Bücher zum Thema „Metal oxide semiconductor field-effect transistors“
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Pierret, Robert F. Field effect devices. 2. Aufl. Reading, Mass: Addison-Wesley Pub. Co., 1990.
Den vollen Inhalt der Quelle findenBaliga, B. Jayant. Advanced power MOSFET concepts. New York: Springer, 2010.
Den vollen Inhalt der Quelle findenSoclof, Sidney. Metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETS): Principles and applications. Boston: Artech House, 1996.
Den vollen Inhalt der Quelle findenPhysics of semiconductor devices. Englewood Cliffs, N.J: Prentice Hall, 1990.
Den vollen Inhalt der Quelle findenT, Andre Noah, und Simon Lucas M, Hrsg. MOSFETS: Properties, preparations to performance. New York: Nova Science Publishers, 2008.
Den vollen Inhalt der Quelle findenKorec, Jacek. Low voltage power MOSFETs: Design, performance and applications. New York: Springer, 2011.
Den vollen Inhalt der Quelle findenPaul, Reinhold. MOS-Feldeffekttransistoren. Berlin: Springer-Verlag, 1994.
Den vollen Inhalt der Quelle findenShur, Michael. Physics of semiconductor devices: Software and manual. London: Prentice-Hall, 1990.
Den vollen Inhalt der Quelle findenOktyabrsky, Serge, und Peide D. Ye. Fundamentals of III-V semiconductor MOSFETs. New York: Springer, 2010.
Den vollen Inhalt der Quelle findenAmara, Amara, und Rozeau Olivier, Hrsg. Planar double-gate transistor: From technology to circuit. [Dordrecht?]: Springer, 2009.
Den vollen Inhalt der Quelle findenTaylor, B. E. Power Mosfet design. Chichester, W. Sussex, England: Wiley, 1993.
Den vollen Inhalt der Quelle findenTsividis, Yannis. Operation and modeling of the MOS transistor. 3. Aufl. New York: Oxford University Press, 2010.
Den vollen Inhalt der Quelle findenTsividis, Yannis. Operation and modeling of the MOS transistor. 3. Aufl. New York: Oxford University Press, 2010.
Den vollen Inhalt der Quelle findenTsividis, Yannis. Operation and modeling of the MOS transistor. 3. Aufl. New York: Oxford University Press, 2011.
Den vollen Inhalt der Quelle findenBaliga, Jayant. Silicon RF power MOSFETs. Singapore: World Scientific, 2005.
Den vollen Inhalt der Quelle findenSilicon RF power MOSFETS. Singapore: World Scientific, 2005.
Den vollen Inhalt der Quelle findenCherem, Schneider Márcio, Hrsg. MOSFET modeling for circuit analysis and design. Singapore: World Scientific, 2007.
Den vollen Inhalt der Quelle findenQuantum-mechanical modeling of transport parameters for MOS devices. Konstanz: Hartnung-Gorre, 2006.
Den vollen Inhalt der Quelle findenJürgen, Mattausch Hans, und Ezaki Tatsuya, Hrsg. The physics and modeling of MOSFETS: Surface-potential model HiSIM. Singapore: World Scientific, 2008.
Den vollen Inhalt der Quelle findenSchroder, Dieter K. Advanced MOS devices. Reading, Mass: Addison-Wesley Pub. Co., 1987.
Den vollen Inhalt der Quelle findenSchroder, Dieter K. Advanced MOS devices. Reading, Mass: Addison-Wesley Pub. Co., 1990.
Den vollen Inhalt der Quelle findenWarner, R. M. MOSFET theory and design. New York: Oxford University Press, 1999.
Den vollen Inhalt der Quelle finden1952-, Chattopadhyay Swapan, und Bera L. K, Hrsg. Strained-Si heterostructure field effect devices. New York: Taylor & Francis, 2007.
Den vollen Inhalt der Quelle findenSaijets, Jan. MOSFET RF characterization using bulk and SOI CMOS technologies. [Espoo, Finland]: VTT Technical Research Centre of Finland, 2007.
Den vollen Inhalt der Quelle findenHänsch, W. The drift diffusion equation and its applications in MOSFET modeling. Wien: Springer-Verlag, 1991.
Den vollen Inhalt der Quelle findenHänsch, W. The drift diffusion equation and its applications in MOSFET modeling. Wien: Springer-Verlag, 1991.
Den vollen Inhalt der Quelle findenCenter, Lewis Research, Hrsg. Analog synthesized fast-variable linear load. Brook Park, Ohio: Sverdrup Technology, Inc., Lewis Research Center Group, 1991.
