Zeitschriftenartikel zum Thema „Mott materials“
Geben Sie eine Quelle nach APA, MLA, Chicago, Harvard und anderen Zitierweisen an
Machen Sie sich mit Top-50 Zeitschriftenartikel für die Forschung zum Thema "Mott materials" bekannt.
Neben jedem Werk im Literaturverzeichnis ist die Option "Zur Bibliographie hinzufügen" verfügbar. Nutzen Sie sie, wird Ihre bibliographische Angabe des gewählten Werkes nach der nötigen Zitierweise (APA, MLA, Harvard, Chicago, Vancouver usw.) automatisch gestaltet.
Sie können auch den vollen Text der wissenschaftlichen Publikation im PDF-Format herunterladen und eine Online-Annotation der Arbeit lesen, wenn die relevanten Parameter in den Metadaten verfügbar sind.
Sehen Sie die Zeitschriftenartikel für verschiedene Spezialgebieten durch und erstellen Sie Ihre Bibliographie auf korrekte Weise.
Kiffner, Martin, Jonathan Coulthard, Frank Schlawin, Arzhang Ardavan und Dieter Jaksch. „Mott polaritons in cavity-coupled quantum materials“. New Journal of Physics 21, Nr. 7 (31.07.2019): 073066. http://dx.doi.org/10.1088/1367-2630/ab31c7.
Der volle Inhalt der QuelleFurukawa, Tetsuya, Kazuya Miyagawa, Hiromi Taniguchi, Reizo Kato und Kazushi Kanoda. „Quantum criticality of Mott transition in organic materials“. Nature Physics 11, Nr. 3 (09.02.2015): 221–24. http://dx.doi.org/10.1038/nphys3235.
Der volle Inhalt der QuelleFeng, Dong-Lai. „Mott physics — one of main themes in quantum materials“. Acta Physica Sinica 72, Nr. 23 (2023): 237101. http://dx.doi.org/10.7498/aps.72.20231508.
Der volle Inhalt der QuelleWang, Yue, Kyung-Mun Kang, Minjae Kim, Hong-Sub Lee, Rainer Waser, Dirk Wouters, Regina Dittmann, J. Joshua Yang und Hyung-Ho Park. „Mott-transition-based RRAM“. Materials Today 28 (September 2019): 63–80. http://dx.doi.org/10.1016/j.mattod.2019.06.006.
Der volle Inhalt der QuelleInoue, Isao H., und Marcelo J. Rozenberg. „Taming the Mott Transition for a Novel Mott Transistor“. Advanced Functional Materials 18, Nr. 16 (22.08.2008): 2289–92. http://dx.doi.org/10.1002/adfm.200800558.
Der volle Inhalt der QuelleGavrichkov, Vladimir A. „A simple metal–insulator criterion for the doped Mott–Hubbard materials“. Solid State Communications 208 (April 2015): 11–14. http://dx.doi.org/10.1016/j.ssc.2015.02.014.
Der volle Inhalt der QuelleTan, Yuting, Vladimir Dobrosavljević und Louk Rademaker. „How to Recognize the Universal Aspects of Mott Criticality?“ Crystals 12, Nr. 7 (30.06.2022): 932. http://dx.doi.org/10.3390/cryst12070932.
Der volle Inhalt der QuelleBrandow, Baird. „The physics of Mott electron localization“. Journal of Alloys and Compounds 181, Nr. 1-2 (April 1992): 377–96. http://dx.doi.org/10.1016/0925-8388(92)90334-6.
Der volle Inhalt der QuelleLaGasse, Samuel W., Prathamesh Dhakras, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi und Ji Ung Lee. „Schottky-Mott Limit: Gate-Tunable Graphene-WSe2 Heterojunctions at the Schottky-Mott Limit (Adv. Mater. 24/2019)“. Advanced Materials 31, Nr. 24 (Juni 2019): 1970169. http://dx.doi.org/10.1002/adma.201970169.
Der volle Inhalt der QuelleH�fner, S. „Mott insulation in transition metal compounds“. Zeitschrift f�r Physik B Condensed Matter 61, Nr. 2 (Juni 1985): 135–38. http://dx.doi.org/10.1007/bf01307767.
Der volle Inhalt der QuelleCuono, Giuseppe, und Carmine Autieri. „Mott Insulator Ca2RuO4 under External Electric Field“. Materials 15, Nr. 19 (26.09.2022): 6657. http://dx.doi.org/10.3390/ma15196657.
