Zeitschriftenartikel zum Thema „Neuromorphic devices“
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Ielmini, Daniele, und Stefano Ambrogio. „Emerging neuromorphic devices“. Nanotechnology 31, Nr. 9 (09.12.2019): 092001. http://dx.doi.org/10.1088/1361-6528/ab554b.
Der volle Inhalt der QuelleGuo, Zhonghao. „Synaptic device-based neuromorphic computing in artificial intelligence“. Applied and Computational Engineering 65, Nr. 1 (23.05.2024): 253–59. http://dx.doi.org/10.54254/2755-2721/65/20240511.
Der volle Inhalt der QuellePark, Jisoo, Jihyun Shin und Hocheon Yoo. „Heterostructure-Based Optoelectronic Neuromorphic Devices“. Electronics 13, Nr. 6 (14.03.2024): 1076. http://dx.doi.org/10.3390/electronics13061076.
Der volle Inhalt der QuelleHuang, Wen, Huixing Zhang, Zhengjian Lin, Pengjie Hang und Xing’ao Li. „Transistor-Based Synaptic Devices for Neuromorphic Computing“. Crystals 14, Nr. 1 (09.01.2024): 69. http://dx.doi.org/10.3390/cryst14010069.
Der volle Inhalt der QuelleLim, Jung Wook, Su Jae Heo, Min A. Park und Jieun Kim. „Synaptic Transistors Exhibiting Gate-Pulse-Driven, Metal-Semiconductor Transition of Conduction“. Materials 14, Nr. 24 (07.12.2021): 7508. http://dx.doi.org/10.3390/ma14247508.
Der volle Inhalt der QuelleDiao, Yu, Yaoxuan Zhang, Yanran Li und Jie Jiang. „Metal-Oxide Heterojunction: From Material Process to Neuromorphic Applications“. Sensors 23, Nr. 24 (12.12.2023): 9779. http://dx.doi.org/10.3390/s23249779.
Der volle Inhalt der QuelleFeng, Chenyin, Wenwei Wu, Huidi Liu, Junke Wang, Houzhao Wan, Guokun Ma und Hao Wang. „Emerging Opportunities for 2D Materials in Neuromorphic Computing“. Nanomaterials 13, Nr. 19 (07.10.2023): 2720. http://dx.doi.org/10.3390/nano13192720.
Der volle Inhalt der QuelleKim, Dongshin, Ik-Jyae Kim und Jang-Sik Lee. „Memory Devices for Flexible and Neuromorphic Device Applications“. Advanced Intelligent Systems 3, Nr. 5 (25.01.2021): 2000206. http://dx.doi.org/10.1002/aisy.202000206.
Der volle Inhalt der QuelleHuang, Yi, Fatemeh Kiani, Fan Ye und Qiangfei Xia. „From memristive devices to neuromorphic systems“. Applied Physics Letters 122, Nr. 11 (13.03.2023): 110501. http://dx.doi.org/10.1063/5.0133044.
Der volle Inhalt der QuelleMachado, Pau, Salvador Manich, Álvaro Gómez-Pau, Rosa Rodríguez-Montañés, Mireia Bargalló González, Francesca Campabadal und Daniel Arumí. „Programming Techniques of Resistive Random-Access Memory Devices for Neuromorphic Computing“. Electronics 12, Nr. 23 (27.11.2023): 4803. http://dx.doi.org/10.3390/electronics12234803.
Der volle Inhalt der QuelleGumyusenge, Aristide, Armantas Melianas, Scott T. Keene und Alberto Salleo. „Materials Strategies for Organic Neuromorphic Devices“. Annual Review of Materials Research 51, Nr. 1 (26.07.2021): 47–71. http://dx.doi.org/10.1146/annurev-matsci-080619-111402.
Der volle Inhalt der QuelleMilo, Valerio, Gerardo Malavena, Christian Monzio Compagnoni und Daniele Ielmini. „Memristive and CMOS Devices for Neuromorphic Computing“. Materials 13, Nr. 1 (01.01.2020): 166. http://dx.doi.org/10.3390/ma13010166.
Der volle Inhalt der QuelleWu, Yuting, Xinxin Wang und Wei D. Lu. „Dynamic resistive switching devices for neuromorphic computing“. Semiconductor Science and Technology 37, Nr. 2 (29.12.2021): 024003. http://dx.doi.org/10.1088/1361-6641/ac41e4.
