Zeitschriftenartikel zum Thema „MIS devices“
Geben Sie eine Quelle nach APA, MLA, Chicago, Harvard und anderen Zitierweisen an
Machen Sie sich mit Top-50 Zeitschriftenartikel für die Forschung zum Thema "MIS devices" bekannt.
Neben jedem Werk im Literaturverzeichnis ist die Option "Zur Bibliographie hinzufügen" verfügbar. Nutzen Sie sie, wird Ihre bibliographische Angabe des gewählten Werkes nach der nötigen Zitierweise (APA, MLA, Harvard, Chicago, Vancouver usw.) automatisch gestaltet.
Sie können auch den vollen Text der wissenschaftlichen Publikation im PDF-Format herunterladen und eine Online-Annotation der Arbeit lesen, wenn die relevanten Parameter in den Metadaten verfügbar sind.
Sehen Sie die Zeitschriftenartikel für verschiedene Spezialgebieten durch und erstellen Sie Ihre Bibliographie auf korrekte Weise.
Hawasli, Ammar H., Jawad M. Khalifeh, Ajay Chatrath, Chester K. Yarbrough und Wilson Z. Ray. „Minimally invasive transforaminal lumbar interbody fusion with expandable versus static interbody devices: radiographic assessment of sagittal segmental and pelvic parameters“. Neurosurgical Focus 43, Nr. 2 (August 2017): E10. http://dx.doi.org/10.3171/2017.5.focus17197.
Der volle Inhalt der QuelleAl-Begg, S. M., S. H. Saeed und A. S. Al-Rawas. „Thermal annealing effects on the electrical characteristics of alpha particles irradiated MIS device AuTa2O5GaAs“. Journal of Ovonic Research 19, Nr. 4 (Juli 2023): 359–67. http://dx.doi.org/10.15251/jor.2023.194.359.
Der volle Inhalt der QuelleZhang, Xiaodong, Xing Wei, Peipei Zhang, Hui Zhang, Li Zhang, Xuguang Deng, Yaming Fan et al. „Low Threshold Voltage Shift in AlGaN/GaN MIS-HEMTs on Si Substrate Using SiNx/SiON as Composite Gate Dielectric“. Electronics 11, Nr. 6 (13.03.2022): 895. http://dx.doi.org/10.3390/electronics11060895.
Der volle Inhalt der QuelleEngstrom, O., und A. Carlsson-Gylemo. „MIS Devices for optical information processing“. IEEE Transactions on Electron Devices 32, Nr. 11 (November 1985): 2438–40. http://dx.doi.org/10.1109/t-ed.1985.22292.
Der volle Inhalt der QuelleMoriwaki, M. M., J. R. Srour, L. F. Lou und J. R. Waterman. „Ionizing radiation effects on HgCdTe MIS devices“. IEEE Transactions on Nuclear Science 37, Nr. 6 (1990): 2034–41. http://dx.doi.org/10.1109/23.101226.
Der volle Inhalt der QuelleTardy, J., I. Thomas, P. Viktorovitch, M. Gendry, J. L. Perrossier, C. Santinelli, M. P. Besland, P. Louis und G. Post. „Long-term stability of InP MIS devices“. Applied Surface Science 50, Nr. 1-4 (Juni 1991): 383–89. http://dx.doi.org/10.1016/0169-4332(91)90203-v.
Der volle Inhalt der QuelleHynecek, Jaroslav. „4455739 Process protection for individual device gates on large area MIS devices“. Microelectronics Reliability 25, Nr. 1 (Januar 1985): 204. http://dx.doi.org/10.1016/0026-2714(85)90469-x.
Der volle Inhalt der QuellePreuveneers, D., und Y. Berbers. „Encoding Semantic Awareness in Resource-Constrained Devices“. IEEE Intelligent Systems 23, Nr. 2 (März 2008): 26–33. http://dx.doi.org/10.1109/mis.2008.25.