Der volle Inhalt der QuellePorai-Koshits, E. A. „Recipient of the 1988 Mott Award“. Journal of Non-Crystalline Solids 111, Nr. 1 (September 1989): v. http://dx.doi.org/10.1016/0022-3093(89)90413-4.
Der volle Inhalt der QuelleEric Spear, Walter, und Robert A. Weeks. „Recipient of the 1989 Mott award“. Journal of Non-Crystalline Solids 124, Nr. 2-3 (Oktober 1990): i. http://dx.doi.org/10.1016/0022-3093(90)90250-p.
Der volle Inhalt der QuelleLashley, J. C., K. Gofryk, B. Mihaila, J. L. Smith und E. K. H. Salje. „Thermal avalanches near a Mott transition“. Journal of Physics: Condensed Matter 26, Nr. 3 (18.12.2013): 035701. http://dx.doi.org/10.1088/0953-8984/26/3/035701.
Der volle Inhalt der QuelleHuda, Muhammad N., Mowafak M. Al-Jassim und John A. Turner. „Mott insulators: An early selection criterion for materials for photoelectrochemical H2 production“. Journal of Renewable and Sustainable Energy 3, Nr. 5 (September 2011): 053101. http://dx.doi.org/10.1063/1.3637367.
Der volle Inhalt der QuellePesin, Dmytro, und Leon Balents. „Mott physics and band topology in materials with strong spin–orbit interaction“. Nature Physics 6, Nr. 5 (21.03.2010): 376–81. http://dx.doi.org/10.1038/nphys1606.
Der volle Inhalt der QuelleScheiderer, Philipp, Matthias Schmitt, Judith Gabel, Michael Zapf, Martin Stübinger, Philipp Schütz, Lenart Dudy et al. „Tailoring Materials for Mottronics: Excess Oxygen Doping of a Prototypical Mott Insulator“. Advanced Materials 30, Nr. 25 (07.05.2018): 1706708. http://dx.doi.org/10.1002/adma.201706708.
Der volle Inhalt der QuellePollak, Michael. „Electrons in Anderson–Mott insulators“. European Physical Journal Special Topics 227, Nr. 15-16 (28.01.2019): 2221–40. http://dx.doi.org/10.1140/epjst/e2018-800055-9.
Der volle Inhalt der QuelleNichols, Matthew A., Lawrence W. Cheuk, Melih Okan, Thomas R. Hartke, Enrique Mendez, T. Senthil, Ehsan Khatami, Hao Zhang und Martin W. Zwierlein. „Spin transport in a Mott insulator of ultracold fermions“. Science 363, Nr. 6425 (06.12.2018): 383–87. http://dx.doi.org/10.1126/science.aat4387.
Der volle Inhalt der QuelleRajbhandari, A., K. Manandhar und R. R. Pradhananga. „Mott-Schottky Analysis of Laboratory Prepared Ag2S-AgI Membrane Electrode“. Journal of Nepal Chemical Society 28 (23.05.2013): 89–93. http://dx.doi.org/10.3126/jncs.v28i0.8113.
Der volle Inhalt der QuelleZheng, Ming, und Pengfei Guan. „Coupled straintronic–optoelectronic effect in Mott oxide films“. Nanoscale 14, Nr. 14 (2022): 5545–50. http://dx.doi.org/10.1039/d2nr01099b.
Der volle Inhalt der QuelleMarianetti, C. A., G. Kotliar und G. Ceder. „A first-order Mott transition in LixCoO2“. Nature Materials 3, Nr. 9 (22.08.2004): 627–31. http://dx.doi.org/10.1038/nmat1178.
Der volle Inhalt der QuelleManuel, L. O., C. J. Gazza, A. E. Feiguin und A. E. Trumper. „The spectral function for Mott insulating surfaces“. Journal of Physics: Condensed Matter 15, Nr. 17 (22.04.2003): 2435–40. http://dx.doi.org/10.1088/0953-8984/15/17/301.
Der volle Inhalt der QuelleCasado, J. M., J. H. Harding und G. J. Hyland. „Small-polaron hopping in Mott-insulating UO2“. Journal of Physics: Condensed Matter 6, Nr. 25 (20.06.1994): 4685–98. http://dx.doi.org/10.1088/0953-8984/6/25/007.
Der volle Inhalt der QuelleStefanovich, G., A. Pergament und D. Stefanovich. „Electrical switching and Mott transition in VO2“. Journal of Physics: Condensed Matter 12, Nr. 41 (26.09.2000): 8837–45. http://dx.doi.org/10.1088/0953-8984/12/41/310.