Der volle Inhalt der QuelleYou Zhou und Shriram Ramanathan. „Mott Memory and Neuromorphic Devices“. Proceedings of the IEEE 103, Nr. 8 (August 2015): 1289–310. http://dx.doi.org/10.1109/jproc.2015.2431914.
Der volle Inhalt der QuelleZhao, Qing-Tai, Fengben Xi, Yi Han, Andreas Grenmyr, Jin Hee Bae und Detlev Gruetzmacher. „Ferroelectric Devices for Neuromorphic Computing“. ECS Meeting Abstracts MA2022-02, Nr. 32 (09.10.2022): 1183. http://dx.doi.org/10.1149/ma2022-02321183mtgabs.
Der volle Inhalt der QuelleYan, Yujie, Xiaomin Wu, Qizhen Chen, Xiumei Wang, Enlong Li, Yuan Liu, Huipeng Chen und Tailiang Guo. „An intrinsically healing artificial neuromorphic device“. Journal of Materials Chemistry C 8, Nr. 20 (2020): 6869–76. http://dx.doi.org/10.1039/d0tc00726a.
Der volle Inhalt der QuelleJué, Emilie, Matthew R. Pufall, Ian W. Haygood, William H. Rippard und Michael L. Schneider. „Perspectives on nanoclustered magnetic Josephson junctions as artificial synapses“. Applied Physics Letters 121, Nr. 24 (12.12.2022): 240501. http://dx.doi.org/10.1063/5.0118287.
Der volle Inhalt der QuelleLin, Xinhuang, Haotian Long, Shuo Ke, Yuyuan Wang, Ying Zhu, Chunsheng Chen, Changjin Wan und Qing Wan. „Indium-Gallium-Zinc-Oxide-Based Photoelectric Neuromorphic Transistors for Spiking Morse Coding“. Chinese Physics Letters 39, Nr. 6 (01.06.2022): 068501. http://dx.doi.org/10.1088/0256-307x/39/6/068501.
Der volle Inhalt der QuelleLee, Jae-Eun, Chuljun Lee, Dong-Wook Kim, Daeseok Lee und Young-Ho Seo. „An On-Chip Learning Method for Neuromorphic Systems Based on Non-Ideal Synapse Devices“. Electronics 9, Nr. 11 (18.11.2020): 1946. http://dx.doi.org/10.3390/electronics9111946.
Der volle Inhalt der QuelleChen, Chao, Tao Lin, Jianteng Niu, Yiming Sun, Liu Yang, Wang Kang und Na Lei. „Surface acoustic wave controlled skyrmion-based synapse devices“. Nanotechnology 33, Nr. 11 (23.12.2021): 115205. http://dx.doi.org/10.1088/1361-6528/ac3f14.
Der volle Inhalt der QuelleGonzález Sopeña, Juan Manuel, Vikram Pakrashi und Bidisha Ghosh. „A Spiking Neural Network Based Wind Power Forecasting Model for Neuromorphic Devices“. Energies 15, Nr. 19 (02.10.2022): 7256. http://dx.doi.org/10.3390/en15197256.
Der volle Inhalt der QuellePark, Jaeyoung. „Neuromorphic Computing Using Emerging Synaptic Devices: A Retrospective Summary and an Outlook“. Electronics 9, Nr. 9 (01.09.2020): 1414. http://dx.doi.org/10.3390/electronics9091414.
Der volle Inhalt der QuelleChen, An, Stefano Ambrogio, Pritish Narayanan, Atsuya Okazaki, Hsinyu Tsai, Kohji Hosokawa, Charles Mackin et al. „(Invited) Emerging Nonvolatile Memories for Analog Neuromorphic Computing“. ECS Meeting Abstracts MA2024-01, Nr. 21 (09.08.2024): 1293. http://dx.doi.org/10.1149/ma2024-01211293mtgabs.
Der volle Inhalt der QuelleAlialy, Sahar, Koorosh Esteki, Mauro S. Ferreira, John J. Boland und Claudia Gomes da Rocha. „Nonlinear ion drift-diffusion memristance description of TiO2 RRAM devices“. Nanoscale Advances 2, Nr. 6 (2020): 2514–24. http://dx.doi.org/10.1039/d0na00195c.
Der volle Inhalt der QuelleLi, Bo, und Guoyong Shi. „A Native SPICE Implementation of Memristor Models for Simulation of Neuromorphic Analog Signal Processing Circuits“. ACM Transactions on Design Automation of Electronic Systems 27, Nr. 1 (31.01.2022): 1–24. http://dx.doi.org/10.1145/3474364.
