Zeitschriftenartikel zum Thema „Power semiconductor diodes“
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Parker-Allotey, Nii Adotei, Dean P. Hamilton, Olayiwola Alatise, Michael R. Jennings, Philip A. Mawby, Rob Nash und Rob Magill. „Improved Energy Efficiency Using an IGBT/SiC-Schottky Diode Pair“. Materials Science Forum 717-720 (Mai 2012): 1147–50. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.717-720.1147.
Der volle Inhalt der QuelleBumai, Yurii, Aleh Vaskou und Valerii Kononenko. „Measurement and Analysis of Thermal Parameters and Efficiency of Laser Heterostructures and Light-Emitting Diodes“. Metrology and Measurement Systems 17, Nr. 1 (01.01.2010): 39–45. http://dx.doi.org/10.2478/v10178-010-0004-x.
Der volle Inhalt der QuelleLiu, Hai Rui, und Jun Sheng Yu. „Characterization of Metal-Semiconductor Schottky Diodes and Application on THz Detection“. Advanced Materials Research 683 (April 2013): 729–32. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.683.729.
Der volle Inhalt der QuelleLi, Zai Jin, Yi Qu, Te Li, Peng Lu, Bao Xue Bo, Guo Jun Liu und Xiao Hui Ma. „The Characteristics of Facet Coatings on Diode Lasers“. Advanced Materials Research 1089 (Januar 2015): 202–5. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.1089.202.
Der volle Inhalt der QuelleAl-Rawashdeh, Ayman Yasseen, Mikhail Pavlovich Dunayev, Khalaf Y. Alzyoud und Sarfaroz U. Dovudov. „Calculation of power losses in a frequency inverter“. International Journal of Power Electronics and Drive Systems (IJPEDS) 15, Nr. 3 (01.09.2024): 1331. http://dx.doi.org/10.11591/ijpeds.v15.i3.pp1331-1338.
Der volle Inhalt der QuelleShurenkov, V. V. „On the Physical Mechanism of the Interaction of the Microwave Radiation with the Semiconductor Diodes“. Advanced Materials Research 1016 (August 2014): 521–25. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.1016.521.
Der volle Inhalt der QuelleSu, Xinran. „The Retrospect and Prospect of GaN-Based Schottky Diode“. Journal of Physics: Conference Series 2381, Nr. 1 (01.12.2022): 012119. http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/2381/1/012119.
Der volle Inhalt der QuelleZemliak, Alexander, und Eugene Machusky. „Analysis of Electrical and Thermal Models for Pulsed IMPATT Diode Simulation“. WSEAS TRANSACTIONS ON CIRCUITS AND SYSTEMS 20 (12.07.2021): 156–65. http://dx.doi.org/10.37394/23201.2021.20.19.
Der volle Inhalt der QuelleOstapchuk, Mikhail, Dmitry Shishov, Daniil Shevtsov und Sergey Zanegin. „Research of Static and Dynamic Properties of Power Semiconductor Diodes at Low and Cryogenic Temperatures“. Inventions 7, Nr. 4 (18.10.2022): 96. http://dx.doi.org/10.3390/inventions7040096.
Der volle Inhalt der QuelleKolesnikov, Maksim, M. Kharchenko, V. Dorohov und Konstantin Zolnikov. „Application of semiconductor electronics products in extreme conditions“. Modeling of systems and processes 16, Nr. 1 (29.03.2023): 46–56. http://dx.doi.org/10.12737/2219-0767-2023-16-1-46-56.
Der volle Inhalt der QuelleGrekhov, Igor' V., und Gennadii A. Mesyats. „Nanosecond semiconductor diodes for pulsed power switching“. Physics-Uspekhi 48, Nr. 7 (31.07.2005): 703–12. http://dx.doi.org/10.1070/pu2005v048n07abeh002471.
Der volle Inhalt der QuelleGrehov, Igor' V., und Gennadii A. Mesyats. „Nanosecond semiconductor diodes for pulsed power switching“. Uspekhi Fizicheskih Nauk 175, Nr. 7 (2005): 735. http://dx.doi.org/10.3367/ufnr.0175.200507c.0735.
Der volle Inhalt der QuelleAlatise, Olayiwola, Arkadeep Deb, Erfan Bashar, Jose Ortiz Gonzalez, Saeed Jahdi und Walid Issa. „A Review of Power Electronic Devices for Heavy Goods Vehicles Electrification: Performance and Reliability“. Energies 16, Nr. 11 (28.05.2023): 4380. http://dx.doi.org/10.3390/en16114380.
