Zeitschriftenartikel zum Thema „On-Wafer characterization“
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Saedon, Juri B., Siti Musalmah Md Ibrahim, Amir Radzi Abd Ghani und Muhammad Hafizi Bin Abd Razak. „Dicing Characterization on Optical Silicon Wafer Waveguide“. Applied Mechanics and Materials 899 (Juni 2020): 163–68. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amm.899.163.
Der volle Inhalt der QuelleKoolen, M. C. A. M. „On-wafer high-frequency device characterization“. Microelectronic Engineering 19, Nr. 1-4 (September 1992): 679–86. http://dx.doi.org/10.1016/0167-9317(92)90521-r.
Der volle Inhalt der QuelleLau, J. H., P.-J. Tzeng, C.-K. Lee, C.-J. Zhan, M.-J. Dai, Li Li, C.-T. Ko et al. „Wafer Bumping and Characterizations of Fine-Pitch Lead-Free Solder Microbumps on 12” (300mm) wafer for 3D IC Integration“. International Symposium on Microelectronics 2011, Nr. 1 (01.01.2011): 000650–56. http://dx.doi.org/10.4071/isom-2011-wa6-paper2.
Der volle Inhalt der QuelleTeixeira, Jorge, Mário Ribeiro und Nélson Pinho. „Advanced warpage characterization for FOWLP“. International Symposium on Microelectronics 2013, Nr. 1 (01.01.2013): 000641–46. http://dx.doi.org/10.4071/isom-2013-wp21.
Der volle Inhalt der QuelleKerepesi, Péter, Bernhard Rebhan, Matthias Danner, Karin Stadlmann, Heiko Groiss, Peter Oberhumer, Jiri Duchoslav und Kurt Hingerl. „Oxide-Free SiC-SiC Direct Wafer Bonding and Its Characterization“. ECS Transactions 112, Nr. 3 (29.09.2023): 159–72. http://dx.doi.org/10.1149/11203.0159ecst.
Der volle Inhalt der QuelleDeleniv, Anatoly, Andrei Vorobiev und Spartak Gevorgian. „On-Wafer Characterization of Varactor Using Resonating Microprobes“. IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques 56, Nr. 5 (Mai 2008): 1105–11. http://dx.doi.org/10.1109/tmtt.2008.921283.
Der volle Inhalt der QuelleLaskar, J., J. J. Bautista, M. Nishimoto, M. Hamai und R. Lai. „Development of accurate on-wafer, cryogenic characterization techniques“. IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques 44, Nr. 7 (Juli 1996): 1178–83. http://dx.doi.org/10.1109/22.508659.
Der volle Inhalt der QuelleMoore, B., M. Margala und C. Backhouse. „Design of wireless on-wafer submicron characterization system“. IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems 13, Nr. 2 (Februar 2005): 169–80. http://dx.doi.org/10.1109/tvlsi.2004.840780.
Der volle Inhalt der QuelleCHEN, CHIH-HUNG. „ACCURACY ISSUES OF ON-WAFER MICROWAVE NOISE MEASUREMENTS“. Fluctuation and Noise Letters 08, Nr. 03n04 (Dezember 2008): L281—L303. http://dx.doi.org/10.1142/s0219477508005136.
Der volle Inhalt der QuelleSeong, Inho, Jinho Lee, Sijun Kim, Youngseok Lee, Chulhee Cho, Jangjae Lee, Wonnyoung Jeong, Yebin You und Shinjae You. „Characterization of an Etch Profile at a Wafer Edge in Capacitively Coupled Plasma“. Nanomaterials 12, Nr. 22 (10.11.2022): 3963. http://dx.doi.org/10.3390/nano12223963.
Der volle Inhalt der QuelleHong, Hao-Chiao, und Long-Yi Lin. „Accurate and Fast On-Wafer Test Circuitry for Device Array Characterization in Wafer Acceptance Test“. IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers 66, Nr. 9 (September 2019): 3467–79. http://dx.doi.org/10.1109/tcsi.2019.2924251.
Der volle Inhalt der QuelleKerepesi, Péter, Bernhard Rebhan, Matthias Danner, Karin Stadlmann, Heiko Groiss, Peter Oberhumer, Jiri Duchoslav und Kurt Hingerl. „Oxide-Free SiC-SiC Direct Wafer Bonding and Its Characterization“. ECS Meeting Abstracts MA2023-02, Nr. 33 (22.12.2023): 1603. http://dx.doi.org/10.1149/ma2023-02331603mtgabs.
