Thematische Bibliographien / Propriétés optiques de semiconducteurs

Inhaltsverzeichnis

  1. Zeitschriftenartikel
  2. Dissertationen
  3. Bücher
  4. Buchteile
  5. Konferenzberichte

Auswahl der wissenschaftlichen Literatur zum Thema „Propriétés optiques de semiconducteurs“

Autor: Grafiati
Veröffentlicht am 25. Mai 2024

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Zeitschriftenartikel zum Thema "Propriétés optiques de semiconducteurs"

1

Fortin, ER, und AP Roth. „Quelques propriétés optiques et électro-optiques des super-réseaux et puits quantiques semiconducteurs InGaAs/GaAs“. Journal de Chimie Physique 88 (1991): 2197–209. http://dx.doi.org/10.1051/jcp/1991882197.

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2

Duan, Guang Hua, Philippe Gallion und Guy Debarge. „Propriétés spectrales d’un laser semiconducteur soumis à une rétroaction optique externe“. Annales Des Télécommunications 44, Nr. 3-4 (März 1989): 142–48. http://dx.doi.org/10.1007/bf02997807.

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3

Jozefowicz, M., L. T. Yu, J. Perichon und R. Buvet. „Propriétés Nouvelles des Polymères Semiconducteurs“. Journal of Polymer Science Part C: Polymer Symposia 22, Nr. 2 (13.03.2007): 1187–95. http://dx.doi.org/10.1002/polc.5070220251.

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4

Ruchon, T., J. Y. Thépot, M. Vallet und A. Le Floch. „Propriétés magnéto-optiques des diastéréoisomères“. Journal de Physique IV (Proceedings) 135, Nr. 1 (Oktober 2006): 271–72. http://dx.doi.org/10.1051/jp4:2006135086.

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5

Le Floch, Albert, Laurent Dutriaux und Fabien Bretenaker. „Quelques propriétés optiques du laser tunnel“. Comptes Rendus de l'Académie des Sciences - Series IV - Physics 1, Nr. 5 (Juli 2000): 639–45. http://dx.doi.org/10.1016/s1296-2147(00)01088-x.

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6

Cardinal, Thierry, Matthieu Lancry, Lionel Canioni, Bertrand Poumellec und Wilfried Blanc. „Fonctionnaliser le verre pour de nouvelles propriétés optiques“. Reflets de la physique, Nr. 74 (Dezember 2022): 70–75. http://dx.doi.org/10.1051/refdp/202274070.

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Si le verre possède de nombreux atouts, ses propriétés optiques sont parmi les plus remarquables. Sa transparence et son indice de réfraction ont longtemps été reliés exclusivement à sa composition globale. Cependant, la structuration des propriétés optiques en surface ou au coeur du verre, à l’échelle micro ou nanométrique, connait un engouement particulier ces dernières années. Nous nous intéressons dans cet article à la structuration multidimensionnelle des verres par des impulsions lasers ultracourtes ou par l’insertion de nanoparticules au sein de fibres optiques. Cette approche mène à de nouvelles applications en photonique, mais aussi en optofluidique, optomécanique, micromoulage d’optiques ou encore pour le stockage optique pérenne d’informations.
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7

Kudlinski, Alexandre, Arnaud Mussot und Géraud Bouwmans. „Fibres optiques topographiques“. Photoniques, Nr. 99 (November 2019): 28–32. http://dx.doi.org/10.1051/photon/20199928.

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L’avènement des fibres à cristal photonique dans les années 90 a été une révolution sur les plans tant scientifique qu’applicatif. Leur structuration transverse complexe leur confère en effet des propriétés de guidage inédites. Les fibres optiques topographiques introduites dans les années 2010 offrent, quant à elles, un degré de liberté supplémentaire grâce à leur structuration longitudinale contrôlée. Bien que leur potentiel applicatif soit loin d’être totalement exploré, elles ont déjà été largement exploitées en optique guidée.
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8

Courjal, Nadège, Florent Behague, Vincent Pêcheur, Mathieu Chauvet, Maria-Pilar Bernal und Jérôme Hauden. „Microsystèmes intégrés en niobate de lithium“. Photoniques, Nr. 98 (September 2019): 34–38. http://dx.doi.org/10.1051/photon/20199834.

