Dissertationen zum Thema „Modèle bipolaire“
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Berger, Dominique. „Etude et validation d'un modèle de transistor bipolaire dédié aux applications hautes fréquences“. Bordeaux 1, 2004. http://www.theses.fr/2004BOR12827.
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Le développement de transistors bipolaires dédiés aux applications hautes fréquences a mis en évidence les limites des modèles électriques de ce dispositif. Le transistor étant utilisé dans des conditions de fonctionnement fortement non-linéaires, le modèle employé Lors de la conception du circuit doit pouvoir décrire le comportement physique du transistor sur une large gamme de polarisations. Après avoir défini les besoins des utilisateurs ainsi que les modèles disponibles dans le domaine publique, le choix de l'étude du modèle HICUM a été fait. La physique du transistor bipolaire est rappelée afin de décrire ce modèle. La compréhension des origines physiques du modèle a permis, par la suite, de développer un modèle dit paramétré. Ce modèle paramétré prend en compte les variations géométriques des paramètres physiques du transistor. Cette étude est complétée par la description des étapes d'extraction des paramètres du modèle HICUM ainsi que ceux du modèle paramétré. La mise en place de ces méthodes a permis de valider les deux modèles sur des transistors a hétérojonctions SiGe les plus rapides.
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Benchaib, Khadidja. „Modèle facile d'emploi de transistor bipolaire pour la CAO en électronique de puissance“. Toulouse, INPT, 1991. http://www.theses.fr/1991INPT007H.
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Ce memoire traite de la modelisation des transistors bipolaires silicium en regime statique et en regime dynamique. Un nouveau modele unidimensionnel et a constante localisee de type compact est propose pour simuler le fonctionnement en commutation des transistors bipolaires de puissance. Ce modele est a la fois simple et facile a mettre en uvre par un concepteur de circuit. Son utilisation est tres avantageuse, car il ne fait intervenir que peu de parametres qui peuvent, avec des moyens informtiques legers, facilement etre identifies a partir des feuilles de specification des fabricants de composants. Le dimensionnement des elements du schema equivalent simplifie statique est realise a partir de l'expression du gain en courant collecteur. En fonctionnement dynamique, le modele est complete par une capacite base-emetteur equivalente, representant la charge stockee dans la base electrique. Le modele final, est alors bien adapte a l'etude et a la caracterisation du transistor bipolaire de puissance et permet d'en simuler le fonctionnement en commutation. La bonne concordance entre les comportements mesures et simules des echantillons testes, justifie l'approche choisie
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Labalestra, Mélanie. „Les troubles formels de la pensée et de la mémoire sémantique : modèle de vulnérabilité au trouble bipolaire“. Thesis, Reims, 2018. http://www.theses.fr/2018REIML012/document.
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La désorganisation du discours est couramment observée en phase maniaque du trouble bipolaire. Elle peut se manifester par un langage incompréhensible, des idées décousues ou illogiques. Les premières études qui ont exploré les processus cognitifs sous-tendant ces perturbations du langage et du cours de la pensée dans le trouble bipolaire semblent en faveur de perturbations sémantiques. Pour déterminer la nature de ces perturbations, nous avons réalisé plusieurs études portant sur deux processus spécifiques : la propagation automatique de l’activation sémantique et l’inhibition sémantique. Pour évaluer ces processus nous avons construit deux tâches de décision lexicale basées sur l’amorçage sémantique. Celles-ci sont proposées à 17 patients bipolaires euthymiques ainsi qu’à un groupe de 61 personnes issues de la population générale pour lesquelles les traits de personnalité hypomaniaque et les tempéraments affectifs sont évalués. Les résultats montrent une moindre efficacité pour les deux processus dans le trouble bipolaire. Ces perturbations sont associées aux troubles du cours de la pensée. Dans la population générale, les résultats montrent que seule l’atteinte de la propagation automatique de l’activation est associée aux tempéraments hyperthymique et irritable. Cette association n’est pas retrouvée pour le processus d’inhibition sémantique, suggérant la mise en place de stratégies cognitives compensatoires lorsque les processus sont contrôlés. Nos résultats, associés à ceux de la littérature, semblent en faveur d’une approche dimensionnelle du trouble bipolaire et soulignent l’intérêt d’investiguer davantage la cognition dans les formes atténuées du troubleDisorganization of speech is commonly observed in the manic phase of bipolar disorder as incomprehensible language, disjointed or illogical ideas. Recent studies had explored the cognitive processes that underlie these disturbances of language and formal thought disorders in bipolar trouble. These studies appear to be in favor of semantic abnormalities. To determine the nature of these disturbances, we carried out studies which focus on two specific processes: the automatic spreading activation and the semantic inhibition. To assess these processes, two lexical decision tasks based on semantic priming were built. These tasks are proposed to 17 euthymic bipolar patients as well as to a group of 61 people from the general population for whom hypomanic personality traits and affective temperaments are evaluated. The results show lower efficacy for both processes in bipolar disorder. These disturbances are associated with the disturbances of formal thought disorders. In the general population, the results show that only the dysfunction of the automatic spreading activation is associated with hyperthymic and irritable temperaments. This association is not found for semantic inhibition, suggesting the intervention of compensatory cognitive strategies when the processes are controlled. Our results, combined with those of the literature, seem to be in favor of a dimensional approach to bipolar disorder and underline the interest of investigating cognition in the attenuated forms of the disorder
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Kahn, Mathias. „Transistor bipolaire à hétérojonction GaInAs/InP pour circuits ultra-rapides : structure, fabrication et catactérisation“. Paris 11, 2004. https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00006792.
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L'essor des telecommunications a l'echelle mondiale qu'a connu la fin du xxeme siecle a ete rendu possible par l'existence de reseaux a base de fibres optiques, capables de transmettre des flux de donnees importants sur de longues distances. La gestion de ces importants flux d'information en amont et en aval de la fibre requiert des circuits electroniques numeriques et analogiques traitant des debits de donnees superieurs a 40gb/s, ce qui implique l'utilisation de composants tres rapides, avec des frequences de transition au-dela de 150ghz. Grace aux remarquables proprietes de la famille de materiaux iii-v en termes de transport electrique, le transistor bipolaire a heterojonction gainas/inp se classe comme l'un des transistors les plus rapides actuellement, et permet la realisation de tels circuits operationnels a tres haute frequence. La mise en place d'une filiere complete de fabrication de circuits a base de tbh necessite que soit maitrise un grand nombre d'etapes. Un certain nombre d'entre elles touche directement au composant: conception, epitaxie, fabrication technologique, caracterisation a ces etapes doit etre ajoutee une certaine comprehension des phenomenes physiques intervenant dans le dispositif. Dans ce travail de these, les problematiques liees a l'optimisation du tbh gainas/inp, ainsi que certaines questions relatives aux mecanismes physiques mis en jeu sont presenteesThe developpement of optical networks in the last decade has made possible the strong increase in worlwide telecomunications. Processing of high-bitrates signals (above 40 gb/s) at fiber input and output requires numerical circuits working very high frequencies, and thus based on vary fast electronics devices with cutoff frequencies of 150 ghz or more. Iii-v semiconctor materials have remarkable physical properties, making inp base hbt one of the fastest transitor available at this time. This device allows design of circuits working at the very high frequencies required in optical communications applications. Fabrication of gainas/inp hbt involves a large number of design and processing steps (epitaxial growth, cleanroom processing, caracterisation,), and requiers understanding of various physical effects determining the device behavior. In this work, we study the main physical effects involved in hbt behavior, and we carry out optimisation of the device
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Gillet, Pierre. „Modèle "distribué" de transistor bipolaire pour la C. A. O. Des circuits en électronique de puissance“. Toulouse, INPT, 1995. http://www.theses.fr/1995INPT003H.
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Ce memoire est consacre a la prise en compte de la nature distribuee de la dynamique des charges, dans la modelisation du transistor bipolaire de puissance destine a la conception assistee par ordinateur des circuits. Pour cela, nous proposons une methode de resolution analogique de l'equation de diffusion ambipolaire dans la zone de stockage de charge, basee sur une representation spectrale de la repartition des porteurs. Cette methode nous conduit a traiter un systeme de n equations differentielles du premier ordre, qui peut etre traduit sous forme de circuit electrique equivalent du type ligne rc serie. Ces lignes rc, a parametres variables dans le temps, representent le noyau de calcul du modele a partir duquel nous deduisons les grandeurs physiques internes responsables du comportement externe du dispositif. Ce noyau est complete par la representation des regions de base physique et d'emetteur traitees de maniere localisee, ainsi que l'influence du courant de deplacement, de la charge des porteurs en transit et du profil de dopage. Enfin, une comparaison simulation experience dans un environnement circuit simple mais realiste, mettant en evidence les interactions composant-circuit, montre le bien fonde de cette approche
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Medjnoun, Madjid. „Modélisation du transistor bipolaire à heterojonction pour le régime transitoire grand signal“. Paris 6, 2000. http://www.theses.fr/2000PA066532.
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Nodjiadjim, Virginie. „Transistor bipolaire à double hétérojonction submicronique InP/InGaAs pour circuits numériques ou mixtes ultra-rapides“. Thesis, Lille 1, 2009. http://www.theses.fr/2009LIL10028/document.
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Cette thèse présente l'optimisation des performances du transistor bipolaire à double hétérojonction (TBDH) InP/InGaAs aux dimensions submicroniques. Tout d'abord nous présenterons le développement d'un modèle analytique tenant compte des spécificités du dessin et de la technologie de ce composant. Ce modèle, qui sera confronté aux résultats de mesures de paramètre S, servira à déterminer les dimensions optimales permettant d'atteindre des fréquences de coupure élevées et de mettre en évidence les principaux axes d'optimisation des performances. Puis nous étudierons plusieurs structures de couche pour la transition base collecteur visant à améliorer les propriétés de transport du TBH et repousser la densité de courant au seuil d'effet Kirk en vue d'augmenter les performances fréquentielles maximales du composant. Enfin, étant donné que les TBH fonctionnent à des densités de courant pouvant dépasser 800 kA/cm², ceux-ci sont sujets à un auto-échauffement qui contribue à la dégradation de leurs performances fréquentielles et à un vieillissement prématuré. Nous nous intéresserons donc à l'influence de la température sur les performances et présenterons les solutions apportées pour réduire l'auto-échauffement et améliorer la fiabilité des TBH. Ce travail a permis de valider une filière de TBH possédant des fréquences de coupure fT et fmax comprises dans la gamme 250-300 GHz ainsi qu'une tension de claquage de l'ordre de 5 V. Ainsi, ces composants ont pu être utilisés pour la réalisation de circuits destinés aux transmissions à 100 Gbit/sThis thesis is about the performance optimization of InP/InGaAs Double Heterojunction Bipolar Transistors (DHBT) with sub-micrometer dimensions. The development of an analytical model taking into account the specific features of the device in terms of geometry and process is first reported. This model, backed by results from S parameters measurements, is used to define a device geometry leading to high cut-off frequencies; it also helps identifying the main directions for further performance improvement. Several epi-layer structures for the base-collector junction are then investigated, aiming at improving the HBT transport properties and at pushing toward higher current densities the onset of Kirk effect. Since HBTs are operating at current densities as high as 800 kA/cm2 and beyond, they are sensitive to self-heating; this feature results in reduced frequency performance and faster characteristics degradation. This is why the impact of temperature on transistor performance is analyzed and ways to limit HBTs self-heating phenomena and to improve their reliability are indicated. This work allowed the validation of an HBT process characterized by cut-off frequencies in the 250-300 GHz range for both fT and fmax, together with a breakdown voltage of about 5 V. Such HBTs have been used in the fabrication of ICs for 100 Gbit/s transmission applications
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Amimi, Adel. „Modèle électro-thermique unidimensionnel du transistor bipolaire à grille isolée (IGBT) pour la simulation de circuits de puissance“. Rouen, 1997. http://www.theses.fr/1997ROUES033.