Der volle Inhalt der QuelleRagusa, Edoardo, Christian Gianoglio, Rodolfo Zunino und Paolo Gastaldo. „Image Polarity Detection on Resource-Constrained Devices“. IEEE Intelligent Systems 35, Nr. 6 (01.11.2020): 50–57. http://dx.doi.org/10.1109/mis.2020.3011586.
Der volle Inhalt der QuelleHsu, Che-Ching, Pei-Chien Shen, Yi-Nan Zhong und Yue-Ming Hsin. „AlGaN/GaN MIS-HEMTs with a p-GaN Cap Layer“. MRS Advances 3, Nr. 3 (28.12.2017): 143–46. http://dx.doi.org/10.1557/adv.2017.626.
Der volle Inhalt der QuelleAlhalafi, Z. H., und Shashi Paul. „Switching in Polymer Memory Devices Based on Polymer and Nanoparticles Admixture“. Advances in Science and Technology 95 (Oktober 2014): 107–12. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ast.95.107.
Der volle Inhalt der QuelleMabrook, Mohammed Fadhil, Daniel Kolb, Christopher Pearson, D. A. Zeze und M. C. Petty. „Fabrication and Characterisation of MIS Organic Memory Devices“. Advances in Science and Technology 54 (September 2008): 474–79. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ast.54.474.
Der volle Inhalt der QuelleZayats, Galina. „Modeling of Radiation Effects in the MIS Devices“. American Journal of Nano Research and Applications 5, Nr. 1 (2017): 7. http://dx.doi.org/10.11648/j.nano.20170501.12.
Der volle Inhalt der QuelleMoriwaki, M. M., J. R. Srour und R. L. Strong. „Charge transport and trapping in HgCdTe MIS devices“. IEEE Transactions on Nuclear Science 39, Nr. 6 (1992): 2265–72. http://dx.doi.org/10.1109/23.211432.
Der volle Inhalt der QuelleYoo, Jae-Hoon, Won-Ji Park, So-Won Kim, Ga-Ram Lee, Jong-Hwan Kim, Joung-Ho Lee, Sae-Hoon Uhm und Hee-Chul Lee. „Preparation of Remote Plasma Atomic Layer-Deposited HfO2 Thin Films with High Charge Trapping Densities and Their Application in Nonvolatile Memory Devices“. Nanomaterials 13, Nr. 11 (01.06.2023): 1785. http://dx.doi.org/10.3390/nano13111785.
Der volle Inhalt der QuelleLee, Chwan Ying, Yung Hsiang Chen, Lurng Shehng Lee, Chien Chung Hung, Cheng Tyng Yen, Suh Fang Lin, Rong Xuan, Wei Hung Kuo, Tzu Kun Ku und Ming Jinn Tsai. „Performance Comparison of GaN Power Transistors and Investigation on the Device Design Issues“. Materials Science Forum 717-720 (Mai 2012): 1303–6. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.717-720.1303.
Der volle Inhalt der QuelleSpirrov, Dimitar, Eugen Kludt, Eline Verschueren, Andreas Büchner und Tom Francart. „Effect of (Mis)Matched Compression Speed on Speech Recognition in Bimodal Listeners“. Trends in Hearing 24 (Januar 2020): 233121652094897. http://dx.doi.org/10.1177/2331216520948974.
Der volle Inhalt der QuelleChakraborty, B. R., Nita Dilawar, S. Pal und D. N. Bose. „SIMS characterization of GaAs MIS devices at the interface“. Thin Solid Films 411, Nr. 2 (Mai 2002): 240–46. http://dx.doi.org/10.1016/s0040-6090(02)00277-8.
Der volle Inhalt der QuelleHordequin, C., A. Brambilla, P. Bergonzo und F. Foulon. „Nuclear radiation detectors using thick amorphous-silicon MIS devices“. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment 456, Nr. 3 (Januar 2001): 284–89. http://dx.doi.org/10.1016/s0168-9002(00)00575-1.
