Zeitschriftenartikel zum Thema „Single-Electron physics“
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Osborne, I. S. „APPLIED PHYSICS: Single-Electron Shuttle“. Science 293, Nr. 5535 (31.08.2001): 1559b—1559. http://dx.doi.org/10.1126/science.293.5535.1559b.
Der volle Inhalt der QuelleKASTNER, M. A. „THE PHYSICS OF SINGLE ELECTRON TRANSISTORS“. International Journal of High Speed Electronics and Systems 12, Nr. 04 (Dezember 2002): 1101–33. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156402001940.
Der volle Inhalt der QuelleKastner, M. A., und D. Goldhaber-Gordon. „Kondo physics with single electron transistors“. Solid State Communications 119, Nr. 4-5 (Juli 2001): 245–52. http://dx.doi.org/10.1016/s0038-1098(01)00106-5.
Der volle Inhalt der QuelleKobayashi, Shun-ichi. „Fundamental Physics of Single Electron Transport“. Japanese Journal of Applied Physics 36, Part 1, No. 6B (30.06.1997): 3956–59. http://dx.doi.org/10.1143/jjap.36.3956.
Der volle Inhalt der QuelleDempsey, Kari J., David Ciudad und Christopher H. Marrows. „Single electron spintronics“. Philosophical Transactions of the Royal Society A: Mathematical, Physical and Engineering Sciences 369, Nr. 1948 (13.08.2011): 3150–74. http://dx.doi.org/10.1098/rsta.2011.0105.
Der volle Inhalt der QuelleSeneor, Pierre, Anne Bernand-Mantel und Frédéric Petroff. „Nanospintronics: when spintronics meets single electron physics“. Journal of Physics: Condensed Matter 19, Nr. 16 (05.04.2007): 165222. http://dx.doi.org/10.1088/0953-8984/19/16/165222.
Der volle Inhalt der QuelleDevoret, Michel H., und Christian Glattli. „Single-electron transistors“. Physics World 11, Nr. 9 (September 1998): 29–34. http://dx.doi.org/10.1088/2058-7058/11/9/26.
Der volle Inhalt der QuelleJamshidnezhad, K., und M. J. Sharifi. „Physics-based analytical model for ferromagnetic single electron transistor“. Journal of Applied Physics 121, Nr. 11 (21.03.2017): 113905. http://dx.doi.org/10.1063/1.4978425.
Der volle Inhalt der QuelleSeike, Kohei, Yasushi Kanai, Yasuhide Ohno, Kenzo Maehashi, Koichi Inoue und Kazuhiko Matsumoto. „Carbon nanotube single-electron transistors with single-electron charge storages“. Japanese Journal of Applied Physics 54, Nr. 6S1 (24.04.2015): 06FF05. http://dx.doi.org/10.7567/jjap.54.06ff05.
Der volle Inhalt der QuelleWu Fan und Wang Tai-Hong. „Single-electron control by single-electron pump and its stability diagrams“. Acta Physica Sinica 52, Nr. 3 (2003): 696. http://dx.doi.org/10.7498/aps.52.696.
Der volle Inhalt der QuelleGinzburg, L. P. „Single-electron Schrödinger equation for many-electron systems“. Theoretical and Mathematical Physics 121, Nr. 3 (Dezember 1999): 1641–53. http://dx.doi.org/10.1007/bf02557209.
Der volle Inhalt der QuelleApell, P., und A. Tagliacozzo. „Single Electron Tunneling“. physica status solidi (b) 145, Nr. 2 (01.02.1988): 483–91. http://dx.doi.org/10.1002/pssb.2221450213.
Der volle Inhalt der QuelleGurvitz, Shmuel. „Single-electron approach for time-dependent electron transport“. Physica Scripta T165 (01.10.2015): 014013. http://dx.doi.org/10.1088/0031-8949/2015/t165/014013.
Der volle Inhalt der QuelleNagase, Masao, Seiji Horiguchi, Akira Fujiwara und Yasuo Takahashi. „Microscopic Observations of Single-Electron Island in Si Single-Electron Transistors“. Japanese Journal of Applied Physics 42, Part 1, No. 4B (30.04.2003): 2438–43. http://dx.doi.org/10.1143/jjap.42.2438.
