54, Nr. 3 (15.01.2015): 030214. http://dx.doi.org/10.7567/jjap.54.030214.
Der volle Inhalt der QuelleHe, Ran, Masahisa Fujino, Akira Yamauchi und Tadatomo Suga. „Novel hydrophilic SiO2wafer bonding using combined surface-activated bonding technique“. Japanese Journal of Applied Physics 54, Nr. 3 (12.02.2015): 030218. http://dx.doi.org/10.7567/jjap.54.030218.
Der volle Inhalt der QuelleSUGA, Tadatomo. „Low Temperature Bonding for 3D Integration-Surface Activated Bonding (SAB)“. Hyomen Kagaku 35, Nr. 5 (2014): 262–66. http://dx.doi.org/10.1380/jsssj.35.262.
Der volle Inhalt der QuelleSuga, Tadatomo. „Low Temperature Bonding by Means of the Surface Activated Bonding Method.“ Materia Japan 35, Nr. 5 (1996): 496–500. http://dx.doi.org/10.2320/materia.35.496.
Der volle Inhalt der QuelleKim, T. H., M. M. R. Howlader, T. Itoh und T. Suga. „Room temperature Cu–Cu direct bonding using surface activated bonding method“. Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films 21, Nr. 2 (März 2003): 449–53. http://dx.doi.org/10.1116/1.1537716.
Der volle Inhalt der QuelleChang, Chao Cheng. „Molecular Dynamics Simulation of Aluminium Thin Film Surface Activated Bonding“. Key Engineering Materials 486 (Juli 2011): 127–30. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/kem.486.127.
Der volle Inhalt der QuelleUTSUMI, Jun, Kensuke IDE und Yuko ICHIYANAGI. „Room Temperature Wafer Bonding by Surface Activated Method“. Hyomen Kagaku 38, Nr. 2 (2017): 72–76. http://dx.doi.org/10.1380/jsssj.38.72.
Der volle Inhalt der QuelleKerepesi, Péter, Bernhard Rebhan, Matthias Danner, Karin Stadlmann, Heiko Groiss, Peter Oberhumer, Jiri Duchoslav und Kurt Hingerl. „Oxide-Free SiC-SiC Direct Wafer Bonding and Its Characterization“. ECS Transactions 112, Nr. 3 (29.09.2023): 159–72. http://dx.doi.org/10.1149/11203.0159ecst.
Der volle Inhalt der QuelleHigurashi, Eiji, Yuta Sasaki, Ryuji Kurayama, Tadatomo Suga, Yasuo Doi, Yoshihiro Sawayama und Iwao Hosako. „Room-temperature direct bonding of germanium wafers by surface-activated bonding method“. Japanese Journal of Applied Physics 54, Nr. 3 (22.01.2015): 030213. http://dx.doi.org/10.7567/jjap.54.030213.
Der volle Inhalt der QuelleHe, Ran, Masahisa Fujino, Akira Yamauchi und Tadatomo Suga. „Combined surface-activated bonding technique for low-temperature hydrophilic direct wafer bonding“. Japanese Journal of Applied Physics 55, Nr. 4S (09.03.2016): 04EC02. http://dx.doi.org/10.7567/jjap.55.04ec02.
Der volle Inhalt der QuelleHe, Ran, Masahisa Fujino, Akira Yamauchi, Yinghui Wang und Tadatomo Suga. „Combined Surface Activated Bonding Technique for Low-Temperature Cu/Dielectric Hybrid Bonding“. ECS Journal of Solid State Science and Technology 5, Nr. 7 (2016): P419—P424. http://dx.doi.org/10.1149/2.0201607jss.
Der volle Inhalt der QuelleHe, R., M. Fujino, A. Yamauchi und T. Suga. „Combined Surface-Activated Bonding Technique for Low-Temperature Cu/SiO2 Hybrid Bonding“. ECS Transactions 69, Nr. 6 (02.10.2015): 79–88. http://dx.doi.org/10.1149/06906.0079ecst.
