Zeitschriftenartikel zum Thema „PCM memory“
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Arjomand, Mohammad, Amin Jadidi, Mahmut T. Kandemir, Anand Sivasubramaniam und Chita R. Das. „HL-PCM: MLC PCM Main Memory with Accelerated Read“. IEEE Transactions on Parallel and Distributed Systems 28, Nr. 11 (01.11.2017): 3188–200. http://dx.doi.org/10.1109/tpds.2017.2705125.
Der volle Inhalt der QuellePriya, Bhukya Krishna, und N. Ramasubramanian. „Improving the Lifetime of Phase Change Memory by Shadow Dynamic Random Access Memory“. International Journal of Service Science, Management, Engineering, and Technology 12, Nr. 2 (März 2021): 154–68. http://dx.doi.org/10.4018/ijssmet.2021030109.
Der volle Inhalt der QuelleMacyna, Wojciech, und Michal Kukowski. „Adaptive Merging on Phase Change Memory“. Fundamenta Informaticae 188, Nr. 2 (15.03.2023): 103–26. http://dx.doi.org/10.3233/fi-222144.
Der volle Inhalt der QuelleJabarov, Elkhan, Byung-Won On, Gyu Choi und Myong-Soon Park. „R-Tree for phase change memory“. Computer Science and Information Systems 14, Nr. 2 (2017): 347–67. http://dx.doi.org/10.2298/csis160620008j.
Der volle Inhalt der QuelleHong, Jeong Beom, Young Sik Lee, Yong Wook Kim und Tae Hee Han. „Error-Vulnerable Pattern-Aware Binary-to-Ternary Data Mapping for Improving Storage Density of 3LC Phase Change Memory“. Electronics 9, Nr. 4 (09.04.2020): 626. http://dx.doi.org/10.3390/electronics9040626.
Der volle Inhalt der QuelleDing, Feilong, Baokang Peng, Xi Li, Lining Zhang, Runsheng Wang, Zhitang Song und Ru Huang. „A review of compact modeling for phase change memory“. Journal of Semiconductors 43, Nr. 2 (01.02.2022): 023101. http://dx.doi.org/10.1088/1674-4926/43/2/023101.
Der volle Inhalt der QuelleTang, Pu, Jing Xiao und Ming Tao. „Thermal Crosstalk Analysis of Phase Change Memory Considering Thermoelectric Effect and Thermal Boundary Resistance“. Journal of Physics: Conference Series 2624, Nr. 1 (01.10.2023): 012020. http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/2624/1/012020.
Der volle Inhalt der QuelleStern, Keren, Yair Keller, Christopher M. Neumann, Eric Pop und Eilam Yalon. „Temperature-dependent thermal resistance of phase change memory“. Applied Physics Letters 120, Nr. 11 (14.03.2022): 113501. http://dx.doi.org/10.1063/5.0081016.
Der volle Inhalt der QuelleSun, Hao, Lan Chen, Xiaoran Hao, Chenji Liu und Mao Ni. „An Energy-Efficient and Fast Scheme for Hybrid Storage Class Memory in an AIoT Terminal System“. Electronics 9, Nr. 6 (17.06.2020): 1013. http://dx.doi.org/10.3390/electronics9061013.
Der volle Inhalt der QuelleShin, Dongsuk, Hakbeom Jang, Kiseok Oh und Jae W. Lee. „An Energy-Efficient DRAM Cache Architecture for Mobile Platforms With PCM-Based Main Memory“. ACM Transactions on Embedded Computing Systems 21, Nr. 1 (31.01.2022): 1–22. http://dx.doi.org/10.1145/3451995.
Der volle Inhalt der QuelleHo, Chien-Chung, Yu-Ming Chang, Yuan-Hao Chang, Hsiu-Chang Chen und Tei-Wei Kuo. „Write-aware memory management for hybrid SLC-MLC PCM memory systems“. ACM SIGAPP Applied Computing Review 17, Nr. 2 (03.08.2017): 16–26. http://dx.doi.org/10.1145/3131080.3131082.
Der volle Inhalt der QuelleHong, Feng, Jianquan Zhang, Shigui Qi und Zheng Li. „PCM-2R: Accelerating MLC PCM Writes via Data Reshaping and Remapping“. Mobile Information Systems 2022 (16.07.2022): 1–19. http://dx.doi.org/10.1155/2022/9552517.
Der volle Inhalt der QuelleDing, Feilong, Deqi Dong, Yihan Chen, Xinnan Lin und Lining Zhang. „Robust Simulations of Nanoscale Phase Change Memory: Dynamics and Retention“. Nanomaterials 11, Nr. 11 (03.11.2021): 2945. http://dx.doi.org/10.3390/nano11112945.