Der volle Inhalt der QuelleMonreal, Benjamin. „Single-electron cyclotron radiation“. Physics Today 69, Nr. 1 (Januar 2016): 70–71. http://dx.doi.org/10.1063/pt.3.3060.
Der volle Inhalt der QuelleJi, Xiao-Fan, Zheng Xu, Shuo Cao, Kang-Sheng Qiu, Jing Tang, Xi-Tian Zhang und Xiu-Lai Xu. „Single-ZnO-Nanobelt-Based Single-Electron Transistors“. Chinese Physics Letters 31, Nr. 6 (Juni 2014): 067303. http://dx.doi.org/10.1088/0256-307x/31/6/067303.
Der volle Inhalt der QuelleYano, Kazuo, und David K. Ferry. „Single-electron solitons“. Superlattices and Microstructures 11, Nr. 1 (Januar 1992): 61–64. http://dx.doi.org/10.1016/0749-6036(92)90362-9.
Der volle Inhalt der QuelleAKAMINE, Yuta, Kazuto FUJIWARA, Bokulae CHO und Chuhei OSHIMA. „New Phenomena in Physics Related with Single-Atom Electron Sources“. Journal of the Vacuum Society of Japan 55, Nr. 2 (2012): 59–63. http://dx.doi.org/10.3131/jvsj2.55.59.
Der volle Inhalt der QuelleWingreen, N. S. „PHYSICS: Quantum Many-Body Effects in a Single-Electron Transistor“. Science 304, Nr. 5675 (28.05.2004): 1258–59. http://dx.doi.org/10.1126/science.1098302.
Der volle Inhalt der QuelleNordlander, Peter, Ned S. Wingreen, Yigal Meir und David C. Langreth. „Kondo physics in the single-electron transistor with ac driving“. Physical Review B 61, Nr. 3 (15.01.2000): 2146–50. http://dx.doi.org/10.1103/physrevb.61.2146.
Der volle Inhalt der QuelleTanttu, Tuomo, Alessandro Rossi, Kuan Yen Tan, Kukka-Emilia Huhtinen, Kok Wai Chan, Mikko Möttönen und Andrew S. Dzurak. „Electron counting in a silicon single-electron pump“. New Journal of Physics 17, Nr. 10 (16.10.2015): 103030. http://dx.doi.org/10.1088/1367-2630/17/10/103030.
Der volle Inhalt der QuelleKauppinen, J. P., und J. P. Pekola. „Hot electron effects in metallic single electron components“. Czechoslovak Journal of Physics 46, S4 (April 1996): 2295–96. http://dx.doi.org/10.1007/bf02571139.
Der volle Inhalt der QuelleTakahashi, Yasuo, Yukinori Ono, Akira Fujiwara und Hiroshi Inokawa. „Silicon single-electron devices“. Journal of Physics: Condensed Matter 14, Nr. 39 (20.09.2002): R995—R1033. http://dx.doi.org/10.1088/0953-8984/14/39/201.
Der volle Inhalt der QuelleKim, Sang Jin, Yukinori Ono, Yasuo Takahashi und Jung Bum Choi. „Real-Time Observation of Single-Electron Movement through Silicon Single-Electron Transistor“. Japanese Journal of Applied Physics 43, Nr. 10 (08.10.2004): 6863–67. http://dx.doi.org/10.1143/jjap.43.6863.
Der volle Inhalt der QuelleBoese, D., und H. Schoeller. „Influence of nanomechanical properties on single-electron tunneling: A vibrating single-electron transistor“. Europhysics Letters (EPL) 54, Nr. 5 (Juni 2001): 668–74. http://dx.doi.org/10.1209/epl/i2001-00367-8.
Der volle Inhalt der QuelleSui Bing-Cai, Fang Liang und Zhang Chao. „Conductance of single-electron transistor with single island“. Acta Physica Sinica 60, Nr. 7 (2011): 077302. http://dx.doi.org/10.7498/aps.60.077302.
