Zeitschriftenartikel zum Thema „Neuromorphic technologies/devices“
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Orii, Yasumitsu, Akihiro Horibe, Kuniaki Sueoka, Keiji Matsumoto, Toyohiro Aoki, Hirokazu Noma, Sayuri Kohara et al. „PERSPECTIVE ON REQUIRED PACKAGING TECHNOLOGIES FOR NEUROMORPHIC DEVICES“. International Symposium on Microelectronics 2015, Nr. 1 (01.10.2015): 000561–66. http://dx.doi.org/10.4071/isom-2015-tha15.
Der volle Inhalt der QuelleDiao, Yu, Yaoxuan Zhang, Yanran Li und Jie Jiang. „Metal-Oxide Heterojunction: From Material Process to Neuromorphic Applications“. Sensors 23, Nr. 24 (12.12.2023): 9779. http://dx.doi.org/10.3390/s23249779.
Der volle Inhalt der QuelleMilo, Valerio, Gerardo Malavena, Christian Monzio Compagnoni und Daniele Ielmini. „Memristive and CMOS Devices for Neuromorphic Computing“. Materials 13, Nr. 1 (01.01.2020): 166. http://dx.doi.org/10.3390/ma13010166.
Der volle Inhalt der QuelleAbbas, Haider, Jiayi Li und Diing Shenp Ang. „Conductive Bridge Random Access Memory (CBRAM): Challenges and Opportunities for Memory and Neuromorphic Computing Applications“. Micromachines 13, Nr. 5 (30.04.2022): 725. http://dx.doi.org/10.3390/mi13050725.
Der volle Inhalt der QuelleAllwood, Dan A., Matthew O. A. Ellis, David Griffin, Thomas J. Hayward, Luca Manneschi, Mohammad F. KH Musameh, Simon O'Keefe et al. „A perspective on physical reservoir computing with nanomagnetic devices“. Applied Physics Letters 122, Nr. 4 (23.01.2023): 040501. http://dx.doi.org/10.1063/5.0119040.
Der volle Inhalt der QuelleDella Rocca, Mattia. „Of the Artistic Nude and Technological Behaviorism“. Nuncius 32, Nr. 2 (2017): 376–411. http://dx.doi.org/10.1163/18253911-03202006.
Der volle Inhalt der QuelleKurshan, Eren, Hai Li, Mingoo Seok und Yuan Xie. „A Case for 3D Integrated System Design for Neuromorphic Computing and AI Applications“. International Journal of Semantic Computing 14, Nr. 04 (Dezember 2020): 457–75. http://dx.doi.org/10.1142/s1793351x20500063.
Der volle Inhalt der QuelleHajtó, Dániel, Ádám Rák und György Cserey. „Robust Memristor Networks for Neuromorphic Computation Applications“. Materials 12, Nr. 21 (31.10.2019): 3573. http://dx.doi.org/10.3390/ma12213573.
Der volle Inhalt der QuelleCovi, Erika, Halid Mulaosmanovic, Benjamin Max, Stefan Slesazeck und Thomas Mikolajick. „Ferroelectric-based synapses and neurons for neuromorphic computing“. Neuromorphic Computing and Engineering 2, Nr. 1 (07.02.2022): 012002. http://dx.doi.org/10.1088/2634-4386/ac4918.
Der volle Inhalt der QuelleSueoka, Brandon, und Feng Zhao. „Memristive synaptic device based on a natural organic material—honey for spiking neural network in biodegradable neuromorphic systems“. Journal of Physics D: Applied Physics 55, Nr. 22 (07.03.2022): 225105. http://dx.doi.org/10.1088/1361-6463/ac585b.
Der volle Inhalt der QuelleSchneider, Michael, Emily Toomey, Graham Rowlands, Jeff Shainline, Paul Tschirhart und Ken Segall. „SuperMind: a survey of the potential of superconducting electronics for neuromorphic computing“. Superconductor Science and Technology 35, Nr. 5 (30.03.2022): 053001. http://dx.doi.org/10.1088/1361-6668/ac4cd2.
Der volle Inhalt der QuelleJeon, Young Pyo, Yongbin Bang, Hak Ji Lee, Eun Jung Lee, Young Joon Yoo und Sang Yoon Park. „Short-Term to Long-Term Plasticity Transition Behavior of Memristive Devices with Low Power Consumption via Facilitating Ionic Drift of Implanted Lithium“. Electronics 10, Nr. 21 (20.10.2021): 2564. http://dx.doi.org/10.3390/electronics10212564.
Der volle Inhalt der QuelleJha, Rashmi. „Emerging Memory Devices Beyond Conventional Data Storage: Paving the Path for Energy-Efficient Brain-Inspired Computing“. Electrochemical Society Interface 32, Nr. 1 (01.03.2023): 49–51. http://dx.doi.org/10.1149/2.f10231if.
