Bücher zum Thema „Phase change memory GST“
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Redaelli, Andrea, Hrsg. Phase Change Memory. Cham: Springer International Publishing, 2018. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-319-69053-7.
Der volle Inhalt der Quelle1976-, Chen Yiran, Hrsg. Nonvolatile memory design: Magnetic, resistive, and phase change. Boca Raton, FL: Taylor & Francis, 2012.
Den vollen Inhalt der Quelle findenLan, Rui. Thermophysical Properties and Measuring Technique of Ge-Sb-Te Alloys for Phase Change Memory. Singapore: Springer Singapore, 2020. http://dx.doi.org/10.1007/978-981-15-2217-8.
Der volle Inhalt der QuelleDurable Phase-Change Memory Architectures. Elsevier, 2020. http://dx.doi.org/10.1016/s0065-2458(20)x0004-0.
Der volle Inhalt der QuelleAsadinia, Marjan, und Hamid Sarbazi-Azad. Durable Phase-Change Memory Architectures. Elsevier Science & Technology, 2020.
Den vollen Inhalt der Quelle findenAsadinia, Marjan, und Hamid Sarbazi-Azad. Durable Phase-Change Memory Architectures. Elsevier Science & Technology Books, 2020.
Den vollen Inhalt der Quelle findenMuralimanohar, Naveen, Moinuddin K. Qureshi, Sudhanva Gurumurthi und Bipin Rajendran. Phase Change Memory: From Devices to Systems. Springer International Publishing AG, 2011.
Den vollen Inhalt der Quelle findenQureshi, Moinuddin K., Sudhanva Gurumurthi und Bipin Rajendran. Phase Change Memory: From Devices to Systems. Morgan & Claypool Publishers, 2011.
Den vollen Inhalt der Quelle findenQureshi, Moinuddin K., Sudhanva Gurumurthi und Bipin Rajendran. Phase Change Memory: From Devices to Systems. Morgan & Claypool Publishers, 2011.
Den vollen Inhalt der Quelle findenRedaelli, Andrea. Phase Change Memory: Device Physics, Reliability and Applications. Springer, 2018.
Den vollen Inhalt der Quelle findenRedaelli, Andrea. Phase Change Memory: Device Physics, Reliability and Applications. Springer, 2017.
Den vollen Inhalt der Quelle findenChen, Yiran, und Hai Li. Nonvolatile Memory Design: Magnetic, Resistive, and Phase Change. Taylor & Francis Group, 2017.
Den vollen Inhalt der Quelle findenLi, Hai. Nonvolatile Memory Design: Magnetic, Resistive, and Phase Change. Taylor & Francis Group, 2011.
Den vollen Inhalt der Quelle findenChen, Yiran, und Hai Li. Nonvolatile Memory Design: Magnetic, Resistive, and Phase Change. Taylor & Francis Group, 2017.
Den vollen Inhalt der Quelle findenChen, Yiran, und Hai Li. Nonvolatile Memory Design: Magnetic, Resistive, and Phase Change. Taylor & Francis Group, 2017.
Den vollen Inhalt der Quelle findenChen, Yiran, und Hai Li. Nonvolatile Memory Design: Magnetic, Resistive, and Phase Change. Taylor & Francis Group, 2017.
Den vollen Inhalt der Quelle findenChen, Yiran, und Hai Li. Nonvolatile Memory Design: Magnetic, Resistive, and Phase Change. Taylor & Francis Group, 2017.
Den vollen Inhalt der Quelle findenLan, Rui. Thermophysical Properties and Measuring Technique of Ge-Sb-Te Alloys for Phase Change Memory. Springer, 2020.
Den vollen Inhalt der Quelle findenBernasconi, Marco, Carlo Massobrio, Jincheng Du und Philip S. Salmon. Molecular Dynamics Simulations of Disordered Materials: From Network Glasses to Phase-Change Memory Alloys. Springer, 2015.
Den vollen Inhalt der Quelle findenBernasconi, Marco, Carlo Massobrio, Jincheng Du und Philip S. Salmon. Molecular Dynamics Simulations of Disordered Materials: From Network Glasses to Phase-Change Memory Alloys. Springer, 2015.
Den vollen Inhalt der Quelle findenLan, Rui. Thermophysical Properties and Measuring Technique of Ge-Sb-Te Alloys for Phase Change Memory. Springer Singapore Pte. Limited, 2021.
Den vollen Inhalt der Quelle findenBernasconi, Marco, Carlo Massobrio, Jincheng Du und Philip S. Salmon. Molecular Dynamics Simulations of Disordered Materials: From Network Glasses to Phase-Change Memory Alloys. Springer, 2016.
Den vollen Inhalt der Quelle findenTiwari, Sandip. Phase transitions and their devices. Oxford University Press, 2017. http://dx.doi.org/10.1093/oso/9780198759874.003.0004.
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