Zeitschriftenartikel zum Thema „Pe(ald)“
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Onaya, Takashi, und Koji Kita. „(Invited) Role of Oxidant Gas for Atomic Layer Deposition of HfxZr1−XO2 Thin Films on Ferroelectricity of Metal-Ferroelectric-Metal Capacitors“. ECS Transactions 113, Nr. 2 (17.05.2024): 51–59. http://dx.doi.org/10.1149/11302.0051ecst.
Der volle Inhalt der QuelleHaeberle, Jörg, Karsten Henkel, Hassan Gargouri, Franziska Naumann, Bernd Gruska, Michael Arens, Massimo Tallarida und Dieter Schmeißer. „Ellipsometry and XPS comparative studies of thermal and plasma enhanced atomic layer deposited Al2O3-films“. Beilstein Journal of Nanotechnology 4 (08.11.2013): 732–42. http://dx.doi.org/10.3762/bjnano.4.83.
Der volle Inhalt der QuelleVan Daele, Michiel, Christophe Detavernier und Jolien Dendooven. „Surface species during ALD of platinum observed with in situ reflection IR spectroscopy“. Physical Chemistry Chemical Physics 20, Nr. 39 (2018): 25343–56. http://dx.doi.org/10.1039/c8cp03585g.
Der volle Inhalt der QuelleMione, M. A., V. Vandalon, W. M. M. Kessels und F. Roozeboom. „Temperature study of atmospheric-pressure plasma-enhanced spatial ALD of Al2O3 using infrared and optical emission spectroscopy“. Journal of Vacuum Science & Technology A 40, Nr. 6 (Dezember 2022): 062407. http://dx.doi.org/10.1116/6.0002158.
Der volle Inhalt der QuelleDo Nascimento, Cleonilde Maria, Alex José de Melo Silva, Jéssica Paula Lucena, Juliana Ellen de Melo Gama, Cícero Jádson Da Costa, Elane Beatriz de Jesus Oliveira, Danielle Maria Nascimento Moura, Helotonio Carvalho und Sheilla Andrade De Oliveira. „Epidemiological profile of the main prevalent liver diseases in Brazil Northeast and possible impacts associated with the COVID-19 pandemic“. Cuadernos de Educación y Desarrollo 15, Nr. 12 (21.12.2023): 16916–41. http://dx.doi.org/10.55905/cuadv15n12-096.
Der volle Inhalt der QuelleRoy, Amit K., Jolien Dendooven, Davy Deduytsche, Kilian Devloo-Casier, Kim Ragaert, Ludwig Cardon und Christophe Detavernier. „Plasma-enhanced atomic layer deposition: a gas-phase route to hydrophilic, glueable polytetrafluoroethylene“. Chemical Communications 51, Nr. 17 (2015): 3556–58. http://dx.doi.org/10.1039/c4cc09474c.
Der volle Inhalt der QuelleGebhard, M., F. Mitschker, M. Wiesing, I. Giner, B. Torun, T. de los Arcos, P. Awakowicz, G. Grundmeier und A. Devi. „An efficient PE-ALD process for TiO2 thin films employing a new Ti-precursor“. Journal of Materials Chemistry C 4, Nr. 5 (2016): 1057–65. http://dx.doi.org/10.1039/c5tc03385c.
Der volle Inhalt der QuelleKarbalaei Akbari, Mohammad, Nasrin Siraj Lopa und Serge Zhuiykov. „Atomic Layer Deposition of Ultra-Thin Crystalline Electron Channels for Heterointerface Polarization at Two-Dimensional Metal-Semiconductor Heterojunctions“. Coatings 13, Nr. 6 (03.06.2023): 1041. http://dx.doi.org/10.3390/coatings13061041.
Der volle Inhalt der QuelleDobbelaere, Thomas, Felix Mattelaer, Amit Kumar Roy, Philippe Vereecken und Christophe Detavernier. „Plasma-enhanced atomic layer deposition of titanium phosphate as an electrode for lithium-ion batteries“. Journal of Materials Chemistry A 5, Nr. 1 (2017): 330–38. http://dx.doi.org/10.1039/c6ta04179e.
Der volle Inhalt der QuellePark, Yongju, Woonyoung Lee, Yongkook Choi, Hyunkyu Lee und Jinseong Park. „Characteristics of Tin Oxide Thin Films Deposited by PE-ALD“. Korean Journal of Materials Research 14, Nr. 12 (01.12.2004): 840–45. http://dx.doi.org/10.3740/mrsk.2004.14.12.840.