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Dans le domaine de l'électronique de puissance, où l'environnement et le mode de fonctionnement du composant jouent un rôle primordial, nous constatons que les aspects thermiques doivent être évalués de la même manière que les aspects strictement électriques. Cela suppose entre autres que la température interne des composants doit pouvoir évoluer comme toutes les grandeurs électriques. Dans ce contexte, nous avons développé un modèle analytique du transistor bipolaire à grille isolée (IGBT) prenant en compte les interactions électro-thermiques dans le composant, en associant au modèle électrique du composant un réseau thermique. Pour cela, deux solutions de complexité différentes ont été envisagées pour l'élaboration du modèle thermique. La première approche (cellulaire) est basée sur l'analogie électrique-thermique. En effet, la propagation du flux de chaleur dans le composant est modélisée par un réseau cellulaire RTH(I) - CTH(I) dont les caractéristiques sont déterminées à partir de l'impédance thermique transitoire ZTH du composant. La seconde approche (dite mixte), fondée sur la résolution à une dimension de l'équation de diffusion de la chaleur, utilise un calcul plus précis de la température dans la couche de silicium, tout en conservant une représentation à base de cellules RTH-CTH pour l'ensemble du boîtier et de l'environnement. Le modèle électro-thermique ainsi développé est implanté en langage MAST dans le simulateur de circuits Saber.
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Pérez, Marie Anne. „Modèle électrothermique distribué de transistor bipolaire à hétérojonction : application à la conception non linéaire d'amplificateurs de puissance optimisés en température“. Limoges, 1998. http://www.theses.fr/1998LIMO0029.
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Ce travail constitue une nouvelle approche sur la modelisation de transistors bipolaires a heterojonction et son utilisation pour la conception non lineaire d'amplificateurs de puissance a haut rendement. Un recapitulatif de la technique de modelisation de tbh developpee a l'ircom est expose. La nouvelle approche concerne la distribution thermique du modele et sa validation en petit signal. Cette distribution thermique nous a permis d'etudier le phenomene de crunch present dans les tbh multidoigts. Nous avons pu simuler les consequences du crunch en comportement statique et dynamique. Ce modele de tbh nous a aussi permis d'aborder une conception d'amplificateur de puissance optimise en temperature. Un amplificateur en bande x a ete concu et realise. Une analyse de stabilite a ete utilisee pour predire les problemes d'oscillations. Les mesures en boitier de cet amplificateur en petit signal et en puissance nous permettent de valider la methodologie de conception ainsi que le modele electrothermique utilise.
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Lopez, David. „Intégration dans un environnement de simulation circuit d'un modèle électrothermique de transistor bipolaire à hétérojonction issu de simulations thermiques tridimensionnelles“. Limoges, 2002. http://www.theses.fr/2002LIMO0007.
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Le travail présenté dans ce mémoire concerne l'intégration d'un modèle thermique de TBH issu de simulations thermiques 3D dans un environnement de simulation circuit. Après avoir mis en évidence dans le premier chapitre les effets thermiques dans les composants micro-ondes, nous avons présenté dans le second chapitre le potentiel de prédiction des échauffements d'une analyse thermique 3D. Ensuite nous avons présenté la mise en place d'une méthode de réduction de modèle par la technique des vecteurs de Ritz à partir de ces simulations. Le troisième chapitre décrit la modélisation non-linéaire électrothermique de TBH développé à l'IRCOM afin de générer un modèle global de transistor distribué par doigt que l'on connectera au modèle thermique. Enfin, le dernier chapitre démontre l'intérêt d'un tel modèle dans le cadre de prédiction de stabilité (crunch) et du fonctionnement de puissance notamment en terme de dynamiques lentes en fonctionnement pulséThe work presented here involves an integration into a circuit simulator of a HBT's thermal model from a 3D finite element method thermal simulation
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Nodjiadjim, Virginie. „Transistor bipolaire à double hétérojonction submicronique InP/InGaAs pour circuits numériques ou mixtes ultra-rapides“. Electronic Thesis or Diss., Lille 1, 2009. http://www.theses.fr/2009LIL10028.
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Cette thèse présente l'optimisation des performances du transistor bipolaire à double hétérojonction (TBDH) InP/InGaAs aux dimensions submicroniques. Tout d'abord nous présenterons le développement d'un modèle analytique tenant compte des spécificités du dessin et de la technologie de ce composant. Ce modèle, qui sera confronté aux résultats de mesures de paramètre S, servira à déterminer les dimensions optimales permettant d'atteindre des fréquences de coupure élevées et de mettre en évidence les principaux axes d'optimisation des performances. Puis nous étudierons plusieurs structures de couche pour la transition base collecteur visant à améliorer les propriétés de transport du TBH et repousser la densité de courant au seuil d'effet Kirk en vue d'augmenter les performances fréquentielles maximales du composant. Enfin, étant donné que les TBH fonctionnent à des densités de courant pouvant dépasser 800 kA/cm², ceux-ci sont sujets à un auto-échauffement qui contribue à la dégradation de leurs performances fréquentielles et à un vieillissement prématuré. Nous nous intéresserons donc à l'influence de la température sur les performances et présenterons les solutions apportées pour réduire l'auto-échauffement et améliorer la fiabilité des TBH. Ce travail a permis de valider une filière de TBH possédant des fréquences de coupure fT et fmax comprises dans la gamme 250-300 GHz ainsi qu'une tension de claquage de l'ordre de 5 V. Ainsi, ces composants ont pu être utilisés pour la réalisation de circuits destinés aux transmissions à 100 Gbit/sThis thesis is about the performance optimization of InP/InGaAs Double Heterojunction Bipolar Transistors (DHBT) with sub-micrometer dimensions. The development of an analytical model taking into account the specific features of the device in terms of geometry and process is first reported. This model, backed by results from S parameters measurements, is used to define a device geometry leading to high cut-off frequencies; it also helps identifying the main directions for further performance improvement. Several epi-layer structures for the base-collector junction are then investigated, aiming at improving the HBT transport properties and at pushing toward higher current densities the onset of Kirk effect. Since HBTs are operating at current densities as high as 800 kA/cm2 and beyond, they are sensitive to self-heating; this feature results in reduced frequency performance and faster characteristics degradation. This is why the impact of temperature on transistor performance is analyzed and ways to limit HBTs self-heating phenomena and to improve their reliability are indicated. This work allowed the validation of an HBT process characterized by cut-off frequencies in the 250-300 GHz range for both fT and fmax, together with a breakdown voltage of about 5 V. Such HBTs have been used in the fabrication of ICs for 100 Gbit/s transmission applications
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Boufayed, Fakher. „Simulation du transport électrique dans un polyéthylène pour câble d'énergie par un modèle de conduction bipolaire avec distribution exponentielle de pièges“. Toulouse 3, 2006. http://www.theses.fr/2006TOU30004.
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Ce travail de thèse s'inscrit dans le cadre d'un projet Européen, HVDC, visant à évaluer les avantages environnementaux, économiques et opérationnels de développer les transmissions THT sous contrainte continue. La contribution de la thèse à ce projet porte sur l'élaboration d'un modèle de conduction bipolaire dissymétrique destiné à rendre compte de l'évolution spatiale et temporelle de la charge d'espace engendrée par l'injection de particules chargées dans le LDPE et le XLPE soumis à une contrainte continue. Une distribution exponentielle et un niveau maximal de profondeur de pièges sont adoptés pour le modèle. Cette étude allie étroitement la modélisation numérique à des mesures expérimentales menées à bien par nos partenaires dans le projet. Une étude de criticité minutieuse sur les paramètres du modèle a été effectuée, ce qui nous a permis de choisir un jeu unique de paramètres pour la validation du modèle. Les résultats de simulation ont été comparés à des mesures expérimentales, à savoir l'évolution spatio-temporelle des densités de charge interne et les transitoires de courantThis thesis work has been developed in the framework of a European Project, HVDC, aimed at evaluating environmental, economic and operational benefits to develop HV transmission under DC stress. The contribution of the thesis to this project consists in the development of a dissymmetric bipolar model of transport intended to account for the space and temporal evolution of the space charge generated by the injection of charged particles in Polyethylene materials subjected to a DC stress. An exponential distribution and a maximum level of trap depth have been adopted for the model. This study closely associates numerical modeling and experimental measurements carried out by our partners in the project. A detailed study on the criticality of the parameters of the model was carried out, which enabled us to choose a single set of parameters for the validation of the model. Simulation results were compared with experimental measurements resorting to the time- and space- evolution of internal charge density and to current transients
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Pelouard, Jean-Luc. „Le transistor bipolaire à hétérojonction InGaAs : étude Monte-Carlo des phénomènes de transport non-stationnaires et réalisation technologique“. Paris 11, 1987. http://www.theses.fr/1987PA112440.
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Les phénomènes de transport non-stationnaires sont importants dans les Transistors Bi à Hétérojonctions abruptes. Des simulations à l'aide d'an modèle particulaire de Monte-Carlo nous ont permis d'établir l'existence d'un courant thermoïnique à travers l'hétérojonction émetteur-base et de deux populations électroniques dans la base: une quasi-balistique et l’autre «relaxée en. Vitesse». Le «Spike» de l’hétérojonction abrupte base-collecteur opère une collection sélective des électrons ayant une vitesse orthogonale suffisante pour franchir cette barrière. A partir d'empilements GaAlInAs/GaInAs/GaAlInAs épitaxiés par jets moléculaires des Transistors Bipolaires à Hétérojonctions ont été réalisés avec des techniques d’isolation par double mesa. L'insertion d'espaceurs dans la jonction base-collecteur et émetteur-base améliore le comportement statique des transistors (gain supérieur à 1200) tout en préservant le caractère abrupte des hétérojonctions. Un modèle analytique a été développé pour réaliser le calcul rapide des caractéristiques du transistor. Il est en bon accord avec à la fois les résultats de la simulation Monte-Carlo et ceux de l'expérience. Les résultats de cette étude montrent le grand intérêt porté au Transistor Bipolaire à Hétérojonction qui dans le système InP/GaInAs devrait fournir dispositif très rapide pour l'optoélectronique à 1, 6 micromètre.
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Sommet, Raphaël. „Intégration d'un modèle physique de transistor bipolaire à hétérojonction dans l'environnement de la C. A. O. Non linéaire des circuits monolithiques microondes“. Limoges, 1996. http://www.theses.fr/1996LIMO0039.
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Le travail presente dans ce memoire concerne le couplage entre un simulateur physique de transistor bipolaire a heterojonction hetsi et un simulateur de circuit en equilibrage harmonique lisa. Ce memoire est divise en trois parties: la premiere est essentiellement axee sur la physique des composants. Elle etablit les equations generales du transport des porteurs dans les semi-conducteurs et suivant les hypotheses choisies, les equations de derive diffusion et de transport d'energie sont donnees. Compte tenu des imperatifs d'un couplage de ces equations a un simulateur de circuits, une discretisation et une resolution implicite des equations de la physique des semi-conducteurs sont developpees. Des resultats concernant l'etude d'une structure de hbt avec un modele unidimensionnel sont examines. La seconde partie est dediee quant a elle aux methodes utilisables pour resoudre les equations des circuits microondes. Les methodes temporelles sont etudiees et comparees a la methode de l'equilibrage harmonique. Il ressort un besoin reel d'utiliser la methode de l'equilibrage harmonique pour resoudre les equations des circuits microondes en regime periodique et en etat etabli. La troisieme partie du memoire concerne l'integration des equations de la physique dans un simulateur physique en equilibrage harmonique. La construction sous forme modulaire des deux simulateurs est decrite ainsi qu'une methode originale du calcul du jacobien implicite exact du systeme. Des resultats en classe a, b a 1. 8 ghz valident le couplage. Il est desormais possible a l'aide de ce nouvel outil d'envisager de concevoir ensemble la partie passive et active d'un circuit mmic
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Gambetta, Nicolas. „Évolution du modèle du transistor bipolaire et des techniques d'extraction de paramètres, pour la simulation de circuits intègres logiques et analogiques hautes fréquences“. Grenoble INPG, 1997. http://www.theses.fr/1997INPG0033.