Der volle Inhalt der QuelleLi, Tongxuan. „Neuromorphic Devices Based on Two-Dimensional Materials and Their Applications“. Highlights in Science, Engineering and Technology 87 (26.03.2024): 186–91. http://dx.doi.org/10.54097/kxsmsn90.
Der volle Inhalt der QuelleHo, Tsz-Lung, Keda Ding, Nikolay Lyapunov, Chun-Hung Suen, Lok-Wing Wong, Jiong Zhao, Ming Yang, Xiaoyuan Zhou und Ji-Yan Dai. „Multi-Level Resistive Switching in SnSe/SrTiO3 Heterostructure Based Memristor Device“. Nanomaterials 12, Nr. 13 (21.06.2022): 2128. http://dx.doi.org/10.3390/nano12132128.
Der volle Inhalt der QuelleYOON, Tae-Sik. „Artificial Synaptic Devices for Neuromorphic Systems“. Physics and High Technology 28, Nr. 4 (30.04.2019): 3–8. http://dx.doi.org/10.3938/phit.28.011.
Der volle Inhalt der QuelleLiu, Yi-Chun, Ya Lin, Zhong-Qiang Wang und Hai-Yang Xu. „Oxide-based memristive neuromorphic synaptic devices“. Acta Physica Sinica 68, Nr. 16 (2019): 168504. http://dx.doi.org/10.7498/aps.68.20191262.
Der volle Inhalt der QuelleGuo, Yan-Bo, und Li-Qiang Zhu. „Recent progress in optoelectronic neuromorphic devices“. Chinese Physics B 29, Nr. 7 (August 2020): 078502. http://dx.doi.org/10.1088/1674-1056/ab99b6.
Der volle Inhalt der QuelleChang, Ting, Yuchao Yang und Wei Lu. „Building Neuromorphic Circuits with Memristive Devices“. IEEE Circuits and Systems Magazine 13, Nr. 2 (2013): 56–73. http://dx.doi.org/10.1109/mcas.2013.2256260.
Der volle Inhalt der QuelleLiu, Chang, Ru Huang, Yanghao Wang und Yuchao Yang. „Progresses and outlook in neuromorphic devices“. Chinese Science Bulletin 65, Nr. 10 (26.12.2019): 904–15. http://dx.doi.org/10.1360/tb-2019-0739.
Der volle Inhalt der QuelleSun, Jia, Ying Fu und Qing Wan. „Organic synaptic devices for neuromorphic systems“. Journal of Physics D: Applied Physics 51, Nr. 31 (10.07.2018): 314004. http://dx.doi.org/10.1088/1361-6463/aacd99.
Der volle Inhalt der QuelleZhu, Yixin, Huiwu Mao, Ying Zhu, Xiangjing Wang, Chuanyu Fu, Shuo Ke, Changjin Wan und Qing Wan. „CMOS-Compatible Neuromorphic Devices for Neuromorphic Perception and Computing: A Review“. International Journal of Extreme Manufacturing, 11.08.2023. http://dx.doi.org/10.1088/2631-7990/acef79.
Der volle Inhalt der QuelleHuang, Zhuohui, Yanran Li, Yi Zhang, Jiewei Chen, Jun He und Jie Jiang. „2D Multifunctional Devices: from Material Preparation to Device Fabrication and Neuromorphic Applications“. International Journal of Extreme Manufacturing, 28.02.2024. http://dx.doi.org/10.1088/2631-7990/ad2e13.
Der volle Inhalt der QuelleShen Liu-feng, Hu Ling-xiang, Kang Feng-wen, Ye Yu-min und Zhuge Fei. „Optoelectronic neuromorphic devices and their applications“. Acta Physica Sinica, 2022, 0. http://dx.doi.org/10.7498/aps.71.20220111.
Der volle Inhalt der QuelleLong, Yan, Xiang Chen, Xiaoxin Pan, Jinxia Duan, Xiaoqing Li, Yongcheng Wu, Jie Tang et al. „Memristor Constructed by CsPbIBr2 inorganic halide perovskite for Artificial Synapse and Logic Operation“. physica status solidi (RRL) – Rapid Research Letters, 31.10.2023. http://dx.doi.org/10.1002/pssr.202300342.
Der volle Inhalt der QuelleZhong, Hai, Kuijuan Jin und Chen Ge. „Hafnia-based neuromorphic devices“. Applied Physics Letters 125, Nr. 15 (07.10.2024). http://dx.doi.org/10.1063/5.0226206.