Der volle Inhalt der QuelleSuga, T. „Cu-Cu Room Temperature Bonding - Current Status of Surface Activated Bonding(SAB) -“. ECS Transactions 3, Nr. 6 (21.12.2019): 155–63. http://dx.doi.org/10.1149/1.2357065.
Der volle Inhalt der QuelleShigetou, A., T. Itoh und T. Suga. „Direct bonding of CMP-Cu films by surface activated bonding (SAB) method“. Journal of Materials Science 40, Nr. 12 (Juni 2005): 3149–54. http://dx.doi.org/10.1007/s10853-005-2677-1.
Der volle Inhalt der QuelleMu, Fengwen, Kenichi Iguchi, Haruo Nakazawa, Yoshikazu Takahashi, Masahisa Fujino, Ran He und Tadatomo Suga. „A comparison study: Direct wafer bonding of SiC–SiC by standard surface-activated bonding and modified surface-activated bonding with Si-containing Ar ion beam“. Applied Physics Express 9, Nr. 8 (13.07.2016): 081302. http://dx.doi.org/10.7567/apex.9.081302.
Der volle Inhalt der QuelleDanner, Matthias, Bernhard Rebhan, Péter Kerepesi und Wolfgang S. M. Werner. „Surface Activated Si-Si Wafer Bonding Using Different Ion Species“. ECS Transactions 112, Nr. 3 (29.09.2023): 119–24. http://dx.doi.org/10.1149/11203.0119ecst.
Der volle Inhalt der QuelleDanner, Matthias, Bernhard Rebhan, Péter Kerepesi und Wolfgang S. M. Werner. „Surface Activated Si-Si Wafer Bonding Using Different Ion Species“. ECS Meeting Abstracts MA2023-02, Nr. 33 (22.12.2023): 1599. http://dx.doi.org/10.1149/ma2023-02331599mtgabs.
Der volle Inhalt der QuelleAbadie, Karine, Quentin Lomonaco, Laurent Michaud, Frank Fournel und Christophe Morales. „(First Best Paper Award) Vacuum Quality Impact on Covalent Bonding“. ECS Meeting Abstracts MA2023-02, Nr. 33 (22.12.2023): 1600. http://dx.doi.org/10.1149/ma2023-02331600mtgabs.
Der volle Inhalt der QuelleLomonaco, Quentin, Karine Abadie, Christophe Morales, Laurent Gaëtan Michaud, Jérôme Richy, Stephane Moreau, Jean-Philippe Colonna und Frank Fournel. „Stress Engineering in Germanium-Silicon Heterostructure Using Surface Activated Hot Bonding“. ECS Transactions 109, Nr. 4 (30.09.2022): 277–87. http://dx.doi.org/10.1149/10904.0277ecst.
Der volle Inhalt der QuelleChoowitsakunlert, Salinee, Kenji Takagiwa, Takuya Kobashigawa, Nariaki Hosoya, Rardchawadee Silapunt und Hideki Yokoi. „Fabrication Processes of SOI Structure for Optical Nonreciprocal Devices“. Key Engineering Materials 777 (August 2018): 107–12. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/kem.777.107.
Der volle Inhalt der QuelleKim, Kyung Hoon, Soon Hyung Hong, Seung Il Cha, Sung Chul Lim, Hyouk Chon Kwon und Won Kyu Yoon. „Bonding Quality of Copper-Nickel Fine Clad Metal Prepared by Surface Activated Bonding“. MATERIALS TRANSACTIONS 51, Nr. 4 (2010): 787–92. http://dx.doi.org/10.2320/matertrans.m2009354.
Der volle Inhalt der QuelleHe, R., M. Fujino, A. Yamauchi und T. Suga. „Combined Surface Activated Bonding Technique for Hydrophilic SiO2-SiO2 and Cu-Cu Bonding“. ECS Transactions 75, Nr. 9 (23.09.2016): 117–28. http://dx.doi.org/10.1149/07509.0117ecst.