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Avec la reduction des dimensions des dispositifs, la modelisation a pris de plus en plus d'importance dans le developpement des circuits integres. Cette reduction a fait surgir au premier plan des phenomenes physiques consideres jusqu'alors comme du second ordre. L'objectif de ce memoire est double : d'une part, faire le point sur les modeles pour transistors bipolaires existant et d'autre part, proposer des solutions permettant la prise en compte des nouveaux effets evoques precedemment. Apres avoir situe le travail dans son contexte, nous avons, dans le chapitre ii, poser les bases de la physique des modeles compacts utilises par les concepteurs. Dans le chapitre iii, nous avons fait le point su les principaux modeles compacts presents dans les simulateurs electriques. Nous avons en premier lieu insiste sur le modele sgpm (spice gummel-poon model) qui reste le plus largement utilise par les concepteurs. Les autres modeles ont ete presentes rapidement en faisant ressortir leurs specificites et leurs apports au regard des limitations du sgpm. Le chapitre iv a ete consacre a notre modele compact (abyss, advanced bipolar model for high frequency simulations) dont l'objectif est de resoudre les problemes poses par le modele sgpm tout en restant compatible avec celui-ci. Pour ce faire, un modele de resistance collecteur variable a ete propose et valide. L'aspect dynamique a ete aussi aborde avec le temps de transit et les capacites de transition. L'implementation du modele compact dans le simulateur electrique eldo a ete detaillee. Dans le chapitre v, nous avons donne la strategie d'extraction du jeu de parametres abyss. Nous avons ensuite detaille les principales methodes permettant la determination des parametres. Chaque procedure a ete illustree par des exemples issus de technologies bicmos submicroniques. Afin d'apprecier les diverses ameliorations apportees par le modele abyss, des comparaisons entre la mesure, le modele sgpm et abyss ont ete montrees.
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Muller, Muriel. „Le phototransistor bipolaire InP/InGaAs comme mélangeur optique/électrique pour conversion vers la bande millimétrique dans le réseau d'accès radio sur fibre“. Paris 6, 2002. http://www.theses.fr/2002PA066445.
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Ehrminger, Mickael. „Modélisation et quantification des déterminants de l’outcome dans les troubles mentaux sévères et persistants“. Thesis, université Paris-Saclay, 2020. http://www.theses.fr/2020UPASR007.
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Les troubles bipolaires et la schizophrénie comptent parmi les troubles mentaux les plus sévères en termes de répercussions sur la vie quotidienne. L’approche adoptée pour la prise en charge des patients souffrant de ces troubles s’est récemment étendue d’une approche principalement médicale fondée sur la rémission des symptômes vers une approche plus intégrative visant la remédiation d’autres variables, telles que la qualité de vie et le fonctionnement psychosocial.Une collaboration entre les Ministères de la Santé et de la Recherche et la Fondation Fondamental a permis la création de cohortes de patients schizophrènes et bipolaires suivis sur plusieurs années avec recueil de données multidimensionnelles (cliniques, psychosociales, cognitives, …).Ce travail doctoral a consisté à exploiter la richesse des données recueillies par la Fondation Fondamental afin d’élaborer des modèles visant à expliquer des phénomènes observés dans ces deux pathologies, à l’aide des méthodes de modélisation par équations structurales. Dans un premier temps, nous nous sommes intéressés aux relations longitudinales entre cognition et fonctionnement psychosocial chez les patients bipolaires. Ensuite, nous avons modélisé les relations longitudinales entre insight, qualité de vie, dépression et suicidalité dans les troubles du spectre de la schizophrénie. Puis, nous avons modélisé les corrélats transversaux de la qualité de vie subjective dans la schizophrénie.Nos résultats nous ont permis de tirer quelques enseignements pour la pratique clinique et l’amélioration de la prise en charge des patients. Aussi, nous plaidons pour une extension de l’utilisation des modèles d’équations structurales en psychiatrieBipolar disorders and schizophrenia are among the most severe mental disorders regarding their impact on daily life.The management of these disorders recently shifted from a mostly medical approach focusing on symptom remission towards a more integrative approach aiming at improving other outcomes, such as quality of life or psychosocial functioning.A collaboration between the Ministries of Health and Research and the Fondamental Foundation permitted the creation of cohorts of patients with bipolar disorder and schizophrenia, incorporating multidimensional measures (clinical, psychosocial, cognitive, …) over several years of follow-up.This doctoral work consisted in exploiting these data collected by the Fondamental Foundation in order to create structural equation models to explain phenomena observed in those mental disorders. First, we modeled the longitudinal relationships between cognition and psychosocial functioning in patients with bipolar disorder. Then, we created a model of the longitudinal relationships between insight, quality of life, depression and suicidality in schizophrenia spectrum disorders. Finally, we sought to identify the cross-sectionnal correlates of quality of life in schizophrenia.Our results allowed us to draw several conclusions which may help managing schizophrenia and bipolar disorder. Also, we advocate the use of structural equation modeling in psychiatry
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Dia, Hussein. „Contribution à la modélisation électrothermique : Elaboration d'un modèle électrique thermosensible des composants MOS de puissance“. Thesis, Toulouse, INSA, 2011. http://www.theses.fr/2011ISAT0006/document.
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Une forte exigence de robustesse s’est imposée dans tous les domaines d’application des composants de puissance. Dans ce cadre très contraint, seule une analyse fine des phénomènes liés directement ou indirectement aux défaillances peut garantir une maîtrise de la fiabilité des fonctions assurées par les nouveaux composants de puissance. Cependant, ces phénomènes impliquent des couplages entre des effets électriques, thermiques et mécaniques, rendant leur étude très complexe. Le recours à la modélisation multi-physique bien adaptée s’avère alors déterminant. Dans ce mémoire de thèse, nous proposons une méthodologie de modélisation électrique prenant en compte les effets de la température sur les phénomènes localisés qui initient une défaillance souvent fatale. En prévision de la simulation électrothermique couplée impliquant des transistors MOS de puissance, un modèle électrique thermosensible de ce composant et de sa diode structurelle a été développé. Corrélativement un ensemble de bancs expérimentaux a été mis en œuvre pour l’extraction des paramètres et pour la validation du modèle. Une attention particulière a été accordée à l’étude des phénomènes parasites qui pourraient survenir de manière très localisée suite à une répartition inhomogène de la température et à l’apparition de points chauds. Ainsi les fonctionnements limites en avalanche, avec le déclenchement du transistor bipolaire parasite et de son retournement ont été modélisés. Des bancs spécifiques pour la validation du modèle pour les régimes extrêmes ont été utilisés en prenant des précautions liées à la haute température. Enfin, Le modèle électrique thermosensible complet développé a été utilisé par la société Epsilon ingénierie pour faire des simulations électrothermiques du MOS de puissance en mode d’avalanche en adaptant le logiciel Epsilon-R3DStrong demand for robustness has emerged in all areas of application of power components.Only a detailed analysis of phenomena related directly or indirectly to failures can ensure thereliability of the functions of the new power components. However, these phenomena involvethe coupling between electrical effects, thermal and mechanical, making their study verycomplex. The use of multi-physics modeling is well suited when determining. In this thesis,we propose a methodology for electrical modeling taking into account the effects of temperatureon the localized phenomena that initiate failure is often fatal. In preparation for thecoupled electro-thermal simulation involving MOS power transistors, an electric thermosensitivemodel of the MOS and its body diode has been developed. Correspondingly a set ofexperimental studies was implemented to extract the parameters and model validation. Particularattention was paid to the study of interference phenomena that could occur in a localizedresponse to an inhomogeneous distribution of temperature and hot spots. Thus the workingslimits avalanche, with the outbreak of parasitic bipolar transistor (snapback) and its reversalwere modeled. Benches specific validations of the model for harsh switching conditions wereused by taking precautions related to high temperature. Finally, the complete thermal electricmodel developed was used by the company “EPSILON Ingénierie” for electro-thermal simulationof power MOS mode Avalanche Software adapting Epsilon-R3D
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Dia, Hussein. „Contribution à la modélisation électrothermique: Elaboration d'un modèle électrique thermosensible du transistor MOSFET de puissance“. Phd thesis, INSA de Toulouse, 2011. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00624193.
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Une forte exigence de robustesse s'est imposée dans tous les domaines d'application des composants de puissance. Dans ce cadre très contraint, seule une analyse fine des phénomènes liés directement ou indirectement aux défaillances peut garantir une maîtrise de la fiabilité des fonctions assurées par les nouveaux composants de puissance. Cependant, ces phénomènes impliquent des couplages entre des effets électriques, thermiques et mécaniques, rendant leur étude très complexe. Le recours à la modélisation multi-physique bien adaptée s'avère alors déterminant. Dans ce mémoire de thèse, nous proposons une méthodologie de modélisation électrique prenant en compte les effets de la température sur les phénomènes localisés qui initient une défaillance souvent fatale. En prévision de la simulation électrothermique couplée impliquant des transistors MOS de puissance, un modèle électrique thermosensible de ce composant et de sa diode structurelle a été développé. Corrélativement un ensemble de bancs expérimentaux a été mis en oeuvre pour l'extraction des paramètres et pour la validation du modèle. Une attention particulière a été accordée à l'étude des phénomènes parasites qui pourraient survenir de manière très localisée suite à une répartition inhomogène de la température et à l'apparition de points chauds. Ainsi les fonctionnements limites en avalanche, avec le déclenchement du transistor bipolaire parasite et de son retournement ont été modélisés. Des bancs spécifiques pour la validation du modèle pour les régimes extrêmes ont été utilisés en prenant des précautions liées à la haute température. Enfin, Le modèle électrique thermosensible complet développé a été utilisé par la société EPSILON Ingénierie pour faire des simulations électrothermiques du MOS de puissance en mode d'avalanche en adaptant le logiciel Epsilon-R3D.
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Raya, Christian. „Modélisation et optimisation de transistors bipolaires à hétérojonction Si/SiGeC ultra rapides pour applications millimétriques“. Bordeaux 1, 2008. http://www.theses.fr/2008BOR13602.
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Grâce à une amélioration récente des performances des technologies silicium, les transistors bipolaires SiGeC (Silicium Germanium Carbone) concurrencent désormais avec succès les composants III-V pour les applications millimétriques (60GHz/80GHz). Cependant, pour remporter ce marché, la fréquence de fonctionnement des circuits doit être proche de la fréquence de coupure des composants. Les transistors sont ainsi utilisés dans des régimes de fonctionnement fortement non-linéaires et la modélisation des phénomènes de forte injection est alors indispensable. En premier lieu, une description simplifiée des transistors étudiés introduit les contraintes technologiques et détaille les éléments parasites. Des méthodes basées sur des structures de test spécifiques sont présentées afin d’identifier les paramètres clés limitant les performances hyperfréquences du composant et aussi de permettre leur optimisation. En second lieu, la caractérisation hyperfréquence couvrant la gamme millimétrique est discutée. Enfin la dernière partie de ce mémoire constitue une contribution à l’extraction des paramètres de forte injection du modèle compact bipolaire HICUMWith the recent improvement in silicon technologies, SiGeC bipolar transistors are now able to compete with III-V technologies for millimeter-wave applications (frequency-range 60GHz/80GHz). However to break into the millimeter-wave market, the circuit frequency will be close to the devices cut-off frequency. Therefore, the transistors work in extremely non-linear conditions and the high injection needs to be accurately modelled. First, a description of the bipolar transistors architecture allows introducing the device parasitic components. Extraction methods based on specific test structures are presented to identify the key parameters limiting the high frequency performances, and for process optimization. Secondly the hyper-frequency characterization method is discussed in the millimeter range. Finally, the last part of this thesis is a contribution to the extraction of the compact bipolar model HICUM high-injection parameters
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Ren, Zheng. „Contribution au développement du transistor bipolaire à fort gain et d'un interrupteur bidirectionnel à quatre quadrants“. Thesis, Tours, 2018. http://www.theses.fr/2018TOUR4031/document.
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Afin de répondre aux besoins en management efficace de l’énergie électrique dans les bâtiments intelligents, le laboratoire GREMAN a proposé une nouvelle topologie d’interrupteur bidirectionnel de 600 V nommé TBBS. Les études antérieures ont validé la bidirectionnalité en courant et en tension de cette nouvelle topologie. Les travaux de recherche menées dans cette thèse avaient pour l’objectif d’approfondir, de compléter nos connaissances sur ce nouvel interrupteur bidirectionnel ainsi que sur le transistor bipolaire à fort gain. Le premier chapitre introduit le fonctionnement principal du TBBS et sa modélisation physique sous un environnement de simulation à éléments finis. Le deuxième chapitre présente le travail concernant la caractérisation expérimentale du TBBS et du transistor bipolaire à fort gain sous température contrôlée. Enfin la modélisation électrique du TBBS et du transistor bipolaire à fort gain est présentée dans le troisième et dernier chapitreIn order to meet the requirement of more efficient electrical energy management for intelligent buildings, a new 600V bidirectional switch, named as TBBS, has been proposed by the GREMAN laboratory. Previous studies have validated the current and voltage bidirectionality of this newly proposed topology. The research work carried out in this thesis deals with a deeper and more comprehensive study of this bidirectional switch and its elementary component - the High-gain bipolar juncion transistor. The first chapter introduces the operation of the TBBS and its physical modeling in a finite element simulation environment. The second chapter presentes the research work related to the experimental caracterisation of the TBBS and the High-gain bipolar junction transistor. At last the third chapter deals with the electrical modeling of these two bipolar components
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Schab, Frédéric. „Étude comparative des procédés d'électrodialyse et d'électrodéionisation : application à la fabrication d'acide lactique“. Thesis, Vandoeuvre-les-Nancy, INPL, 2007. http://www.theses.fr/2007INPL035N/document.