Der volle Inhalt der QuelleLee, W., K. Hong, Y. Park, N. H. Kim, Y. Choi und J. Park. „Surface and sensing properties of PE-ALD SnO2 thin film“. Electronics Letters 41, Nr. 8 (2005): 475. http://dx.doi.org/10.1049/el:20058174.
Der volle Inhalt der QuelleGudovskikh, Alexander S., Alexander V. Uvarov, Ivan A. Morozov, Artem I. Baranov, Dmitry A. Kudryashov, Kirill S. Zelentsov, Alexandre Jaffré et al. „Interface Properties of GaP/Si Heterojunction Fabricated by PE‐ALD“. physica status solidi (a) 216, Nr. 10 (18.12.2018): 1800617. http://dx.doi.org/10.1002/pssa.201800617.
Der volle Inhalt der QuelleXiao, Zhigang, Kim Kisslinger und Rebhadevi Monikandan. „Atomic Layer Deposition of Nanolayered Carbon Films“. C 7, Nr. 4 (27.09.2021): 67. http://dx.doi.org/10.3390/c7040067.
Der volle Inhalt der QuelleFang, Guo-Yong, Li-Na Xu, Yan-Qiang Cao, Lai-Guo Wang, Di Wu und Ai-Dong Li. „Self-catalysis by aminosilanes and strong surface oxidation by O2 plasma in plasma-enhanced atomic layer deposition of high-quality SiO2“. Chemical Communications 51, Nr. 7 (2015): 1341–44. http://dx.doi.org/10.1039/c4cc08004a.
Der volle Inhalt der QuelleKim, Myoungsub, Youngjun Kim, Minkyu Lee, Seok Man Hong, Hyung Keun Kim, Sijung Yoo, Taehoon Kim, Seung-min Chung, Taeyoon Lee und Hyungjun Kim. „PE-ALD of Ge1−xSx amorphous chalcogenide alloys for OTS applications“. Journal of Materials Chemistry C 9, Nr. 18 (2021): 6006–13. http://dx.doi.org/10.1039/d1tc00650a.
Der volle Inhalt der QuelleBaranov, A. I., A. S. Gudovskikh, A. Darga, S. Le Gall und J.-P. Kleider. „Capacitance characterization of GaP/n-Si structures grown by PE-ALD“. Journal of Physics: Conference Series 917 (November 2017): 052027. http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/917/5/052027.
Der volle Inhalt der QuelleBaranov, Artem I., Alexander S. Gudovskikh, Dmitriy A. Kudryashov, Ivan A. Morozov, Alexey M. Mozharov, Ekaterina V. Nikitina, Kirill S. Zelentsov, Arouna Darga, Sylvain Le Gall und Jean-Paul Kleider. „Influence of PE-ALD of GaP on the Silicon Wafers Quality“. physica status solidi (a) 214, Nr. 12 (09.10.2017): 1700685. http://dx.doi.org/10.1002/pssa.201700685.
Der volle Inhalt der QuelleSchilirò, Emanuela, Salvatore di Franco, Patrick Fiorenza, Corrado Bongiorno, Hassan Gargouri, Mario Saggio, Raffaella Lo Nigro und Fabrizio Roccaforte. „Atomic Layer Deposition of Al2O3 Thin Films for Metal Insulator Semiconductor Applications on 4H-SiC“. Materials Science Forum 858 (Mai 2016): 685–88. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.858.685.
Der volle Inhalt der QuelleWei, Wenlu, Baojun Yan, Yuekun Heng, Shulin Liu, Binting Zhang, Huaxing Peng, Yuman Wang und Kaile Wen. „Secondary electron emission characteristics of alumina coating on metallic substrate prepared by atomic layer deposition“. Journal of Instrumentation 18, Nr. 02 (01.02.2023): P02002. http://dx.doi.org/10.1088/1748-0221/18/02/p02002.
Der volle Inhalt der QuelleLee, Si Young, Julia D. Lenef, Kalyn M. Fuelling, Kevin Enrique Rivera Cruz, Aditya Prajapati, Daniel O. Delgado Cornejo, Tae H. Cho et al. „Atomic Layer Deposition of Cu Catalysts on Gas Diffusion Electrodes for Electrochemical CO2 Reduction“. ECS Meeting Abstracts MA2024-01, Nr. 37 (09.08.2024): 2198. http://dx.doi.org/10.1149/ma2024-01372198mtgabs.