Den vollen Inhalt der Quelle findenCenter, Lewis Research, Hrsg. Analog synthesized fast-variable linear load. Brook Park, Ohio: Sverdrup Technology, Inc., Lewis Research Center Group, 1991.
Den vollen Inhalt der Quelle findenWikström, Mats Olaf Tobias. MOS-controlled switches for high-voltage application. Konstanz: Hartung-Gorre, 2001.
Den vollen Inhalt der Quelle findenWilson, C. L. MOS1: A program for two-dimensional analysis of Si MOSFETs. Gaithersburg, Md: U.S. Dept. of Commerce, National Bureau of Standards, 1985.
Den vollen Inhalt der Quelle findenHisham, Haddara, Hrsg. Characterization methods for submicron MOSFETs. Boston: Kluwer Academic Publishers, 1995.
Den vollen Inhalt der Quelle findenL, Blue J., Hrsg. MOS1: A program for two-dimensional analysis of Si MOSFETs. Gaithersburg, Md: U.S. Dept. of Commerce, National Bureau of Standards, 1985.
Den vollen Inhalt der Quelle findenL, Wilson C. MOS1: A program for two-dimensional analysis of Si MOSFETs. Gaithersburg, MD: U.S. Dept. of Commerce, National Bureau of Standards, 1985.
Den vollen Inhalt der Quelle findenCMOS: Circuit design, layout, and simulation. 3. Aufl. Piscataway, NJ: IEEE Press, 2010.
Den vollen Inhalt der Quelle findenLinder, Stefan. Power semiconductors. Lausanne, Switzerland: EPFL Press, 2006.
Den vollen Inhalt der Quelle finden1960-, Li Harry W., Boyce David E. 1940- und Institute of Electrical and Electronics Engineers, Hrsg. CMOS circuit design, layout, and simulation. New Delhi: Prentice-Hall of India, 2004.
Den vollen Inhalt der Quelle findenFoty, D. MOSFET modeling with SPICE: Principles and practice. Upper Saddle River, NJ: Prentice Hall PTR, 1997.
Den vollen Inhalt der Quelle findenTsividis, Yannis. Operation and modeling of the MOS transistor. 2. Aufl. Boston: WCB/McGraw-Hill, 1999.
Den vollen Inhalt der Quelle findenTsividis, Yannis. Operation and modeling of the MOS transistor. New York: McGraw-Hill, 1987.
Den vollen Inhalt der Quelle findenTsividis, Yannis. Operation and modeling of the MOS transistor. 2. Aufl. New York: Oxford University Press, 1999.
Den vollen Inhalt der Quelle findenChaudhry, Amit. Fundamentals of Nanoscaled Field Effect Transistors. New York, NY: Springer New York, 2013.
Den vollen Inhalt der Quelle findenBufler, Fabian M. Full-band Monte Carlo simulation of nanoscale strained silicon MOSFETs. Konstanz: Hartung-Gorre, 2003.
Den vollen Inhalt der Quelle findenWarner, R. M. Transistors: Fundamentals for the integrated-circuit engineer. Malabar, Fla: R.E. Krieger Pub. Co., 1990.
Den vollen Inhalt der Quelle findenEl-Khatib, Ziad. Distributed CMOS bidirectional amplifiers: Broadbanding and linearization techniques. New York: Springer, 2012.
Den vollen Inhalt der Quelle findenFleetwood, Daniel. Defects in microelectronic materials and devices. Boca Raton, FL: CRC Press, 2008.
Den vollen Inhalt der Quelle findenMadrid, Philip E. Device design and process window analysis of a deep submicron CMOS VLSI technology. Reading, Mass: Addison-Wesley, 1992.
Den vollen Inhalt der Quelle findenCheng, Yuhua. MOSFET modeling & BSIM3 user's guide. New York: Kluwer Academic Publishers, 2002.
Den vollen Inhalt der Quelle findenCheng, Yuhua. MOSFET modeling & BSIM3 user's guide. Boston: Kluwer Academic Publishers, 1999.
Den vollen Inhalt der Quelle findenChenming, Hu, Hrsg. MOSFET modeling & BSIM3 user's guide. Boston: Kluwer Academic Publishers, 1999.
Den vollen Inhalt der Quelle findenMaeda, Shigenobu. Teishōhi denryoku kōsoku MOSFET gijutsu: Takesshō shirikon TFT fukagata SRAM to SOI debaisu. Tōkyō: Sipec, 2002.
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