Der volle Inhalt der QuelleKim, Seong-Il, Ho-Kyun Ahn, Jong-Won Lim und Kijun Lee. „GaN MIS-HEMT PA MMICs for 5G Mobile Devices“. Journal of the Korean Physical Society 74, Nr. 2 (Januar 2019): 196–200. http://dx.doi.org/10.3938/jkps.74.196.
Der volle Inhalt der QuelleAndreev, D. V., G. G. Bondarenko, V. V. Andreev, V. M. Maslovsky und A. A. Stolyarov. „Modification of MIS Devices by Radio-Frequency Plasma Treatment“. Acta Physica Polonica A 136, Nr. 2 (August 2019): 263–66. http://dx.doi.org/10.12693/aphyspola.136.263.
Der volle Inhalt der QuelleRuff, Katherine. „How impact measurement devices act: the performativity of theory of change, SROI and dashboards“. Qualitative Research in Accounting & Management 18, Nr. 3 (22.01.2021): 332–60. http://dx.doi.org/10.1108/qram-02-2019-0041.
Der volle Inhalt der QuelleYo-Ping Huang und Tienwei Tsai. „A Fuzzy Semantic Approach to Retrieving Bird Information Using Handheld Devices“. IEEE Intelligent Systems 20, Nr. 1 (Januar 2005): 16–23. http://dx.doi.org/10.1109/mis.2005.1.
Der volle Inhalt der QuelleHerrero, Jose Luis, Jesus Lozano, Jose Pedro Santos, J. Alvaro Fernandez und Jose Ignacio Suarez Marcelo. „A Web-Based Approach for Classifying Environmental Pollutants Using Portable E-nose Devices“. IEEE Intelligent Systems 31, Nr. 3 (Mai 2016): 108–12. http://dx.doi.org/10.1109/mis.2016.48.
Der volle Inhalt der QuelleDoghish, M. Y., und F. D. Ho. „A comprehensive analytical model for metal-insulator-semiconductor (MIS) devices“. IEEE Transactions on Electron Devices 39, Nr. 12 (1992): 2771–80. http://dx.doi.org/10.1109/16.168723.
Der volle Inhalt der QuelleBenamara, Z., und B. Gruzza. „Preparation and characterization of germanium substrates for MIS electronic devices“. Vacuum 46, Nr. 5-6 (Mai 1995): 477–80. http://dx.doi.org/10.1016/0042-207x(94)00110-3.
Der volle Inhalt der QuellePerina, Welder, Joao Martino und Paula Agopian. „(Digital Presentation) Analysis of MIS-HEMT Kink Effect in Saturation Region“. ECS Meeting Abstracts MA2023-01, Nr. 33 (28.08.2023): 1873. http://dx.doi.org/10.1149/ma2023-01331873mtgabs.
Der volle Inhalt der QuelleŤapajna, Milan. „Current Understanding of Bias-Temperature Instabilities in GaN MIS Transistors for Power Switching Applications“. Crystals 10, Nr. 12 (18.12.2020): 1153. http://dx.doi.org/10.3390/cryst10121153.
Der volle Inhalt der QuelleВойцеховский, А. В., С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, Г. Ю. Сидоров und М. В. Якушев. „Aдмиттанс МДП-структур на основе nBn-систем из эпитаксиального HgCdTe, разработанных для детектирования в спектральном диапазоне 3-5 μm“. Письма в журнал технической физики 47, Nr. 12 (2021): 34. http://dx.doi.org/10.21883/pjtf.2021.12.51065.18760.
Der volle Inhalt der QuelleNoborio, Masato, Michael Grieb, Anton J. Bauer, Dethard Peters, Peter Friedrichs, Jun Suda und Tsunenobu Kimoto. „Electrical Characterization and Reliability of Nitrided-Gate Insulators for N- and P-Type 4H-SiC MIS Devices“. Materials Science Forum 645-648 (April 2010): 825–28. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.645-648.825.
