Zeitschriftenartikel zum Thema „Metal-Insulator Transition devices“
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Lee, D., B. Chung, Y. Shi, G. Y. Kim, N. Campbell, F. Xue, K. Song et al. „Isostructural metal-insulator transition in VO2“. Science 362, Nr. 6418 (29.11.2018): 1037–40. http://dx.doi.org/10.1126/science.aam9189.
Der volle Inhalt der QuelleLi, Dasheng, Jonathan M. Goodwill, James A. Bain und Marek Skowronski. „Scaling behavior of oxide-based electrothermal threshold switching devices“. Nanoscale 9, Nr. 37 (2017): 14139–48. http://dx.doi.org/10.1039/c7nr03865h.
Der volle Inhalt der QuelleWang, Qi, Kai Liang Zhang, Fang Wang, Kai Song und Zhi Xiang Hu. „Investigation on the Electric-Field-Induced Metal-Insulator Transition in VoX-Based Devices“. Applied Mechanics and Materials 130-134 (Oktober 2011): 1–4. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amm.130-134.1.
Der volle Inhalt der QuellePolak, Paweł, Jan Jamroz und Tomasz K. Pietrzak. „Observation of Metal–Insulator Transition (MIT) in Vanadium Oxides V2O3 and VO2 in XRD, DSC and DC Experiments“. Crystals 13, Nr. 9 (23.08.2023): 1299. http://dx.doi.org/10.3390/cryst13091299.
Der volle Inhalt der QuelleCheng, Shaobo, Min-Han Lee, Richard Tran, Yin Shi, Xing Li, Henry Navarro, Coline Adda et al. „Inherent stochasticity during insulator–metal transition in VO2“. Proceedings of the National Academy of Sciences 118, Nr. 37 (07.09.2021): e2105895118. http://dx.doi.org/10.1073/pnas.2105895118.
Der volle Inhalt der QuelleHong, Woong-Ki, SeungNam Cha, Jung Inn Sohn und Jong Min Kim. „Metal-Insulator Phase Transition in Quasi-One-Dimensional VO2Structures“. Journal of Nanomaterials 2015 (2015): 1–15. http://dx.doi.org/10.1155/2015/538954.
Der volle Inhalt der QuelleWei, Na, Xiang Ding, Shifan Gao, Wenhao Wu und Yi Zhao. „HfOx/Ge RRAM with High ON/OFF Ratio and Good Endurance“. Electronics 11, Nr. 22 (20.11.2022): 3820. http://dx.doi.org/10.3390/electronics11223820.
Der volle Inhalt der QuelleHuang, Tiantian, Rui Zhang, Lepeng Zhang, Peiran Xu, Yunkai Shao, Wanli Yang, Zhimin Chen, Xin Chen und Ning Dai. „Energy-adaptive resistive switching with controllable thresholds in insulator–metal transition“. RSC Advances 12, Nr. 55 (2022): 35579–86. http://dx.doi.org/10.1039/d2ra06866d.
Der volle Inhalt der QuelleWeidemann, Sebastian, Mark Kremer, Stefano Longhi und Alexander Szameit. „Topological triple phase transition in non-Hermitian Floquet quasicrystals“. Nature 601, Nr. 7893 (19.01.2022): 354–59. http://dx.doi.org/10.1038/s41586-021-04253-0.
Der volle Inhalt der QuelleHeo, Jinseong, Heejeong Jeong, Yeonchoo Cho, Jaeho Lee, Kiyoung Lee, Seunggeol Nam, Eun-Kyu Lee et al. „Reconfigurable van der Waals Heterostructured Devices with Metal–Insulator Transition“. Nano Letters 16, Nr. 11 (05.10.2016): 6746–54. http://dx.doi.org/10.1021/acs.nanolett.6b02199.
Der volle Inhalt der QuelleMcGee, Ryan, Ankur Goswami, Rosmi Abraham, Syed Bukhari und Thomas Thundat. „Phase transformation induced modulation of the resonance frequency of VO2/tio2 coated microcantilevers“. MRS Advances 3, Nr. 6-7 (2018): 359–64. http://dx.doi.org/10.1557/adv.2018.140.