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Le présent travail porte sur l’étude comparative des procédés d’électrodialyse et d’électrodéionisation. Les possibilités d’application des procédés électro-membranaires à la production d’acide lactique par voie fermentaire sont investiguées. Deux axes de recherche sont choisis : le premier consiste à extraire de manière continue le lactate de sodium hors du milieu de fermentation. Pour cela, un empilement d’électrodialyse ne comportant que des membranes anioniques est couplé au fermenteur : environ 95 % des ions lactate sont extraits lors de l’opération. Par comparaison avec une fermentation témoin en mode batch, aucune inhibition de la fermentation n’est observée, et la productivité est multipliée par 13. Le deuxième axe de recherche consiste à convertir le lactate de sodium en acide lactique : un taux de purification comparable à celui obtenu en échange d’ions est recherché. Un procédé continu d’électrodéionisation à membranes bipolaires permettant d’atteindre 99,9 % de taux de conversion est élaboré pour le traitement de produit dilué. Est présentée finalement la modélisation mathématique d’un compartiment d’électodéionisation : les points expérimentaux sont fortement similaires aux points recalculésThis work deals with the comparative study of electrodialysis and electrodeionization. The possibilities to integrate the electro-membrane processes in the lactic acid fermentive production lines are investigated. Two main research ways are chosen : the first one lies in the continuous extraction of natrium lactate out of the fermentation middle. For this, an electrodialysis stack of only anionic membranes is coupled with the fermenter : approximately 95 % of lactate are removed during the operation. By comparison with a standard fermentation in batch mode, no inhibition is observed, and the productivity is increased by 13. The second way is to convert the natrium lactate in lactic acid : a high purity rate is seeked. A continuous electrodeioniation process including bipolar membranes, leading to 99,9% conversion rate, is elaborated for the treatment of diluted solutions. Finally is presented the mathematic calculation of an electrodeionization compartment : experimental points and calculated values are very similar
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Bhattacharyya, Arkaprava. „Non quasi-static effects investigation for compact bipolar transistor modeling“. Thesis, Bordeaux 1, 2011. http://www.theses.fr/2011BOR14294/document.
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Les transistors rapides actuels présentent un retard lorsqu’ils fonctionnent à très hautes fréquences ou en régime transitoire rapide. Cet effet est appelé effet non quasi-statique (NQS). Dans cette thèse, l’effet NQS est analysé de manière concise de façon à être directement implanté dans les modèles de composant pour les bibliothèques de circuit en utilisant le langage standard VerilogA. Les mécanismes physiques à la base de l’effet NQS sont évalués dans le domaine de fonctionnement petit signal et les résultats sont comparés aux travaux déjà publiés. S’agissant du modèle standard bipolaire HICUM, les effets NQS latéraux et verticaux sont examinés séparément à partir du même modèle, en régime de fonctionnement transitoire et fréquentiel grâce à un sous-circuit dédié au calcul de la phase du signal. A partir de ce sous-circuit, la modélisation compacte avec HICUM est comparée aux données issues de mesures et issues de simulation amont. Enfin, un nouveau sous-circuit calculant l’excès de phase est proposé pour prendre mieux en compte les effets non quasi-statiques dans les transistors bipolairesModern high speed (RF) transistors encounter certain delay while operated at high frequency or under fast transient condition. This effect is named as Non Quasi Static (NQS) effect. In the current work, NQS effect is analyzed in a concise manner so that it can be readily implemented in a compact model using the VerilogA description language. The basic physics behind this effect is investigated in small signal domain and the results are compared with the published work. In popular bipolar model HICUM lateral and vertical NQS are examined separately and uses the same model for both transient and AC operation which requires an additional minimum phase type sub circuit. Compact modeling with HICUM model is performed in both measurement and device simulated data. At last, an improved excess phase circuit is proposed to model the NQS effect
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Lijadi, Melania. „Transistors bipolaires à hétérojonction : développement d'une filière InP/GaAsSb pour applications ultra-rapides“. Phd thesis, Université Pierre et Marie Curie - Paris VI, 2005. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00010627.
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Cette thèse est un des premiers travaux sur les transistors bipolaires à hétérojonction (TBH)de la filière InP ayant une base en GaAsSb. Une méthode de mesure précise des offsets deshétérojonctions de type II par électroluminescence, associée aux mesures électriques a permis de clarifier les conditions du transport électronique dans le système InP/GaAsSb et d'initier l'utilisation d'un émetteur en InGaAlAs. Deux briques technologiques spécifiques ont été développées : la gravure chimique sélective de InGaAlAs par rapport à GaAsSb et la réalisation de contacts ohmiques très faiblement résistifs sur p-GaAsSb. Ceci a permis l'assemblage d'un procédé de fabrication de TBH ultra-rapides dans cette filière. La faisabilité de ce procédé a été démontrée par la réalisation de TBH submicroniques ayant des fréquences ( fT ; fmax) de (155 ; 162) GHz. Son optimisation, protégée par deux brevets, montre des perspectives pour atteindre des fréquences ( fT ; fmax) de (380 ; 420) GHz.
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Lembeye, Yves. „Métrologie de la commutation de puissance rapide : contribution à la caractérisation et à la recherche d'un modèle d'IGBT“. Phd thesis, Grenoble INPG, 1997. http://www.theses.fr/1997INPG0010.
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Aujourd'hui l'outil le plus utilisé par les spécialistes d'électronique de puissance est l'oscilloscope numérique. Tant que ces appareils sont utilisés pour vérifier le fonctionnement de circuits, leur précision est, généralement, suffisante. En revanche lorsqu'ils sont utilisés pour caractériser des interrupteurs de puissance, la précision nécessaire ne peut pas être atteinte directement. Les modes opératoires doivent être optimisés et les mesures doivent être corrigées pour obtenir une précision satisfaisante. La mise en place de ces corrections demande du temps et nécessite, souvent, l'utilisation d'un ordinateur. Il est bon, avant de les développer, de s'assurer de leur opportunité. Une première partie de ce travail est consacrée à l'étude des causes d'erreurs et à leur influence sur les résultats de mesure. Nous partons de mesures effectuées, avec les plus grands soins, sur un I. G. B. T. Et nous simulons, une à une, les sources d'erreur. Cette étude permet de tirer des critères de choix de matériel de mesure et de juger de la nécessité de certaines corrections. Dans une deuxième partie, nous nous intéressons à la modélisation de l'I. G. B. T. Et, plus généralement, des quadripôles électrostatiques non-linéaires. Par comparaison avec les mesures effectuées sur l'I. G. B. T. Nous montrons l'influence de la modélisation des capacités non-linéaires de l'I. G. B. T. Sur les résultats de simulationToday, the main tool used by specialists in power electronics is the digital oscilloscope. As long as it is used to verify correctness of circuits working, its initial accuracy, generally, meets the needs. However, when fast power electronic switch characterization is at sake, required accuracy can't be directly reached. Operating modes must be optimized and corrections must be brought to measurement. Implementation of thèse corrections requires computer help and spends time. Before their development, it is good to be sure of their necessity. The aim of the first part of this work is to study causes of inaccuracy and their influence on measurement results. To do this, we take measurements with a maximum of care on an I. G. B. T. And we simulate, one by one, causes of errors. This study allows to détermine some références mark up to choice equipment or to judge the necessity of corrections. In a second part, we study the I. G. B. T. Modelling and, more generally, non-linear electrostatic four pôle modelling. By comparing measurements done on the I. G. B. T. With the results of simulation, we show influence of non-linear capacities of the I. G. B. T. On simulation
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Stein, Félix. „SPICE Modeling of TeraHertz Heterojunction bipolar transistors“. Thesis, Bordeaux, 2014. http://www.theses.fr/2014BORD0281/document.
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Les études qui seront présentées dans le cadre de cette thèse portent sur le développement et l’optimisation des techniques pour la modélisation compacte des transistors bipolaires à hétérojonction (TBH). Ce type de modélisation est à la base du développement des bibliothèques de composants qu’utilisent les concepteurs lors de la phase de simulation des circuits intégrés. Le but d’une technologie BiCMOS est de pouvoir combiner deux procédés technologiques différents sur une seule et même puce. En plus de limiter le nombre de composants externes, cela permet également une meilleure gestion de la consommation dans les différents blocs digitaux, analogiques et RF. Les applications dites rapides peuvent ainsi profiter du meilleur des composants bipolaires et des transistors CMOS. Le défi est d’autant plus critique dans le cas des applications analogiques/RF puisqu’il est nécessaire de diminuer la puissance consommée tout en maintenant des fréquences de fonctionnement des transistors très élevées. Disposer de modèles compacts précis des transistors utilisés est donc primordial lors de la conception des circuits utilisés pour les applications analogiques et mixtes. Cette précision implique une étude sur un large domaine de tensions d’utilisation et de températures de fonctionnement. De plus, en allant vers des nœuds technologiques de plus en plus avancés, des nouveaux effets physiques se manifestent et doivent être pris en compte dans les équations du modèle. Les règles d’échelle des technologies plus matures doivent ainsi être réexaminées en se basant sur la physique du dispositif. Cette thèse a pour but d’évaluer la faisabilité d’une offre de modèle compact dédiée à la technologie avancée SiGe TBH de chez ST Microelectronics. Le modèle du transistor bipolaire SiGe TBH est présenté en se basant sur le modèle compact récent HICUMversion L2.3x. Grâce aux lois d’échelle introduites et basées sur le dessin même des dimensions du transistor, une simulation précise du comportement électrique et thermique a pu être démontrée.Ceci a été rendu possible grâce à l’utilisation et à l’amélioration des routines et méthodes d’extraction des paramètres du modèle. C’est particulièrement le cas pour la détermination des éléments parasites extrinsèques (résistances et capacités) ainsi que celle du transistor intrinsèque. Finalement, les différentes étapes d’extraction et les méthodes sont présentées, et ont été vérifiées par l’extraction de bibliothèques SPICE sur le TBH NPN Haute-Vitesse de la technologie BiCMOS avancée du noeud 55nm, avec des fréquences de fonctionnement atteignant 320/370GHz de fT = fmaxThe aim of BiCMOS technology is to combine two different process technologies intoa single chip, reducing the number of external components and optimizing power consumptionfor RF, analog and digital parts in one single package. Given the respectivestrengths of HBT and CMOS devices, especially high speed applications benefit fromadvanced BiCMOS processes, that integrate two different technologies.For analog mixed-signal RF and microwave circuitry, the push towards lower powerand higher speed imposes requirements and presents challenges not faced by digitalcircuit designs. Accurate compact device models, predicting device behaviour undera variety of bias as well as ambient temperatures, are crucial for the development oflarge scale circuits and create advanced designs with first-pass success.As technology advances, these models have to cover an increasing number of physicaleffects and model equations have to be continuously re-evaluated and adapted. Likewiseprocess scaling has to be verified and reflected by scaling laws, which are closelyrelated to device physics.This thesis examines the suitability of the model formulation for applicability to production-ready SiGe HBT processes. A derivation of the most recent model formulationimplemented in HICUM version L2.3x, is followed by simulation studies, whichconfirm their agreement with electrical characteristics of high-speed devices. Thefundamental geometry scaling laws, as implemented in the custom-developed modellibrary, are described in detail with a strong link to the specific device architecture.In order to correctly determine the respective model parameters, newly developed andexisting extraction routines have been exercised with recent HBT technology generationsand benchmarked by means of numerical device simulation, where applicable.Especially the extraction of extrinsic elements such as series resistances and parasiticcapacitances were improved along with the substrate network.The extraction steps and methods required to obtain a fully scalable model library wereexercised and presented using measured data from a recent industry-leading 55nmSiGe BiCMOS process, reaching switching speeds in excess of 300GHz. Finally theextracted model card was verified for the respective technology
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Martin, Hugo. „Optimisation multi-objectifs et élicitation de préférences fondées sur des modèles décisionnels dépendants du rang et des points de référence“. Electronic Thesis or Diss., Sorbonne université, 2022. http://www.theses.fr/2022SORUS101.
