Bücher zum Thema „Metal oxide semiconductors“
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Nicollian, E. H. MOS (metal oxide semiconductor) physics and technology. Hoboken, N.J: Wiley-Interscience, 2003.
Den vollen Inhalt der Quelle findenJ, Dumin D., Hrsg. Oxide reliability: A summary of silicon oxide wearout, breakdown, and reliability. [River Edge, NJ]: World Scientific, 2002.
Den vollen Inhalt der Quelle findenSato, Norio. Electrochemistry at metal and semiconductor electrodes. Amsterdam: Elsevier, 1998.
Den vollen Inhalt der Quelle findenZhao, Yi. Wafer level reliability of advanced CMOS devices and processes. New York: Nova Science Publishers, 2008.
Den vollen Inhalt der Quelle findenLancaster, Don. CMOS cookbook. 2. Aufl. Indianapolis, Ind: H.W. Sams, 1988.
Den vollen Inhalt der Quelle findenPfaffli, Paul. Characterisation of degradation and failure phenomena in MOS devices. Konstanz [Germany]: Hartung-Gorre, 1999.
Den vollen Inhalt der Quelle findenT, Andre Noah, und Simon Lucas M, Hrsg. MOSFETS: Properties, preparations to performance. New York: Nova Science Publishers, 2008.
Den vollen Inhalt der Quelle findenKorec, Jacek. Low voltage power MOSFETs: Design, performance and applications. New York: Springer, 2011.
Den vollen Inhalt der Quelle findenPaul, Reinhold. MOS-Feldeffekttransistoren. Berlin: Springer-Verlag, 1994.
Den vollen Inhalt der Quelle findenShoji, Masakazu. CMOS digital circuit technology. Englewood Cliffs, N.J: Prentice Hall, 1988.
Den vollen Inhalt der Quelle findenHelms, Harry L. High-speed (HC/HCT) CMOS guide. Englewood Cliffs, N.J: Prentice Hall, 1989.
Den vollen Inhalt der Quelle findenKwon, Min-jun. CMOS technology. Hauppauge, N.Y: Nova Science Publishers, 2010.
Den vollen Inhalt der Quelle findenSaijets, Jan. MOSFET RF characterization using bulk and SOI CMOS technologies. [Espoo, Finland]: VTT Technical Research Centre of Finland, 2007.
Den vollen Inhalt der Quelle finden1951-, Walsh M. J., Hrsg. Choosing and using CMOS. London: Collins, 1985.
Den vollen Inhalt der Quelle finden(Firm), Signetics. High-speed CMOS data manual. Sunnyvale, Calif: Signetics Corp., 1988.
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Den vollen Inhalt der Quelle findenPeluso, Vincenzo. Design of low-voltage low-power CMOS Delta-Sigma A/D converters. Boston: Kluwer Academic Publishers, 1999.
Den vollen Inhalt der Quelle findenInternational, Symposium on Advanced Gate Stack Source/Drain and Channel Engineering for Si-based CMOS (2nd 2006 Cancún Mexico). Advanced gate stack, source/drain, and channel engineering for Si-based CMOS 2: New materials, processes and equipment. Pennington, NJ: Electrochemical Society, 2006.
Den vollen Inhalt der Quelle findenMinoru, Fujishima, Hrsg. Design and modeling of millimeter-wave CMOS circuits for wireless transceivers: Era of sub-100nm technology. Dordrecht: Springer Science+Business Media, 2008.
Den vollen Inhalt der Quelle findenBehzad, Razavi, Hrsg. High-speed CMOS circuits for optical receivers. Boston: Kluwer Academic Publishers, 2001.
Den vollen Inhalt der Quelle findenBallan, Hussein. High voltage devices and circuits in standard CMOS technologies. Boston: Kluwer Academic, 1999.
Den vollen Inhalt der Quelle findenShoji, Masakazu. CMOS digital circuit technology. New Jersey: Prentice-Hall International, 1988.
Den vollen Inhalt der Quelle findenPaul, Vande Voorde, und Hewlett-Packard Laboratories, Hrsg. Extension of bandgap broadening model for quantum mechanical correction in sub-quarter micron MOS devices to accumulation layer. Palo Alto, CA: Hewlett-Packard Laboratories, Technical Publications Department, 1996.
Den vollen Inhalt der Quelle findenG, Einspruch Norman, und Gildenblat Gennady Sh, Hrsg. Advanced MOS device physics. San Diego: Academic Press, 1989.
Den vollen Inhalt der Quelle finden1948-, Gautier Jacques, Hrsg. Physics and operation of silicon devices in integrated circuits. London: ISTE, 2009.