Der volle Inhalt der QuelleAntolini, Alessio, Eleonora Franchi Scarselli, Antonio Gnudi, Marcella Carissimi, Marco Pasotti, Paolo Romele und Roberto Canegallo. „Characterization and Programming Algorithm of Phase Change Memory Cells for Analog In-Memory Computing“. Materials 14, Nr. 7 (26.03.2021): 1624. http://dx.doi.org/10.3390/ma14071624.
Der volle Inhalt der QuelleArjomand, Mohammad, Mahmut T. Kandemir, Anand Sivasubramaniam und Chita R. Das. „Boosting access parallelism to PCM-based main memory“. ACM SIGARCH Computer Architecture News 44, Nr. 3 (12.10.2016): 695–706. http://dx.doi.org/10.1145/3007787.3001211.
Der volle Inhalt der QuelleLee, Jung-Hoon. „PCM Main Memory for Low Power Embedded System“. IEMEK Journal of Embedded Systems and Applications 10, Nr. 6 (31.12.2015): 391–97. http://dx.doi.org/10.14372/iemek.2015.10.6.391.
Der volle Inhalt der QuelleJung, Bo-Sung, und Jung-Hoon Lee. „High Performance PCM&DRAM Hybrid Memory System“. IEMEK Journal of Embedded Systems and Applications 11, Nr. 2 (30.04.2016): 117–23. http://dx.doi.org/10.14372/iemek.2016.11.2.117.
Der volle Inhalt der QuelleHARNSOONGNOEN, SANCHAI, CHIRANUT SA-NGIAMSAK und APIRAT SIRITARATIWAT. „OPTIMIZATION OF PHASE CHANGE MEMORY WITH THIN METAL INSERTED LAYER ON MATERIAL PROPERTIES“. International Journal of Modern Physics B 23, Nr. 17 (10.07.2009): 3625–30. http://dx.doi.org/10.1142/s0217979209063080.
Der volle Inhalt der QuellePriya, Bhukya Krishna, und N. Ramasubramanian. „Enhancing the Lifetime of a Phase Change Memory with Bit-Flip Reversal“. Journal of Circuits, Systems and Computers 29, Nr. 14 (11.03.2020): 2050219. http://dx.doi.org/10.1142/s0218126620502199.
Der volle Inhalt der QuelleAkbarzadeh, Negar, Sina Darabi, Atiyeh Gheibi-Fetrat, Amir Mirzaei, Mohammad Sadrosadati und Hamid Sarbazi-Azad. „H3DM: A High-bandwidth High-capacity Hybrid 3D Memory Design for GPUs“. Proceedings of the ACM on Measurement and Analysis of Computing Systems 8, Nr. 1 (16.02.2024): 1–28. http://dx.doi.org/10.1145/3639038.
Der volle Inhalt der QuelleMohseni, Milad, Ahmed Alkhayyat, P. Balaji Srikaanth, Ali Jawad Alrubaie, Arnold C. Alguno, Rey Y. Capangpangan und Bhupesh Kumar Singh. „Analyzing Characteristics for Two-Step SET Operation Scheme for Improving Write Time in Nanoscale Phase-Change Memory (PCM)“. Journal of Nanomaterials 2022 (09.09.2022): 1–20. http://dx.doi.org/10.1155/2022/6822884.
Der volle Inhalt der QuelleLewis, Matthew, und Lucien N. Brush. „Impact of solid–liquid interfacial thermodynamics on phase-change memory RESET scaling“. Nanotechnology 33, Nr. 20 (21.02.2022): 205204. http://dx.doi.org/10.1088/1361-6528/ac512c.
Der volle Inhalt der QuelleLei, Xin-Qing, Jia-He Zhu, Da-Wei Wang und Wen-Sheng Zhao. „Design for Ultrahigh-Density Vertical Phase Change Memory: Proposal and Numerical Investigation“. Electronics 11, Nr. 12 (08.06.2022): 1822. http://dx.doi.org/10.3390/electronics11121822.
Der volle Inhalt der QuelleGonzalez-Alberquilla, Rodrigo, Fernando Castro, Luis Pinuel und Francisco Tirado. „CEPRAM: Compression for Endurance in PCM RAM“. Journal of Circuits, Systems and Computers 26, Nr. 11 (03.04.2017): 1750167. http://dx.doi.org/10.1142/s0218126617501675.
Der volle Inhalt der QuelleQiao, Yang, Jin Zhao, Haodong Sun, Zhitang Song, Yuan Xue, Jiao Li und Sannian Song. „Pt Modified Sb2Te3 Alloy Ensuring High−Performance Phase Change Memory“. Nanomaterials 12, Nr. 12 (10.06.2022): 1996. http://dx.doi.org/10.3390/nano12121996.