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Le niobate de lithium (LiNbO3) suscite un vif intérêt en photonique depuis des décennies en raison de ses fortes propriétés électro-optiques et non-linéaires. L’opportunité récente de l’usiner en couches minces a élargi le spectre des applications déjà nombreuses du matériau. Les enjeux actuels concernent la miniaturisation des composants tout en préservant de faibles pertes optiques.
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9

Lefrant, S., C. Godon, T. Verdon, E. Mulazzi und G. Leising. „Propriétés optiques de polymères et de copolymères orientés“. Journal de Chimie Physique 89 (1992): 947–56. http://dx.doi.org/10.1051/jcp/1992890947.

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10

Amo, Alberto, und Gaëtan Lévèque. „Comprendre la topologie photonique“. Photoniques, Nr. 124 (2024): 54–58. http://dx.doi.org/10.1051/photon/202412454.

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La topologie décrit les propriétés d’un objet qui ne changent pas quand il est déformé. En photonique elle permet de classer les bandes de fréquence d’un matériau structuré selon leurs symétries locales. À l’interface entre deux matériaux optiques de topologie distincte apparaissent des modes guidés de propagation très robuste. Nous donnons ici les notions fondamentales pour en comprendre les propriétés.
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Mehr Quellen

Dissertationen zum Thema "Propriétés optiques de semiconducteurs"

1

Lamouche, Guy. „Propriétés optiques des semiconducteurs, impuretés et points quantiques“. Thesis, National Library of Canada = Bibliothèque nationale du Canada, 1996. http://www.collectionscanada.ca/obj/s4/f2/dsk3/ftp04/nq21480.pdf.

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2

Zhao, Shen. „Propriétés optiques de nanorubans et boites quantiques de graphène“. Thesis, Université Paris-Saclay (ComUE), 2018. http://www.theses.fr/2018SACLN032/document.

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Ce manuscrit présente une étude expérimentale sur les propriétés optiques des nanorubans de graphène (acronyme anglais : GNRs) et des boites quantiques de graphène (acronyme anglais : GQDs) synthétisés par la chimie ascendante.Pour la partie sur les GNRs, les spectres d'absorption et de photoluminescence ainsi que les mesures de la durée de vie sur la dispersion impliquent la formation d'états excimères résultant de l'agrégation des GNRs. Au moyen de la microscopie confocale et de la microscopie à force atomique, nous observons l'émission de petits agrégats de GNRs confirmant leur capacité à émettre de la lumière à l'état solide. D'autre part, les caractérisations optiques des GNRs synthétisés sur une surface d’or présentent des caractéristiques de Raman remarquables, impliquant les propriétés vibrationnelles spécifiques des GNRs par rapport au graphène et aux nanotubes de carbone. La PL observée est spectralement large avec une énergie plus élevée que celle de la bande interdite des GNRs. Cela pourrait être lié aux défauts créés lors de la préparation de l'échantillon.Pour la partie sur les GQDs, les résultats de spectroscopie optique indiquent que les GQDs sont individualisées en dispersion plutôt que sous la forme d’agrégats. Ensuite, grâce à la microphotoluminescence, nous abordons directement les propriétés intrinsèques des GQDs uniques. Des mesures de corrélation de photons de second ordre révèlent que les GQDs présentent une émission de photons uniques avec une grande pureté. De plus, l'émission de GQD présente une bonne photo-stabilité avec une brillance élevée. Comme premier exemple de l'accordabilité optique des GQDs via le contrôle de la structure, nous observons que l'émission de GQDs fonctionalisés avec des atomes de chlore est décalée de près de 100 nm tout en maintenant une émission de photons uniques
This manuscript presents an experimental study on the optical properties of graphene nanoribbons (GNRs) and graphene quantum dots (GQDs) synthesized by bottom-up chemistry.For the part on GNRs, the optical absorption and photoluminescence spectra as well as the life-time measurements on the dispersion of solution-mediated synthesized GNRs implies the formation of excimer states as a result of aggregation of GNRs. By means of confocal fluorescence microscopy and atomic force microscopy, we observe the emission of small GNR aggregates confirming the ability of GNRs to emit light in the solid state. On the other hand, the optical characterizations of on-surface synthesized GNRs shows remarkable Raman features, implying the distinct vibrational properties of GNRs compared to graphene and carbon nanotubes. The observed PL is spectrally broad with higher energy instead of a bright bandgap emission, which might be related to the defects created during the sample preparation.For the part on GQDs, the optical spectroscopy results indicate that GQDs are individualized in dispersions rather than in the form of aggregates. Then by means of microphotoluminescence, we directly address the intrinsic properties of single GQDs. Second-order photon correlation measurements reveal that GQDs exhibit single-photon emission with a high purity. Notably, the emission of GQDs has good photo-stability with high brightness. As a first example of the optical tunability of GQDs through the control of their structure, we observe that the emission of single edge-chlorinated GQDs is redshifted by almost 100 nm while maintaining the single-photon emission
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3