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Cette thèse se situe dans le cadre de la théorie de la décision algorithmique, domaine de recherche à l'intersection de la théorie de la décision, de l'intelligence artificielle et de la recherche opérationnelle. Nous nous intéressons à la prise en compte de comportements sophistiqués dans des environnements complexes (décision multicritère, décision collective, décision dans le risque et l'incertain). Nous proposons d'abord des méthodes d'optimisation multi-objectifs sur domaine implicite lorsque les préférences sont représentées par des modèles dépendants du rang (intégrale de Choquet, bipolar OWA, Cumulative Prospect Theory et intégrale de Choquet bipolaire). Ces méthodes reposent sur des approches de programmation mathématique et d'algorithmique discrète. Ensuite, nous présentons des méthodes d'élicitation incrémentale des paramètres de modèles dépendants du rang permettant de prendre en compte la présence d'un point de référence dans les préférences d'un décideur (bipolar OWA, Cumulative Prospect Theory, intégrale de Choquet avec capacités et bicapacités). Finalement, nous abordons la modification structurelle de solutions sous contraintes (coût, qualité) dans des méthodes de tri à plusieurs points de référence. Les différentes approches proposées dans cette thèse ont été testées et nous présentons les résultats numériques obtenus afin d'illustrer leur efficacité pratiqueThis thesis work falls within the research field of algorithmic decision theory, which is defined at the junction of decision theory, artificial intelligence and operations research. This work focuses on the consideration of sophisticated behaviors in complex decision environments (multicriteria decision making, collective decision making and decision under risk and uncertainty). We first propose methods for multi-objective optimization on implicit sets when preferences are represented by rank-dependent models (Choquet integral, bipolar OWA, Cumulative Prospect Theory and bipolar Choquet integral). These methods are based on mathematical programming and discrete algorithmics approaches. Then, we present methods for the incremental parameter elicitation of rank-dependent model that take into account the presence of a reference point in the decision maker's preferences (bipolar OWA, Cumulative Prospect Theory, Choquet integral with capacities and bicapacities). Finally, we address the structural modification of solutions under constraints (cost, quality) in multiple reference point sorting methods. The different approaches proposed in this thesis have been tested and we present the obtained numerical results to illustrate their practical efficiency
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Ardouin, Bertrand. „Contribution à la modélisation et à la caractérisation en hautes fréquences des transistors bipolaires à hétérojonction Si/SiGe“. Bordeaux 1, 2001. http://www.theses.fr/2001BOR12465.
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Le regain d'intérêt récent pour les technologies bipolaires, induit par les transistors bipolaires à hétérojonction Silicium Germanium (TBH SiGe) a mis en lumière les problèmes liés à la modélisation compacte (ou électrique) de ces composants. En effet, le gain en performance qu'autorisent ces technologies avancées a accru les possibilités et le champ des applications, mais a dans le même temps rendu critiques les contraintes liées à leur modélisation précise. Ce mémoire développe les points clefs liés à la modélisation des TBH SiGe. En premier lieu, le gain en performance apporté par les TBH SiGe est exprimé et quantifié via une étude physique dont le point de départ est l'ensemble des équations des semi-conducteurs. Les méthodes d'obtention de mesures sous pointes des dispositifs microélectroniques en continu et en hautes fréquences sont alors présentées, ainsi que les moyens de corrections des erreurs. Nous comparons ensuite les modèles électriques de transistors bipolaires existants (Gummel-Poon, VBIC, MEXTRAM et HICUM). Ceci permet de considérer le modèle HICUM comme candidat idéal pour la modélisation des TBH SiGe. Après une étape qui consiste en la réalisation d'une version modifiée en langage comportemental (HDL-A) du modèle HICUM, nous présentons un ensemble de méthodes originales destinées à l'extraction des paramètres de celui-ci.
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Frégonèse, Sébastien. „Contribution à la modélisation électrique sous l'aspect du dimensionnement des transistors bipolaires à hétérojonctions Si/SiGe“. Bordeaux 1, 2005. http://www.theses.fr/2005BOR12999.
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Le regain d'intérêt récent pour les technologies bipolaires, induit par les transistors bipolaires à hétérojonction Silicium Germanium (TBH SiGe) a mis en lumière les problèmes liés à la modélisation compacte de ces composants. Pour répondre à ces contraintes de nouveaux modèles complexes sont apparus (MEXTRAM et HICUM L2). La complexité de ces modèles a limité leur exploitation à cause de la difficulté d'extraction et de leur vitesse de convergence. Pour contourner ces problèmes, une hiérarchie de modèle a été créée avec le modèle HICUM L0, qui améliore fortement la précision comparée au modèle Gummel-Poon et améliore le temps de convergence par rapport aux modèles plus complexes. Sur les bases de ce modèle, des équations dépendantes de la géométrie ont été dérivées. Puis, des méthodes d'extraction mono-géométries puis, multi-géométries spécifiques à ce nouveau modèle sont développées. L'apparition des TBH SiGe sur couche mince de SOI a fortement modifié la structure du transistor avec notamment la disparition de la couche enterrée. Ces modifications structurelles se sont reportées sur les caractéristiques électriques. Ainsi, un nouveau modèle prenant en compte les spécificités de ces composants a été développé sur les bases du modèle HICUM L0. Ce modèle a été validé sur deux dispositifs.
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MAUREL, THIERRY. „Modele electrothermique unidimensionnel du transistor bipolaire de puissance pour la simulation de circuits“. Paris 11, 1995. http://www.theses.fr/1995PA112476.
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Nous avons developpe un modele electrothermique unidimensionnel du transistor bipolaire de puissance dans le simulateur de circuits saber. Au niveau electrique, la dynamique de la charge stockee dans le collecteur, preponderante pour ce type de composant, est prise en compte de facon non quasi-statique comme une variable d'etat du modele pour developper les solutions correspondant au mode statique et aux differents transitoires d'ouverture et de fermeture du transistor. Le modele thermique prend en compte les echanges de chaleur entre la puce de silicium et son environnement. Deux versions du modele thermique ont ete developpees: la premiere est unidimensionnelle et utilise l'analogie thermique-electrique et les notions de resistance thermique et de capacite thermique. La deuxieme est dediee aux structures bipolaires et utilise un calcul a deux dimensions de la temperature dans le silicium pour mettre en evidence l'apparition d'un gradient de temperature longitudinal en surface de puce pour les fortes puissances dissipees. Le modele complet du transistor prend en compte le couplage electrothermique temperature-puissance dissipee par l'intermediaire de lois de dependance en temperature affectees aux parametres physiques du silicium. Le modele est valide par la caracterisation de plusieurs transistors bipolaires de puissance du commerce, tant au niveau de son fonctionnement purement electrique en mode statique et transitoire (sans autoechauffement) que de son comportement lorsque le transistor est soumis a de forts autoechauffements
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Labniouri, Charaf. „Simulation numérique uni et bidimensionnelle de composants bipolaires“. Montpellier 2, 1990. http://www.theses.fr/1990MON20116.
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Dans la premiere partie de cette these, nous avons expose une methode simple et rapide de modelisation des composants bipolaires, basee sur la resolution unidimensionnelle des equations de transport. Le modele a ete tout d'abord applique a une photodiode realisee et caracterisee au laboratoire, puis a un transistor bipolaire. Les caracteristiques electriques sont tres realistes compte tenu de la simplicite du modele. La seconde partie est consacree a la mise en uvre d'un simulateur de composants bipolaires: bip-2d, base sur la resolution bidimensionnelle des equations de transport. Des resultats sont presentes pour trois types differents de transistors bipolaires
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Trémouilles, David. „Optimisation et modélisation de protections intégrées contre les décharges électrostatiques, par l'analyse de la physique mise en jeu“. Toulouse, INSA, 2004. http://www.theses.fr/2004ISAT0016.
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Les travaux présentés dans ce mémoire visent à améliorer la méthodologie de conception et les performances des stratégies de protection contre les décharges électrostatiques (ESD) dans les circuits intégrés. Pour cela, l'approche choisie est basée sur une analyse approfondie de la physique des composants soumis aux ESD et plus particulièrement, les effets des très fortes densités de courant. L'étude, focalisée sur les transistors bipolaires autopolarisés, s'appuie sur la simulation physique 2D et l'utilisation des outils de localisation de défaillance basés sur les techniques de stimulation laser. L'analyse physique en résultant a permis d'une part, de définir des règles de dessin universelles pour l'obtention d'une robustesse ESD élevée et d'autre part, de proposer des macro-modèles de type SPICE originaux pour prendre en compte les effets des fortes densités de courant. Enfin, après avoir mis en évidence plusieurs phénomènes limitant les performances des réseaux de protection, nous avons défini une méthodologie de conception améliorée permettant de les prendre en compte et de garantir la performance des solutions de protections fournies aux concepteurs de circuitsThe research work presented in this thesis is aimed at improving the performance of electrostatic discharges (ESD) protection and the related design methodology for integrated circuits. To achieve this goal, a thorough analysis of the physical mechanisms involved and more precisely of high current density effects has been carried out. Such a study, focused on self-biased bipolar transistors, has been achieved with the help of 2D-numerical simulation and failure localization techniques based on laser stimulation. New universal design guidelines resulting in high performance ESD protections and original SPICE macro-models that take into account high current density effects, are proposed. Finally, the physical mechanisms limiting the performance of ESD protection networks are studied. To cope with these issues, an improved design methodology that guarantees the robustness of ESD protections used by circuit designers, is proposed
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Debrie, Jean-Luc. „Modèle "distribué" de transistor IGBT pour simulation de circuits en électronique de puissance“. Toulouse, INSA, 1996. http://www.theses.fr/1996ISAT0046.
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L'equation de diffusion ambipolaire, qui decrit la dynamique distribuee des charges dans les bases des composants bipolaires, peut etre resolue par le biais d'une analogie electrique. La these presente les fondements theoriques et la pratique de la nouvelle approche de modelisation ainsi permise, dans le cas representatif des transistors bipolaires a commande isolee (igbt). Les divers types d'igbt, a base homogene ou a couche tampon, sont pris en consideration. Le modele est valide d'un point de vue physique, les parametres de simulation etant extraits des donnees de structure et de technologie concernant les composants etudies. L'accord obtenu entre caracteristiques calculees et mesurees montre la pertinence de l'approche pour des objectifs de simulation des interactions composant-circuit en electronique de puissance.
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Waldhoff, Nicolas. „Caractérisations et modélisations des technologies CMOS et BiCMOS de dernières générations jusque 220 GHz“. Thesis, Lille 1, 2009. http://www.theses.fr/2009LIL10132/document.
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Le contexte de ce travail de thèse s’inscrit dans les récents progrès des performances en gamme millimétrique des composants silicium tels que les MOSFET et les HBT SiGe. La situation actuelle en termes de circuits à base de silicium est limitée en fréquence autour de 60 GHz, seuls quelques résultats au-delà de 100 GHz ont d’ores et déjà été publiés. Dans ce contexte, il est maintenant nécessaire de savoir si les nouvelles et futures générations de transistors silicium peuvent adresser des fréquences encore plus élevées (jusque 220 GHz). Ces applications pourraient être des blocs d’émission réception à faible portée et très haut débit. Les aspects inconnus sont : 1) la validité des techniques de mesures sur silicium jusque 220 GHz ; 2) le comportement fréquentiel des transistors silicium jusque 220 GHz ; 3) la modélisation des transistors dans ces gammes de fréquences nécessaire à la conception de fonctions millimétriques. Des études à partir de simulations électromagnétiques ont été menées afin d’optimiser les structures de test (accès et topologie optimale des transistors). Ce travail est accentué sur les techniques de calibrage et d’épluchage sous pointes jusque 220 GHz. De plus, les études ont été orientées, d’une part, sur l’amélioration des modèles électriques des transistors jusque 220 GHz et d’autre part, la validité des modèles de bruit jusqu’en bande W (75-110 GHz). Pour cet aspect, le travail a été orienté sur l’élaboration de deux méthodes de mesure permettant de valider les modèles de bruit par des méthodes de mesures transférables en milieu industriel. A partir de ces modèles établis et validés, des démonstrateurs ont été réalisés fonctionnant en bande GThe motivation of this work inherits from the recent progress in terms of cut-off frequencies of silicon transistors such as MOSFET (bulk and SOI) and SiGe HBT. In 2006, the state-of-the-art cut-off frequencies achieved more than 300 GHz. Nowadays, silicon circuits are limited around 60 GHz, only few with the exception of few circuits which operate at frequencies higher than 100 GHz (VCO at 130 GHz with SiGe HBT). In this context, it is highly required to check the ability of new and future generations of silicon transistors to provide higher cut-off frequencies especially in G band (140-220 GHz). These applications could be transmitter-receiver systems with high data rates and short distances. The unknown aspects are: 1) the validation of silicon transistors measurement up to 220 GHz; 2) the frequency behaviour of silicon transistors up to 220 GHz; 3) the modelling of these transistors. Electromagnetic simulations have been employed to optimize the test structures (the layout of the transistor). This work is particularly interested in calibration and de-embedding techniques for on-wafer measurements up to 220 GHz. Studies have been carried out on the small signal equivalent circuit improvement as well as the validation of the noise models in W band (75-110 GHz). From these validated models, pre-adapted transistors have been realised in G band. The development of measurement techniques adequate for the industry is the purpose of this work
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Ammous, Anis. „Modélisation électrothermique de l'I. G. B. T. (Transistor bipolaire à grille isolée) : application à la simulation du court-circuit“. Lyon, INSA, 1998. http://www.theses.fr/1998ISAL0075.
