Bücher zum Thema „Metal oxide semiconductors“

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1

Nicollian, E. H. MOS (metal oxide semiconductor) physics and technology. Hoboken, N.J: Wiley-Interscience, 2003.

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2

Sato, Norio. Electrochemistry at metal and semiconductor electrodes. Amsterdam: Elsevier, 1998.

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3

Zhao, Yi. Wafer level reliability of advanced CMOS devices and processes. New York: Nova Science Publishers, 2008.

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4

Lancaster, Don. CMOS cookbook. 2. Aufl. Indianapolis, Ind: H.W. Sams, 1988.

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5

Lancaster, Don. CMOS cookbook. 2. Aufl. Boston: Newnes, 1997.

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6

Pfaffli, Paul. Characterisation of degradation and failure phenomena in MOS devices. Konstanz [Germany]: Hartung-Gorre, 1999.

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7

Shoji, Masakazu. CMOS digital circuit technology. Englewood Cliffs, N.J: Prentice Hall, 1988.

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8

Segura, Jaume. CMOS electronics: How it works, how it fails. New York: IEEE Press, 2004.

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9

Kwon, Min-jun. CMOS technology. Hauppauge, N.Y: Nova Science Publishers, 2010.

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10

Helms, Harry L. High-speed (HC/HCT) CMOS guide. Englewood Cliffs, N.J: Prentice Hall, 1989.

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11

Korec, Jacek. Low voltage power MOSFETs: Design, performance and applications. New York: Springer, 2011.

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12

Paul, Reinhold. MOS-Feldeffekttransistoren. Berlin: Springer-Verlag, 1994.

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13

T, Andre Noah, und Simon Lucas M, Hrsg. MOSFETS: Properties, preparations to performance. New York: Nova Science Publishers, 2008.

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14

Saijets, Jan. MOSFET RF characterization using bulk and SOI CMOS technologies. [Espoo, Finland]: VTT Technical Research Centre of Finland, 2007.

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15

1951-, Walsh M. J., Hrsg. Choosing and using CMOS. London: Collins, 1985.

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16

(Firm), Signetics. High-speed CMOS data manual. Sunnyvale, Calif: Signetics Corp., 1988.

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17

Symposum I, "Materials for End-of-Roadmap Scaling of CMOS Devices" (2010 San Francisco, Calif.). Materials and devices for end-of-roadmap and beyond CMOS scaling: Symposium held April 5-9, 2010, San Francisco, California. Herausgegeben von Ramanathan Shriram, Symposium J, "Materials and Devices for Beyond CMOS Scaling" (2010 : San Francisco, Calif.) und Materials Research Society. Warrendale, Pa: Materials Research Society, 2010.

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18

Balestra, Francis. Innovative materials, modeling, and characterization for nanoscale CMOS. London, UK: ISTE, 2010.

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19

(Firm), Signetics. High-speed CMOS data manual. Sunnyvale, Calif: Signetics Corp., 1988.

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20

Prochnow, Dave. Experiments in CMOS technology. Blue Ridge Summit, PA: Tab Books, 1988.

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21

G, Einspruch Norman, und Gildenblat Gennady Sh, Hrsg. Advanced MOS device physics. San Diego: Academic Press, 1989.

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22

1948-, Gautier Jacques, Hrsg. Physics and operation of silicon devices in integrated circuits. London: ISTE, 2009.

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23

Majkusiak, Bogdan. Bardzo cienki tlenek bramkowy w tranzystorze MOS--konsekwencje dla działania i modelowania. Warszawa: Wydawnictwa Politechniki Warszawskiej, 1991.

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24

1948-, Gautier Jacques, Hrsg. Physics and operation of silicon devices in integrated circuits. London: ISTE, 2009.

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25

1948-, Gautier Jacques, Hrsg. Physics and operation of silicon devices in integrated circuits. London: ISTE, 2009.

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26

Susumu, Kohyama, Hrsg. Very high speed MOS devices. Oxford: Clarendon Press, 1990.