Wen, Shi-Jie. „Étude des propriétés électroniques de semiconducteurs à base de In₂O₃“. Bordeaux 1, 1992. http://www.theses.fr/1992BOR10594.

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Dans le but d'améliorer les performances d'électrodes à base d'IO ou d'ITO, une étude comparative des propriétés électroniques de monocristaux, de céramiques et de couches minces a été réalisée. Nous avons pu ainsi proposer de nouveaux éléments dopants et, corrélativement, de nouvelles électrodes transparentes et conductrices (IO:Ge, ITO:Ge,. . . ).
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Zaoui, Ali. „Etude des propriétés structurales, électroniques et optiques des semi-conducteurs de type AN B8-N et de leurs alliages“. Metz, 1999. http://docnum.univ-lorraine.fr/public/UPV-M/Theses/1999/Zaoui.Ali.SMZ9943.pdf.

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Cette thèse a été conçue dans le but de déterminer les propriétés structurales, électroniques et optiques d'une grande variété de semi-conducteurs à liaisons tétraédriques, allant des plus covalents aux plus ioniques, des semi-conducteurs de type IV-IV aux semi-conducteurs de type I-VII. Pour cela nous avons utilisé un large éventail de méthodes de calcul, allant de l'empirique au premier principe en passant par le semi-empirique. Cette diversité de méthode nous a permis d'optimiser des résultats relatifs à chaque propriété étudiée. La notion d'ionicité a été définit et utilisée pour prédire la transition de phase structurale sous pression. Par ailleurs, l'effet d'alliage a été modifié en utilisant l'approximation du cristal virtuel (VCA). L'ensemble des résultats a été confronté à ceux de l'expérimental
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Ingert, Dorothée. „Synthèse et propriétés optiques de semiconducteurs II-VI à l'échelle nanométrique“. Paris 6, 1999. http://www.theses.fr/1999PA066250.

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6

Hizem, Neila. „Etude des propriétés électro-optiques des impuretés vanadium et nickel dans GaAs“. Lyon, INSA, 1989. http://www.theses.fr/1989ISAL0028.