Der volle Inhalt der QuelleWang, Y., D. MacKernan, D. Cubero, D. F. Coker und N. Quirke. „Single electron states in polyethylene“. Journal of Chemical Physics 140, Nr. 15 (21.04.2014): 154902. http://dx.doi.org/10.1063/1.4869831.
Der volle Inhalt der QuelleMatsutani, Masahiro, Fujio Wakaya, Sadao Takaoka, Kazuo Murase und Kenji Gamo. „Electron-Beam-Induced Oxidation for Single-Electron Devices“. Japanese Journal of Applied Physics 36, Part 1, No. 12B (30.12.1997): 7782–85. http://dx.doi.org/10.1143/jjap.36.7782.
Der volle Inhalt der QuelleNishiguchi, Norihiko. „Electron transport properties of C60 single electron transistor“. Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures 18, Nr. 1-3 (Mai 2003): 247–48. http://dx.doi.org/10.1016/s1386-9477(02)01000-7.
Der volle Inhalt der QuelleCiccarello, F., G. M. Palma, M. Zarcone, Y. Omar und V. R. Vieira. „Entanglement controlled single-electron transmittivity“. New Journal of Physics 8, Nr. 9 (27.09.2006): 214. http://dx.doi.org/10.1088/1367-2630/8/9/214.
Der volle Inhalt der QuelleDasenbrook, David, Joseph Bowles, Jonatan Bohr Brask, Patrick P. Hofer, Christian Flindt und Nicolas Brunner. „Single-electron entanglement and nonlocality“. New Journal of Physics 18, Nr. 4 (26.04.2016): 043036. http://dx.doi.org/10.1088/1367-2630/18/4/043036.
Der volle Inhalt der QuelleBushev, P. A., J. H. Cole, D. Sholokhov, N. Kukharchyk und M. Zych. „Single electron relativistic clock interferometer“. New Journal of Physics 18, Nr. 9 (27.09.2016): 093050. http://dx.doi.org/10.1088/1367-2630/18/9/093050.
Der volle Inhalt der QuelleDubas, L. G. „Single-component relativistic electron flux“. Technical Physics Letters 32, Nr. 6 (Juni 2006): 527–28. http://dx.doi.org/10.1134/s106378500606023x.
Der volle Inhalt der QuelleJeong, Moon-Young, Yoon-Ha Jeong, Sung-Woo Hwang und Dae M. Kim. „Performance of Single-Electron Transistor Logic Composed of Multi-gate Single-Electron Transistors“. Japanese Journal of Applied Physics 36, Part 1, No. 11 (15.11.1997): 6706–10. http://dx.doi.org/10.1143/jjap.36.6706.
Der volle Inhalt der QuelleChen, Wei. „Fabrication and physics of 2 nm islands for single electron devices“. Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures 13, Nr. 6 (November 1995): 2883. http://dx.doi.org/10.1116/1.588310.
Der volle Inhalt der QuelleJia, Zhaosai, Hailong Wang, Chuanhe Ma, Xin Cao und Qian Gong. „Electron–electron scattering rate in CdTe/CdMnTe single quantum well“. International Journal of Modern Physics B 35, Nr. 21 (31.07.2021): 2150221. http://dx.doi.org/10.1142/s0217979221502210.
Der volle Inhalt der QuelleThelander, Claes, Henrik A. Nilsson, Linus E. Jensen und Lars Samuelson. „Nanowire Single-Electron Memory“. Nano Letters 5, Nr. 4 (April 2005): 635–38. http://dx.doi.org/10.1021/nl050006s.
Der volle Inhalt der QuelleRafiq, M. A., Z. A. K. Durrani, H. Mizuta, A. Colli, P. Servati, A. C. Ferrari, W. I. Milne und S. Oda. „Room temperature single electron charging in single silicon nanochains“. Journal of Applied Physics 103, Nr. 5 (März 2008): 053705. http://dx.doi.org/10.1063/1.2887988.
Der volle Inhalt der QuelleHasko, D. G., T. Ferrus, Q. R. Morrissey, S. R. Burge, E. J. Freeman, M. J. French, A. Lam et al. „Single shot measurement of a silicon single electron transistor“. Applied Physics Letters 93, Nr. 19 (10.11.2008): 192116. http://dx.doi.org/10.1063/1.3028344.