Der volle Inhalt der QuelleTakagi, H., Y. Kurashima und T. Suga. „(Invited) Surface Activated Wafer Bonding; Principle and Current Status“. ECS Transactions 75, Nr. 9 (23.09.2016): 3–8. http://dx.doi.org/10.1149/07509.0003ecst.
Der volle Inhalt der QuelleLi, Y., S. Wang, B. Sun, H. Chang, W. Zhao, X. Zhang und H. Liu. „Room Temperature Wafer Bonding by Surface Activated ALD- Al2O3“. ECS Transactions 50, Nr. 7 (15.03.2013): 303–11. http://dx.doi.org/10.1149/05007.0303ecst.
Der volle Inhalt der QuelleHowlader, M. M. R., H. Okada, T. H. Kim, T. Itoh und T. Suga. „Wafer Level Surface Activated Bonding Tool for MEMS Packaging“. Journal of The Electrochemical Society 151, Nr. 7 (2004): G461. http://dx.doi.org/10.1149/1.1758723.
Der volle Inhalt der QuelleTakagi, H., K. Kikuchi, R. Maeda, T. R. Chung und T. Suga. „Surface activated bonding of silicon wafers at room temperature“. Applied Physics Letters 68, Nr. 16 (15.04.1996): 2222–24. http://dx.doi.org/10.1063/1.115865.
Der volle Inhalt der QuelleHowlader, M. M. R., T. Suga, A. Takahashi, K. Saijo, S. Ozawa und K. Nanbu. „Surface activated bonding of LCP/Cu for electronic packaging“. Journal of Materials Science 40, Nr. 12 (Juni 2005): 3177–84. http://dx.doi.org/10.1007/s10853-005-2681-5.
Der volle Inhalt der QuelleGardner, Douglas J., Jeffrey G. Ostmeyer und Thomas J. Elder. „Bonding Surface Activated Hardwood Flakeboard with Phenol-Formaldehyde Resin“. Holzforschung 45, Nr. 3 (Januar 1991): 215–22. http://dx.doi.org/10.1515/hfsg.1991.45.3.215.
Der volle Inhalt der QuelleKim, Kyung Hoon, Sung Chul Lim und Hyouk Chon Kwon. „The Effects of Heat Treatment on the Bonding Strength of Surface-Activated Bonding (SAB)-Treated Copper-Nickel Fine Clad Metals“. Materials Science Forum 654-656 (Juni 2010): 1932–35. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.654-656.1932.
Der volle Inhalt der QuelleLomonaco, Quentin, Karine Abadie, Christophe Morales, Laurent Gaëtan Michaud, Jérôme Richy, Stephane Moreau, Jean-Philippe Colonna und Frank Fournel. „Stress Engineering in Germanium-Silicon Heterostructure Using Surface Activated Hot Bonding“. ECS Meeting Abstracts MA2022-02, Nr. 32 (09.10.2022): 1219. http://dx.doi.org/10.1149/ma2022-02321219mtgabs.
Der volle Inhalt der QuelleChan, Cho X. J., und Peter N. Lipke. „Role of Force-Sensitive Amyloid-Like Interactions in Fungal Catch Bonding and Biofilms“. Eukaryotic Cell 13, Nr. 9 (28.03.2014): 1136–42. http://dx.doi.org/10.1128/ec.00068-14.
Der volle Inhalt der QuelleKlokkevold, Katherine N., Weston Keeven, Dong Hun Lee, Michael Clevenger, Mingyuan Liu, Kwangsoo No, Han Wook Song und Sunghwan Lee. „Low-temperature metal/Zerodur heterogeneous bonding through gas-phase processed adhesion promoting interfacial layers“. AIP Advances 12, Nr. 10 (01.10.2022): 105224. http://dx.doi.org/10.1063/6.0002114.
Der volle Inhalt der QuelleUtsumi, Jun, Kensuke Ide und Yuko Ichiyanagi. „Room temperature bonding of SiO2and SiO2by surface activated bonding method using Si ultrathin films“. Japanese Journal of Applied Physics 55, Nr. 2 (18.01.2016): 026503. http://dx.doi.org/10.7567/jjap.55.026503.
