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1

Roundhill, D. Max. Optoelectronic Properties of Inorganic Compounds. Boston, MA: Springer US, 1999.

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2

Roundhill, D. Max, und John P. Fackler, Hrsg. Optoelectronic Properties of Inorganic Compounds. Boston, MA: Springer US, 1999. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4757-6101-6.

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3

Guldi, Dirk M. Fullerenes: From Synthesis to Optoelectronic Properties. Dordrecht: Springer Netherlands, 2002.

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4

Guldi, Dirk M., und Nazario Martin, Hrsg. Fullerenes: From Synthesis to Optoelectronic Properties. Dordrecht: Springer Netherlands, 2002. http://dx.doi.org/10.1007/978-94-015-9902-3.

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5

NATO Advanced Research Workshop on Zinc Oxide as a Material for Micro- and Optoelectric Applications (2004 St. Petersburg, Russia). Zinc oxide--a material for micro- and optoelectronic applications. Dordrecht: Springer, 2005.

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6

Bube, Richard H. Photoelectronic properties of semiconductors. Cambridge: Cambridge University Press, 1992.

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7

Roy, Kallol. Optoelectronic Properties of Graphene-Based van der Waals Hybrids. Cham: Springer International Publishing, 2020. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-030-59627-9.

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8

Dahl, William L. Photonic crystals: Optical properties, fabrication, and applications. New York: Nova Science Publishers, 2011.

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9

Helmut, Föll, Hrsg. Porous semiconductors: Optical properties and applications. London: Springer, 2009.

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10

Liu, Cheng-Hua. Electrical and Optoelectronic Properties of the Nanodevices Composed of Two-Dimensional Materials. Singapore: Springer Singapore, 2018. http://dx.doi.org/10.1007/978-981-13-1355-4.

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11

Koyama, Fumio. Optoelectronic materials and devices V: 8-12 December 2010, Shanghai, China. Herausgegeben von SPIE (Society), IEEE Photonics Society und Fu dan da xue (Shanghai, China). Bellingham, Wash: SPIE, 2011.

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12

America, Optical Society of, SPIE (Society) und Asia Communications and Photonics (2009 : Shanghai, China), Hrsg. Optoelectronic materials and devices IV: 2-6 November 2009, Shanghai, China. Bellingham, Wash: SPIE, 2009.

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13

Koyama, Fumio. Optoelectronic materials and devices V: 8-12 December 2010, Shanghai, China. Herausgegeben von SPIE (Society), IEEE Photonics Society und Fu dan da xue (Shanghai, China). Bellingham, Wash: SPIE, 2011.

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14

Luo, Yi. Optoelectronic materials and devices III: 27-30 October 2008, Hangzhou, China. Herausgegeben von Zhejiang Optical Society, Hangzhou Shi (China), Fuyang Shi (China) und SPIE (Society). Bellingham, Wash: SPIE, 2008.

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15

Koyama, Fumio. Optoelectronic materials and devices V: 8-12 December 2010, Shanghai, China. Herausgegeben von SPIE (Society), IEEE Photonics Society und Fu dan da xue (Shanghai, China). Bellingham, Wash: SPIE, 2011.

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16

Wuhan dian guang guo jia shi yan shi und Society of Photo-optical Instrumentation Engineers, Hrsg. Optoelectronic materials and devices II: 2-5 November 2007, Wuhan, China. Bellingham, Wash: SPIE, 2007.

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17

Nakano, Yoshiaki. Optoelectronic materials and devices II: 2-5 November 2007, Wuhan, China. Herausgegeben von Wuhan dian guang guo jia shi yan shi und Society of Photo-optical Instrumentation Engineers. Bellingham, Wash: SPIE, 2007.

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18

Gui guang zi xue. Beijing: Ke xue chu ban she, 2011.

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19

Gui guang zi xue. Beijing: Ke xue chu ban she, 2011.

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20

P, Knights Andrew, Hrsg. Silicon photonics: An introduction. Chichester: John Wiley, 2004.

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21

Basu, P. K. (Prasanta Kumar), Hrsg. Silicon photonics: Fundamentals and devices. Chichester, West Sussex, UK: Wiley, 2012.

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22

Gui ji guang dian zi xue. Beijing Shi: Beijing da xue chu ban she, 2012.

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23

Wolfgang, Skorupa, Hrsg. Rare-earth implanted MOS devices for silicon photonics: Microstructural, electrical and optoelectronic properties. Heidelberg: Springer, 2010.