Der volle Inhalt der QuellePerrotta, Alberto, Julian Pilz, Stefan Pachmajer, Antonella Milella und Anna Maria Coclite. „On the transformation of “zincone”-like into porous ZnO thin films from sub-saturated plasma enhanced atomic layer deposition“. Beilstein Journal of Nanotechnology 10 (21.03.2019): 746–59. http://dx.doi.org/10.3762/bjnano.10.74.
Der volle Inhalt der QuellePerrotta, Alberto, Julian Pilz, Roland Resel, Oliver Werzer und Anna Maria Coclite. „Initial Growth and Crystallization Onset of Plasma Enhanced-Atomic Layer Deposited ZnO“. Crystals 10, Nr. 4 (10.04.2020): 291. http://dx.doi.org/10.3390/cryst10040291.
Der volle Inhalt der QuelleDallaev, Rashid. „Investigation of hydrogen impurities in PE-ALD AlN thin films by IBA methods“. Vacuum 193 (November 2021): 110533. http://dx.doi.org/10.1016/j.vacuum.2021.110533.
Der volle Inhalt der QuelleGudovskikh, A. S., A. V. Uvarov, I. A. Morozov, A. I. Baranov, D. A. Kudryashov, E. V. Nikitina, A. A. Bukatin et al. „Si doped GaP layers grown on Si wafers by low temperature PE-ALD“. Journal of Renewable and Sustainable Energy 10, Nr. 2 (März 2018): 021001. http://dx.doi.org/10.1063/1.5000256.
Der volle Inhalt der QuellePrapaipong, Chanitda, Dheerawan Boonyawan, Chanchai Umongno, Supab Choopun und Pipat Ruankham. „A Microwave Driven PE-ALD for Ultrathin Al2O3/ZnO Synthesis over Perovskite Layer“. Materials Today: Proceedings 17 (2019): 1521–30. http://dx.doi.org/10.1016/j.matpr.2019.06.177.
Der volle Inhalt der QuelleSimon, Nicolai, Maria Asplund, Thomas Stieglitz und Volker Bucher. „Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition of Iridium Oxide for Application in Miniaturized Neural Implants“. Current Directions in Biomedical Engineering 7, Nr. 2 (01.10.2021): 539–42. http://dx.doi.org/10.1515/cdbme-2021-2137.
Der volle Inhalt der QuelleD'Acunto, Giulio, Sanzeeda Baig Shuchi, Xueli Zheng, Yi Cui und Stacey F. Bent. „ALD with Enhanced Nucleation on Polymeric Separator for Improved Li-S Batteries“. ECS Meeting Abstracts MA2024-01, Nr. 1 (09.08.2024): 110. http://dx.doi.org/10.1149/ma2024-011110mtgabs.
Der volle Inhalt der QuelleJin, Jidong, Jiawei Zhang, Andrew Shaw, Valeriya N. Kudina, Ivona Z. Mitrovic, Jacqueline S. Wrench, Paul R. Chalker, Claudio Balocco, Aimin Song und Steve Hall. „A high speed PE-ALD ZnO Schottky diode rectifier with low interface-state density“. Journal of Physics D: Applied Physics 51, Nr. 6 (19.01.2018): 065102. http://dx.doi.org/10.1088/1361-6463/aaa4a2.
Der volle Inhalt der QuelleKim, Myoungsub, Youngjun Kim, Inkyu Sohn und Hyungjun Kim. „Growth and Electrical Characteristics of PE-ALD Germanium Sulfide for 3D Cross-Point Memory“. ECS Meeting Abstracts MA2020-02, Nr. 23 (23.11.2020): 1686. http://dx.doi.org/10.1149/ma2020-02231686mtgabs.
Der volle Inhalt der QuelleXiao, Zhigang, Kim Kisslinger, Sam Chance und Samuel Banks. „Comparison of Hafnium Dioxide and Zirconium Dioxide Grown by Plasma-Enhanced Atomic Layer Deposition for the Application of Electronic Materials“. Crystals 10, Nr. 2 (23.02.2020): 136. http://dx.doi.org/10.3390/cryst10020136.