Der volle Inhalt der QuelleVispute, R. D., A. Patel, K. Baynes, B. Ming, R. P. Sharma, T. Venkatesan, C. J. Scozzie, A. Lelis, T. Zheleva und K. A. Jones. „Pulsed-laser-deposited AlN films for high-temperature SiC MIS devices“. MRS Internet Journal of Nitride Semiconductor Research 5, S1 (2000): 591–97. http://dx.doi.org/10.1557/s1092578300004804.
Der volle Inhalt der QuelleSaranti, Konstantina, und Shashi Paul. „Two-Terminal Non-Volatile Memory Devices Using Silicon Nanowires as the Storage Medium“. Advances in Science and Technology 95 (Oktober 2014): 78–83. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ast.95.78.
Der volle Inhalt der QuelleKhosa, R. Y., J. T. Chen, M. Winters, K. Pálsson, R. Karhu, J. Hassan, N. Rorsman und E. Ö. Sveinbjӧrnsson. „Electrical characterization of high k-dielectrics for 4H-SiC MIS devices“. Materials Science in Semiconductor Processing 98 (August 2019): 55–58. http://dx.doi.org/10.1016/j.mssp.2019.03.025.
Der volle Inhalt der QuelleRouag, N., Z. Ouennoughi, M. Rommel, K. Murakami und L. Frey. „Current conduction mechanism of MIS devices using multidimensional minimization system program“. Microelectronics Reliability 55, Nr. 7 (Juni 2015): 1028–34. http://dx.doi.org/10.1016/j.microrel.2015.05.001.
Der volle Inhalt der QuelleMohanbabu, A., R. Saravana Kumar und N. Mohankumar. „Noise characterization of enhancement-mode AlGaN graded barrier MIS-HEMT devices“. Superlattices and Microstructures 112 (Dezember 2017): 604–18. http://dx.doi.org/10.1016/j.spmi.2017.10.020.
Der volle Inhalt der QuelleLichtenwalner, Daniel J., Jesse Jur, Naoya Inoue und Angus Kingon. „High-Temperature Processing Effects on Lanthanum Silicate Gate Dielectric MIS Devices“. ECS Transactions 1, Nr. 5 (21.12.2019): 227–38. http://dx.doi.org/10.1149/1.2209272.
Der volle Inhalt der QuelleXia, Yongwei, Georges Pananakakis und Georges Kamarinos. „Numerical simulation of the current-voltage characteristics of MIS tunnel devices“. Journal of Computational Physics 91, Nr. 2 (Dezember 1990): 478–85. http://dx.doi.org/10.1016/0021-9991(90)90049-7.
Der volle Inhalt der QuelleEvans, N. J., G. G. Roberts und M. C. Petty. „Effects of hydrogen gas on palladium/LB film/silicon MIS devices“. Sensors and Actuators 16, Nr. 3 (März 1989): 255–61. http://dx.doi.org/10.1016/0250-6874(89)87007-6.
Der volle Inhalt der QuelleCheng, Wei-Chih, Jiaqi He, Minghao He, Zepeng Qiao, Yang Jiang, Fangzhou Du, Xiang Wang, Haimin Hong, Qing Wang und Hongyu Yu. „Low trap density of oxygen-rich HfO2/GaN interface for GaN MIS-HEMT applications“. Journal of Vacuum Science & Technology B 40, Nr. 2 (März 2022): 022212. http://dx.doi.org/10.1116/6.0001654.
Der volle Inhalt der QuelleLin, Shawn R., und Kevin M. Miller. „Lessons Learned from Implantation of Morcher 50D and 96S Artificial Iris Diaphragms“. Case Reports in Ophthalmology 8, Nr. 3 (23.11.2017): 527–34. http://dx.doi.org/10.1159/000484128.