Der volle Inhalt der QuellePlesca, Adrian, und Lucian Mihet-Popa. „Thermal Analysis of Power Rectifiers in Steady-State Conditions“. Energies 13, Nr. 8 (15.04.2020): 1942. http://dx.doi.org/10.3390/en13081942.
Der volle Inhalt der QuelleZemliak, Alexander. „Models for IMPATT Diode Analysis and Optimization“. WSEAS TRANSACTIONS ON COMMUNICATIONS 21 (30.06.2022): 215–24. http://dx.doi.org/10.37394/23204.2022.21.26.
Der volle Inhalt der QuelleKarushkin, M. F. „Frequency multipliers on semiconductor diode structures“. Технология и конструирование в электронной аппаратуре, Nr. 3 (2018): 22–37. http://dx.doi.org/10.15222/tkea2018.3.22.
Der volle Inhalt der QuelleMecke, R. „Multilevel inverter with active clamping diodes for energy efficiency improvement“. Renewable Energy and Power Quality Journal 20 (September 2022): 138–42. http://dx.doi.org/10.24084/repqj20.245.
Der volle Inhalt der QuelleIvanov A.S., Pavelyev D.G., Obolensky S.V. und Obolenskaya E.S. „Radiation hardness of subterahertz radiation source based on heterodyne on Gunn diode generator and superlattice multiplier“. Technical Physics 92, Nr. 13 (2022): 2071. http://dx.doi.org/10.21883/tp.2022.13.52223.133-21.
Der volle Inhalt der QuelleKitabatake, M., J. Sameshima, Osamu Ishiyama, K. Tamura, H. Ohshima, N. Sigiyama, Y. Yamashita, T. Tanaka, J. Senzaki und H. Matsuhata. „The Integrated Evaluation Platform for SiC Wafers and Epitaxial Films“. Materials Science Forum 740-742 (Januar 2013): 451–54. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.740-742.451.
Der volle Inhalt der QuelleSharma, Sonia, Rahul Rishi, Chander Prakash, Kuldeep K. Saxena, Dharam Buddhi und N. Ummal Salmaan. „Characterization and Performance Evaluation of PIN Diodes and Scope of Flexible Polymer Composites for Wearable Electronics“. International Journal of Polymer Science 2022 (13.09.2022): 1–10. http://dx.doi.org/10.1155/2022/8331886.
Der volle Inhalt der QuelleHarada, T., S. Ito und A. Tsukazaki. „Electric dipole effect in PdCoO2/β-Ga2O3 Schottky diodes for high-temperature operation“. Science Advances 5, Nr. 10 (Oktober 2019): eaax5733. http://dx.doi.org/10.1126/sciadv.aax5733.
Der volle Inhalt der QuelleИванов, А. С., Д. Г. Павельев, С. В. Оболенский und Е. С. Оболенская. „Радиационная стойкость источника субтерагерцового излучения из гетеродина на генераторе на диоде Ганна и умножителя на полупроводниковой сверхрешетке“. Журнал технической физики 91, Nr. 10 (2021): 1501. http://dx.doi.org/10.21883/jtf.2021.10.51362.133-21.
Der volle Inhalt der QuelleZakutayev, Andriy. „(Invited) Ga2O3 Semiconductor Devices for High-Temperature Operation“. ECS Meeting Abstracts MA2024-01, Nr. 32 (09.08.2024): 1558. http://dx.doi.org/10.1149/ma2024-01321558mtgabs.
Der volle Inhalt der QuelleShenai, Krishna, und Abhiroop Chattopadhyay. „Optimization of High-Voltage Wide Bandgap Semiconductor Power Diodes“. IEEE Transactions on Electron Devices 62, Nr. 2 (Februar 2015): 359–65. http://dx.doi.org/10.1109/ted.2014.2371775.
Der volle Inhalt der QuelleKim, Junghun, und Kwangsoo Kim. „4H-SiC Double-Trench MOSFET with Side Wall Heterojunction Diode for Enhanced Reverse Recovery Performance“. Energies 13, Nr. 18 (04.09.2020): 4602. http://dx.doi.org/10.3390/en13184602.