Der volle Inhalt der QuelleZhang, Zhong Hua, San Nian Song, Zhi Tang Song, Le Li, Lan Lan Shen, Tian Qi Guo, Yan Cheng et al. „Performance Improvement of Phase Change Memory Cell by Using a Tantalum Pentoxide Buffer Layer“. Materials Science Forum 848 (März 2016): 425–29. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.848.425.
Der volle Inhalt der QuelleSong, Zhitang, Daolin Cai, Yan Cheng, Lei Wang, Shilong Lv, Tianjiao Xin und Gaoming Feng. „12-state multi-level cell storage implemented in a 128 Mb phase change memory chip“. Nanoscale 13, Nr. 23 (2021): 10455–61. http://dx.doi.org/10.1039/d1nr00100k.
Der volle Inhalt der QuelleYin, You, und Sumio Hosaka. „Crystal Growth Suppression by N-Doping into Chalcogenide for Application to Next-Generation Phase Change Memory“. Key Engineering Materials 497 (Dezember 2011): 101–5. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/kem.497.101.
Der volle Inhalt der QuelleKim, Jeong-Geun, Shin-Dug Kim und Su-Kyung Yoon. „Q-Selector-Based Prefetching Method for DRAM/NVM Hybrid Main Memory System“. Electronics 9, Nr. 12 (16.12.2020): 2158. http://dx.doi.org/10.3390/electronics9122158.
Der volle Inhalt der QuelleYun, Ji-Tae, Su-Kyung Yoon, Jeong-Geun Kim, Bernd Burgstaller und Shin-Dug Kim. „Regression Prefetcher with Preprocessing for DRAM-PCM Hybrid Main Memory“. IEEE Computer Architecture Letters 17, Nr. 2 (01.07.2018): 163–66. http://dx.doi.org/10.1109/lca.2018.2841835.
Der volle Inhalt der QuellePourshirazi, Bahareh, Majed Valad Beigi, Zhichun Zhu und Gokhan Memik. „Writeback-Aware LLC Management for PCM-Based Main Memory Systems“. ACM Transactions on Design Automation of Electronic Systems 24, Nr. 2 (21.03.2019): 1–19. http://dx.doi.org/10.1145/3292009.
Der volle Inhalt der QuelleYoon, Su-Kyung, Jitae Yun, Jung-Geun Kim und Shin-Dug Kim. „Self-Adaptive Filtering Algorithm with PCM-Based Memory Storage System“. ACM Transactions on Embedded Computing Systems 17, Nr. 3 (02.06.2018): 1–23. http://dx.doi.org/10.1145/3190856.
Der volle Inhalt der QuelleEl-Hassan, Nemat H., Nandha Thulasiraman Kumar und Haider Abbas F. Almurib. „Modelling of wire resistance effect in PCM-based nanocrossbar memory“. Journal of Engineering 2016, Nr. 10 (01.10.2016): 357–62. http://dx.doi.org/10.1049/joe.2016.0212.
Der volle Inhalt der QuelleMeng, Yingjie, Yimin Chen, Kexin Peng, Bin Chen, Chenjie Gu, Yixiao Gao, Guoxiang Wang und Xiang Shen. „GeTe ultrathin film based phase-change memory with extreme thermal stability, fast SET speed, and low RESET power energy“. AIP Advances 13, Nr. 3 (01.03.2023): 035205. http://dx.doi.org/10.1063/5.0138286.
Der volle Inhalt der QuelleXu, Zhehao, Xiao Su, Sicong Hua, Jiwei Zhai, Sannian Song und Zhitang Song. „Non-volatile multi-level cell storage via sequential phase transition in Sb7Te3/GeSb6Te multilayer thin film“. Nanotechnology 33, Nr. 7 (22.11.2021): 075701. http://dx.doi.org/10.1088/1361-6528/ac3613.
Der volle Inhalt der QuelleGafner, Yuri Ya, Svetlana L. Gafner und Daria A. Ryzhkova. „Estimating Ag-Cu Nanoalloy Applicability for PCM Data Recording“. Solid State Phenomena 310 (September 2020): 47–52. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.310.47.
Der volle Inhalt der QuelleYin, You, Rosalena Irma Alip, Yu Long Zhang, Ryota Kobayashi und Sumio Hosaka. „Multi-Level Storage in Lateral Phase Change Memory: From 3 to 16 Resistance Levels“. Key Engineering Materials 534 (Januar 2013): 131–35. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/kem.534.131.