Der volle Inhalt der QuelleLogan, David E., Martin R. Galpin und Jonathan Mannouch. „Mott transitions in the periodic Anderson model“. Journal of Physics: Condensed Matter 28, Nr. 45 (12.09.2016): 455601. http://dx.doi.org/10.1088/0953-8984/28/45/455601.
Der volle Inhalt der QuelleLogan, David E., und Martin R. Galpin. „Mott insulators and the doping-induced Mott transition within DMFT: exact results for the one-band Hubbard model“. Journal of Physics: Condensed Matter 28, Nr. 2 (11.12.2015): 025601. http://dx.doi.org/10.1088/0953-8984/28/2/025601.
Der volle Inhalt der QuelleCiorciaro, L., T. Smoleński, I. Morera, N. Kiper, S. Hiestand, M. Kroner, Y. Zhang et al. „Kinetic magnetism in triangular moiré materials“. Nature 623, Nr. 7987 (15.11.2023): 509–13. http://dx.doi.org/10.1038/s41586-023-06633-0.
Der volle Inhalt der QuelleBelitz, D., und T. R. Kirkpatrick. „Order parameter description of the Anderson-Mott transition“. Zeitschrift f�r Physik B Condensed Matter 98, Nr. 4 (Dezember 1995): 513–26. http://dx.doi.org/10.1007/bf01320853.
Der volle Inhalt der QuelleBrazovskii, S., P. Monceau und F. Nad. „The ferroelectric Mott-Hubbard phase in organic conductors“. Synthetic Metals 137, Nr. 1-3 (April 2003): 1331–33. http://dx.doi.org/10.1016/s0379-6779(02)01076-7.
Der volle Inhalt der QuelleKawasugi, Yoshitaka, Kazuhiro Seki, Satoshi Tajima, Jiang Pu, Taishi Takenobu, Seiji Yunoki, Hiroshi M. Yamamoto und Reizo Kato. „Two-dimensional ground-state mapping of a Mott-Hubbard system in a flexible field-effect device“. Science Advances 5, Nr. 5 (Mai 2019): eaav7282. http://dx.doi.org/10.1126/sciadv.aav7282.
Der volle Inhalt der QuelleIoffe, L. B., und A. J. Millis. „D-wave superconductivity in doped Mott insulators“. Journal of Physics and Chemistry of Solids 63, Nr. 12 (Dezember 2002): 2259–68. http://dx.doi.org/10.1016/s0022-3697(02)00254-8.
Der volle Inhalt der QuelleGrzybowski, Przemysław R., und Ravindra W. Chhajlany. „Hubbard-I approach to the Mott transition“. physica status solidi (b) 249, Nr. 11 (06.08.2012): 2231–38. http://dx.doi.org/10.1002/pssb.201248194.
Der volle Inhalt der QuelleHansmann, P., A. Toschi, G. Sangiovanni, T. Saha-Dasgupta, S. Lupi, M. Marsi und K. Held. „Mott-Hubbard transition in V2 O3 revisited“. physica status solidi (b) 250, Nr. 7 (20.03.2013): 1251–64. http://dx.doi.org/10.1002/pssb.201248476.
Der volle Inhalt der QuelleBaskaran, Ganapathy. „Impurity band Mott insulators: a new route to highTcsuperconductivity“. Science and Technology of Advanced Materials 9, Nr. 4 (Dezember 2008): 044104. http://dx.doi.org/10.1088/1468-6996/9/4/044104.
Der volle Inhalt der QuelleMartelo, L. M., M. Dzierzawa, L. Siffert und D. Baeriswyl. „Mott-Hubbard transition and antiferromagnetism on the honeycomb lattice“. Zeitschrift für Physik B Condensed Matter 103, Nr. 2 (Juni 1996): 335–38. http://dx.doi.org/10.1007/s002570050384.
Der volle Inhalt der QuellePustogow, A., M. Bories, A. Löhle, R. Rösslhuber, E. Zhukova, B. Gorshunov, S. Tomić et al. „Quantum spin liquids unveil the genuine Mott state“. Nature Materials 17, Nr. 9 (06.08.2018): 773–77. http://dx.doi.org/10.1038/s41563-018-0140-3.