Der volle Inhalt der QuelleYalcin, Emine B., Ming Tong, Camilla Homans und Suzanne M. de la Monte. „Myriocin Treatment Reverses Alcohol-Induced Alterations in Polyunsaturated Fatty Acid-Containing Phospholipid Expression in the Liver“. Nutrition and Metabolic Insights 15 (Januar 2022): 117863882210820. http://dx.doi.org/10.1177/11786388221082012.
Der volle Inhalt der QuelleMitschker, F., S. Steves, M. Gebhard, M. Rudolph, L. Schücke, D. Kirchheim, M. Jaritz et al. „Influence of PE-CVD and PE-ALD on defect formation in permeation barrier films on PET and correlation to atomic oxygen fluence“. Journal of Physics D: Applied Physics 50, Nr. 23 (18.05.2017): 235201. http://dx.doi.org/10.1088/1361-6463/aa6e28.
Der volle Inhalt der QuelleHur, Jae Seok, Min Jae Kim, Seong Hun Yoon und Jae Kyeong Jeong. „P‐154: Late‐News Poster: High‐Performance Indium‐Gallium Oxide Thin‐Film‐Transistors via Plasma‐Enhanced Atomic‐Layer‐Deposition“. SID Symposium Digest of Technical Papers 54, Nr. 1 (Juni 2023): 1826–28. http://dx.doi.org/10.1002/sdtp.16962.
Der volle Inhalt der QuelleHoppe, Christian, Felix Mitschker, Lukas Mai, Maciej Oskar Liedke, Teresa Arcos, Peter Awakowicz, Anjana Devi et al. „Influence of surface activation on the microporosity of PE‐CVD and PE‐ALD SiO x thin films on PDMS“. Plasma Processes and Polymers 19, Nr. 4 (22.01.2022): 2100174. http://dx.doi.org/10.1002/ppap.202100174.
Der volle Inhalt der QuelleLiu, Ji, und Michael Nolan. „Modeling the Atomic Layer Deposition of Metal Thin Films: Studying the Surface Reaction Mechanism By Density Functional Theory Simulations“. ECS Meeting Abstracts MA2023-02, Nr. 29 (22.12.2023): 1499. http://dx.doi.org/10.1149/ma2023-02291499mtgabs.
Der volle Inhalt der QuelleDjara, Vladimir, Lukas Czornomaz, Veeresh Deshpande, Nicolas Daix, Emanuele Uccelli, Daniele Caimi, Marilyne Sousa und Jean Fompeyrine. „Tri-gate InGaAs-OI junctionless FETs with PE-ALD Al2O3 gate dielectric and H2/Ar anneal“. Solid-State Electronics 115 (Januar 2016): 103–8. http://dx.doi.org/10.1016/j.sse.2015.08.018.
Der volle Inhalt der QuelleBarreca, Davide, Giorgio Carraro, Michael E. A. Warwick, Kimmo Kaunisto, Alberto Gasparotto, Valentina Gombac, Cinzia Sada et al. „Fe2O3–TiO2nanosystems by a hybrid PE-CVD/ALD approach: controllable synthesis, growth mechanism, and photocatalytic properties“. CrystEngComm 17, Nr. 32 (2015): 6219–26. http://dx.doi.org/10.1039/c5ce00883b.
Der volle Inhalt der QuelleGudovskikh, A. S., A. I. Baranov, A. V. Uvarov, D. A. Kudryashov und J.-P. Kleider. „Space charge capacitance study of GaP/Si multilayer structures grown by plasma deposition“. Journal of Physics D: Applied Physics 55, Nr. 13 (30.12.2021): 135103. http://dx.doi.org/10.1088/1361-6463/ac41fa.
Der volle Inhalt der QuelleJeong, Heon Jun, Hyun Soo Park, Keun Hee Kim, Wanhyuk Chang, Yoon Seong Kim, Yun Sung Choi und Joon Hyung Shim. „Performance Improvement of Proton Ceramic Fuel Cells through Surface Treatment of Cobalt Oxide Nanoparticles on Perovskite Oxide“. ECS Transactions 111, Nr. 6 (19.05.2023): 2155–60. http://dx.doi.org/10.1149/11106.2155ecst.
Der volle Inhalt der QuelleBaranov, A. I., A. V. Uvarov, D. A. Kudryashov, I. A. Morozov und A. S. Gudovskikh. „Influence of plasma on electrophysical properties of the GaP/n-Si isotype heterojunction grown by PE-ALD“. Journal of Physics: Conference Series 1482 (März 2020): 012017. http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/1482/1/012017.