Der volle Inhalt der QuelleField, Daniel E., James W. Pomeroy, Farzan Gity, Michael Schmidt, Pasqualino Torchia, Fan Li, Peter M. Gammon, Vishal A. Shah und Martin Kuball. „Thermal characterization of direct wafer bonded Si-on-SiC“. Applied Physics Letters 120, Nr. 11 (14.03.2022): 113503. http://dx.doi.org/10.1063/5.0080668.
Der volle Inhalt der QuelleLiu, Kai, YongTaek Lee, HyunTai Kim, MaPhooPwint Hlaing, Susan Park und Billy Ahn. „Electrical Characterization on a High-Speed Wafer-Level Package“. Additional Conferences (Device Packaging, HiTEC, HiTEN, and CICMT) 2013, DPC (01.01.2013): 001937–62. http://dx.doi.org/10.4071/2013dpc-tha23.
Der volle Inhalt der QuelleKazemi Esfeh, Babak, Khaled Ben Ali und Jean-Pierre Raskin. „Compact On-Wafer Test Structures for Device RF Characterization“. IEEE Transactions on Electron Devices 64, Nr. 8 (August 2017): 3101–7. http://dx.doi.org/10.1109/ted.2017.2717196.
Der volle Inhalt der QuelleDunleavy, L. P., J. Randa, D. K. Walker, R. Billinger und J. Rice. „Characterization and applications of on-wafer diode noise sources“. IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques 46, Nr. 12 (1998): 2620–28. http://dx.doi.org/10.1109/22.739255.
Der volle Inhalt der QuelleImai, M., Y. Miyamura, D. Murata und A. Ogi. „Characterization of SiGe Layer on Insulator by In-Plane Diffraction Method“. Solid State Phenomena 108-109 (Dezember 2005): 451–56. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.108-109.451.
Der volle Inhalt der QuelleHoff, A. M., und E. Oborina. „Fast Non-Contact Dielectric Characterization for SiC MOS Processing“. Materials Science Forum 527-529 (Oktober 2006): 1035–38. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.527-529.1035.
Der volle Inhalt der QuelleCaddemi, Alina, Emanuele Cardillo, Giovanni Crupi, Luciano Boglione und Jason Roussos. „Microwave Linear Characterization Procedures of On-Wafer Scaled GaAs pHEMTs for Low-Noise Applications“. Electronics 8, Nr. 11 (18.11.2019): 1365. http://dx.doi.org/10.3390/electronics8111365.
Der volle Inhalt der QuelleCavaco, Celso, Lan Peng, Koen De Leersnijder, Stefano Guerrieri, Deniz S. Tezcan und Haris Osman. „Copper Oxide Direct Bonding of 200mm CMOS Wafers: Morphological and Electrical Characterization“. International Symposium on Microelectronics 2015, Nr. 1 (01.10.2015): 000594–97. http://dx.doi.org/10.4071/isom-2015-tha26.
Der volle Inhalt der QuelleMarino, Nobuaki, Kiichirou Murai und Yoshinori Kataora. „Characterization of Surface Contaminants by a Silver Film-Enhanced IR—Johnson Method“. Applied Spectroscopy 51, Nr. 10 (Oktober 1997): 1460–63. http://dx.doi.org/10.1366/0003702971939226.
Der volle Inhalt der QuelleChun, C., A. Pham, J. Laskar und B. Hutchison. „Development of microwave package models utilizing on-wafer characterization techniques“. IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques 45, Nr. 10 (1997): 1948–54. http://dx.doi.org/10.1109/22.641800.
Der volle Inhalt der QuelleSimons, R. N., und R. Q. Lee. „On-wafer characterization of millimeter-wave antennas for wireless applications“. IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques 47, Nr. 1 (1999): 92–96. http://dx.doi.org/10.1109/22.740086.
Der volle Inhalt der QuelleRussell, Damon, Kieran Cleary und Rodrigo Reeves. „Cryogenic probe station for on-wafer characterization of electrical devices“. Review of Scientific Instruments 83, Nr. 4 (April 2012): 044703. http://dx.doi.org/10.1063/1.3700213.
Der volle Inhalt der QuelleDescamps, Philippe, Dolphin Abessolo-Bidzo und Patrick Poirier. „Improved test structure for on-wafer microwave characterization of components“. Microwave and Optical Technology Letters 53, Nr. 2 (15.12.2010): 249–54. http://dx.doi.org/10.1002/mop.25738.
Der volle Inhalt der QuelleFresquet, Gilles, und Jean-Philippe Piel. „Optical Characterization and Defect inspection for 3D stacked IC technology“. International Symposium on Microelectronics 2014, Nr. 1 (01.10.2014): 000630–34. http://dx.doi.org/10.4071/isom-wp17.