Der volle Inhalt der QuelleTakeuchi, Kai, Masahisa Fujino, Yoshiie Matsumoto und Tadatomo Suga. „Mechanism of bonding and debonding using surface activated bonding method with Si intermediate layer“. Japanese Journal of Applied Physics 57, Nr. 4S (22.03.2018): 04FC11. http://dx.doi.org/10.7567/jjap.57.04fc11.
Der volle Inhalt der QuelleHe, R., M. Fujino, A. Yamauchi und T. Suga. „Combined Surface-Activated Bonding (SAB) Technologies for New Approach to Low Temperature Wafer Bonding“. ECS Transactions 64, Nr. 5 (14.08.2014): 83–93. http://dx.doi.org/10.1149/06405.0083ecst.
Der volle Inhalt der QuelleMatsumae, T., M. Nakano, Y. Matsumoto und T. Suga. „Room Temperature Bonding of Polymer to Glass Wafers Using Surface Activated Bonding (SAB) Method“. ECS Transactions 50, Nr. 7 (15.03.2013): 297–302. http://dx.doi.org/10.1149/05007.0297ecst.
Der volle Inhalt der QuelleKerepesi, Péter, Bernhard Rebhan, Matthias Danner, Karin Stadlmann, Heiko Groiss, Peter Oberhumer, Jiri Duchoslav und Kurt Hingerl. „Oxide-Free SiC-SiC Direct Wafer Bonding and Its Characterization“. ECS Meeting Abstracts MA2023-02, Nr. 33 (22.12.2023): 1603. http://dx.doi.org/10.1149/ma2023-02331603mtgabs.
Der volle Inhalt der QuelleZhang, Wenting, Caorui Zhang, Junmin Wu, Fei Yang, Yunlai An, Fangjing Hu und Ji Fan. „Low Temperature Hydrophilic SiC Wafer Level Direct Bonding for Ultrahigh-Voltage Device Applications“. Micromachines 12, Nr. 12 (17.12.2021): 1575. http://dx.doi.org/10.3390/mi12121575.
Der volle Inhalt der QuelleAbadie, Karine, Quentin Lomonaco, Laurent Michaud, Frank Fournel und Christophe Morales. „Vacuum Quality Impact on Covalent Bonding“. ECS Transactions 112, Nr. 3 (29.09.2023): 125–37. http://dx.doi.org/10.1149/11203.0125ecst.
Der volle Inhalt der QuelleShigekawa, Naoteru, Masashi Morimoto, Shota Nishida und Jianbo Liang. „Surface-activated-bonding-based InGaP-on-Si double-junction cells“. Japanese Journal of Applied Physics 53, Nr. 4S (01.01.2014): 04ER05. http://dx.doi.org/10.7567/jjap.53.04er05.
Der volle Inhalt der QuelleSaijo, Kinji, Kazuo Yoshida, Yoshihiko Isobe, Akio Miyachi und Kazuyuki Koike. „Development of Clad Sheet Manufacturing Process by Surface Activated Bonding.“ Materia Japan 39, Nr. 2 (2000): 172–74. http://dx.doi.org/10.2320/materia.39.172.
Der volle Inhalt der QuelleMatsumae, Takashi, und Tadatomo Suga. „Graphene transfer by surface activated bonding with poly(methyl glutarimide)“. Japanese Journal of Applied Physics 57, Nr. 2S1 (05.12.2017): 02BB02. http://dx.doi.org/10.7567/jjap.57.02bb02.
Der volle Inhalt der QuelleLiang, J., K. Furuna, M. Matsubara, M. Dhamrin, Y. Nishio und N. Shigekawa. „Ultra-Thick Metal Ohmic Contact Fabrication Using Surface Activated Bonding“. ECS Transactions 75, Nr. 9 (23.09.2016): 25–32. http://dx.doi.org/10.1149/07509.0025ecst.
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