Der volle Inhalt der QuelleCalhoun, Seth, Rachel Evans, Cameron Nickle, Isaiah O. Oladeji, Justin Cleary, Evan M. Smith, Sayan Chandra, Debashis Chanda und Robert E. Peale. „Vanadium Oxide Thin Film by Aqueous Spray Deposition“. MRS Advances 3, Nr. 45-46 (2018): 2777–82. http://dx.doi.org/10.1557/adv.2018.512.
Der volle Inhalt der QuelleMa, Chung T., Salinporn Kittiwatanakul, Apiprach Sittipongpittaya, Yuhan Wang, Md Golam Morshed, Avik W. Ghosh und S. Joseph Poon. „Phase Change-Induced Magnetic Switching through Metal–Insulator Transition in VO2/TbFeCo Films“. Nanomaterials 13, Nr. 21 (27.10.2023): 2848. http://dx.doi.org/10.3390/nano13212848.
Der volle Inhalt der QuelleWalls, Brian, Oisín Murtagh, Sergey I. Bozhko, Andrei Ionov, Andrey A. Mazilkin, Daragh Mullarkey, Ainur Zhussupbekova et al. „VOx Phase Mixture of Reduced Single Crystalline V2O5: VO2 Resistive Switching“. Materials 15, Nr. 21 (31.10.2022): 7652. http://dx.doi.org/10.3390/ma15217652.
Der volle Inhalt der QuelleKwon, Osung, Hongmin Lee und Sungjun Kim. „Effects of Oxygen Flow Rate on Metal-to-Insulator Transition Characteristics in NbOx-Based Selectors“. Materials 15, Nr. 23 (01.12.2022): 8575. http://dx.doi.org/10.3390/ma15238575.
Der volle Inhalt der QuelleDruzhinin, Anatoly, Igor Ostrovskii, Yuriy Khoverko und Sergij Yatsukhnenko. „Magnetic Properties of Doped Si<B,Ni> Whiskers for Spintronics“. Journal of Nano Research 39 (Februar 2016): 43–54. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/jnanor.39.43.
Der volle Inhalt der QuelleXu, Zhen, Ayrton A. Bernussi und Zhaoyang Fan. „Voltage Pulse Driven VO2 Volatile Resistive Transition Devices as Leaky Integrate-and-Fire Artificial Neurons“. Electronics 11, Nr. 4 (09.02.2022): 516. http://dx.doi.org/10.3390/electronics11040516.
Der volle Inhalt der QuelleParihar, Abhinav, Nikhil Shukla, Matthew Jerry, Suman Datta und Arijit Raychowdhury. „Computing with dynamical systems based on insulator-metal-transition oscillators“. Nanophotonics 6, Nr. 3 (19.04.2017): 601–11. http://dx.doi.org/10.1515/nanoph-2016-0144.
Der volle Inhalt der QuelleLu, Chang, Qingjian Lu, Min Gao und Yuan Lin. „Dynamic Manipulation of THz Waves Enabled by Phase-Transition VO2 Thin Film“. Nanomaterials 11, Nr. 1 (06.01.2021): 114. http://dx.doi.org/10.3390/nano11010114.
Der volle Inhalt der QuelleGim, Hyeongyu, und Kootak Hong. „Nonvolatile Control of Metal-Insulator Transition in VO2 and Its Applications“. Ceramist 26, Nr. 1 (31.03.2023): 3–16. http://dx.doi.org/10.31613/ceramist.2023.26.1.01.
Der volle Inhalt der QuelleWei, Guodong, Xiaofei Fan, Yiang Xiong, Chen Lv, Shen Li und Xiaoyang Lin. „Highly disordered VO2 films: appearance of electronic glass transition and potential for device-level overheat protection“. Applied Physics Express 15, Nr. 4 (01.04.2022): 043002. http://dx.doi.org/10.35848/1882-0786/ac605d.