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Au cours de ce travail nous avons étudié l'effet de l'introduction du Vanadium et du Nickel sur les propriétés électriques et optiques de matériaux GaAs. Un ensemble de caractérisations électro-optiques basé essentiellement sur les techniques capacitives (DLTS,DLOS), et optiques (AO, PL), a été utilisé pour réaliser cette étude. Les principaux résultats se résument comme suit (1) Nous avons tenté de réaliser des dispositifs électroluminescents à base de GaAs : V élaboré par épitaxie en phase liquide(LPE). Nous avons mis en évidence des problèmes métallurgiques liés à la réactivité du V avec le creuset en graphite se traduisant par une forte pollution des couches GaAs en Carbone. Nous avons minimisé cette dernière en recouvrant le creuset en graphite par du nitrure de bore pyrolitique (PBN). Sur les couches réalisées les mesures de photoluminescence et de SIMS ont révélé une faible incorporation du V dans les conditions de la LPE : le coefficient de distribution du V est trouvé de 10exp-6. Ce résultat explique la difficulté de détecter la transition interne du Vanadium par électroluminescence. (2) Des mesures DLTS, DLOS et AO réalisées sur divers matériaux GaAs dopes V, de type différents montrent de façon certaine que le seul niveau associé au V est le niveau simple accepteur v2+N3+ situé à Ec- 0,15 eV. Ce niveau ne peut en aucun cas être responsable d'un caractère semi isolant. Les mesures absolues de la section de photo ionisation σn° (hυ) montrent que ce niveau possède une configuration orbitale de bas spin de type 2E. Enfin nous avons mis en évidence sur ce niveau un effet de champ électrique et nous l'avons interprété en terme d'émission tunnel assisté par phonons. (3) Dans le cas du Nickel dans GaAs, nous avons montré pour la première fois que le Ni n'introduit qu'un seul centre double accepteur Ni+JNi2+ situé à Ec- 0. 4 eV. Ce centre profond est responsable de l'apparition d'une zone de haute résistivité située sous le contact Au-Ge-Ni. (4) Enfin, nous avons mis au point une procédure technologique pour la réalisation de diodes Schottky de bonne qualité sur GaSb de type n. L'étude des caractéristiques électriques de ces structures a révélé un comportement comparable à celui observé sur les barrières Schottky GaAs.
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Capet, Frédéric. „Évolution sous pression hydrostatique des propriétés structurales, optiques et électroniques du semi-conducteur ternaire : cugas2“. Lille 1, 1995. http://www.theses.fr/1995LIL10148.

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Le travail présente consiste en l'étude d'un semi-conducteur ternaire: CuGaS2. La famille de la chalcopyrite dont fait partie ce compose suscite, à l'heure actuelle, un intérêt grandissant compte tenu des applications possibles dans le domaine de l'optique non linéaire, des détecteurs photovoltaïques et des cellules solaires. En dépit d'une grande similitude structurale entre CuGaS2 et son analogue binaire (ZnS), la largeur de la bande interdite du compose ternaire est notablement plus faible. A partir de mesures de l'absorption optique, nous montrons l'évolution, sous pression hydrostatique, de cette anomalie du gap. Par diffraction des rayons x sur monocristaux, nous avons étudié la structure cristalline, sous pression, du compose ternaire et mis en évidence les différences essentielles qui résident entre les composes binaire et ternaire : (1) la substitution de l'atome de zinc par alternativement du cuivre et du gallium crée des liaisons différentes avec un changement dans l'électronégativité des ions. (2) Du fait de cette disparité des ions, l'atome chalcogène se trouve déplace de sa position spéciale. (3) Enfin, apparaît une distorsion tétragonale. L'origine de l'anomalie du gap a été attribuée principalement à une hybridation p-d entre les électrons p du soufre et les électrons d du cuivre. Une analyse multipolaire de la distribution de la densité électronique nous a permis de comparer les liaisons Ga-S et Cu-S.
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Malonga, Frédéric. „Propriétés électroniques et optiques des superréseaux semiconducteurs contraints suivant [001] et [111]“. Montpellier 2, 1995. http://www.theses.fr/1995MON20267.