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Un composant de puissance en pleine expansion de nos jours est l'IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor). L'une des caractéristiques de ce composant, qui le rend attractif pour les utilisateurs, est sa tenue aux courts-circuits. Le travail proposé a été d'étudier la faisabilité de la modélisation et de la simulation des phases de destruction de l'IGBT. Ce travail a permis d'estimer, par la simulation, les risques de défaillance d'un composant soumis à des sollicitations sévères et accidentelles dans un système électrique. L'étude des modes de destruction a commencé par des observations expérimentales du fonctionnement et de la phase de destruction (tests destructifs) de quelques IGBT soumis à des courts-circuits provoqués par des perturbations multiples. L'a1nalyse de quelques modèles thermiques et de leurs précisions respectives vis-à-vis des surcharges de courtes durées a été faite. Elle montre un net avantage de la méthode des éléments finis sur la méthode des différences finies, pourtant largement utilisée dans les simulations de circuits pour les modèles thermiques. Une nouvelle méthode pour l'estimation expérimentale de la température maximale dans I'IGBT a été présentée. Elle repose sur la mesure du courant de saturation pour une tension de grille légèrement supérieure au seuil. Enfin, des simulations des phénomènes électrothermiques ont permis d'analyser le comportement critique de l'IGBT. Pour cela, plusieurs outils de modélisations et de simulations (ATLAS 2D. PACTE. SABER, etc. . . . ) ont été utilisés afin de reproduire les différents comportements de I'TGBT. La modélisation électrique de l'IGBT a reposée sur le modèle d'A. Hefner. La confrontation des résultats de simulations avec ceux de l'expérience a permis d'ajuster les paramètres technologiques des modèles développés pour reproduire au mieux le comportement du composant et de valider aussi les modèles développésIGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistor) are power components more and more used today. One of the component characteristic, making it very attractive to users, is it's short-circuit capability. The proposed study treats the feasibility of modeling and simulation of IGBT destruction phase. We have shown that it is possible to predict the failure of IGBT submitted to strong and accidentai stress in electrical systems. The study of destruction modes are begins with experimental observations of operating and failure phases (destructive tests), for IGBTs under short-circuits induced by various perturbations. Some thermal models are analysed and their respective precision regarding short time overloads, are studied. It is discussed the advantage of finite element method compared to the difference element method which is largely used in thermal model inside circuit simulators. A new method to estimate maximal temperature in IGBTs by mean of experiments is presented. This method is based on saturation current measurements at law gate-to-source voltage during a cooling phase. Electrothermal simulations enable to study the IGBT critical behaviour. Many modeling and simulation tools (ATLAS 20, PACTE, SABER) are applied to model the IGBT critical behaviour. The electrical modeling of IGBTs is based on the analytical mode! by A. Hefner. Measurement and simulation results enable to predict the model parameters and they validate the developed models
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Mnif, Hassène. „Contribution à la modélisation des transistors bipolaires à hétérojonction Si/SiGe en température“. Bordeaux 1, 2004. http://www.theses.fr/2004BOR12786.
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La prise en compte de l'effet de la température et en particulier de l'auto-échauffement est un aspect fondamental pour rendre compte de manière précise des caractéristiques électriques des transistors bipolaires à hétérojonction Si/SiGe. L'utilisation de ces composants dans des applications micro-ondes susceptibles d'être exposées à diffférentes températures et fonctionnant pour des fortes densités de courant accentuent énormément ces effets. Par conséquent, une modélisation préscise de ces phénomènes est indispensable. Un modèle dynamique décrivant l'auto-échauffement, caractérisé par une élevation de la température de jonction, a été développé. Une équivalence électrique de ce modèle analytique a été réalisée afin qu'il soit compatible avec des modèles électriques de type SPICE. Un banc de test spécifique pour évaluer le nouveau modèle et extraire ses paramètres a été mis en oeuvre. Dans une deuxième partie, la dépendance en température des différents paramètres qui peuvent intervenir dans un modèle électrique compact et en particulier dans le modèle HICUM a été étudiéeThe consideration of the temperature and in particular of he self-heating effect in Si/SiGe heterojunction bipolar transistors is a fundamental aspect to predict in a precise way these electric characteristics. The use of these components in microwaves applications exposes to various tempertaures and strong densities of current, accentuates enormously these effects. Consequently, a precie modelling of these phenomena is necessary. A dynamic model describing the self-heatinng, characterized by a rise in the junction temperature, is developed. An electric equivalence close to the analytical model, compatible with SPICE electric models type, is established. A specific test bench is used in order to evaluate the new model and to extracts its parameters. In a second part, the temperature dependence of the various compact model parameters is studied, in particular in the HICUM model
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Ang, Oon Sim. „Modeling of double heterojunction bipolar transistors“. Thesis, University of British Columbia, 1990. http://hdl.handle.net/2429/29458.
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A one-dimensional analytical model in the Ebers-Moll formulation of a graded base double
heterojunction bipolar transistor (DHBT) is developed and used to examine the effects of base grading, the emitter-base barrier and the base-collector barrier on the d.c. current gain, offset voltage and the high frequency performance of a N — Al[formula omitted]Ga₁[formula omitted]As/p — Al[formula omitted]Ga₁[formula omitted]As/N — Al[formula omitted]Ga₁[formula omitted]As DHBTs. Recombination processes considered in the space charge regions and the neutral regions are: Shockley-Read-Hall, radiative and Auger. The trade-off between base-grading, which reduces the base current, and the neutral base recombination, which is brought about by varying the aluminium the junctions, results in an optimum aluminium mole fraction profile regarding the d.c. current gain. For high frequency performance, a similar trade-off to that of the d.c. situation
exists. In this case, the important manifestation of the increased collector-base barrier height is an increase in the base transit time. The aluminium mole fraction profile which optimises the unity gain cut-off frequency, f[formula omitted], and the unity power gain cut-off frequency, f[formula omitted], is established. DHBTs which are symmetrical, both in aluminium mole fraction and doping concentration profiles, are shown to have low common-emitter offset voltages, V[formula omitted],[formula omitted]. Base-grading reduces V[formula omitted],[formula omitted] in devices in which the difference between the emitter and collector aluminium mole fraction is < 0.1; otherwise, V[formula omitted],[formula omitted] increases as base-grading increases. The model is also used to examine the performance of a N-Al[formula omitted]Ga₁[formula omitted]As/p-In[formula omitted]Ga₁[formula omitted]As/N-Al[formula omitted]Ga₁[formula omitted]As DHBT. It is shown that radiative and Auger recombination limit the d.c. current gain in this device.Applied Science, Faculty of
Electrical and Computer Engineering, Department of
Graduate
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Malherbe, Victor. „Multi-scale modeling of radiation effects for emerging space electronics : from transistors to chips in orbit“. Thesis, Aix-Marseille, 2018. http://www.theses.fr/2018AIXM0753/document.
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En raison de leur impact sur la fiabilité des systèmes, les effets du rayonnement cosmique sur l’électronique ont été étudiés dès le début de l’exploration spatiale. Néanmoins, de récentes évolutions industrielles bouleversent les pratiques dans le domaine, les technologies standard devenant de plus en plus attrayantes pour réaliser des circuits durcis aux radiations. Du fait de leurs fréquences élevées, des nouvelles architectures de transistor et des temps de durcissement réduits, les puces fabriquées suivant les derniers procédés CMOS posent de nombreux défis. Ce travail s’attelle donc à la simulation des aléas logiques permanents (SEU) et transitoires (SET), en technologies FD-SOI et bulk Si avancées. La réponse radiative des transistors FD-SOI 28 nm est tout d’abord étudiée par le biais de simulations TCAD, amenant au développement de deux modèles innovants pour décrire les courants induits par particules ionisantes en FD-SOI. Le premier est principalement comportemental, tandis que le second capture des phénomènes complexes tels que l’amplification bipolaire parasite et la rétroaction du circuit, à partir des premiers principes de semi-conducteurs et en accord avec les simulations TCAD poussées.Ces modèles compacts sont alors couplés à une plateforme de simulation Monte Carlo du taux d’erreurs radiatives (SER) conduisant à une large validation sur des données expérimentales recueillies sous faisceau de particules. Enfin, des études par simulation prédictive sont présentées sur des cellules mémoire et portes logiques en FD-SOI 28 nm et bulk Si 65 nm, permettant d’approfondir la compréhension des mécanismes contribuant au SER en orbite des circuits intégrés modernesThe effects of cosmic radiation on electronics have been studied since the early days of space exploration, given the severe reliability constraints arising from harsh space environments. However, recent evolutions in the space industry landscape are changing radiation effects practices and methodologies, with mainstream technologies becoming increasingly attractive for radiation-hardened integrated circuits. Due to their high operating frequencies, new transistor architectures, and short rad-hard development times, chips manufactured in latest CMOS processes pose a variety of challenges, both from an experimental standpoint and for modeling perspectives. This work thus focuses on simulating single-event upsets and transients in advanced FD-SOI and bulk silicon processes.The soft-error response of 28 nm FD-SOI transistors is first investigated through TCAD simulations, allowing to develop two innovative models for radiation-induced currents in FD-SOI. One of them is mainly behavioral, while the other captures complex phenomena, such as parasitic bipolar amplification and circuit feedback effects, from first semiconductor principles and in agreement with detailed TCAD simulations.These compact models are then interfaced to a complete Monte Carlo Soft-Error Rate (SER) simulation platform, leading to extensive validation against experimental data collected on several test vehicles under accelerated particle beams. Finally, predictive simulation studies are presented on bit-cells, sequential and combinational logic gates in 28 nm FD-SOI and 65 nm bulk Si, providing insights into the mechanisms that contribute to the SER of modern integrated circuits in orbit
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Benoit, Patrice. „Influence de paramètres technologiques sur le bruit basse fréquence des transistors bipolaires à hétérojonction Si[slash]SiGe[deux points]C“. Montpellier 2, 2005. http://www.theses.fr/2005MON20211.
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Balster, Jörg Henning. „Membrane module and process development for monopolar and bipolar membrane electrodialysis“. Enschede : University of Twente [Host], 2006. http://doc.utwente.nl/57595.
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Delaney, Larry Duane. „A computer program for the extraction of bipolar transistor spice models /“. Online version of thesis, 1992. http://hdl.handle.net/1850/11451.
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El, Moudden Abdelhadi. „Modélisation de l'amplificateur classe C et généralisation à la multiplication de deux signaux et au changement de fréquence en technologies unipolaire et bipolaire“. Toulouse, INPT, 1993. http://www.theses.fr/1993INPT065H.