Der volle Inhalt der QuelleKim, Taehyun, Sangwug Han, Jubum Lee, Yeeun Na, Joontaek Jung, Yun Chang Park, Jaesub Oh, Chungmo Yang und Hee Yeoun Kim. „Development and Characterization of Low Temperature Wafer-Level Vacuum Packaging Using Cu-Sn Bonding and Nanomultilayer Getter“. Micromachines 14, Nr. 2 (14.02.2023): 448. http://dx.doi.org/10.3390/mi14020448.
Der volle Inhalt der QuelleMajeed, Bivragh, Chengxun Liu, Erik Sohn, Lut Van Acker, Koen De Wijs, Deniz Sabuncuoglu und Liesbet Lagae. „Silicon based cell sorting device: Fabrication, characterization and applications“. International Symposium on Microelectronics 2016, Nr. 1 (01.10.2016): 000019–24. http://dx.doi.org/10.4071/isom-2016-tp15.
Der volle Inhalt der QuelleHaisu, M., Uda Hashim und Q. Humayun. „Micro-Gap Electrodes Fabrication by Low Cost Conventional Photo Lithography Technique and Surface Characterization by Nanoprofiler“. Advanced Materials Research 925 (April 2014): 635–40. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.925.635.
Der volle Inhalt der QuelleCakmak, Erkan, Bioh Kim und Viorel Dragoi. „Characterization of Wafer Level Metal Thermo-Compression Bonding“. Additional Conferences (Device Packaging, HiTEC, HiTEN, and CICMT) 2010, DPC (01.01.2010): 002326–60. http://dx.doi.org/10.4071/2010dpc-tha34.
Der volle Inhalt der QuelleINABA, Michihiko. „Present and Future of Surface Characterization. Surface Characterization on Si Wafer for Semiconductor Devices.“ Journal of the Japan Society for Precision Engineering 61, Nr. 11 (1995): 1511–15. http://dx.doi.org/10.2493/jjspe.61.1511.
Der volle Inhalt der QuelleTajima, Michio, E. Higashi, Toshihiko Hayashi, Hiroyuki Kinoshita und Hiromu Shiomi. „Characterization of SiC Wafers by Photoluminescence Mapping“. Materials Science Forum 527-529 (Oktober 2006): 711–16. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.527-529.711.
Der volle Inhalt der QuelleYu, Hengshu, Junbo Wang, Yulan Lu, Bo Xie, Yanlong Shang und Zhao Liu. „A silicon resonant pressure sensor based on thermal stresses matched structures“. Journal of Physics: Conference Series 2740, Nr. 1 (01.04.2024): 012041. http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/2740/1/012041.
Der volle Inhalt der QuelleFerrero, A., und U. Pisani. „An improved calibration technique for on-wafer large-signal transistor characterization“. IEEE Transactions on Instrumentation and Measurement 42, Nr. 2 (April 1993): 360–64. http://dx.doi.org/10.1109/19.278582.
Der volle Inhalt der QuelleArcher, J. W., und R. A. Batchelor. „Fully automated on-wafer noise characterization of GaAs MESFETs and HEMTs“. IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques 40, Nr. 2 (1992): 209–16. http://dx.doi.org/10.1109/22.120092.
Der volle Inhalt der QuelleScholz, M., D. Linten, S. Thijs, S. Sangameswaran, M. Sawada, T. Nakaei, T. Hasebe und G. Groeseneken. „ESD On-Wafer Characterization: Is TLP Still the Right Measurement Tool?“ IEEE Transactions on Instrumentation and Measurement 58, Nr. 10 (Oktober 2009): 3418–26. http://dx.doi.org/10.1109/tim.2009.2017657.
Der volle Inhalt der QuelleTiemeijer, Luuk F., Ralf M. T. Pijper und Edwin van der Heijden. „Complete On-Wafer Noise-Figure Characterization of 60-GHz Differential Amplifiers“. IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques 58, Nr. 6 (Juni 2010): 1599–608. http://dx.doi.org/10.1109/tmtt.2010.2049167.
Der volle Inhalt der QuelleCaddemi, A., und N. Donato. „Temperature-dependent noise characterization and modeling of on-wafer microwave transistors“. Microelectronics Reliability 42, Nr. 3 (März 2002): 361–66. http://dx.doi.org/10.1016/s0026-2714(02)00004-5.