Der volle Inhalt der QuelleSticklus, Jan, Peter Adam Hoeher und Martin Hieronymi. „Experimental Characterization of Single-Color Power LEDs Used as Photodetectors“. Sensors 20, Nr. 18 (11.09.2020): 5200. http://dx.doi.org/10.3390/s20185200.
Der volle Inhalt der QuelleNakayama, Koji, Takeharu Kuroiwa und Hiroshi Yamaguchi. „13 kV SiC-DMOSFETs and body diodes for HVDC MMC converters“. Japanese Journal of Applied Physics 61, Nr. 1 (22.12.2021): 014001. http://dx.doi.org/10.35848/1347-4065/ac3725.
Der volle Inhalt der QuelleDuyen-Thi Nguyen, Khanh Nguyen, Duc-Minh Truong und Huy-Binh Do. „Electrical Properties of GaN/Ga2O3 P-N Junction Diodes: A TCAD Study“. Journal of Technical Education Science 19, SI03 (28.08.2024): 7–12. http://dx.doi.org/10.54644/jte.2024.1481.
Der volle Inhalt der QuelleLau, Wai Shing. „Mechanism of Reverse Leakage Current in Schottky Diode Fabricated on Large Bandgap Semiconductors like Ga2O3 or Diamond Part II“. ECS Meeting Abstracts MA2022-01, Nr. 31 (07.07.2022): 1323. http://dx.doi.org/10.1149/ma2022-01311323mtgabs.
Der volle Inhalt der QuelleDas, Mrinal K., David Grider, Scott Leslie, Ravi Raju, Michael Schutten und Allen Hefner. „10 kV SiC Power MOSFETs and JBS Diodes: Enabling Revolutionary Module and Power Conversion Technologies“. Materials Science Forum 717-720 (Mai 2012): 1225–28. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.717-720.1225.
Der volle Inhalt der QuelleMajdoul, Radouane, Abelwahed Touati, Abderrahmane Ouchatti, Abderrahim Taouni und Elhassane Abdelmounim. „A nine-switch nine-level converter new topology with optimal modulation control“. International Journal of Power Electronics and Drive Systems (IJPEDS) 12, Nr. 2 (01.06.2021): 932. http://dx.doi.org/10.11591/ijpeds.v12.i2.pp932-942.
Der volle Inhalt der QuelleIvanov, Pavel A., und Igor V. Grekhov. „Subnanosecond Semiconductor Opening Switch Based on 4H-SiC Junction Diode“. Materials Science Forum 740-742 (Januar 2013): 865–68. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.740-742.865.
Der volle Inhalt der QuelleLAUDATU, OVIDIU-DORIN, DRAGOS NICULAE, MIHAI IORDACHE, MARIA-LAVINIA BOBARU und MARILENA STĂNCULESCU. „EXPERIMENTAL ANALYSIS OF POWER SEMICONDUCTOR ELEMENTS USED IN FLYBACK CONVERTERS“. REVUE ROUMAINE DES SCIENCES TECHNIQUES — SÉRIE ÉLECTROTECHNIQUE ET ÉNERGÉTIQUE 69, Nr. 1 (04.04.2024): 67–72. http://dx.doi.org/10.59277/rrst-ee.2024.1.12.
Der volle Inhalt der QuelleLeppänen, J., G. Ross, V. Vuorinen, J. Ingman, J. Jormanainen und M. Paulasto-Kröckel. „A humidity-induced novel failure mechanism in power semiconductor diodes“. Microelectronics Reliability 123 (August 2021): 114207. http://dx.doi.org/10.1016/j.microrel.2021.114207.
Der volle Inhalt der QuelleMATSUMOTO, Mitsuhiro, und Takashi YABE. „GaAs/AlGaAs High-Power Semiconductor Laser Diodes for Optical Disks.“ Review of Laser Engineering 24, Nr. 3 (1996): 380–87. http://dx.doi.org/10.2184/lsj.24.380.
Der volle Inhalt der QuelleKobayashi, K., und I. Mito. „High light output-power single-longitudinal-mode semiconductor laser diodes“. IEEE Transactions on Electron Devices 32, Nr. 12 (Dezember 1985): 2594–602. http://dx.doi.org/10.1109/t-ed.1985.22389.
Der volle Inhalt der QuelleHenderson, I. A., und J. McGhee. „A boundary determined Auger recombination model for semiconductor power diodes“. Mathematical Modelling 8 (1987): 279–82. http://dx.doi.org/10.1016/0270-0255(87)90590-2.