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Nous proposons une mise en uvre de l'approche en deux morceaux dans l'etude de l'amplificateur classe c en technologies unipolaire et bipolaire. Cette approche presente l'interet d'une grande simplicite, puisque l'on considere le composant comme ideal, et il lui correspond une solution analytique relativement simple. Pour notre part, nous allons utiliser differentes methodes d'approche, l'une par morceaux et qui est une generalisation de la commutation, l'autre exacte qui tiendra compte du phenomene non lineaire du composant. C'est la mise en application de cette demarche qui a ete respectee dans notre modelisation. Nous etudions ensuite les principes generaux de la multiplication de deux signaux et du changement de frequence, tout en comparant la realisation de ces fonctions en technologies unipolaire et bipolaire pour les montages simple differentiel et double differentiel. Il etait cependant interessant de parler a ce niveau de l'effet de la degenerescence dans tous les montages essentiels de base traites
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Dubois, Emmanuel. „Simulation bidimensionnelle de dispositif silicium : contribution à l'étude de phénomènes parasites en technologies MOS et bipolaire“. Lille 1, 1990. http://www.theses.fr/1990LIL10028.
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La simulation de dispositif électrique constitue un moyen efficace d'analyse des phénomènes de transport dans les composants semiconducteurs. Elle est, à ce titre, largement utilisée en tant qu'outil d'optimisation et d'aide au développement de technologies silicium. Cette thèse propose une contribution à la compréhension de problèmes électriques critiques rencontrés dans des dispositifs fortement influencés par les effets bidimensionnels. Concernant les technologies mos, l'efficacité d'isolation de structures de type locos est etudiée par le biais d'une approche semi-analytique déduite de simulations couplées procédé/dispositif, d'une part, et de la confrontation à des résultats expérimentaux, d'autre part: les performances d'isolation y sont interprétées en terme de longueur effective de canal et sont conditionnées par la forme et la hauteur de la barrière de potentiel développée sous l'oxyde de champ. Deux thèmes essentiels ont été abordés en technologie bipolaire. Le premier traite du phénomène de perçage dans les transistors npn à émetteur muré : un pincement de base localisé au voisinage de la structure d'isolation est mis en évidence. La principale conséquence de cet effet réside en une extrême sensibilité des courants de perçage en fonction de légères variations effectuées sur les paramètres nominaux du procédé. Le second thème d'étude dédié aux dispositifs bipolaires concerne les limitations des performances de transistors pnp latéraux. La dégradation du gain en régime de faible injection est expliquée par les phénomènes de recombinaison à si/sio2. L'effet de charges fixes surfaciques y est également traité. Afin de pouvoir prendre en compte la spécificité de ces problèmes, un simulateur bidimensionnel de dispositif, impact3. 2, a été mis au point. Basé sur une méthode étendue de différences finies rectangulaires, cet outil de simulation a été développé dans le souci de répondre aux exigences suivantes : rapidité d’exécution, traitement de géométries non planes, adaptation aux technologies MOS et bipolaires, couplage à la simulation de procédé
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Filsecker, Felipe. „Characterization and evaluation of a 6.5-kV silicon carbide bipolar diode module“. Doctoral thesis, Saechsische Landesbibliothek- Staats- und Universitaetsbibliothek Dresden, 2017. http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:14-qucosa-217848.
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This work presents a 6.5-kV 1-kA SiC bipolar diode module for megawatt-range medium voltage converters. The study comprises a review of SiC devices and bipolar diodes, a description of the die and module technology, device characterization and modelling and benchmark of the device at converter level. The effects of current change rate, temperature variation, and different insulated-gate bipolar transistor (IGBT) modules for the switching cell, as well as parasitic oscillations are discussed. A comparison of the results with a commercial Si diode (6.5 kV and 1.2 kA) is included. The benchmark consists of an estimation of maximum converter output power, maximum switching frequency, losses and efficiency in a three level (3L) neutral point clamped (NPC) voltage-source converter (VSC) operating with SiC and Si diodes. The use of a model predictive control (MPC) algorithm to achieve higher efficiency levels is also discussed. The analysed diode module exhibits a very good performance regarding switching loss reduction, which allows an increase of at least 10 % in the output power of a 6-MVA converter. Alternatively, the switching frequency can be increased by 41 %.
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Goi, Pedro Domingues. „Evidências clinicas para o modelo de neuroprogressão no transtorno bipolar“. reponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da UFRGS, 2014. http://hdl.handle.net/10183/106844.
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O Transtorno Bipolar (TB) é uma patologia prevalente, grave, crônica, e que apresenta um curso longitudinal muito pior que se imaginava décadas atrás. Além da alternância entre períodos de depressão, mania e eutimia, a recorrência e a progressão do TB conferem gravidade e frequência crescentes aos episódios. A neuroprogressão foi um termo cunhado para definir a aceleração do processo de doença e seus fatores subjacentes, como alterações de biomarcadores periféricos, funções cognitivas, neuroimagem e funcionalidade, que emergem em graus variáveis dependendo da fase de evolução. Todas estas evidências justificaram a classificação do TB em estágios clínicos teóricos distintos, que ainda carecem de validação empírica. Um dos mais recentes deles propõe 1 estágio latente e 4 estágios clínicos distintos (Kapczinski et al, 2009) (1). O presente trabalho avaliou, portanto, as diferentes estratégias farmacológicas para a manutenção da eutimia em uma amostra de pacientes com TB em diferentes estágios (artigo 1), e a associação do atraso no tratamento do primeiro episódio com fatores de pior prognóstico e com os estágios do TB (artigo 2). Em conjunto, os resultados mostraram que a abordagem farmacológica instituída pelo psiquiatra clínico, necessária para manter o paciente em eutimia, é diferente conforme a classificação em estágios. O número de fármacos prescrito também está relacionado ao declínio da funcionalidade. Além disso, o atraso no início do tratamento do TB é diretamente proporcional ao estágio de evolução da doença, e está relacionado a fatores de pior prognóstico, como o número de episódios. Os achados fornecem evidência para modificar certas intervenções no TB: a primeira, que diretrizes de tratamento poderiam considerar os estágios, visando um tratamento mais personalizado para guiar a eficácia do tratamento; e por último, que o esforço em diagnosticar e tratar o TB com precisão e rapidez pode ser uma das medidas para frear a neuroprogressão.Bipolar Disorder (TB) is a severe, prevalent, and chronic disease, that exhibits worse longitudinal course than previously thought. Beyond the switching phases of depression, mania and euthymia, recurrence and progression of TB increases severity and frequency of episodes. The neuroprogression was a term created to define the acceleration of the disease and its underlying factors, such as changes in peripheral biomarkers, in cognitive performance, in neuroimaging and functioning, that emerge in different degrees depending on the stage of evolution. All those evidences justify the classification of TB in different clinical stages, which still lack empirical validation. One of most recently proposed staging model describes 1 latent stage and 4 clinical stages (Kapczinski et al, 2009) (1). The present study therefore evaluated the different pharmacological strategies for the maintenance of euthymia in a sample of TB patients at different stages (Article 1), and the association of first-episode tretament delay with poor prognosis and BD stages (Article 2). Together, the results showed that maintenance pharmacological treatment in a naturallistic setting is different according to the staging classification. The number of drugs prescribed is also associated to functioning. Moreover, the treatment delay is positively correlated to the stage of the disease, and is related to poor outcomes (i.e. number of episodes). The findings provide evidence to modify certain interventions in TB: first, that treatment guidelines might consider staging to provide tailored approaches and to guide treatment efficacy; and secondly, that the effort to accurately diagnose and treat TB can be one of the measures to restrain neuroprogression.
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Kahn, Mathias. „Transistor Bipolaire à Hététrojonction GaInAs/InP pour circuits ultra-rapides : structure, fabrication et caractérisation“. Phd thesis, Université Paris Sud - Paris XI, 2004. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00006792.
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L'ESSOR DES TÉLÉCOMMUNICATIONS À L'ÉCHELLE MONDIALE QU'A CONNU LA FIN DU XXÈME SIÈCLE A ÉTÉ RENDU POSSIBLE PAR L'EXISTENCE DE RÉSEAUX À BASE DE FIBRES OPTIQUES, CAPABLES DE TRANSMETTRE DES FLUX DE DONNÉES IMPORTANTS SUR DE LONGUES DISTANCES. LA GESTION DE CES IMPORTANTS FLUX D'INFORMATION EN AMONT ET EN AVAL DE LA FIBRE REQUIERT DES CIRCUITS ÉLECTRONIQUES NUMÉRIQUES ET ANALOGIQUES TRAITANT DES DÉBITS DE DONNÉES SUPÉRIEURS À 40GB/S, CE QUI IMPLIQUE L'UTILISATION DE COMPOSANTS TRÈS RAPIDES, AVEC DES FRÉQUENCES DE TRANSITION AU-DELÀ DE 150GHZ. GRÂCE AUX REMARQUABLES PROPRIÉTÉS DE LA FAMILLE DE MATÉRIAUX III-V EN TERMES DE TRANSPORT ÉLECTRIQUE, LE TRANSISTOR BIPOLAIRE À HÉTÉROJONCTION GAINAS/INP SE CLASSE COMME L'UN DES TRANSISTORS LES PLUS RAPIDES ACTUELLEMENT, ET PERMET LA RÉALISATION DE TELS CIRCUITS OPÉRATIONNELS À TRÈS HAUTE FRÉQUENCE. LA MISE EN PLACE D'UNE FILIÈRE COMPLÈTE DE FABRICATION DE CIRCUITS À BASE DE TBH NÉCESSITE QUE SOIT MAÎTRISÉ UN GRAND NOMBRE D'ÉTAPES. UN CERTAIN NOMBRE D'ENTRE ELLES TOUCHE DIRECTEMENT AU COMPOSANT: CONCEPTION, ÉPITAXIE, FABRICATION TECHNOLOGIQUE, CARACTÉRISATION... A CES ÉTAPES DOIT ÊTRE AJOUTÉE UNE CERTAINE COMPRÉHENSION DES PHÉNOMÈNES PHYSIQUES INTERVENANT DANS LE DISPOSITIF. DANS CE TRAVAIL DE THÈSE, LES PROBLÉMATIQUES LIÉES À L'OPTIMISATION DU TBH GAINAS/INP, AINSI QUE CERTAINES QUESTIONS RELATIVES AUX MÉCANISMES PHYSIQUES MIS EN JEU SONT PRÉSENTÉES.
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Frey, Benício Noronha. „Desenvolvimento de um modelo animal de mania : correlação com marcadores bioquímicos“. reponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da UFRGS, 2006. http://hdl.handle.net/10183/8169.