Der volle Inhalt der QuelleKhajooei, Arash, Mohammad (Behdad) Jamshidi und Shahriar B. Shokouhi. „A Super-Efficient TinyML Processor for the Edge Metaverse“. Information 14, Nr. 4 (10.04.2023): 235. http://dx.doi.org/10.3390/info14040235.
Der volle Inhalt der QuelleGao, Zhan, Yan Wang, Ziyu Lv, Pengfei Xie, Zong-Xiang Xu, Mingtao Luo, Yuqi Zhang et al. „Ferroelectric coupling for dual-mode non-filamentary memristors“. Applied Physics Reviews 9, Nr. 2 (Juni 2022): 021417. http://dx.doi.org/10.1063/5.0087624.
Der volle Inhalt der QuelleChiappalone, Michela, Vinicius R. Cota, Marta Carè, Mattia Di Florio, Romain Beaubois, Stefano Buccelli, Federico Barban et al. „Neuromorphic-Based Neuroprostheses for Brain Rewiring: State-of-the-Art and Perspectives in Neuroengineering“. Brain Sciences 12, Nr. 11 (19.11.2022): 1578. http://dx.doi.org/10.3390/brainsci12111578.
Der volle Inhalt der QuelleBanerjee, Writam. „Challenges and Applications of Emerging Nonvolatile Memory Devices“. Electronics 9, Nr. 6 (22.06.2020): 1029. http://dx.doi.org/10.3390/electronics9061029.
Der volle Inhalt der QuelleLi, Bixin, Shiyang Zhang, Lan Xu, Qiong Su und Bin Du. „Emerging Robust Polymer Materials for High-Performance Two-Terminal Resistive Switching Memory“. Polymers 15, Nr. 22 (10.11.2023): 4374. http://dx.doi.org/10.3390/polym15224374.
Der volle Inhalt der QuelleMikhaylov, A. N. „Neuroelectronics as neuromorphic and neurohybryd systems enabled by memristive technology“. Genes & Cells 18, Nr. 4 (15.12.2023): 825–26. http://dx.doi.org/10.17816/gc623426.
Der volle Inhalt der QuelleAbd, Hamam, und Andreas König. „On-Chip Adaptive Implementation of Neuromorphic Spiking Sensory Systems with Self-X Capabilities“. Chips 2, Nr. 2 (06.06.2023): 142–58. http://dx.doi.org/10.3390/chips2020009.
Der volle Inhalt der QuelleAkai-Kasaya, Megumi, Yuki Takeshima, Shaohua Kan, Kohei Nakajima, Takahide Oya und Tetsuya Asai. „Performance of reservoir computing in a random network of single-walled carbon nanotubes complexed with polyoxometalate“. Neuromorphic Computing and Engineering 2, Nr. 1 (24.01.2022): 014003. http://dx.doi.org/10.1088/2634-4386/ac4339.
Der volle Inhalt der QuelleShen, Zongjie, Chun Zhao, Yanfei Qi, Ivona Z. Mitrovic, Li Yang, Jiacheng Wen, Yanbo Huang, Puzhuo Li und Cezhou Zhao. „Memristive Non-Volatile Memory Based on Graphene Materials“. Micromachines 11, Nr. 4 (25.03.2020): 341. http://dx.doi.org/10.3390/mi11040341.
Der volle Inhalt der QuelleZatsarinny, A. A., und K. K. Abgaryan. „Factors determining the relevance of creation research infrastructure for the synthesis of new materials in the framework of the implementation of the priorities of scientific and technological development of Russia“. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering 22, Nr. 4 (04.02.2020): 298–301. http://dx.doi.org/10.17073/1609-3577-2019-4-298-301.
Der volle Inhalt der QuelleKamath, Rachana, Parantap Sarkar, Sindhoora Kaniyala Melanthota, Rajib Biswas, Nirmal Mazumder und Shounak De. „Resistive Memory-Switching Behavior in Solution-Processed Trans, trans-1,4-bis-(2-(2-naphthyl)-2-(butoxycarbonyl)-vinyl) Benzene–PVA-Composite-Based Aryl Acrylate on ITO-Coated PET“. Polymers 16, Nr. 2 (12.01.2024): 218. http://dx.doi.org/10.3390/polym16020218.
Der volle Inhalt der QuelleOu, Qiao-Feng, Bang-Shu Xiong, Lei Yu, Jing Wen, Lei Wang und Yi Tong. „In-Memory Logic Operations and Neuromorphic Computing in Non-Volatile Random Access Memory“. Materials 13, Nr. 16 (10.08.2020): 3532. http://dx.doi.org/10.3390/ma13163532.