Der volle Inhalt der QuelleCastillo-Saenz, Jhonathan, Nicola Nedev, Benjamín Valdez-Salas, Mario Curiel-Alvarez, María Isabel Mendivil-Palma, Norberto Hernandez-Como, Marcelo Martinez-Puente, David Mateos, Oscar Perez-Landeros und Eduardo Martinez-Guerra. „Properties of Al2O3 Thin Films Grown by PE-ALD at Low Temperature Using H2O and O2 Plasma Oxidants“. Coatings 11, Nr. 10 (19.10.2021): 1266. http://dx.doi.org/10.3390/coatings11101266.
Der volle Inhalt der QuelleChoi, Gwangpyo, L. Satyanarayana und Jinseong Park. „Effect of process parameters on surface morphology and characterization of PE-ALD SnO2 thin films for gas sensing“. Applied Surface Science 252, Nr. 22 (September 2006): 7878–83. http://dx.doi.org/10.1016/j.apsusc.2005.09.069.
Der volle Inhalt der QuelleShen, Jie, Fred Roozeboom und Alfredo Mameli. „Atmospheric-pressure plasma-enhanced spatial atomic layer deposition of silicon nitride at low temperature“. Atomic Layer Deposition 1 (27.03.2023): 1–11. http://dx.doi.org/10.3897/aldj.1.101651.
Der volle Inhalt der QuelleSong, Hohyun, Sanghun Seo und Hongyoung Chang. „Study on SiN and SiCN film production using PE-ALD process with high-density multi-ICP source at low temperature“. Current Applied Physics 18, Nr. 11 (November 2018): 1436–40. http://dx.doi.org/10.1016/j.cap.2018.08.012.
Der volle Inhalt der QuelleStarostin, Sergey A., Wytze Keuning, Jean-Paul Schalken, Mariadriana Creatore, Wilhelmus M. M. Erwin Kessels, Jan B. Bouwstra, Mauritius C. M. Richard van de Sanden und Hindrik W. de Vries. „Synergy Between Plasma-Assisted ALD and Roll-to-Roll Atmospheric Pressure PE-CVD Processing of Moisture Barrier Films on Polymers“. Plasma Processes and Polymers 13, Nr. 3 (31.08.2015): 311–15. http://dx.doi.org/10.1002/ppap.201500096.
Der volle Inhalt der QuelleHansen, Katherine, Melissa Cardona, Amartya Dutta und Chen Yang. „Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition of Plasmonic TiN Ultrathin Films Using TDMATi and NH3“. Materials 13, Nr. 5 (27.02.2020): 1058. http://dx.doi.org/10.3390/ma13051058.
Der volle Inhalt der QuelleWu, Chien-Hung, Kow-Ming Chang, Sung-Hung Huang, I.-Chung Deng, Chin-Jyi Wu, Wei-Han Chiang und Chia-Chiang Chang. „Characteristics of IGZO TFT Prepared by Atmospheric Pressure Plasma Jet Using PE-ALD $\hbox{Al}_{2}\hbox{O}_{3}$ Gate Dielectric“. IEEE Electron Device Letters 33, Nr. 4 (April 2012): 552–54. http://dx.doi.org/10.1109/led.2012.2185774.
Der volle Inhalt der QuelleLee, Baek-Ju, Dong-Won Seo und Jae-Wook Choi. „A Study on the Gap-Fill Process Deposited by the Deposition/Etch/Deposition Method in the Space-Divided PE-ALD System“. Coatings 13, Nr. 1 (27.12.2022): 48. http://dx.doi.org/10.3390/coatings13010048.
Der volle Inhalt der QuelleKull, Mikk, Helle-Mai Piirsoo, Aivar Tarre, Hugo Mändar, Aile Tamm und Taivo Jõgiaas. „Hardness, Modulus, and Refractive Index of Plasma-Assisted Atomic-Layer-Deposited Hafnium Oxide Thin Films Doped with Aluminum Oxide“. Nanomaterials 13, Nr. 10 (10.05.2023): 1607. http://dx.doi.org/10.3390/nano13101607.
Der volle Inhalt der QuellePapalia, John, Nathan Marchack, Robert Bruce, Hiroyuki Miyazoe, Sebastian Engelmann und Eric A. Joseph. „Applications for Surface Engineering Using Atomic Layer Etching - Invited Paper“. Solid State Phenomena 255 (September 2016): 41–48. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.255.41.
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