Auswahl der wissenschaftlichen Literatur zum Thema „Power semiconductor diodes“
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Zeitschriftenartikel zum Thema "Power semiconductor diodes"
Parker-Allotey, Nii Adotei, Dean P. Hamilton, Olayiwola Alatise, Michael R. Jennings, Philip A. Mawby, Rob Nash und Rob Magill. „Improved Energy Efficiency Using an IGBT/SiC-Schottky Diode Pair“. Materials Science Forum 717-720 (Mai 2012): 1147–50. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.717-720.1147.
Der volle Inhalt der QuelleBumai, Yurii, Aleh Vaskou und Valerii Kononenko. „Measurement and Analysis of Thermal Parameters and Efficiency of Laser Heterostructures and Light-Emitting Diodes“. Metrology and Measurement Systems 17, Nr. 1 (01.01.2010): 39–45. http://dx.doi.org/10.2478/v10178-010-0004-x.
Der volle Inhalt der QuelleLiu, Hai Rui, und Jun Sheng Yu. „Characterization of Metal-Semiconductor Schottky Diodes and Application on THz Detection“. Advanced Materials Research 683 (April 2013): 729–32. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.683.729.
Der volle Inhalt der QuelleLi, Zai Jin, Yi Qu, Te Li, Peng Lu, Bao Xue Bo, Guo Jun Liu und Xiao Hui Ma. „The Characteristics of Facet Coatings on Diode Lasers“. Advanced Materials Research 1089 (Januar 2015): 202–5. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.1089.202.
Der volle Inhalt der QuelleAl-Rawashdeh, Ayman Yasseen, Mikhail Pavlovich Dunayev, Khalaf Y. Alzyoud und Sarfaroz U. Dovudov. „Calculation of power losses in a frequency inverter“. International Journal of Power Electronics and Drive Systems (IJPEDS) 15, Nr. 3 (01.09.2024): 1331. http://dx.doi.org/10.11591/ijpeds.v15.i3.pp1331-1338.
Der volle Inhalt der QuelleShurenkov, V. V. „On the Physical Mechanism of the Interaction of the Microwave Radiation with the Semiconductor Diodes“. Advanced Materials Research 1016 (August 2014): 521–25. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.1016.521.
Der volle Inhalt der QuelleSu, Xinran. „The Retrospect and Prospect of GaN-Based Schottky Diode“. Journal of Physics: Conference Series 2381, Nr. 1 (01.12.2022): 012119. http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/2381/1/012119.
Der volle Inhalt der QuelleZemliak, Alexander, und Eugene Machusky. „Analysis of Electrical and Thermal Models for Pulsed IMPATT Diode Simulation“. WSEAS TRANSACTIONS ON CIRCUITS AND SYSTEMS 20 (12.07.2021): 156–65. http://dx.doi.org/10.37394/23201.2021.20.19.
Der volle Inhalt der QuelleOstapchuk, Mikhail, Dmitry Shishov, Daniil Shevtsov und Sergey Zanegin. „Research of Static and Dynamic Properties of Power Semiconductor Diodes at Low and Cryogenic Temperatures“. Inventions 7, Nr. 4 (18.10.2022): 96. http://dx.doi.org/10.3390/inventions7040096.
Der volle Inhalt der QuelleKolesnikov, Maksim, M. Kharchenko, V. Dorohov und Konstantin Zolnikov. „Application of semiconductor electronics products in extreme conditions“. Modeling of systems and processes 16, Nr. 1 (29.03.2023): 46–56. http://dx.doi.org/10.12737/2219-0767-2023-16-1-46-56.
Der volle Inhalt der QuelleDissertationen zum Thema "Power semiconductor diodes"
Ma, Cliff Liewei. „Modeling of bipolar power semiconductor devices /“. Thesis, Connect to this title online; UW restricted, 1994. http://hdl.handle.net/1773/6046.
Der volle Inhalt der QuelleLock, Daren. „Investigations into the high power limitations of semiconductor laser diodes“. Thesis, University of Surrey, 2005. http://epubs.surrey.ac.uk/711/.
Der volle Inhalt der QuelleYou, Budong. „Investigation of MOS-Gated Thyristors and Power Diodes“. Diss., Virginia Tech, 2000. http://hdl.handle.net/10919/26094.
Der volle Inhalt der QuellePh. D.
Amuzuvi, Christian Kwaku. „Characterisation, emulation and by-emitter degradation analysis of high power semiconductor laser diodes“. Thesis, University of Nottingham, 2010. http://eprints.nottingham.ac.uk/13102/.
Der volle Inhalt der QuelleEfthymiou, Loizos. „GaN-on-silicon HEMTs and Schottky diodes for high voltage applications“. Thesis, University of Cambridge, 2017. https://www.repository.cam.ac.uk/handle/1810/274912.
Der volle Inhalt der QuelleGuo, Xuhan. „Generation of ultrashort optical pulses with high peak power by monolithic laser diodes“. Thesis, University of Cambridge, 2014. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.648571.