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Embora há muito tempo se considere que alterações neurobiológicas tenham um papel central no transtorno bipolar (TB), os mecanismos moleculares ligados à sua fisiopatologia permanecem desconhecidos. A hipótese atual sugere que alterações nos circuitos cerebrais associados à regulação do humor e alterações em sistemas de sinalização intracelular associados à plasticidade e sobrevivência neuronal estão envolvidas no TB. Modelos animais são ferramentas úteis que nos permitam testar estas hipóteses e a resposta aos agentes farmacológicos. Um dos mais bem estabelecidos modelos animais de mania é o de hiperatividade induzida por psicoestimulantes. Portanto, o objetivo dos nossos estudos foi desenvolver um modelo animal de mania avaliando os efeitos do tratamento agudo e crônico com d-anfetamina (ANF) na atividade locomotora em ratos Wistar adultos. Em paralelo, nós investigamos o estresse oxidativo induzido pela ANF no córtex pré-frontal (CPF), hipocampo (HIPO) e estriado. A atividade locomotora foi avaliada através do teste de campo aberto e o malondialdeído (TBARS), proteinas carbonila, superóxido dismutase (SOD) e a catalase (CAT) foram usados como parâmetros de estresse oxidativo. O uso agudo e crônico de ANF aumentou a atividade locomotora e induziu um estado de estresse oxidativo no CPF, HIPO e estriado. Além disso, o tratamento crônico com ANF aumentou a formação de superóxido e TBARS em partículas submitocondriais no CPF e HIPO. Em conjunto, estes resultados sugerem que o tratamento crônico com ANF induz hiperatividade e aumenta o estresse oxidativo no cérebro de ratos. Em uma segunda etapa, estudamos se os estabilizadores de humor litio (Li) e valproato (VPT) previnem e revertem a hiperatividade e as alterações dos marcadores bioquímicos induzidos pela ANF no HIPO de ratos. Com este modelo, observamos que o Li e o VPT reverteram e preveniram a hiperatividade e o estresse oxidativo induzidos pela ANF. Ainda, observamos que o Li e o VPT aumentaram o fator neurotrófico derivado do cérebro e que este efeito pode estar envolvido com o comportamento locomotor. Entretanto, embora o Li tenha aumentado o fator de crescimento neural no HIPO dos ratos, este efeito foi independente ao comportamento locomotor. Nós também estudamos os níveis de SOD, CAT, TBARS e o dano em DNA no soro de duas gemas monozigóticas durante episódio maníaco. As gêmeas bipolares apresentaram elevação em SOD, TBARS e dano ao DNA e redução da CAT que o controle. Os níveis de SOD e de TBARS normalizaram após o tratamento com Li e antipsicóticos. Estes achados estão de acordo com os resultados do modelo animal e indicam que o estresse oxidativo pode estar associado à fisiopatologia do TB. Em conclusão, nossos estudos sugerem que nosso modelo animal apresenta uma boa validade aparente, interpretativa e preditiva como um modelo animal de mania.Although it has long been considered that neurobiological changes play a critical role in bipolar disorder (BD), the molecular mechanisms underlying its pathophysiology remain largely unknown. Current hypothesis suggests that changes within the brain circuits associated with mood regulation, and altered intracellular signaling system associated with neuronal plasticity and survival are involved in BD. Animal models are useful tools that allow us to test these hypotheses and the response to pharmacological agents. One of the best established animal models of mania is the psychostimulant-induced hyperactivity. Therefore, the aim of our studies was to develop an animal model of mania assessing the effects of acute and chronic treatment of d-amphetamine (AMPH) on locomotor activity in adult Wistar rats. In parallel, we investigated AMPH-induced oxidative stress in the prefrontal cortex (PFC), hippocampus (HIPPO), and striatum. Locomotor activity was assessed using the open field test and malondialdehyde (TBARS), protein carbonyl, superoxide dismutase (SOD), and catalase (CAT) were used as oxidative stress parameters. Acute and chronic AMPH exposure increased the locomotor activity and induced an oxidative stress status in the PFC, HIPPO, and striatum. Moreover, chronic AMPH treatment increased superoxide and TBARS formation in submitochondrial particles in the PFC and HIPPO. Taken together, these results suggest that chronic AMPH treatment induces hyperactivity and increased oxidative stress in rat brain. As a second step we studied whether the mood stabilizers lithium (Li) and valproate (VPT) prevent and reverse AMPH-induced hyperactivity and changes in biochemical markers in rat HIPPO. Using this model, we observed that Li and VPT reversed and prevented AMPH-induced hyperactivity and oxidative stress. Further, we found that Li and VPT increased brain-derived neurotrophic factor, and that this effect may be associated with the locomotor behavior. However, although Li was able to increase nerve growth factor level in rat HIPPO, this effect was independent on locomotor behavior. We also studied serum SOD, CAT, TBARS, and DNA damage levels in two monozygotic twins during a manic episode. The bipolar twins had higher SOD, TBARS and DNA damage, and lower CAT than the control. SOD and TBARS levels were normalized after treatment with Li and antipsychotics. These findings are in accordance with the results from the animal model, and further indicate that oxidative stress may be associated with the pathophysiology of BD. In conclusion, our studies suggest that our model presents adequate face, construct, and predictive validity as an animal model of mania.
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Abrial, Erika. „Implication de la protéine kinase C dans les troubles bipolaires : vers de nouvelles cibles thérapeutiques“. Phd thesis, Université Claude Bernard - Lyon I, 2013. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00832777.
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Le trouble bipolaire est une maladie invalidante caractérisée par une alternance d'épisodes maniaques et dépressifs. Malgré des efforts de recherche notables, la physiopathologie et les mécanismes d'action des traitements du trouble bipolaire demeurent peu connus. La protéine kinase C (PKC) est récemment apparue comme une cible moléculaire potentielle pour le traitement du trouble bipolaire. Dans ce travail de thèse, nous avons cherché à étudier le rôle de la PKC dans les phases maniaque et dépressive du trouble bipolaire. Nous avons montré que l'inhibition de la PKC a un effet antimaniaque non seulement chez le rat naïf, mais aussi dans un modèle de manie basé sur une privation de sommeil, que nous avons validé au cours de notre étude. De plus, les inhibiteurs de la PKC sont capables de rétablir les déficits de prolifération cellulaire hippocampique que présentent les rats privés de sommeil. Ces effets prolifératifs et antimaniaques seraient indépendants, puisque le blocage de la prolifération cellulaire n'abolit pas l'efficacité antimaniaque des inhibiteurs de la PKC dans le modèle de privation de sommeil. En parallèle, nous avons montré que l'activation de la PKC a un effet antidépresseur chez le rat naïf, alors que son inhibition provoque un phénotype pseudodépressif qui s'accompagne d'une diminution de la prolifération cellulaire hippocampique. L'ensemble de ces données révèle une implication de la PKC dans les deux phases du trouble bipolaire, et soutient l'hypothèse qu'une suractivation du système PKC serait à l'origine des perturbations de neuroplasticité associées à la manie.
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Souza, Greicy Coelho de. „Estudo dos efeitos do carvedilol em um modelo animal de mania em ratos“. reponame:Repositório Institucional da UFC, 2013. http://www.repositorio.ufc.br/handle/riufc/7915.
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SOUZA, Greicy Coelho de. Estudo dos efeitos do carvedilol em um modelo animal de mania em ratos. 79 f. Dissertação (Mestrado em Farmacologia) - Universidade Federal do Ceará. Faculdade de Medicina, Fortaleza, 2013.Submitted by denise santos (denise.santos@ufc.br) on 2014-04-09T12:26:56Z No. of bitstreams: 1 2013_dis_gcsouza.pdf: 838295 bytes, checksum: 196f112b0c07b10b688e99fb93c04931 (MD5)
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Bipolar disorder (BD) is a psychiatric disorder with multifactorial development and neuroprogressive characterized by oscillation between periods of manic and depressive episodes. It is estimated that the disease affects about 1 - 2% of the worldwide population and it takes about 10 years to a definitive diagnosis and appropriate treatment. BD brings many impairment of quality of life of patients, generating high rates of functional disability, comorbidities such as hypertension during the clinical course of the disease and presenting a high prevalence of suicide. The pathophysiology of the disease remains unclear, but many efforts are employed in research to try to elucidate the possible mechanisms involved in BD. The pathways hypothesized to take part of BD pathophysiology includes: dopamine deregulation, increased oxidative stress, decreased levels of neurotrophins such as BDNF, mitochondrial dysfunction among others. Based on the described above we sought to investigate the effects of carvedilol, (CVD), a nonseletive beta-blocker widely used in the treatment of hypertension with antioxidant properties, in a model of mania induced by dimesilate of lisdexamfetamine (LDX) a prodrug metabolized to D-amphetamine, in rats. The experimental design of the study consisted evaluation of CVD against behavioral changes and oxidative stress alterations in two protocols of treatment, prevention and reversal using valproate (VAL) a humor stabilizer as standard drug to assess the effectiveness of CVD. In the prevention protocol the animals were pre-treated for 7 days with CVD, saline or VAL). In the reversal protocol the animals were pre-treated for 7 days with LDX and for further 7 days received CVD, saline or VAL plus LDX. The behavioral determinations of locomotor activity and social interaction were conducted 2 h after the last administration of LDX. Reduced glutathione (GSH) and lipid peroxidation (TBARS) levels were determined in brain areas of the prefrontal cortex (PFC) and striatum (EC) and brain-derived neurotrophic factor (BDNF) in the hippocampus (HC) rats. The results indicated that CVD prevented and reversed the hyperlocomotion and deficit in social contacts induced by LDX. In the neurochemical determinations CVD significantly prevented and reversed the alterations in BDNF, GSH and MDA levels induced by LDX presenting results comparable to those of saline and VAL groups. Therefore, the results of the present study indicates that CVD prevents reverts the behavioral and neurochemical alterations induced by LDX used as an animal model of mania being, thus, a potential drug for the treatment of BD.
O transtorno afetivo bipolar (TAB) é um transtorno psiquiátrico multifatorial, progressivo, que se caracteriza por uma oscilação entre episódios maníacos ou hipomaníacos e depressivos. Estima-se que o transtorno afete cerca de 1 – 2 % da população mundial. O diagnóstico definitivo e o tratamento adequado podem demorar 10 anos para se concretizar. Leva a grande prejuízo à qualidade de vida dos pacientes, gerando altas taxas de incapacidade funcional, comorbidades clínicas, como hipertensão e alta prevalência de suicídio. A fisiopatologia do transtorno ainda permanece obscura, porém muitos esforços são empregados em pesquisas para tentar elucidar os possíveis mecanismos envolvidos no TAB, bem como para melhorar seu tratamento. As hipóteses para explicar a fisiopatologia do TAB incluem: desregulação da dopamina, alterações mitocondriais, aumento do estresse oxidativo, redução dos níveis de neurotrofinas, dentre outras. Diante deste cenário, buscou-se investigar os possíveis efeitos antimaníacos do carvedilol (CVD), um beta-bloqueador não seletivo usado amplamente no tratamento da hipertensão arterial com comprovada ação antioxidante e neuroprotetora. Para tanto, se utilizou um modelo animal de mania induzido por dimesilado de lisdexanfetamina (LDX), recentemente validado por nosso grupo de pesquisa. O LDX é um pró-fármaco que se converte a D-anfetamina, a qual possui efeito psicoestimulante. O CVD foi avaliado em dois protocolos de tratamento, prevenção (simulando a fase de manutenção do TAB) e reversão (simulando a fase de crise do TAB), em ambos o valproato (VAL) foi utilizado como estabilizante do humor padrão. Foram avaliadas no presente estudo alterações comportamentais e de estresse oxidativo. Os animais submetidos aos protocolos de prevenção (animais pré-tratados durante 7 dias com CVD, VAL e Salina e por mais 7 dias com LDX 10 mg/kg) e reversão (pré-tratados durante 7 dias com LDX e posteriormente tratados com CVD, VAL e Salina) tiveram os níveis de glutationa reduzida (GSH) e de peroxidação lipídica (TBARS) determinados nas áreas cerebrais do córtex pré-frontal (PFC) e corpo estriado (CE) e o fator neurotrófico derivado do cérebro (BDNF) no hipocampo (HC). Os resultados indicaram que o CVD preveniu e reverteu a hiperlocomoção e comprometimento da interação social induzidas por LDX. Na avaliação neuroquímica o CVD foi capaz de aumentar prevenir e reverter as alterações nos níveis de GSH, BDNF e peroxidação lipídica dos animais submetidos ao modelo de mania com resultados comparáveis aos dos animais tratados com VAL e controles. Em conclusão, os resultados deste estudo revelaram que o CVD é um fármaco em potencial para o tratamento da mania, sendo indicados, portanto, estudos clínicos que comprovem a ação deste fármaco.
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Robilliart, Etienne. „Développement de modèles non-quasi-statiques MOS et bipolaires : application à l'analyse des effets de propagation de charges“. Lille 1, 1996. http://www.theses.fr/1996LIL10161.
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En raison de l'utilisation courante d'architectures particulièrement sensibles aux phénomènes de partage de charges, l'approche quasi-statique traditionnelle de modélisation ne suffit plus car elle conduit à des erreurs non-négligeables en simulation de circuits. Quand la complexité du circuit étudie est très faible, une simulation mixte des dispositifs et de leur environnement peut être entreprise. Ce type de simulation prend intrinsèquement en compte les phénomènes non-quasi-statiques. Pour cette raison, la première partie de cette thèse présente le développement d'un simulateur mixte 2d de dispositifs et son application a plusieurs exemples allant d'un inverseur logique simple, aux phénomènes complexes d'injection de charges dans les interrupteurs analogiques. Dans une seconde partie, trois nouveaux modèles compacts de dispositifs, prenant en compte les effets non-quasi-statiques, sont proposés. Le premier modèle, concernant un transistor bipolaire, est base sur une résolution analytique des équations de transport dans la région quasi-neutre de base. Il est montre, par rapport aux modèles existants, que les résultats petits et grands signaux sont effectivement améliorés. Deux autres modèles de transistors mos sur substrat massif ou sur film isolant (soi) sont bases sur une résolution numérique pseudo-bidimensionnelle de l'équation de poisson et des équations de transport. Compares a quelques simulations 2d de dispositif et a un modèle quasi-statique, ces modèles se révèlent être particulièrement précis et rapides. Finalement, leur application à la simulation de circuits sensibles aux effets non-quasi-statiques, comme les mémoires de courant, montre leurs avantages par rapport aux modèles quasi-statiques.