Der volle Inhalt der QuelleYoon, Young Jun, Jae Sang Lee, Jae Kwon Suk, In Man Kang, Jung Hee Lee, Eun Je Lee und Dong Seok Kim. „Effects of Proton Irradiation on the Current Characteristics of SiN-Passivated AlGaN/GaN MIS-HEMTs Using a TMAH-Based Surface Pre-Treatment“. Micromachines 12, Nr. 8 (23.07.2021): 864. http://dx.doi.org/10.3390/mi12080864.
Der volle Inhalt der QuelleHosoi, Takuji, Yusuke Kagei, Takashi Kirino, Shuhei Mitani, Yuki Nakano, Takashi Nakamura, Takayoshi Shimura und Heiji Watanabe. „Reduction of Charge Trapping Sites in Al2O3/SiO2 Stacked Gate Dielectrics by Incorporating Nitrogen for Highly Reliable 4H-SiC MIS Devices“. Materials Science Forum 679-680 (März 2011): 496–99. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.679-680.496.
Der volle Inhalt der QuelleCalzolaro, Anthony, Thomas Mikolajick und Andre Wachowiak. „Status of Aluminum Oxide Gate Dielectric Technology for Insulated-Gate GaN-Based Devices“. Materials 15, Nr. 3 (21.01.2022): 791. http://dx.doi.org/10.3390/ma15030791.
Der volle Inhalt der QuelleTyan, Shing-Long, Hsiang-Chi Tang, Zhang-Wei Wu und Ting-Shan Mo. „Diamond-like carbon as gate dielectric for metal–insulator–semiconductor applications“. Modern Physics Letters B 33, Nr. 34 (10.12.2019): 1950423. http://dx.doi.org/10.1142/s0217984919504232.
Der volle Inhalt der QuelleFerguson, P. P., S. Gauvin und N. Beaudoin. „On the importance of the MIS junction to the photovoltaic properties of ITO/TPD/Alq3/Al electroluminescent devices“. Canadian Journal of Physics 91, Nr. 1 (Januar 2013): 60–63. http://dx.doi.org/10.1139/cjp-2012-0113.
Der volle Inhalt der QuelleKeymel, Stefanie. „COVID-19: Wann muss ich an MIS-A denken?“ Kompass Pneumologie 10, Nr. 1 (30.11.2021): 15–16. http://dx.doi.org/10.1159/000521061.
Der volle Inhalt der QuelleAddepalli, Suresh. „Annealing temperature influenced physical properties of Al2TiO5 thin films for MIS devices“. Advanced Materials Proceedings 2, Nr. 3 (01.03.2017): 189–93. http://dx.doi.org/10.5185/amp.2017/3011.
Der volle Inhalt der QuelleVoitsekhovskii, A. V., und et al. „Impedance of MIS devices based on nBn structures from mercury cadmium telluride“. Izvestiya vysshikh uchebnykh zavedenii. Fizika 63, Nr. 6 (01.06.2020): 8–15. http://dx.doi.org/10.17223/00213411/63/6/8.
Der volle Inhalt der QuelleAndreev, D. V., G. G. Bondarenko, V. V. Andreev, V. M. Maslovsky und A. A. Stolyarov. „Modification of MIS Devices by Irradiation and High-Field Electron Injection Treatments“. Acta Physica Polonica A 132, Nr. 2 (August 2017): 245–48. http://dx.doi.org/10.12693/aphyspola.132.245.
Der volle Inhalt der QuelleVuillaume, D., P. Fontaine, J. Collet, D. Deresmes, M. Garet und F. Rondelez. „Alkyl-trichlorosilane monolayer as ultra-thin insulating film for silicon MIS devices“. Microelectronic Engineering 22, Nr. 1-4 (August 1993): 101–4. http://dx.doi.org/10.1016/0167-9317(93)90140-z.
Der volle Inhalt der Quelle