Der volle Inhalt der QuelleTuladhar, Looja R. „Resonant power MOSFET drivers for LED lighting /“. Connect to resource online, 2009. http://rave.ohiolink.edu/etdc/view?acc_num=ysu1264709029.
Der volle Inhalt der QuelleWang, Cai Johnson R. Wayne. „High temperature high power SiC devices packaging processes and materials development“. Auburn, Ala., 2006. http://repo.lib.auburn.edu/2006%20Spring/doctoral/WANG_CAI_24.pdf.
Der volle Inhalt der QuelleLang, Lei. „Investigation of optical filtering techniques for improving the beam quality of high-power semiconductor laser diodes“. Thesis, University of Nottingham, 2011. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.546489.
Der volle Inhalt der QuelleBull, Stephen. „Photo- and electroluminescence microscopy and spectroscopy investigations of high power and high brightness semiconductor laser diodes“. Thesis, University of Nottingham, 2004. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.417522.
Der volle Inhalt der QuelleBücher zum Thema "Power semiconductor diodes"
Center, Goddard Space Flight, Hrsg. Modulation characteristics of a high-power semiconductor master oscillator power amplifier (MOPA). Greenbelt, Md: National Aeronautics and Space Administration, Goddard Space Flight Center, 1992.
Den vollen Inhalt der Quelle findenCenter, Goddard Space Flight, Hrsg. Modulation characteristics of a high-power semiconductor master oscillator power amplifier (MOPA). Greenbelt, Md: National Aeronautics and Space Administration, Goddard Space Flight Center, 1992.
Den vollen Inhalt der Quelle findenS, Zediker Mark, und Society of Photo-optical Instrumentation Engineers., Hrsg. High-power diode laser technology and applications III: 24-25 January, 2005, San Jose, California, USA. Bellingham, Wash: SPIE, 2005.
Den vollen Inhalt der Quelle findenZediker, Mark S. High-power diode laser technology and applications VI: 21-23 January 2008, San Jose, California, USA. Bellingham, Wash: SPIE, 2008.
Den vollen Inhalt der Quelle findenJ, Linden Kurt, Akkapeddi Prasad R, Society of Photo-optical Instrumentation Engineers. und United States. Advanced Research Projects Agency., Hrsg. Laser diodes and applications II. Bellingham, WA: SPIE, 1996.
Den vollen Inhalt der Quelle findenJ, Linden Kurt, Akkapeddi Prasad R und Society of Photo-optical Instrumentation Engineers., Hrsg. Laser diodes and applications: 8-10 February 1995, San Jose, California. Bellingham, Wash., USA: SPIE, 1995.
Den vollen Inhalt der Quelle findenZediker, Mark S. High-power diode laser technology and applications VI: 21-23 January 2008, San Jose, California, USA. Bellingham, Wash: SPIE, 2008.
Den vollen Inhalt der Quelle findenZediker, Mark S. High-power diode laser technology and applications VIII: 25-26 January 2010, San Francisco, California, United States. Herausgegeben von SPIE (Society). Bellingham, Wash: SPIE, 2010.
Den vollen Inhalt der Quelle findenZediker, Mark S. High-power diode laser technology and applications VII: 26-27 January 2009, San Jose, California, United States. Herausgegeben von SPIE (Society). Bellingham, Wash: SPIE, 2009.
Den vollen Inhalt der Quelle findenZediker, Mark S. High-power diode laser technology and applications VII: 26-27 January 2009, San Jose, California, United States. Herausgegeben von SPIE (Society). Bellingham, Wash: SPIE, 2009.
Den vollen Inhalt der Quelle findenBuchteile zum Thema "Power semiconductor diodes"
Lutz, Josef, Heinrich Schlangenotto, Uwe Scheuermann und Rik De Doncker. „pin Diodes“. In Semiconductor Power Devices, 201–70. Cham: Springer International Publishing, 2018. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-319-70917-8_5.
Der volle Inhalt der QuelleLutz, Josef, Heinrich Schlangenotto, Uwe Scheuermann und Rik De Doncker. „Schottky Diodes“. In Semiconductor Power Devices, 271–93. Cham: Springer International Publishing, 2018. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-319-70917-8_6.
Der volle Inhalt der QuelleLutz, Josef, Heinrich Schlangenotto, Uwe Scheuermann und Rik De Doncker. „pin-Diodes“. In Semiconductor Power Devices, 159–224. Berlin, Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg, 2010. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-642-11125-9_5.
Der volle Inhalt der QuelleLutz, Josef, Heinrich Schlangenotto, Uwe Scheuermann und Rik De Doncker. „Schottky Diodes“. In Semiconductor Power Devices, 225–40. Berlin, Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg, 2010. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-642-11125-9_6.
Der volle Inhalt der QuelleHoft, Richard G. „Diodes and Power Transistors“. In Semiconductor Power Electronics, 26–56. Dordrecht: Springer Netherlands, 1986. http://dx.doi.org/10.1007/978-94-011-7015-4_2.
Der volle Inhalt der QuelleSreejith, S., B. Sivasankari, S. Babu Devasenapati, A. Karthika und Anitha Mathew. „Recent Developments in Schottky Diodes and Their Applications“. In Emerging Low-Power Semiconductor Devices, 127–51. Boca Raton: CRC Press, 2022. http://dx.doi.org/10.1201/9781003240778-7.