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Ce memoire decrit les proprietes electroniques et optiques des superreseaux epitaxies dans les directions cristallographiques (001) et (111). On etudie l'eclatement des bandes d'energie des semiconducteurs massifs sous l'effet d'une contrainte de symetrie (001) ou (111). Les resultats obtenus ont ete utilises pour decrire l'effet piezoelectrique caracteristique des superreseaux (111) contraints znse/znte et (ga,in)as/gaas. Afin de montrer la difference fondamentale entre les superreseaux (001) et (111), une etude comparative de leurs proprietes electroniques et optiques a ete faite. Ce travail a permis de montrer que l'effet piezoelectrique peut etre exploite dans des dispositifs utilisant des heterostructures contraintes de symetrie (111) et a faible offset chimique
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Ferraro, Mario. „Ingénierie des propriétés optiques des métamatériaux semiconducteurs à base d’oxyde de zinc“. Thesis, Université Côte d'Azur (ComUE), 2019. http://www.theses.fr/2019AZUR4092.

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Dans le cadre de l'ingénierie des propriétés optiques des matériaux, ce travail de thèse a proposé deux nanostructures semi-conductrices innovantes à base de ZnO. La première consistait en un empilement suspendu de puits quantiques de ZnO-ZnMgO dont la distribution des modes guidés est modifiée par un réseau sous-longueur d'onde de SiO2. En particulier, une dispersion présentant deux minima a été réalisée. Une telle dispersion particulière permet, en principe, la formation simultanée de deux condensats de polaritons dégénérés, distingués uniquement par leurs valeurs du vecteur k. Une structure suspendue mécaniquement stable a été réalisée. Cependant, certains problèmes de fabrication, entraînant des effets de diffusion néfastes lors de la caractérisation optique, doivent encore être résolus afin d'améliorer la qualité des échantillons. La deuxième structure que nous avons proposée est un métamatériau hyperbolique fonctionnant aux fréquences dans les moyennes IR, dont la dispersion est fonction de la transition entre sous-bandes. Une telle résonance peut être utilisée pour ajuster le comportement optique d'une structure à puits quantiques afin d'obtenir une réfraction négative. Nos résultats peuvent être vus dans un cadre plus général : nous avons mis au point un modèle permettant de déterminer qu’une résonance de type lorentzien peut être utilisée pour fournir un comportement du type métamatériel hyperbolique ainsi que une réfraction négative. Nos résultats relient pour la première fois les concepts de la transition intersousbande aux métamatériaux hyperboliques et ouvrent la voie à la réalisation de dispositifs basés sur la transition intersousbande. En termes de perspectives, nous avons également proposé une façon intuitive de résoudre la forte absorption caractérisant les HMM. Ces derniers est un des inconvénients les plus critiques limitant leur utilisation dans des applications réelles
In the framework of engineering the optical properties of materials, this thesis work proposed two innovative ZnO semiconductor nanostructures. The first one consisted of a suspended ZnO-ZnMgO multiple quantum wells slab whose guided modes distribution is modified by an SiO2 subwavelength grating. In particular, a dispersion featuring two minima was realized. Such a peculiar dispersion allows, in principle, the simultaneous formation of two degenerate polariton condensates, distinguished only by their k-vector values. A mechanically stable suspended structure has been realized. However, some fabrication issues, resulting in detrimental scattering effects during the optical characterization, still have to be fixed in order to improve the samples quality. The second structure that we proposed is a hyperbolic metamaterial working at mid-IR frequencies, whose dispersion is driven by the intersubband transition. Such a resonance can be used to tune the optical behavior of a multi-quantum wells structure up to achieve negative refraction. Our results can be seen in a more general framework: we have developed a toymodel able to determine that a lorentzian-like resonance can be used to provide hyperbolic metamaterial behavior and negative refraction. Our results connected for the first time the concepts of intersubband transition with hyperbolic metamaterials and open the way to the realization of quantum intersubband transition based devices. In term of perspectives, we have also proposed an intuitive way to overcome the high absorption characterizing HMM. The latter being one of the most critical drawback limiting their deployment in realistic applications
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Kany, François. „Étude des propriétés magnéto-optiques d'hétérostructures quantiques à base de semiconducteurs semimagnétiques“. Université Joseph Fourier (Grenoble ; 1971-2015), 1997. http://www.theses.fr/1997GRE10251.