Der volle Inhalt der QuelleRahmani, Amir Masoud, Rizwan Ali Naqvi, Saqib Ali, Seyedeh Yasaman Hosseini Mirmahaleh, Mohammed Alswaitti, Mehdi Hosseinzadeh und Kamran Siddique. „An Astrocyte-Flow Mapping on a Mesh-Based Communication Infrastructure to Defective Neurons Phagocytosis“. Mathematics 9, Nr. 23 (24.11.2021): 3012. http://dx.doi.org/10.3390/math9233012.
Der volle Inhalt der QuellePedretti, Giacomo, und Daniele Ielmini. „In-Memory Computing with Resistive Memory Circuits: Status and Outlook“. Electronics 10, Nr. 9 (30.04.2021): 1063. http://dx.doi.org/10.3390/electronics10091063.
Der volle Inhalt der QuelleOstrovskii, V. Yu, O. S. Druzhina, O. Kamal, T. I. Karimov und D. N. Butusov. „Design of a memristor-based neuron for spiking neural networks“. Genes & Cells 18, Nr. 4 (15.12.2023): 827–30. http://dx.doi.org/10.17816/gc623428.
Der volle Inhalt der QuelleYanushkevich, Svetlana, Hong Tran, Golam Tangim, Vladimir Shmerko, Elena Zaitseva und Vitaly Levashenko. „The EXOR gate under uncertainty: A case study“. Facta universitatis - series: Electronics and Energetics 24, Nr. 3 (2011): 451–82. http://dx.doi.org/10.2298/fuee1103451y.
Der volle Inhalt der QuelleFiorelli, Rafaella, Eduardo Peralías, Roberto Méndez-Romero, Mona Rajabali, Akash Kumar, Mohammad Zahedinejad, Johan Åkerman, Farshad Moradi, Teresa Serrano-Gotarredona und Bernabé Linares-Barranco. „CMOS Front End for Interfacing Spin-Hall Nano-Oscillators for Neuromorphic Computing in the GHz Range“. Electronics 12, Nr. 1 (03.01.2023): 230. http://dx.doi.org/10.3390/electronics12010230.
Der volle Inhalt der QuelleChen, An. „(Invited, Digital Presentation) Emerging Materials and Devices for Energy-Efficient Computing“. ECS Meeting Abstracts MA2022-01, Nr. 19 (07.07.2022): 1073. http://dx.doi.org/10.1149/ma2022-01191073mtgabs.
Der volle Inhalt der QuelleJi, Xiaoyue, Donglian Qi, Zhekang Dong, Chun Sing Lai, Guangdong Zhou und Xiaofang Hu. „TSSM: Three-State Switchable Memristor Model Based on Ag/TiOx Nanobelt/Ti Configuration“. International Journal of Bifurcation and Chaos 31, Nr. 07 (15.06.2021): 2130020. http://dx.doi.org/10.1142/s0218127421300202.
Der volle Inhalt der QuellePrzyczyna, Dawid, Krzysztof Mech, Ewelina Kowalewska, Mateusz Marzec, Tomasz Mazur, Piotr Zawal und Konrad Szaciłowski. „The Memristive Properties and Spike Timing-Dependent Plasticity in Electrodeposited Copper Tungstates and Molybdates“. Materials 16, Nr. 20 (13.10.2023): 6675. http://dx.doi.org/10.3390/ma16206675.
Der volle Inhalt der QuellePassian, Ali, und Neena Imam. „Nanosystems, Edge Computing, and the Next Generation Computing Systems“. Sensors 19, Nr. 18 (19.09.2019): 4048. http://dx.doi.org/10.3390/s19184048.
Der volle Inhalt der QuelleSong, Young-Woong, Min-Kyu Song, Yoon Jeong Hyun, Daehwan Choi und J. Y. Kwon. „Fluoropolymer Passivation Enhanced Switching Endurance of MoS2 Memristors“. ECS Meeting Abstracts MA2022-01, Nr. 18 (07.07.2022): 1029. http://dx.doi.org/10.1149/ma2022-01181029mtgabs.
Der volle Inhalt der QuelleQin, Fei, und Sunghwan Lee. „(Digital Presentation) Investigation of Top Electrodes Impact on Performance of Transparent Amorphous Indium Gallium Zinc Oxide (a-InGaZnO) Based Resistive Random Access Memory“. ECS Meeting Abstracts MA2022-01, Nr. 19 (07.07.2022): 1075. http://dx.doi.org/10.1149/ma2022-01191075mtgabs.
Der volle Inhalt der QuelleWoo, Jiyong, Jeong Hun Kim, Jong‐Pil Im und Seung Eon Moon. „Recent Advancements in Emerging Neuromorphic Device Technologies“. Advanced Intelligent Systems 2, Nr. 10 (23.08.2020): 2000111. http://dx.doi.org/10.1002/aisy.202000111.