Der volle Inhalt der QuelleSipos, B., A. F. Kusmartseva, A. Akrap, H. Berger, L. Forró und E. Tutiš. „From Mott state to superconductivity in 1T-TaS2“. Nature Materials 7, Nr. 12 (09.11.2008): 960–65. http://dx.doi.org/10.1038/nmat2318.
Der volle Inhalt der QuelleNAYAK, CHETAN, und FRANK WILCZEK. „POSSIBLE ELECTRONIC STRUCTURE OF DOMAIN WALLS IN MOTT INSULATORS“. International Journal of Modern Physics B 10, Nr. 17 (30.07.1996): 2125–36. http://dx.doi.org/10.1142/s0217979296000970.
Der volle Inhalt der QuelleCraco, L., M. S. Laad und E. Müller-Hartmann. „Metallizing the Mott insulator TiOCl by electron doping“. Journal of Physics: Condensed Matter 18, Nr. 48 (17.11.2006): 10943–53. http://dx.doi.org/10.1088/0953-8984/18/48/021.
Der volle Inhalt der QuelleSaket, Abhinav, und Rajarshi Tiwari. „Orbital Mott transition in two dimensional pyrochlore lattice“. Journal of Physics: Condensed Matter 32, Nr. 25 (30.03.2020): 255601. http://dx.doi.org/10.1088/1361-648x/ab7a4b.
Der volle Inhalt der QuelleSuzuki, Yuta, Seiji Shibasaki, Yoshihiro Kubozono und Takashi Kambe. „Antiferromagnetic resonance in the Mott insulator fcc-Cs3C60“. Journal of Physics: Condensed Matter 25, Nr. 36 (08.08.2013): 366001. http://dx.doi.org/10.1088/0953-8984/25/36/366001.
Der volle Inhalt der QuelleJanotti, A., L. Bjaalie, B. Himmetoglu und C. G. Van de Walle. „Band alignment at band-insulator/Mott-insulator interfaces“. physica status solidi (RRL) - Rapid Research Letters 8, Nr. 6 (14.05.2014): 577–82. http://dx.doi.org/10.1002/pssr.201409088.
Der volle Inhalt der QuelleMitra, Sanchali, und Santanu Mahapatra. „Schottky–Mott limit in graphene inserted 2D semiconductor–metal interfaces“. Journal of Applied Physics 132, Nr. 14 (14.10.2022): 145301. http://dx.doi.org/10.1063/5.0106620.
Der volle Inhalt der QuelleGrimes, Robin W., und C. Richard A. Catlow. „Modeling Localized Defects in Ionic Materials Using Mott-Littleton and Embedded Quantum Cluster Methodology“. Journal of the American Ceramic Society 73, Nr. 11 (November 1990): 3251–56. http://dx.doi.org/10.1111/j.1151-2916.1990.tb06446.x.
Der volle Inhalt der QuelleHo, Chang-Ming, V. N. Muthukumar, Masao Ogata und P. W. Anderson. „Nature of Spin Excitations in Two-Dimensional Mott Insulators: Undoped Cuprates and Other Materials“. Physical Review Letters 86, Nr. 8 (19.02.2001): 1626–29. http://dx.doi.org/10.1103/physrevlett.86.1626.
Der volle Inhalt der QuelleShore, K. Alan. „Electronic Processes in Non-crystalline Materials (Second Edition), by N.F. Mott and E.A. Davis“. Contemporary Physics 55, Nr. 4 (25.06.2014): 337. http://dx.doi.org/10.1080/00107514.2014.933254.
Der volle Inhalt der QuelleNagaosa, N., T. K. Lee, C. M. Ho, T. Tohyama und S. Maekawa. „Theory of slightly doped Mott insulator“. Physica C: Superconductivity 388-389 (Mai 2003): 15–18. http://dx.doi.org/10.1016/s0921-4534(02)02604-7.
Der volle Inhalt der QuelleKohno, Masanori, Xiao Hu und Masashi Tachiki. „Charge dynamics in doped Mott insulators“. Physica C: Superconductivity 412-414 (Oktober 2004): 82–85. http://dx.doi.org/10.1016/j.physc.2003.11.077.
Der volle Inhalt der Quellevan Loon, Erik G. C. P., Malte Schüler, Daniel Springer, Giorgio Sangiovanni, Jan M. Tomczak und Tim O. Wehling. „Coulomb engineering of two-dimensional Mott materials“. npj 2D Materials and Applications 7, Nr. 1 (06.07.2023). http://dx.doi.org/10.1038/s41699-023-00408-x.
Der volle Inhalt der Quelle