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Le tellurure de cadmium et de manganese est l'un des semiconducteurs semimagnetiques les plus connus. On l'obtient, a partir d'un cristal ii-vi de cdte, en substituant des atomes de cadmium par des atomes de manganese (qui ont un spin 5/2). Deux phenomenes se combinent alors. D'une part, les atomes de manganese forment un systeme de spins localises qui est paramagnetique et, lorsque ceux-ci sont en concentration importante, ces spins se couplent entre-eux de facon antiferromagnetique. D'autre part, les porteurs que l'on peut photo-creer ont un spin (delocalise) qui interagit egalement avec celui des atomes de manganese. Ces deux effets, qui sont en fait interdependants, sont respectivement responsables des proprietes magnetiques et des proprietes optiques de cd#1#-#xmn#xte a l'etat massif ; ces dernieres se caracterisent notamment par un effet zeeman, proportionnel a l'aimantation, qui peut etre cent fois plus important que dans cdte. L'objet de cette these est double. Dans un premier temps, nous avons utilise ce materiau dans des structures de basse dimensionnalite : puits quantiques, super-reseaux, couches fractionnaires, super-reseaux verticaux. Les proprietes magneto-optiques de cdmnte nous ont ainsi permis d'observer les phenomenes de segregation du manganese dans un reseau de cdte et d'etudier les modifications de l'aimantation par rapport au massif. Ces travaux nous ont amenes a developper une nouvelle technique de croissance et nous avons pu, pour la premiere fois dans les semiconducteurs ii-vi, observer l'anisotropie de la polarisation de la luminescence de super-reseaux verticaux mnte/cdte. Dans un deuxieme temps, nous avons utilise cdmnte dans des puits quantiques a l'interieur de microcavites afin de modifier, grace a un champ magnetique, le couplage entre le niveau excitonique du puits et le niveau photonique de la cavite. Nous avons ainsi pu observer un regime de couplage fort (effet rabi) et obtenir un effet laser sur une transition polaritonique.
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Bücher zum Thema "Propriétés optiques de semiconducteurs"

1

1928-, Elliott R. J., und Ipatova I. P. 1929-, Hrsg. Optical properties of mixed crystals. Amsterdam: North-Holland, 1988.

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2

T, Kobayashi, und Kobunshi Sozai Center (Japan), Hrsg. Nonlinear optics of organics and semiconductors: Proceedings of the international symposium, Tokyo, Japan, July 25-26, 1988. Berlin: Springer-Verlag, 1989.

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3

Optical properties of semiconductor nanocrystals. Cambridge, UK: Cambridge Unviersity Press, 1998.

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4

A, Balzarotti, Guizzetti G und Stella A, Hrsg. Highlights on spectroscopies of semiconductors and insulators: Castro Marina, Italy, September 1987. Singapore: World Scientific, 1989.

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5

Collet, André. Molécules chirales: Stéréochimie et propriétés. Les Ulis: EDP Sciences, 2006.

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6

Collet, André. Molécules chirales: Stéréochimie et propriétés. Les Ulis: EDP Science, 2006.

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7

Santamaria, Clément. Toute la physique dans un verre d'eau. Paris: Ellipses, 2005.

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8

Properties of materials. New York: Oxford University Press, 1999.

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9

Light and water: Radiative transfer in natural waters. San Diego: Academic Press, 1994.

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10

Chandrasekhar, S. Liquid crystals. 2. Aufl. Cambridge [England]: Cambridge University Press, 1992.

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Mehr Quellen

Buchteile zum Thema "Propriétés optiques de semiconducteurs"

1

Boucher, Olivier. „Propriétés physiques, chimiques et optiques des aérosols“. In Ingénierie et développement durable, 17–35. Paris: Springer Paris, 2012. http://dx.doi.org/10.1007/978-2-8178-0055-4_3.