Der volle Inhalt der QuelleLin, Jianqiang, Shriram Ramanathan und Supratik Guha. „Electrically Driven Insulator–Metal Transition-Based Devices—Part II: Transient Characteristics“. IEEE Transactions on Electron Devices 65, Nr. 9 (September 2018): 3989–95. http://dx.doi.org/10.1109/ted.2018.2859188.
Der volle Inhalt der QuelleLi, Dasheng, Abhishek A. Sharma, Darshil K. Gala, Nikhil Shukla, Hanjong Paik, Suman Datta, Darrell G. Schlom, James A. Bain und Marek Skowronski. „Joule Heating-Induced Metal–Insulator Transition in Epitaxial VO2/TiO2 Devices“. ACS Applied Materials & Interfaces 8, Nr. 20 (10.05.2016): 12908–14. http://dx.doi.org/10.1021/acsami.6b03501.
Der volle Inhalt der QuelleMakino, Kotaro, Kosaku Kato, Yuta Saito, Paul Fons, Alexander V. Kolobov, Junji Tominaga, Takashi Nakano und Makoto Nakajima. „Terahertz spectroscopic characterization of Ge2Sb2Te5 phase change materials for photonics applications“. Journal of Materials Chemistry C 7, Nr. 27 (2019): 8209–15. http://dx.doi.org/10.1039/c9tc01456j.
Der volle Inhalt der QuelleGarcía, Héctor, Jonathan Boo, Guillermo Vinuesa, Óscar G. Ossorio, Benjamín Sahelices, Salvador Dueñas, Helena Castán, Mireia B. González und Francesca Campabadal. „Influences of the Temperature on the Electrical Properties of HfO2-Based Resistive Switching Devices“. Electronics 10, Nr. 22 (17.11.2021): 2816. http://dx.doi.org/10.3390/electronics10222816.
Der volle Inhalt der QuelleDarwish, Mahmoud, und László Pohl. „Insulator Metal Transition-Based Selector in Crossbar Memory Arrays“. Electronic Materials 5, Nr. 1 (23.02.2024): 17–29. http://dx.doi.org/10.3390/electronicmat5010002.
Der volle Inhalt der QuelleLee, Su Yeon, Hyun Kyu Seo, Se Yeon Jeong und Min Kyu Yang. „Improved Electrical Characteristics of Field Effect Transistors with GeSeTe-Based Ovonic Threshold Switching Devices“. Materials 16, Nr. 12 (11.06.2023): 4315. http://dx.doi.org/10.3390/ma16124315.
Der volle Inhalt der QuelleCardarilli, Gian Carlo, Gaurav Mani Khanal, Luca Di Nunzio, Marco Re, Rocco Fazzolari und Raj Kumar. „Memristive and Memory Impedance Behavior in a Photo-Annealed ZnO–rGO Thin-Film Device“. Electronics 9, Nr. 2 (07.02.2020): 287. http://dx.doi.org/10.3390/electronics9020287.
Der volle Inhalt der QuelleBasyooni, Mohamed A., Mawaheb Al-Dossari, Shrouk E. Zaki, Yasin Ramazan Eker, Mucahit Yilmaz und Mohamed Shaban. „Tuning the Metal–Insulator Transition Properties of VO2 Thin Films with the Synergetic Combination of Oxygen Vacancies, Strain Engineering, and Tungsten Doping“. Nanomaterials 12, Nr. 9 (26.04.2022): 1470. http://dx.doi.org/10.3390/nano12091470.
Der volle Inhalt der QuelleZhang, Shenli, Hien Vo und Giulia Galli. „Predicting the Onset of Metal–Insulator Transitions in Transition Metal Oxides—A First Step in Designing Neuromorphic Devices“. Chemistry of Materials 33, Nr. 9 (20.04.2021): 3187–95. http://dx.doi.org/10.1021/acs.chemmater.1c00061.