Der volle Inhalt der QuelleNguyen, Huu Tan, Andrzej Kusiak, Jean Luc Battaglia, Cecile Gaborieau, Yanick Anguy, Roberto Fallica, Claudia Wiemer, Alessio Lamperti und Massimo Longo. „Thermal Properties of In-Sb-Te Thin Films for Phase Change Memory Application“. Advances in Science and Technology 95 (Oktober 2014): 113–19. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ast.95.113.
Der volle Inhalt der QuelleLiu, Guang Yu, Liang Cai Wu, Zhi Tang Song, Feng Rao, San Nian Song und Yan Cheng. „Stability of Sb2Te Crystalline Films for Phase Change Memory“. Materials Science Forum 898 (Juni 2017): 1829–33. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.898.1829.
Der volle Inhalt der QuelleYin, You, und Sumio Hosaka. „Proposed Phase-Change Memory with a Step-Like Channel for High-Performance Multi-State Storage“. Key Engineering Materials 459 (Dezember 2010): 145–50. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/kem.459.145.
Der volle Inhalt der QuelleLin, Shu-Yen, und Shao-Cheng Wang. „Thermal-constrained memory management for three-dimensional DRAM-PCM memory with deep neural network applications“. Microprocessors and Microsystems 89 (März 2022): 104444. http://dx.doi.org/10.1016/j.micpro.2022.104444.
Der volle Inhalt der QuelleGrimonia, E., M. R. C. Andhika, M. F. N. Aulady, R. V. C. Rubi und N. L. Hamidah. „Thermal Management System Using Phase Change Material for Lithium-ion Battery“. Journal of Physics: Conference Series 2117, Nr. 1 (01.11.2021): 012005. http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/2117/1/012005.
Der volle Inhalt der QuelleFAN, Yu-Lei, und Xiao-Feng MENG. „Transaction Recovery Model of Databases Based on PCM and Flash Memory“. Chinese Journal of Computers 36, Nr. 8 (18.03.2014): 1582–91. http://dx.doi.org/10.3724/sp.j.1016.2013.01582.
Der volle Inhalt der QuelleRuan, Shenchen, Haixia Wang und Dongsheng Wang. „MAC : A Novel Systematically Multilevel Cache Replacement Policy for PCM Memory“. Computer Applications: An International Journal 3, Nr. 2 (30.05.2016): 11–22. http://dx.doi.org/10.5121/caij.2016.3202.
Der volle Inhalt der QuelleFu, Yinjin, Yutong Lu, Zhiguang Chen wu, Yang Wu und Nong Xiao. „Design and Simulation of Content-Aware Hybrid DRAM-PCM Memory System“. IEEE Transactions on Parallel and Distributed Systems 33, Nr. 7 (01.07.2022): 1666–77. http://dx.doi.org/10.1109/tpds.2021.3123539.
Der volle Inhalt der QuelleJunsangsri, Pilin, und Fabrizio Lombardi. „A New Comprehensive Model of a Phase Change Memory (PCM) Cell“. IEEE Transactions on Nanotechnology 13, Nr. 6 (November 2014): 1213–25. http://dx.doi.org/10.1109/tnano.2014.2353992.
Der volle Inhalt der QuelleCiocchini, Nicola, Marco Cassinerio, Davide Fugazza und Daniele Ielmini. „Modeling of Threshold-Voltage Drift in Phase-Change Memory (PCM) Devices“. IEEE Transactions on Electron Devices 59, Nr. 11 (November 2012): 3084–90. http://dx.doi.org/10.1109/ted.2012.2214784.
Der volle Inhalt der QuelleBaek, Seungcheol, Hyung Gyu Lee, Chrysostomos Nicopoulos und Jongman Kim. „Designing Hybrid DRAM/PCM Main Memory Systems Utilizing Dual-Phase Compression“. ACM Transactions on Design Automation of Electronic Systems 20, Nr. 1 (18.11.2014): 1–31. http://dx.doi.org/10.1145/2658989.
Der volle Inhalt der QuelleMohseni, Milad, und Ahmad Habibized Novin. „A survey on techniques for improving Phase Change Memory (PCM) lifetime“. Journal of Systems Architecture 144 (November 2023): 103008. http://dx.doi.org/10.1016/j.sysarc.2023.103008.
Der volle Inhalt der QuelleYang, Zhe, Dayou Zhang, Jingwei Cai, Chuantao Gong, Qiang He, Ming Xu, Hao Tong und Xiangshui Miao. „Joule heating induced non-melting phase transition and multi-level conductance in MoTe2 based phase change memory“. Applied Physics Letters 121, Nr. 20 (14.11.2022): 203508. http://dx.doi.org/10.1063/5.0127160.
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