Der volle Inhalt der QuelleLinz, Sarah, Florian Oesterle, Stefan Lindner, Sebastian Mann, Robert Weigel und Alexander Koelpin. „Test Method for Contactless On-Wafer MEMS Characterization and Production Monitoring“. IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques 64, Nr. 11 (November 2016): 3918–26. http://dx.doi.org/10.1109/tmtt.2016.2612664.
Der volle Inhalt der QuelleTerayama, Yuki, Motoyasu Kobayashi, Sono Sasaki, Osami Sakata und Atsushi Takahara. „Structural Characterization of Surface-grafted Poly (Vinyl Alcohol) on Silicon Wafer“. Transactions of the Materials Research Society of Japan 32, Nr. 1 (2007): 259–62. http://dx.doi.org/10.14723/tmrsj.32.259.
Der volle Inhalt der QuelleStake, Jan, und Hans Grönqvist. „An on-wafer method for C-V characterization of heterostructure diodes“. Microwave and Optical Technology Letters 9, Nr. 2 (05.06.1995): 63–66. http://dx.doi.org/10.1002/mop.4650090202.
Der volle Inhalt der QuelleLederer, Dimitri, und Jean-Pierre Raskin. „On-wafer wideband characterization: a powerful tool for improving the IC technologies“. Journal of Telecommunications and Information Technology, Nr. 2 (25.06.2023): 69–77. http://dx.doi.org/10.26636/jtit.2007.2.811.
Der volle Inhalt der QuelleTorimi, Satoshi, Norihito Yabuki, Takuya Sakaguchi, Masato Shinohara, Yoji Teramoto, Satoru Nogami, Makoto Kitabatake und Junji Senzaki. „Characterization of pn-Diode Fabricated from Surface Damage-Free 4H-SiC Wafer Using Si-Vapor Etching Process“. Materials Science Forum 924 (Juni 2018): 349–52. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.924.349.
Der volle Inhalt der QuelleWang, Yibang, Xingchang Fu, Aihua Wu, Chen Liu, Peng Luan, Faguo Liang, Wei Zhao und Xiaobang Shang. „Development of gallium-arsenide-based GCPW calibration kits for on-wafer measurements in the W-band“. International Journal of Microwave and Wireless Technologies 12, Nr. 5 (12.12.2019): 367–71. http://dx.doi.org/10.1017/s1759078719001521.
Der volle Inhalt der QuelleZhu, Liang, Biao Mei, Weidong Zhu und Wei Li. „Laser-based Thickness Control in a Double-Side Polishing System for Silicon Wafers“. Sensors 20, Nr. 6 (13.03.2020): 1603. http://dx.doi.org/10.3390/s20061603.
Der volle Inhalt der QuelleChan, Mu-Hsuan, Yu-Po Wang, Ivan Chang, James Chiang, George Pan, Nicholas Kao und David Wang. „Development and Challenges of Warpage for Fan-Out Wafer-Level Package Technology“. International Symposium on Microelectronics 2016, Nr. 1 (01.10.2016): 000524–28. http://dx.doi.org/10.4071/isom-2016-poster4.
Der volle Inhalt der QuelleHan, Chansu, Yoonsung Koo, Jaehwan Kim, Kwangwook Choi und Sangjeen Hong. „Wafer Type Ion Energy Monitoring Sensor for Plasma Diagnosis“. Sensors 23, Nr. 5 (22.02.2023): 2410. http://dx.doi.org/10.3390/s23052410.
Der volle Inhalt der QuelleMarzouk, Jaouad, Steve Arscott, Abdelhatif El Fellahi, Kamel Haddadi, Tuami Lasri, Christophe Boyaval und Gilles Dambrine. „MEMS probes for on-wafer RF microwave characterization of future microelectronics: design, fabrication and characterization“. Journal of Micromechanics and Microengineering 25, Nr. 7 (24.06.2015): 075024. http://dx.doi.org/10.1088/0960-1317/25/7/075024.
Der volle Inhalt der QuelleArias, Abraham, Nicola Nedev, Mario Curiel, Diana Nesheva, Emil Manolov, Benjamin Valdez, David Mateos, Oscar Contreras, Oscar Raymond und Jesus M. Siqueiros. „Electrical Characterization of Interface Defects in MOS Structures Containing Silicon Nanoclusters“. Advanced Materials Research 976 (Juni 2014): 129–32. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.976.129.
Der volle Inhalt der QuelleNeudeck, Philip G., Liang Yu Chen, David J. Spry, Glenn M. Beheim und Carl W. Chang. „Electrical Characterization of a 4H-SiC JFET Wafer: DC Parameter Variations for Extreme Temperature IC Design“. Materials Science Forum 821-823 (Juni 2015): 781–84. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.821-823.781.
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