Der volle Inhalt der QuelleKim, Jihoon, Sungwook Choi, Seul-Lee Lee, Do Kyung Kim, Min Seok Kim, Bong-Jun Kim und Yong Wook Lee. „Reversible 100 mA Current Switching in a VO2/Al2O3-Based Two-Terminal Device Using Focused Far-Infrared Laser Pulses“. Journal of Nanoscience and Nanotechnology 21, Nr. 3 (01.03.2021): 1862–68. http://dx.doi.org/10.1166/jnn.2021.18905.
Der volle Inhalt der QuelleChen, Yiheng, Wen-Ti Guo, Zi-Si Chen, Suyun Wang und Jian-Min Zhang. „First-principles study on the heterostructure of twisted graphene/hexagonal boron nitride/graphene sandwich structure“. Journal of Physics: Condensed Matter 34, Nr. 12 (07.01.2022): 125504. http://dx.doi.org/10.1088/1361-648x/ac45b5.
Der volle Inhalt der QuelleShin, Jaemin, Tyafur Pathan, Guanyu Zhou und Christopher L. Hinkle. „(Invited) Bulk Traps in Layered 2D Gate Dielectrics“. ECS Transactions 113, Nr. 2 (17.05.2024): 25–33. http://dx.doi.org/10.1149/11302.0025ecst.
Der volle Inhalt der QuelleSampaio-Silva, Alessandre, Gervásio Protásio dos Santos Cavalcante, Carlos Alberto B. Silva und Jordan Del Nero. „Design of Molecular Positive Electronic Transition Device“. Journal of Computational and Theoretical Nanoscience 18, Nr. 6 (01.06.2021): 1714–23. http://dx.doi.org/10.1166/jctn.2021.9729.
Der volle Inhalt der QuelleSampaio-Silva, Alessandre, Gervásio Protásio dos Santos Cavalcante, Carlos Alberto B. Silva und Jordan Del Nero. „Design of Molecular Positive Electronic Transition Device“. Journal of Computational and Theoretical Nanoscience 18, Nr. 6 (01.06.2021): 1714–23. http://dx.doi.org/10.1166/jctn.2021.9729.
Der volle Inhalt der QuelleWang, Peng-Fei, Qianqian Hu, Tan Zheng, Yu Liu, Xiaofeng Xu und Jia-Lin Sun. „Optically Monitored Electric-Field-Induced Phase Transition in Vanadium Dioxide Crystal Film“. Crystals 10, Nr. 9 (29.08.2020): 764. http://dx.doi.org/10.3390/cryst10090764.
Der volle Inhalt der QuelleMizsei, János, Jyrki Lappalainen und Laszló Pohl. „Active thermal-electronic devices based on heat-sensitive metal-insulator-transition resistor elements“. Sensors and Actuators A: Physical 267 (November 2017): 14–20. http://dx.doi.org/10.1016/j.sna.2017.09.052.
Der volle Inhalt der QuelleHong, X., A. Posadas und C. H. Ahn. „Examining the screening limit of field effect devices via the metal-insulator transition“. Applied Physics Letters 86, Nr. 14 (04.04.2005): 142501. http://dx.doi.org/10.1063/1.1897076.
Der volle Inhalt der QuelleM, Arunachalam, Thamilmaran P und Sakthipandi K. „Effect of Sintering Temperature on Metal-Insulator Phase Transition in La1-xCaxMnO3 Perovskites“. Frontiers in Advanced Materials Research 2, Nr. 1 (26.05.2020): 37–42. http://dx.doi.org/10.34256/famr2014.
Der volle Inhalt der QuelleCheng, Shaobo, Min-Han Lee, Xing Li, Lorenzo Fratino, Federico Tesler, Myung-Geun Han, Javier del Valle et al. „Operando characterization of conductive filaments during resistive switching in Mott VO2“. Proceedings of the National Academy of Sciences 118, Nr. 9 (23.02.2021): e2013676118. http://dx.doi.org/10.1073/pnas.2013676118.