Der volle Inhalt der QuelleShim, Hyunseok, Seonmin Jang, Anish Thukral, Seongsik Jeong, Hyeseon Jo, Bin Kan, Shubham Patel et al. „Artificial neuromorphic cognitive skins based on distributed biaxially stretchable elastomeric synaptic transistors“. Proceedings of the National Academy of Sciences 119, Nr. 23 (Juni 2022). http://dx.doi.org/10.1073/pnas.2204852119.
Der volle Inhalt der QuelleZhang, Zirui, Dongliang Yang, Huihan Li, Ce Li, Zhongrui Wang, Linfeng Sun und Heejun Yang. „2D materials and van der Waals heterojunctions for neuromorphic computing“. Neuromorphic Computing and Engineering, 17.08.2022. http://dx.doi.org/10.1088/2634-4386/ac8a6a.
Der volle Inhalt der QuelleHu, Lingxiang, Xia Zhuge, Jingrui Wang, Xianhua Wei, Li Zhang, Yang Chai, Xiaoyong Xue, Zhizhen Ye und Fei Zhuge. „Emerging Optoelectronic Devices for Brain‐Inspired Computing“. Advanced Electronic Materials, 09.09.2024. http://dx.doi.org/10.1002/aelm.202400482.
Der volle Inhalt der QuelleChen, H. J., C. C. Chiang, C. Y. Cheng, D. Qu und S. Y. Huang. „Neuromorphic computing devices based on the asymmetric temperature gradient“. Applied Physics Letters 122, Nr. 26 (26.06.2023). http://dx.doi.org/10.1063/5.0155229.
Der volle Inhalt der QuelleSun, Yilin, Huaipeng Wang und Dan Xie. „Recent Advance in Synaptic Plasticity Modulation Techniques for Neuromorphic Applications“. Nano-Micro Letters 16, Nr. 1 (06.06.2024). http://dx.doi.org/10.1007/s40820-024-01445-x.
Der volle Inhalt der QuelleGao, Changsong, Di Liu, Chenhui Xu, Junhua Bai, Enlong Li, Xianghong Zhang, Xiaoting Zhu et al. „Feedforward Photoadaptive Organic Neuromorphic Transistor with Mixed‐Weight Plasticity for Augmenting Perception“. Advanced Functional Materials, 23.01.2024. http://dx.doi.org/10.1002/adfm.202313217.
Der volle Inhalt der QuelleGärisch, Fabian, Vincent Schröder, Emil J. W. List‐Kratochvil und Giovanni Ligorio. „Scalable Fabrication of Neuromorphic Devices Using Inkjet Printing for the Deposition of Organic Mixed Ionic‐Electronic Conductor“. Advanced Electronic Materials, 03.11.2024. http://dx.doi.org/10.1002/aelm.202400479.
Der volle Inhalt der QuelleJiang Zi-Han, Ke Shuo, Zhu Ying, Zhu Yi-Xin, Zhu Li, Wan Chang-Jin und Wan Qing. „Flexible neuromorphic transistors for bio-inspired perception application“. Acta Physica Sinica, 2022, 0. http://dx.doi.org/10.7498/aps.71.20220308.
Der volle Inhalt der QuelleLu, Guangming, und Ekhard K. H. Salje. „Multiferroic neuromorphic computation devices“. APL Materials 12, Nr. 6 (01.06.2024). http://dx.doi.org/10.1063/5.0216849.
Der volle Inhalt der QuellePati, Satya Prakash, und Takeaki Yajima. „Review of solid-state proton devices for neuromorphic information processing“. Japanese Journal of Applied Physics, 14.02.2024. http://dx.doi.org/10.35848/1347-4065/ad297b.
Der volle Inhalt der QuelleJu, Dongyeol, Jungwoo Lee und Sungjun Kim. „Nociceptor‐Enhanced Spike‐Timing‐Dependent Plasticity in Memristor with Coexistence of Filamentary and Non‐Filamentary Switching“. Advanced Materials Technologies, 19.05.2024. http://dx.doi.org/10.1002/admt.202400440.
Der volle Inhalt der QuelleLin, Xiangde, Zhenyu Feng, Yao Xiong, Wenwen Sun, Wanchen Yao, Yichen Wei, Zhong Lin Wang und Qijun Sun. „Piezotronic Neuromorphic Devices: Principle, Manufacture, and Applications“. International Journal of Extreme Manufacturing, 13.03.2024. http://dx.doi.org/10.1088/2631-7990/ad339b.
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