Der volle Inhalt der QuelleKubatkin, Sergey, Andrey Danilov, Mattias Hjort, Jérôme Cornil, Jean-Luc Brédas, Nicolai Stuhr-Hansen, Per Hedegård und Thomas Bjørnholm. „Single electron transistor with a single conjugated molecule“. Current Applied Physics 4, Nr. 5 (August 2004): 554–58. http://dx.doi.org/10.1016/j.cap.2004.01.018.
Der volle Inhalt der QuelleMatheoud, Alessandro V., Nergiz Sahin und Giovanni Boero. „A single chip electron spin resonance detector based on a single high electron mobility transistor“. Journal of Magnetic Resonance 294 (September 2018): 59–70. http://dx.doi.org/10.1016/j.jmr.2018.07.002.
Der volle Inhalt der QuelleHwang, Sung Woo, Toshitsugu Sakamoto und Kazuo Nakamura. „Single Electron Digital Phase Modulator“. Japanese Journal of Applied Physics 34, Part 1, No. 1 (15.01.1995): 83–84. http://dx.doi.org/10.1143/jjap.34.83.
Der volle Inhalt der QuelleAkazawa, Masamichi, und Yoshihito Amemiya. „Directional Single-Electron-Tunneling Junction“. Japanese Journal of Applied Physics 35, Part 1, No. 6A (15.06.1996): 3569–75. http://dx.doi.org/10.1143/jjap.35.3569.
Der volle Inhalt der QuelleKirihara, Masaharu, und Kenji Taniguchi. „A Single Electron Neuron Device“. Japanese Journal of Applied Physics 36, Part 1, No. 6B (30.06.1997): 4172–75. http://dx.doi.org/10.1143/jjap.36.4172.
Der volle Inhalt der Quellevon Borczyskowski, C., J. Köhler, W. E. Moerner, M. Orrit und J. Wrachtrup. „Single-molecule electron spin resonance“. Applied Magnetic Resonance 31, Nr. 3-4 (September 2007): 665–76. http://dx.doi.org/10.1007/bf03166609.
Der volle Inhalt der QuelleSo, Hye-Mi, Jinhee Kim, Wan Soo Yun, Jong Wan Park, Ju-Jin Kim, Do-Jae Won, Yongku Kang und Changjin Lee. „Molecule-based single electron transistor“. Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures 18, Nr. 1-3 (Mai 2003): 243–44. http://dx.doi.org/10.1016/s1386-9477(02)00996-7.
Der volle Inhalt der QuelleAbramov, I. I., und E. G. Novik. „Classification of single-electron devices“. Semiconductors 33, Nr. 11 (November 1999): 1254–59. http://dx.doi.org/10.1134/1.1187860.
Der volle Inhalt der QuelleYu, Yun Seop, Seung Hun Son, Hee Tae Kim, Yong Gyu Kim, Jung Hyun Oh, Hanjung Kim, Sung Woo Hwang, Bum Ho Choi und Doyeol Ahn. „Transmission-Type Radio-Frequency Single-Electron Transistor with In-Plane-Gate Single-Electron Transistor“. Japanese Journal of Applied Physics 46, Nr. 4B (24.04.2007): 2592–95. http://dx.doi.org/10.1143/jjap.46.2592.
Der volle Inhalt der QuelleFernández-Rossier, J., R. Aguado und L. Brey. „Anisotropic magnetoresistance in single electron transport“. physica status solidi (c) 3, Nr. 12 (Dezember 2006): 4231–34. http://dx.doi.org/10.1002/pssc.200672837.
Der volle Inhalt der QuelleSpeirs, Rory W., Corey T. Putkunz, Andrew J. McCulloch, Keith A. Nugent, Benjamin M. Sparkes und Robert E. Scholten. „Single-shot electron diffraction using a cold atom electron source“. Journal of Physics B: Atomic, Molecular and Optical Physics 48, Nr. 21 (23.09.2015): 214002. http://dx.doi.org/10.1088/0953-4075/48/21/214002.
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