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2

„Propriétés optiques“. In Photonique des Morphos, 65–84. Paris: Springer Paris, 2010. http://dx.doi.org/10.1007/978-2-287-09408-8_3.

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3

„3 Propriétés optiques“. In Les surfaces solides : concepts et méthodes, 131–48. EDP Sciences, 2020. http://dx.doi.org/10.1051/978-2-7598-0293-7-009.

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4

„3 Propriétés optiques“. In Les surfaces solides : concepts et méthodes, 131–48. EDP Sciences, 2020. http://dx.doi.org/10.1051/978-2-7598-0293-7.c009.

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5

„Chapitre 19 Effets électro-optiques et élasto-optiques“. In Symétrie et propriétés physiques des cristaux, 385–412. EDP Sciences, 2020. http://dx.doi.org/10.1051/978-2-7598-0927-1-027.

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6

„Chapitre 19 Effets électro-optiques et élasto-optiques“. In Symétrie et propriétés physiques des cristaux, 385–412. EDP Sciences, 2020. http://dx.doi.org/10.1051/978-2-7598-0927-1.c027.

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7

„Appendice K. Propriétés optiques des solides“. In Physique des solides, 927–32. EDP Sciences, 2002. http://dx.doi.org/10.1051/978-2-7598-0178-7.c049.

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8

Etienne, Serge, und Laurent David. „Chapitre 7. Propriétés électriques et optiques“. In Introduction à la physique des polymères, 221–62. Dunod, 2012. http://dx.doi.org/10.3917/dunod.etien.2012.01.0221.

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9

„Vers une approche dynamique des propriétés optiques“. In Photonique des Morphos, 117–22. Paris: Springer Paris, 2010. http://dx.doi.org/10.1007/978-2-287-09408-8_6.

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10

LEHUÉDÉ, Patrice. „Généralités“. In Le plomb dans les matériaux vitreux du patrimoine, 9–24. ISTE Group, 2022. http://dx.doi.org/10.51926/iste.9076.ch1.

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Ce chapitre donne des indications générales sur les avantages liés à l’introduction du plomb dans la composition des verres et des glaçures, en particulier vis-à-vis de leurs propriétés physiques (viscosité, dilatation, densité, propriétés optiques, mécaniques…) et chimiques (durabilité, rédox…). Il montre également des difficultés qui peuvent résulter de l’emploi de cet élément.
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Konferenzberichte zum Thema "Propriétés optiques de semiconducteurs"

1

Pocholle, J. P. „Propriétés optiques des matériaux semiconducteurs à puits quantiques et applications dans le domaine du traitement du signal“. In Optoélectronique (Volume 1). Les Ulis, France: EDP Sciences, 1990. http://dx.doi.org/10.1051/sfo/1990006.

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2

Mangin, Jacques. „Métrologie des propriétés optiques de matériaux massifs : absorption résiduelle, coefficients thermo-optiques, piézo-électriques et électro-optiques“. In Élaboration et caractérisation des cristaux massifs et en couches minces pour l'optique. Les Ulis, France: EDP Sciences, 2003. http://dx.doi.org/10.1051/bib-sfo:2002811.

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3

Planel, R. „Propriétés optiques des semi-conducteurs et de leurs hétérostructures“. In L'optique non linéaire et ses matériaux. Les Ulis, France: EDP Sciences, 1998. http://dx.doi.org/10.1051/sfo/1998009.

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4

Boulanger, Benoît, und Jean-Philippe Fève. „Méthodes de caractérisation des propriétés optiques non linéaires de conversion de fréquence des cristaux“. In Élaboration et caractérisation des cristaux massifs et en couches minces pour l'optique. Les Ulis, France: EDP Sciences, 2003. http://dx.doi.org/10.1051/bib-sfo:2002816.

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