Der volle Inhalt der QuelleKobayashi, K., und I. Mito. „High light output-power single-longitudinal-mode semiconductor laser diodes“. Journal of Lightwave Technology 3, Nr. 6 (1985): 1202–10. http://dx.doi.org/10.1109/jlt.1985.1074335.
Der volle Inhalt der QuelleUzuka, Tetsuo, und Eisuke Masada. „High Speed Rail Awaits the next Breakthrough of Power Semiconductors“. Materials Science Forum 778-780 (Februar 2014): 1071–76. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.778-780.1071.
Der volle Inhalt der QuelleRouger, Nicolas, und Aurélien Maréchal. „Design of Diamond Power Devices: Application to Schottky Barrier Diodes“. Energies 12, Nr. 12 (21.06.2019): 2387. http://dx.doi.org/10.3390/en12122387.
Der volle Inhalt der QuelleDang, Chaoqun, Anliang Lu, Heyi Wang, Hongti Zhang und Yang Lu. „Diamond semiconductor and elastic strain engineering“. Journal of Semiconductors 43, Nr. 2 (01.02.2022): 021801. http://dx.doi.org/10.1088/1674-4926/43/2/021801.
Der volle Inhalt der QuelleChughtai, M. T. „A Realization of Stabilizing the Output Light Power from a Laser Diode: A Practical Approach“. Engineering, Technology & Applied Science Research 11, Nr. 4 (21.08.2021): 7370–74. http://dx.doi.org/10.48084/etasr.4276.
Der volle Inhalt der QuelleBourget, C. Michael. „An Introduction to Light-emitting Diodes“. HortScience 43, Nr. 7 (Dezember 2008): 1944–46. http://dx.doi.org/10.21273/hortsci.43.7.1944.
Der volle Inhalt der QuelleAhmad, Habib, Zachary Engel, Christopher M. Matthews, Sangho Lee und W. Alan Doolittle. „Realization of homojunction PN AlN diodes“. Journal of Applied Physics 131, Nr. 17 (07.05.2022): 175701. http://dx.doi.org/10.1063/5.0086314.
Der volle Inhalt der QuelleGrgić, Ivan, Dinko Vukadinović, Mateo Bašić und Matija Bubalo. „Calculation of Semiconductor Power Losses of a Three-Phase Quasi-Z-Source Inverter“. Electronics 9, Nr. 10 (06.10.2020): 1642. http://dx.doi.org/10.3390/electronics9101642.
Der volle Inhalt der QuelleHuang, Jack Jia-Sheng, C. K. Wang und Yu-Heng Jan. „Three Cases of Gradual Degradation Mode Analysis of Semiconductor Laser Diodes“. Modern Applied Science 15, Nr. 6 (26.10.2021): 27. http://dx.doi.org/10.5539/mas.v15n6p27.
Der volle Inhalt der QuelleChimento, Filippo, Muhammad Nawaz, Niccoló Mora und Salvatore Tomarchio. „A Simplified Model for SiC Power Diode Modules for Implementation in Spice Based Simulators“. Materials Science Forum 740-742 (Januar 2013): 1089–92. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.740-742.1089.
Der volle Inhalt der QuelleKarushkin, M. F. „Synchronization of pulsed and continuous-wave IMPATT oscillators in the millimeter wavelength range. Part 2. Stabilizing microwave parameters of synchronized generators“. Технология и конструирование в электронной аппаратуре, Nr. 3-4 (2021): 17–29. http://dx.doi.org/10.15222/tkea2021.3-4.17.
Der volle Inhalt der QuelleHan, Lili, Zhaowei Wang, Nikita Yu Gordeev, Mikhail V. Maximov, Xiansheng Tang, Artem A. Beckman, Grigoriy O. Kornyshov et al. „Progress of Edge-Emitting Diode Lasers Based on Coupled-Waveguide Concept“. Micromachines 14, Nr. 6 (20.06.2023): 1271. http://dx.doi.org/10.3390/mi14061271.
Der volle Inhalt der QuelleSužiedėlis, Algirdas, Steponas Ašmontas, Jonas Gradauskas, Aurimas Čerškus, Karolis Požela und Maksimas Anbinderis. „Competition between Direct Detection Mechanisms in Planar Bow-Tie Microwave Diodes on the Base of InAlAs/InGaAs/InAlAs Heterostructures“. Sensors 23, Nr. 3 (28.01.2023): 1441. http://dx.doi.org/10.3390/s23031441.
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