Der volle Inhalt der QuelleZhou, Kui, Ziqi Jia, Xin-Qi Ma, Wenbiao Niu, Yao Zhou, Ning Huang, Guanglong Ding et al. „Manufacturing of graphene based synaptic devices for optoelectronic applications“. International Journal of Extreme Manufacturing, 08.08.2023. http://dx.doi.org/10.1088/2631-7990/acee2e.
Der volle Inhalt der QuelleWan, Changjin, Mengjiao Pei, Kailu Shi, Hangyuan Cui, Haotian Long, Lesheng Qiao, Qianye Xing und Qing Wan. „Toward a Brain‐Neuromorphics Interface“. Advanced Materials, 10.02.2024. http://dx.doi.org/10.1002/adma.202311288.
Der volle Inhalt der QuelleShen, Jiabin, Zengguang Cheng und Peng Zhou. „Optical and optoelectronic neuromorphic devices based on emerging memory technologies“. Nanotechnology, 23.05.2022. http://dx.doi.org/10.1088/1361-6528/ac723f.
Der volle Inhalt der QuelleKim, Sungho, Hee-Dong Kim und Sung-Jin Choi. „Impact of Synaptic Device Variations on Classification Accuracy in a Binarized Neural Network“. Scientific Reports 9, Nr. 1 (23.10.2019). http://dx.doi.org/10.1038/s41598-019-51814-5.
Der volle Inhalt der QuelleDonati, Elisa, und Giacomo Valle. „Neuromorphic hardware for somatosensory neuroprostheses“. Nature Communications 15, Nr. 1 (16.01.2024). http://dx.doi.org/10.1038/s41467-024-44723-3.
Der volle Inhalt der QuelleCovi, Erika, Elisa Donati, Xiangpeng Liang, David Kappel, Hadi Heidari, Melika Payvand und Wei Wang. „Adaptive Extreme Edge Computing for Wearable Devices“. Frontiers in Neuroscience 15 (11.05.2021). http://dx.doi.org/10.3389/fnins.2021.611300.
Der volle Inhalt der QuelleDeng, Sunbin, Haoming Yu, Tae Joon Park, A. N. M. Nafiul Islam, Sukriti Manna, Alexandre Pofelski, Qi Wang et al. „Selective area doping for Mott neuromorphic electronics“. Science Advances 9, Nr. 11 (15.03.2023). http://dx.doi.org/10.1126/sciadv.ade4838.
Der volle Inhalt der QuelleLiu, Xuerong, Cui Sun, Xiaoyu Ye, Xiaojian Zhu, Cong Hu, Hongwei Tan, Shang He, Mengjie Shao und Run‐Wei Li. „Neuromorphic Nanoionics for human‐machine Interaction: from Materials to Applications“. Advanced Materials, 29.02.2024. http://dx.doi.org/10.1002/adma.202311472.
Der volle Inhalt der QuelleIvanov, Dmitry, Aleksandr Chezhegov, Mikhail Kiselev, Andrey Grunin und Denis Larionov. „Neuromorphic artificial intelligence systems“. Frontiers in Neuroscience 16 (14.09.2022). http://dx.doi.org/10.3389/fnins.2022.959626.
Der volle Inhalt der QuelleKang, Kyowon, Kiho Kim, Junhyeong Baek, Doohyun J. Lee und Ki Jun Yu. „Biomimic and bioinspired soft neuromorphic tactile sensory system“. Applied Physics Reviews 11, Nr. 2 (01.06.2024). http://dx.doi.org/10.1063/5.0204104.
Der volle Inhalt der QuelleLi, Shen-Yi, Ji-Tuo Li, Kui Zhou, Yan Yan, Guanglong Ding, Su-Ting Han und Ye Zhou. „In-sensor neuromorphic computing using perovskites and transition metal dichalcogenides“. Journal of Physics: Materials, 30.05.2024. http://dx.doi.org/10.1088/2515-7639/ad5251.
Der volle Inhalt der QuelleMerces, Leandro, Letícia Mariê Minatogau Ferro, Ali Nawaz und Prashant Sonar. „Advanced Neuromorphic Applications Enabled by Synaptic Ion‐Gating Vertical Transistors“. Advanced Science, 17.05.2024. http://dx.doi.org/10.1002/advs.202305611.
Der volle Inhalt der QuelleBeilliard, Yann, und Fabien Alibart. „Multi-Terminal Memristive Devices Enabling Tunable Synaptic Plasticity in Neuromorphic Hardware: A Mini-Review“. Frontiers in Nanotechnology 3 (19.11.2021). http://dx.doi.org/10.3389/fnano.2021.779070.
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