Der volle Inhalt der QuelleGružinskis, V., E. Starikov, P. Shiktorov, L. Reggiani, M. Saraniti und L. Varani. „Generation and Amplification of Microwave Power in Submicron n + nn + Diodes“. In Simulation of Semiconductor Devices and Processes, 333–36. Vienna: Springer Vienna, 1993. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-7091-6657-4_82.
Der volle Inhalt der QuelleChin, Aland K., und Rick K. Bertaska. „Catastrophic Optical Damage in High-Power, Broad-Area Laser Diodes“. In Materials and Reliability Handbook for Semiconductor Optical and Electron Devices, 123–45. New York, NY: Springer New York, 2012. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4614-4337-7_5.
Der volle Inhalt der QuellePati, S. P., und P. R. Tripathy. „Monitoring Parameters for Optimization of Power & Efficiency and Minimization of Noise in High Frequency IMPATT Diodes“. In Physics of Semiconductor Devices, 163–67. Cham: Springer International Publishing, 2014. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-319-03002-9_41.
Der volle Inhalt der QuelleRamshaw, R. S. „The Diode“. In Power Electronics Semiconductor Switches, 90–122. Boston, MA: Springer US, 1993. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4757-6219-8_3.
Der volle Inhalt der QuelleKonferenzberichte zum Thema "Power semiconductor diodes"
Rezek, E. A., N. Adachi, D. Tran und L. Yow. „High Power 1.3 Micron Laser Diodes“. In Semiconductor Lasers. Washington, D.C.: Optica Publishing Group, 1987. http://dx.doi.org/10.1364/sla.1987.tud6.
Der volle Inhalt der QuelleDelfyett, Jr., Peter J. „High-power ultrafast semiconductor laser diodes“. In OE/LASE'93: Optics, Electro-Optics, & Laser Applications in Science& Engineering, herausgegeben von Timothy R. Gosnell, Antoinette J. Taylor, Keith A. Nelson und Michael C. Downer. SPIE, 1993. http://dx.doi.org/10.1117/12.147075.
Der volle Inhalt der QuelleTomita, Nobuo, und Mitsuhiro Tateda. „High Power Semiconductor Laser Diodes for OTDRs“. In Optical Fiber Sensors. Washington, D.C.: OSA, 1996. http://dx.doi.org/10.1364/ofs.1996.ex12.
Der volle Inhalt der QuelleSasaki, Y., Y. Furushima, T. Hosoda, T. Murakami und H. Hasumi. „High Power Semiconductor Laser Diodes for OTDRs“. In Optical Fiber Sensors. Washington, D.C.: OSA, 1996. http://dx.doi.org/10.1364/ofs.1996.we44.
Der volle Inhalt der QuelleNiemax, K., C. Schnürer-Patschan, A. Zybin, H. Groll und Y. Kuritsyn. „Wavelength Modulation Atomic Absorption Spectrometry With Semiconductor Diode Lasers“. In Laser Applications to Chemical Analysis. Washington, D.C.: Optica Publishing Group, 1994. http://dx.doi.org/10.1364/laca.1994.wb.4.
Der volle Inhalt der QuelleWelch, D. F. „Advances in high power semiconductor diode lasers and their applications“. In The European Conference on Lasers and Electro-Optics. Washington, D.C.: Optica Publishing Group, 1994. http://dx.doi.org/10.1364/cleo_europe.1994.ctup1.
Der volle Inhalt der QuelleBisping, D., D. Pucicki, S. Hofling, S. Habermann, D. Ewert, M. Fischer, J. Koeth et al. „1240nm GaInNAs high power laser diodes“. In 2008 IEEE 21st International Semiconductor Laser Conference (ISLC). IEEE, 2008. http://dx.doi.org/10.1109/islc.2008.4636004.
Der volle Inhalt der QuelleAmaratunga, Gehan A. J. „Diamond Schottky diodes for power conversion“. In 2007 International Workshop on Physics of Semiconductor Devices. IEEE, 2007. http://dx.doi.org/10.1109/iwpsd.2007.4472632.
Der volle Inhalt der QuelleMauerhoff, Felix, Oktay Senel, Hans Wenzel, Andre Maassdorf, Jos Boschker, Johannes Glaab, Katrin Paschke und Günther Tränkle. „High power AlGaInP laser diodes at 626 nm“. In Novel In-Plane Semiconductor Lasers XXIII, herausgegeben von Alexey A. Belyanin und Peter M. Smowton. SPIE, 2024. http://dx.doi.org/10.1117/12.3002216.
Der volle Inhalt der QuelleKanskar, M., L. Bao, Z. Chen, D. Dawson, M. DeVito, M. Grimshaw, X. Guan et al. „Flared Oscillator Waveguide Diodes (FLOW-Diodes) Produce Record-High Single-Wavelength Fiber-Coupled Power“. In 2018 IEEE International Semiconductor Laser Conference (ISLC). IEEE, 2018. http://dx.doi.org/10.1109/islc.2018.8516253.
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