Zeitschriftenartikel zum Thema „SOA integrated optics Quantum wells“
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Ramírez, Joan Manel, Pierre Fanneau de la Horie, Jean-Guy Provost, Stéphane Malhouitre, Delphine Néel, Christophe Jany, Claire Besancon et al. „Low-Threshold, High-Power On-Chip Tunable III-V/Si Lasers with Integrated Semiconductor Optical Amplifiers“. Applied Sciences 11, Nr. 23 (23.11.2021): 11096. http://dx.doi.org/10.3390/app112311096.
Der volle Inhalt der QuelleXiao, Feng, Qin Han, Han Ye, Shuai Wang und Fan Xiao. „InP-based high-speed monolithic PIN photodetector integrated with an MQW semiconductor optical amplifier“. Japanese Journal of Applied Physics 61, Nr. 1 (01.01.2022): 012005. http://dx.doi.org/10.35848/1347-4065/ac38fb.
Der volle Inhalt der QuelleLi Kam Wa, P. „Intermixing of multiple quantum wells for all-optical integrated circuits“. Optical and Quantum Electronics 23, Nr. 7 (Januar 1991): S925—S939. http://dx.doi.org/10.1007/bf00624982.
Der volle Inhalt der QuelleKowsz, Stacy J., Erin C. Young, Benjamin P. Yonkee, Christopher D. Pynn, Robert M. Farrell, James S. Speck, Steven P. DenBaars und Shuji Nakamura. „Using tunnel junctions to grow monolithically integrated optically pumped semipolar III-nitride yellow quantum wells on top of electrically injected blue quantum wells“. Optics Express 25, Nr. 4 (13.02.2017): 3841. http://dx.doi.org/10.1364/oe.25.003841.
Der volle Inhalt der QuelleLu, Jen-Hsiang, Kun-Jheng Wu, Kuang-Jou Hsieh, Chieh-Hsiung Kuan, Juei-Yang Feng, Tsong-Sheng Lay, Chen-Wei Yang und Shun-Li Tu. „A Superlattice Infrared Photodetector Integrated With Multiple Quantum Wells to Improve the Performance“. IEEE Journal of Quantum Electronics 43, Nr. 1 (Januar 2007): 72–77. http://dx.doi.org/10.1109/jqe.2006.884584.
Der volle Inhalt der QuelleFeng, Jijun, Ryoichi Akimoto, Shin-ichiro Gozu, Teruo Mozume, Toshifumi Hasama und Hiroshi Ishikawa. „Band edge tailoring of InGaAs/AlAsSb coupled double quantum wells for a monolithically integrated all-optical switch“. Optics Express 21, Nr. 13 (25.06.2013): 15840. http://dx.doi.org/10.1364/oe.21.015840.
Der volle Inhalt der QuelleНовиков, И. И., И. А. Няпшаев, А. Г. Гладышев, В. В. Андрюшкин, А. В. Бабичев, Л. Я. Карачинский, Ю. М. Шерняков et al. „Влияние состава волноводного слоя на излучательные параметры лазерных гетероструктур InGaAlAs/InP спектрального диапазона 1550 нм“. Физика и техника полупроводников 56, Nr. 9 (2022): 933. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2022.09.53418.9892.
Der volle Inhalt der QuelleZhang, Yi, Jianfeng Gao, Senbiao Qin, Ming Cheng, Kang Wang, Li Kai und Junqiang Sun. „Asymmetric Ge/SiGe coupled quantum well modulators“. Nanophotonics 10, Nr. 6 (19.03.2021): 1765–73. http://dx.doi.org/10.1515/nanoph-2021-0007.
Der volle Inhalt der QuelleХабибуллин, Р. А., К. В. Маремьянин, Д. С. Пономарев, Р. Р. Галиев, А. А. Зайцев, А. И. Данилов, И. С. Васильевский et al. „Квантово-каскадный лазер на 3.3 ТГц на основе активного модуля из трех квантовых ям GaAs/AlGaAs с рабочей температурой >120 K“. Физика и техника полупроводников 55, Nr. 11 (2021): 989. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2021.11.51551.46.
Der volle Inhalt der QuelleShen, Jinyong, Tianyun Zhu, Jing Zhou, Zeshi Chu, Xiansong Ren, Jie Deng, Xu Dai et al. „High-Discrimination Circular Polarization Detection Based on Dielectric-Metal-Hybrid Chiral Metamirror Integrated Quantum Well Infrared Photodetectors“. Sensors 23, Nr. 1 (24.12.2022): 168. http://dx.doi.org/10.3390/s23010168.
