Bücher zum Thema „Oxyde conducteur“
Geben Sie eine Quelle nach APA, MLA, Chicago, Harvard und anderen Zitierweisen an
Machen Sie sich mit Top-22 Bücher für die Forschung zum Thema "Oxyde conducteur" bekannt.
Neben jedem Werk im Literaturverzeichnis ist die Option "Zur Bibliographie hinzufügen" verfügbar. Nutzen Sie sie, wird Ihre bibliographische Angabe des gewählten Werkes nach der nötigen Zitierweise (APA, MLA, Harvard, Chicago, Vancouver usw.) automatisch gestaltet.
Sie können auch den vollen Text der wissenschaftlichen Publikation im PDF-Format herunterladen und eine Online-Annotation der Arbeit lesen, wenn die relevanten Parameter in den Metadaten verfügbar sind.
Sehen Sie die Bücher für verschiedene Spezialgebieten durch und erstellen Sie Ihre Bibliographie auf korrekte Weise.
International Symposium on Compound Semiconductors (26th 1999 Berlin, Germany). Compound semiconductors 1999: Proceedings of the Twenty-sixth International Symposium on Compound Semiconductors held in Berlin, Germany, 22-26 August 1999. Bristol: Institute of Physics Pub., 2000.
Den vollen Inhalt der Quelle findenIniewski, Krzysztof. Nano-semiconductors: Devices and technology. Boca Raton, FL: CRC Press, 2012.
Den vollen Inhalt der Quelle findenLluís, Miribel-Català Pere, und SpringerLink (Online service), Hrsg. A CMOS Self-Powered Front-End Architecture for Subcutaneous Event-Detector Devices: Three-Electrodes Amperometric Biosensor Approach. Dordrecht: Springer Science+Business Media B.V., 2011.
Den vollen Inhalt der Quelle findenUnited States. Dept. of Energy und Southern Company Services, Hrsg. Control of nitrogen oxide emissions: Selective catalytic reduction (SCR) : a report on a project conducted jointly under a cooperative agreement between the U.S. Department of Energy and Southern Company Services, Inc. [Washington, D.C.?: U.S. Dept. of Energy, 1997.
Den vollen Inhalt der Quelle findenPrati, Enrico, und Takahiro Shinada. Single-Atom Nanoelectronics. Jenny Stanford Publishing, 2016.
Den vollen Inhalt der Quelle findenPrati, Enrico, und Takahiro Shinada. Single-Atom Nanoelectronics. Jenny Stanford Publishing, 2016.
Den vollen Inhalt der Quelle findenRivetti, Angelo. Cmos: Front-End Electronics for Radiation Sensors. Taylor & Francis Group, 2018.
Den vollen Inhalt der Quelle findenRivetti, Angelo. Cmos: Front-End Electronics for Radiation Sensors. Taylor & Francis Group, 2017.
Den vollen Inhalt der Quelle findenRivetti, Angelo. Cmos: Front-End Electronics for Radiation Sensors. Taylor & Francis Group, 2018.
Den vollen Inhalt der Quelle findenRivetti, Angelo. Cmos: Front-End Electronics for Radiation Sensors. Taylor & Francis Group, 2018.
Den vollen Inhalt der Quelle findenVakhrushev, Alexander V., Rishat G. Valeev, Aleksey Yu Fedotov und Dmitrii I. Petukhov. Nanostructured Semiconductors in Porous Alumina Matrices: Modeling, Synthesis, and Properties. Apple Academic Press, Incorporated, 2019.
Den vollen Inhalt der Quelle findenVakhrushev, Alexander V., Rishat G. Valeev, Aleksey Yu Fedotov und Dmitrii I. Petukhov. Nanostructured Semiconductors in Porous Alumina Matrices. Taylor & Francis Group, 2019.
Den vollen Inhalt der Quelle findenVakhrushev, Alexander V., Rishat G. Valeev, Aleksey Yu Fedotov und Dmitrii I. Petukhov. Nanostructured Semiconductors in Porous Alumina Matrices. Taylor & Francis Group, 2021.
Den vollen Inhalt der Quelle findenColomer-Farrarons, Jordi, und Pere MIRIBEL. A CMOS Self-Powered Front-End Architecture for Subcutaneous Event-Detector Devices: Three-Electrodes Amperometric Biosensor Approach. Springer, 2014.
Den vollen Inhalt der Quelle findenFloating Body Cell A Novel Capacitorless Dram Cell. Pan Stanford Publishing, 2011.
Den vollen Inhalt der Quelle findenWang, Xiaolei, und Shengkai Wang. MOS Interface Physics, Process and Characterization. Taylor & Francis Group, 2021.
Den vollen Inhalt der Quelle findenWang, Xiaolei, und Shengkai Wang. MOS Interface Physics, Process and Characterization. Taylor & Francis Group, 2021.
Den vollen Inhalt der Quelle findenWang, Xiaolei, und Shengkai Wang. MOS Interface Physics, Process and Characterization. Taylor & Francis Group, 2021.
Den vollen Inhalt der Quelle findenDhiman, Rohit, und Rajeevan Chandel. VLSI and Post-CMOS Electronics: Devices, Circuits and Interconnects, Volume 2. Institution of Engineering & Technology, 2019.
Den vollen Inhalt der Quelle findenDhiman, Rohit, und Rajeevan Chandel. VLSI and Post-CMOS Electronics: Design, Modelling and Simulation, Volume 1. Institution of Engineering & Technology, 2019.
Den vollen Inhalt der Quelle findenDhiman, Rohit, und Rajeevan Chandel. VLSI and Post-CMOS Electronics: Devices, Circuits and Interconnects. Institution of Engineering & Technology, 2019.
Den vollen Inhalt der Quelle findenVLSI and Post-CMOS Electronics: Design, Modelling and Simulation. Institution of Engineering & Technology, 2019.
Den vollen Inhalt der Quelle finden