Den vollen Inhalt der Quelle findenMajkusiak, Bogdan. Bardzo cienki tlenek bramkowy w tranzystorze MOS--konsekwencje dla działania i modelowania. Warszawa: Wydawnictwa Politechniki Warszawskiej, 1991.
Den vollen Inhalt der Quelle finden1948-, Gautier Jacques, Hrsg. Physics and operation of silicon devices in integrated circuits. London: ISTE, 2009.
Den vollen Inhalt der Quelle finden1948-, Gautier Jacques, Hrsg. Physics and operation of silicon devices in integrated circuits. London: ISTE, 2009.
Den vollen Inhalt der Quelle findenSymposium, MM "Transparent Conducting Oxides and Applications". Transparent conducting oxides and applications: Symposium held November 29-December 3 [2010], Boston, Massachusetts, U.S.A. Warrendale, Pa: Materials Research Society, 2012.
Den vollen Inhalt der Quelle findenRumak, N. V. Sistema kremniĭ--dvuokisʹ kremnii͡a︡ v MOP-strukturakh. Minsk: "Nauka i tekhnika", 1986.
Den vollen Inhalt der Quelle findenKursun, Volkan. Multiple supply and threshold voltage CMOS circuits. Chichester, England: John Wiley, 2006.
Den vollen Inhalt der Quelle findenL, Helms Harry, Hrsg. CMOS devices: 1987 source book. Englewood Cliffs, N.J: Technipubs, 1987.
Den vollen Inhalt der Quelle findenKlar, Heinrich. Integrierte digitale Schaltungen MOS/BICMOS. 2. Aufl. Berlin: Springer, 1996.
Den vollen Inhalt der Quelle findenTsividis, Yannis. Operation and modeling of the MOS transistor. 3. Aufl. New York: Oxford University Press, 2010.
Den vollen Inhalt der Quelle findenJürgen, Mattausch Hans, und Ezaki Tatsuya, Hrsg. The physics and modeling of MOSFETS: Surface-potential model HiSIM. Singapore: World Scientific, 2008.
Den vollen Inhalt der Quelle findenTsividis, Yannis. Operation and modeling of the MOS transistor. 3. Aufl. New York: Oxford University Press, 2010.
Den vollen Inhalt der Quelle findenTsividis, Yannis. Operation and modeling of the MOS transistor. 3. Aufl. New York: Oxford University Press, 2011.
Den vollen Inhalt der Quelle findenJosʹe M. de la Rosa. Systematic design of CMOS switched-current bandpass sigma-delta modulators for digital communication chips. Boston: Kluwer Academic, 2002.
Den vollen Inhalt der Quelle findenSialm, Gion. VCSEL modeling and CMOS transmitters up to 40 Gb/s for high-density optical links. Konstanz: Hartung-Gorre, 2007.
Den vollen Inhalt der Quelle findenPearton, Stephen J., Chennupati Jagadish und Bengt G. Svensson. Oxide Semiconductors. Elsevier Science & Technology Books, 2013.
Den vollen Inhalt der Quelle findenPearton, Stephen, Chennupati Jagadish und Bengt G. Svensson. Oxide Semiconductors. Elsevier Science & Technology Books, 2013.
Den vollen Inhalt der Quelle findenOxide Reliability: A Summary of Silicon Oxide Wearout, Breakdown, and Reliability. World Scientific Publishing Co Pte Ltd, 2002.
Den vollen Inhalt der Quelle findenNanostructured Semiconductors. Elsevier Science & Technology, 2018.
Den vollen Inhalt der Quelle findenZhuiykov, Serge. Nanostructured Semiconductors. Elsevier Science & Technology, 2018.
Den vollen Inhalt der Quelle findenOxide Semiconductors: Volume 1633. Materials Research Society, 2014.
Den vollen Inhalt der Quelle findenZang, Z. Metal Oxide Semiconductors - Synthesis, Properties, and Devices. Wiley & Sons, Limited, John, 2023.
Den vollen Inhalt der Quelle findenZang, Zhigang, und Wensi Cai. Metal Oxide Semiconductors: Synthesis, Properties, and Devices. Wiley & Sons, Incorporated, John, 2024.
Den vollen Inhalt der Quelle findenZang, Zhigang, und Wensi Cai. Metal Oxide Semiconductors: Synthesis, Properties, and Devices. Wiley & Sons, Incorporated, John, 2023.
Den vollen Inhalt der Quelle findenZang, Zhigang, und Wensi Cai. Metal Oxide Semiconductors: Synthesis, Properties, and Devices. Wiley & Sons, Incorporated, John, 2023.
Den vollen Inhalt der Quelle findenSato, Norio. Electrochemistry at Metal and Semiconductor Electrodes. Elsevier Science & Technology Books, 1998.
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