Der volle Inhalt der QuelleKlein, D. R., D. MacNeill, J. L. Lado, D. Soriano, E. Navarro-Moratalla, K. Watanabe, T. Taniguchi et al. „Probing magnetism in 2D van der Waals crystalline insulators via electron tunneling“. Science 360, Nr. 6394 (03.05.2018): 1218–22. http://dx.doi.org/10.1126/science.aar3617.
Der volle Inhalt der QuelleRakshit, Abhishek, Karimul Islam, Anil Kumar Sinha und Supratic Chakraborty. „Insulator-to-metal transition of vanadium oxide-based metal-oxide-semiconductor devices at discrete measuring temperatures“. Semiconductor Science and Technology 34, Nr. 5 (04.04.2019): 055001. http://dx.doi.org/10.1088/1361-6641/ab07d7.
Der volle Inhalt der QuelleYu, Wenhao, Luqiu Chen, Yifei Liu, Bobo Tian, Qiuxiang Zhu und Chungang Duan. „Resistive switching polarity reversal due to ferroelectrically induced phase transition at BiFeO3/Ca0.96Ce0.04MnO3 heterostructures“. Applied Physics Letters 122, Nr. 2 (09.01.2023): 022902. http://dx.doi.org/10.1063/5.0132819.
Der volle Inhalt der QuelleNishikawa, K., S. Takakura, M. Nakatake, M. Yoshimura und Y. Watanabe. „Effect of surface modification by Ar+ ion irradiation on thermal hysteresis of VO2“. Journal of Applied Physics 133, Nr. 4 (28.01.2023): 045305. http://dx.doi.org/10.1063/5.0132957.
Der volle Inhalt der QuelleZhang, Yanqing, Weiming Xiong, Weijin Chen und Yue Zheng. „Recent Progress on Vanadium Dioxide Nanostructures and Devices: Fabrication, Properties, Applications and Perspectives“. Nanomaterials 11, Nr. 2 (28.01.2021): 338. http://dx.doi.org/10.3390/nano11020338.
Der volle Inhalt der QuelleRafiq, Fareenpoornima, Parthipan Govindsamy und Selvakumar Periyasamy. „Synthesis of a Novel Nanoparticle BaCoO2.6 through Sol-Gel Method and Elucidation of Its Structure and Electrical Properties“. Journal of Nanomaterials 2022 (19.07.2022): 1–15. http://dx.doi.org/10.1155/2022/3877879.
Der volle Inhalt der QuelleHa, Sieu D., B. Viswanath und Shriram Ramanathan. „Electrothermal actuation of metal-insulator transition in SmNiO3 thin film devices above room temperature“. Journal of Applied Physics 111, Nr. 12 (15.06.2012): 124501. http://dx.doi.org/10.1063/1.4729490.
Der volle Inhalt der QuelleYoon, Jongwon, Woong-Ki Hong, Yonghun Kim und Seung-Young Park. „Nanostructured Vanadium Dioxide Materials for Optical Sensing Applications“. Sensors 23, Nr. 15 (27.07.2023): 6715. http://dx.doi.org/10.3390/s23156715.
Der volle Inhalt der QuelleRai, R. K., R. B. Ray, G. C. Kaphle und O. P. Niraula. „A Continuous Time Quantum Monte Carlo as an Impurity Solver for Strongly Correlated System“. Journal of Nepal Physical Society 7, Nr. 3 (31.12.2021): 14–26. http://dx.doi.org/10.3126/jnphyssoc.v7i3.42185.
Der volle Inhalt der QuelleMoon, Jaehyun, Ju-Hun Lee, Kitae Kim, Junho Kim, Soohyung Park, Yeonjin Yi und Seung-Youl Kang. „Threshold Switching of ALD-NbOx Films for Neuromorphic Applications“. ECS Meeting Abstracts MA2023-02, Nr. 30 (22.12.2023): 1558. http://dx.doi.org/10.1149/ma2023-02301558mtgabs.
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