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27

Paul, Vande Voorde, und Hewlett-Packard Laboratories, Hrsg. Extension of bandgap broadening model for quantum mechanical correction in sub-quarter micron MOS devices to accumulation layer. Palo Alto, CA: Hewlett-Packard Laboratories, Technical Publications Department, 1996.

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28

Peluso, Vincenzo. Design of low-voltage low-power CMOS Delta-Sigma A/D converters. Boston: Kluwer Academic Publishers, 1999.

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29

Rumak, N. V. Sistema kremniĭ--dvuokisʹ kremnii͡a︡ v MOP-strukturakh. Minsk: "Nauka i tekhnika", 1986.

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30

P, Balk, Hrsg. The Si-SiO₂ system. Amsterdam: Elsevier, 1988.

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31

International, Symposium on Advanced Gate Stack Source/Drain and Channel Engineering for Si-based CMOS (2nd 2006 Cancún Mexico). Advanced gate stack, source/drain, and channel engineering for Si-based CMOS 2: New materials, processes and equipment. Pennington, NJ: Electrochemical Society, 2006.

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32

Lai, Ivan Chee-Hong. Design and modeling of millimeter-wave CMOS circuits for wireless transceivers: Era of sub-100nm technology. Dordrecht: Springer Science+Business Media, 2008.

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33

Savoj, Jafar. High-speed CMOS circuits for optical receivers. Boston: Kluwer Academic Publishers, 2001.

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34

Ker, Morris. Transient-induced latchup in CMOS integrated circuits. Singapore: Wiley, 2009.

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35

Ballan, Hussein. High voltage devices and circuits in standard CMOS technologies. Boston: Kluwer Academic, 1999.

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36

Shoji, Masakazu. CMOS digital circuit technology. Englewood Cliffs, N.J: Prentice Hall, 1987.

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37

Shoji, Masakazu. CMOS digital circuit technology. New Jersey: Prentice-Hall International, 1988.

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38

Baker, R. Jacob. CMOS: Circuit design, layout, and simulation. 3. Aufl. Piscataway, NJ: IEEE Press, 2010.

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39

Amara, Amara, und Rozeau Olivier, Hrsg. Planar double-gate transistor: From technology to circuit. [Dordrecht?]: Springer, 2009.

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40

Symposium, MM "Transparent Conducting Oxides and Applications". Transparent conducting oxides and applications: Symposium held November 29-December 3 [2010], Boston, Massachusetts, U.S.A. Warrendale, Pa: Materials Research Society, 2012.

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41

L, Helms Harry, Hrsg. CMOS devices: 1987 source book. Englewood Cliffs, N.J: Technipubs, 1987.

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42

Troutman, Ronald R. Latchup in CMOS technology: The problem and its cure. Boston: Kluwer Academic Publishers, 1986.

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43

Kursun, Volkan. Multiple supply and threshold voltage CMOS circuits. Chichester, England: John Wiley, 2006.

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44

Pearton, Stephen J., Chennupati Jagadish und Bengt G. Svensson. Oxide Semiconductors. Elsevier Science & Technology Books, 2013.

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45

Pearton, Stephen, Chennupati Jagadish und Bengt G. Svensson. Oxide Semiconductors. Elsevier Science & Technology Books, 2013.

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46

Zang, Z. Metal Oxide Semiconductors - Synthesis, Properties, and Devices. Wiley & Sons, Limited, John, 2023.

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47

Grundmann, Marius, Anderson Janotti, Steve Durbin und Tim Veal. Oxide Semiconductors: Volume 1633. Materials Research Society, 2014.

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48

Zhuiykov, Serge. Nanostructured Semiconductors. Elsevier Science & Technology, 2018.

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49

Zhuiykov, Serge. Nanostructured Semiconductors. Elsevier Science & Technology, 2018.

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50

Sato, Norio. Electrochemistry at Metal and Semiconductor Electrodes. Elsevier Science & Technology Books, 1998.

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