Der volle Inhalt der QuelleTossoun, Bassem, Jizhao Zang, Sadhvikas J. Addamane, Ganesh Balakrishnan, Archie L. Holmes Holmes und Andreas Beling. „InP-Based Waveguide-Integrated Photodiodes With InGaAs/GaAsSb Type-II Quantum Wells and 10-GHz Bandwidth at 2 $ \mathbf {\mu }$m Wavelength“. Journal of Lightwave Technology 36, Nr. 20 (15.10.2018): 4981–87. http://dx.doi.org/10.1109/jlt.2018.2867808.
Der volle Inhalt der QuelleQiao, Zhongliang, Xiang Li, Jia XuBrian Sia, WanJun Wang, Hong Wang, Lin Li, Zaijin Li et al. „Mode-locked operation characteristics of a monolithic integrated two-section InGaAs/GaAs double quantum wells laser with asymmetric waveguide“. Optics & Laser Technology 147 (März 2022): 107702. http://dx.doi.org/10.1016/j.optlastec.2021.107702.
Der volle Inhalt der QuelleZhang, Yiyun, Dominic Lepage, Yiming Feng, Sihan Zhao, Hongsheng Chen und Haoliang Qian. „Resonant inelastic tunneling using multiple metallic quantum wells“. Nanophotonics, 21.06.2023. http://dx.doi.org/10.1515/nanoph-2023-0231.
Der volle Inhalt der QuelleDelphan, Anthonin, Maxim N. Makhonin, Tommi Isoniemi, Paul M. Walker, Maurice S. Skolnick, Dmitriy Krizhanovskii, Dmitry Skryabin, Jean-Francois Carlin, Nicolas Grandjean und Raphaël Butté. „Polariton lasing in AlGaN microring with GaN/AlGaN quantum wells“. APL Photonics, 09.01.2023. http://dx.doi.org/10.1063/5.0132170.
Der volle Inhalt der QuelleChesi, Giovanni, virginia falcone, Stefano Calcaterra, Michele Virgilio und Jacopo Frigerio. „Modelling second harmonic generation at mid-infrared frequencies in waveguide integrated Ge/SiGe quantum wells“. Optics Express, 27.03.2023. http://dx.doi.org/10.1364/oe.483888.
Der volle Inhalt der QuelleFaverzani, Marco, Stefano Calcaterra, Paolo Biagioni und Jacopo Frigerio. „Strong coupling in metal-semiconductor microcavities featuring Ge quantum wells: a perspective study“. Nanophotonics, 24.01.2024. http://dx.doi.org/10.1515/nanoph-2023-0730.
Der volle Inhalt der QuelleSrikam, Saranisorn, Worawat Traiwattanapong, Pichet Limsuwan und Papichaya Chaisakul. „An FDTD investigation of compact and low-voltage waveguide-integrated plasmonic Ge/SiGe multiple quantum wells photodetectors“. IEEE Photonics Journal, 2022, 1–8. http://dx.doi.org/10.1109/jphot.2022.3202882.
Der volle Inhalt der QuelleTalamas Simola, Enrico, Michele Ortolani, Luciana Di Gaspare, Giovanni Capellini, Monica De Seta und Michele Virgilio. „Asymmetric-coupled Ge/SiGe quantum wells for second harmonic generation at 7.1 THz in integrated waveguides: a theoretical study“. Nanophotonics, 18.01.2024. http://dx.doi.org/10.1515/nanoph-2023-0697.
Der volle Inhalt der QuelleOjanen, Samu‐Pekka, Jukka Viheriälä, Nouman Zia, Eero Koivusalo, Joonas Hilska, Heidi Tuorila und Mircea Guina. „Widely Tunable (2.47–2.64 µm) Hybrid Laser Based on GaSb/GaInAsSb Quantum‐Wells and a Low‐Loss Si 3 N 4 Photonic Integrated Circuit“. Laser & Photonics Reviews, 14.04.2023. http://dx.doi.org/10.1002/lpor.202201028.
Der volle Inhalt der QuelleQiao, Zhongliang, Xiang Li, Jia XuBrian Sia, WanJun Wang, Hong Wang, Lin Li, Zaijin Li et al. „Corrigendum to “Mode-locked Operation Characteristics of a Monolithic Integrated Two-section InGaAs/GaAs Double Quantum Wells Laser with Asymmetric Waveguide” [Optics & Laser Technol. 147 (2022) 107702, Pp. 1-8. https://doi.org/10.1016/j.optlastec.2021.107702]“. Optics & Laser Technology, Mai 2024, 111080. http://dx.doi.org/10.1016/j.optlastec.2024.111080.
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