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24

Optical properties of functional polymers and nano engineering applications. Boca Raton: Taylor & Francis, 2015.

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25

M, Marshall J., und Dimova-Malinovska D, Hrsg. Photovoltaic and photoactive materials: Properties, technology, and applications. Dordrecht: Kluwer Academic, 2002.

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26

Kubby, Joel A. Silicon photonics III: 21-24 January 2008, San Jose, California, USA. Herausgegeben von Society of Photo-optical Instrumentation Engineers. Bellingham, Wash: SPIE, 2008.

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27

Kubby, Joel A. Silicon photonics IV: 26-28 January 2009, San Jose, California, United States. Herausgegeben von SPIE (Society). Bellingham, Wash: SPIE, 2009.

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28

(Society), SPIE, Hrsg. Silicon photonics V: 24-27 January 2010, San Francisco, California, United States. Bellingham, Wash: SPIE, 2010.

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29

Reed, Graham T., und Joel A. Kubby. Silicon photonics VI: 23-26 January 2011, San Francisco, California, United States. Herausgegeben von SPIE (Society). Bellingham, Wash: SPIE, 2011.

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30

Heremans, Paul L., R. Coehoorn und Chihaya Adachi. Organic photonics IV: 12-15 April 2010, Brussels, Belgium. Bellingham, Wash: SPIE, 2010.

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31

Optoelectronic Devices and Properties. InTech, 2011.

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32

Sergiyenko, Oleg, Hrsg. Optoelectronic Devices and Properties. InTech, 2011. http://dx.doi.org/10.5772/618.

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33

A, Jenekhe Samson, Wynne Kenneth J. 1940-, Pacific Polymer Federation und Pacific Polymer Conference (4th : 1995 : Kauai, Hawaii), Hrsg. Photonic and optoelectronic polymers. Washington, DC: American Chemical Society, 1997.

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34

M, Guldi D., und Martin Nazario, Hrsg. Fullerenes: From synthesis to optoelectronic properties. Dordrecht: Kluwer Academic Publishers, 2002.

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35

M, Roundhill D., und Fackler John P, Hrsg. Optoelectronic properties of inorganic compounds. New York: Plenum Press, 1999.

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36

Wada. DEFECTS IN OPTOELECTRONIC MATERIALS (Optoelectronic Properties of Semiconductors and Superlattice,). Taylor & Francis, 2001.

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37

J, Jiménez, Hrsg. Microprobe characterization of optoelectronic materials. New York: Taylor & Francis, 2003.

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38

Wada, Kazumi. Defects in Optoelectronic Materials (Optoelectronic Properties of Semiconductors and Superlattices, 11). CRC, 2001.

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39

Jimenez, Juan. Microprobe Characterization of Optoelectronic Materials (Optoelectronic Properties of Semiconductors and Superlattices). CRC, 2002.

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40

D, Steiner Todd, Hrsg. Semiconductor nanostructures for optoelectronic applications. Boston: Artech House, 2004.

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41

Singh, Jasprit. Electronic and Optoelectronic Properties of Semiconductor Structures. Cambridge University Press, 2003.

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42

Electronic and Optoelectronic Properties of Semiconductor Structures. Cambridge University Press, 2007.

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43

Electronic and Optoelectronic Properties of Semiconductor Structures. Cambridge University Press, 2003.

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44

Lie, J. T. Semiconductor Quantum Well Intermixing: Material Properties and Optoelectronic Applications (Optoelectronic Properties of Semiconductors and Superlattices, V. 8). CRC, 2000.

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45

Zinc oxide - a material for micro- and optoelectronic applications. Dordrecht: Springer, 2005.

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46

Piris, Jorge. Optoelectronic Properties of Discotic Materials for Device Applications. Delft Univ Pr, 2004.

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47

Mitin, Vladimir V., Michael A. Stroscio, Mitra Dutta und Viacheslav A. Kochelap. Introduction to Optical and Optoelectronic Properties of Nanostructures. Cambridge University Press, 2019.

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48

Jiang, Hongxing. III-Nitride Semiconductors: Optical Properties (Optoelectronic Properties of Semiconductors and Superlattices, V. 14-15). CRC, 2002.

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49

Pantellides, S. Silicon-Germanium Carbon Alloys: Growth, Properties and Applications (Optoelectronic Properties of Semiconductors and Superlattices). CRC, 2002.

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50

Porous Silicon: Formation and Properties. Taylor & Francis Group, 2015.

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